JP2935920B2 - 半導体装置モジュールの製造方法 - Google Patents
半導体装置モジュールの製造方法Info
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
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Description
ンデンサなどの部品を実装する半導体装置モジュールの
製造方法に係り、特に、シングル・インライン・メモリ
・モジュール(Single Inline Memo
ry Module:以下、SIMMという)の製造方
法に関するものである。
例えば、以下に示すようなものがあった。
に実装された平面図、図6はそのSIMMの実装側面図
を示している。
ターンが形成された回路基板1上にQFJ(Quad
Flat J−Lead)2を実装すると同時に、チッ
プコンデンサ等のチップ部品3をQFJ2の直下やQF
J2の近傍に配置するようにしていた。
説明すると、回路基板の形成については、まず、図7
(a)に示すように、基板11の両面にラミネートされ
た銅フィルム12を形成する。次に、図7(b)に示す
ように、その銅フィルム12上にフォトレジスト13を
形成し、図7(c)に示すように、パターンエッチング
を行い、図7(d)に示すように、フォトレジスト13
を除去して、図7(e)に示すように、銅フィルム12
のパターン上にメッキ14を施し、半導体装置あるいは
受動・能動部品を搭載する配線パターンを形成するよう
にしていた。
品を実装するには、図8(a)に示すように、回路基板
20上の配線パターン21上の必要部分へ、スクリーン
印刷方法やディスペンス方法を用いて半田ペースト22
を施す。次に、図8(b)に示すように、その半田ペー
スト22上に半導体装置23やチップコンデンサ24な
どの受動・能動素子を載せ、図8(c)に示すように、
リフローを行ない、図8(d)に示すように、半導体装
置23の端子やチップコンデンサ24などの受動・能動
素子の端子と、回路基板20の所定の配線パターン21
との接続を行なうようにしていた。
実装方式では完成品の幅方向が厚く、また、SIMMを
基板に実装する場合には、せいぜい10mm〜12mm
ピッチ程度である。しかしながら、最低の装置の小型化
などから実装されるSIMMのピッチも6〜7mm程度
が要求されており、従来のQFJを用いたSIMMでは
実装できないという問題があった。
チで実装するために、図9に示すように、回路基板31
に搭載されるTSOP(Thin Small Out
line Package)32という、ガルウィング
形状リードを備えたQFJに比べ大変薄いパッケージを
用いたSIMMが開発されている。このパッケージを用
いたSIMMはTSOP32のスタンドオフが、チップ
コンデンサ33の厚さより小さいために、チップコンデ
ンサ33はTSOP32の直下ではなく、近傍に配置す
る構造をとらざるを得なかった。これによれば、厚みは
満足したとしても、TSOP32の近傍にチップコンデ
ンサ33を配置するために回路基板31の面積は大きく
なるといった問題点があった。
直下の回路基板上にチップ部品を搭載することができ
ず、半導体装置の近傍に配置するため、その実装面積が
大きくなるといった問題点を除去し、予め穴あけ加工を
施した回路基板へチップコンデンサなどの部品を搭載
し、部品の搭載時の振動による脱落を防止するととも
に、高密度実装可能な半導体装置モジュールの製造方法
を提供することを目的とする。
成するために、〔1〕 半導体装置モジュールの製造方法において、表面
と裏面とを貫通する貫通穴と、前記表面に形成された回
路パターンと、前記裏面に形成された前記貫通穴内に突
出すると共に所定間隔をあけて配置される回路パターン
とを有する回路基板の前記貫通穴に、その少なくとも一
辺が前記裏面に形成された回路パターン間の所定間隔よ
りも大きく、その少なくとも他辺が前記裏面に形成され
た回路パターン間の所定間隔よりも小さい部品の前記他
辺を前記回路パターン間を通して前記部品を前記貫通穴
に配置する工程と、前記部品を回転させ、前記一辺と前
記裏面に形成された回路パターンの前記突出部分とを接
続する工程と、前記貫通穴に対応する前記回路基板表面
に半導体素子を接続する工程とを設けるようにしたもの
である。
ンサなどの部品を搭載する貫通穴を設けておき、この貫
通穴内にチップコンデンサなどの部品を実装し、これと
立体的に半導体装置を実装する。したがって、高密度実
装を可能にすることができる。また、搭載時に部品類の
振動による脱落を防止することができる。
がら詳細に説明する。
ージュルの断面図である。
2は回路基板40の底面に配線される回路パターン、4
3は回路基板40の上面に配線される回路パターン、4
4,48は半田、45は半導体装置(QFJ)、46は
貫通穴41に搭載されるチップコンデンサ、47はその
チップコンデンサ46の端子である。
れるべき直下の回路基板40にチップコンデンサ46な
どの電子部品が搭載されるべき貫通穴41が予め形成さ
れている。ここでは、半導体装置45の端子は回路基板
40の上面に形成された回路パターン43に接続されて
おり、一方、チップコンデンサ46の端子47は回路基
板40の底面に形成された回路パターン42に半田48
により接続されており、チップコンデンサ46は半導体
装置45に接続しない構造となっている。
表裏にチップコンデンサ56に接続すべき回路パターン
52,53と貫通穴51を設けておき、この貫通穴51
中にチップコンデンサ56を搭載し、そのチップコンデ
ンサ56の端子57を回路パターン52,53に接続す
る。なお、半導体装置55は前記同様にチップコンデン
サ56上部に実装する。また、54,58は半田であ
る。
合、回路パターンの先端部53aには、図3に示すよう
に、凹凸を設けることにより、半田ペースト印刷時に十
分な量の半田ペーストが端子部分に供給されるように構
成している。
位において、少なくともチップコンデンサ56が挿入さ
れる面の対向する回路パターンの間隔、ここでは、回路
パターン53と53との間隔はチップコンデンサ56の
少なくとも一辺よりは大きくなるようにして、チップコ
ンデンサ56が容易に貫通穴51に挿入できるように構
成する。したがって、まず、チップコンデンサ56を回
路パターン53と53との間に直交するように挿入し、
その後、90度回転して、図3に示すように向きを変え
て、回路パターン53と53の凹凸が形成された先端部
に接続する。
サ66は貫通穴61内に縦形に実装するようにしてもよ
い。すなわち、チップコンデンサ66の上下に端子67
が設けられ、接続すべき回路基板60の回路パターン6
2,63にチップコンデンサ66を縦にして接続するこ
とができる。なお、64,68は半田、65は半導体装
置である。
基板に形成された貫通穴内に実装され、回路基板の少な
くとも裏面に形成される回路パターンに半田ペーストに
より確実に接続することができる。
のではなく、本発明の趣旨に基づき種々の変形が可能で
あり、それらを本発明の範囲から排除するものではな
い。
よれば、チップコンデンサなどの部品を回路基板内に実
装する半導体モジュールにおいて、予め穴あけ加工を施
した回路基板へチップコンデンサなどの部品を搭載し、
高密度実装することができる。
ルコンピュータなどに実装することにより、装置の小型
化・軽量化を実現することができる。
防止することができる。
ングすることにより、半田ペーストなどの印刷を容易に
し、接続の信頼性の向上を図ることができる。
断面図である。
ルの断面図である。
サの搭載状態を示す底面図である。
ージュルの断面図である。
図である。
図である。
Claims (1)
- 【請求項1】 表面と裏面とを貫通する貫通穴と、前記
表面に形成された回路パターンと、前記裏面に形成され
た前記貫通穴内に突出すると共に所定間隔をあけて配置
される回路パターンとを有する回路基板の前記貫通穴
に、その少なくとも一辺が前記裏面に形成された回路パ
ターン間の所定間隔よりも大きく、その少なくとも他辺
が前記裏面に形成された回路パターン間の所定間隔より
も小さい部品の前記他辺を前記回路パターン間を通して
前記部品を前記貫通穴に配置する工程と、 前記部品を回転させ、前記一辺と前記裏面に形成された
回路パターンの前記突出部分とを接続する工程と、 前記貫通穴に対応する前記回路基板表面に半導体素子を
接続する工程とを備えたことを特徴とする半導体装置モ
ジュールの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3257331A JP2935920B2 (ja) | 1991-10-04 | 1991-10-04 | 半導体装置モジュールの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3257331A JP2935920B2 (ja) | 1991-10-04 | 1991-10-04 | 半導体装置モジュールの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05251840A JPH05251840A (ja) | 1993-09-28 |
JP2935920B2 true JP2935920B2 (ja) | 1999-08-16 |
Family
ID=17304880
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3257331A Expired - Fee Related JP2935920B2 (ja) | 1991-10-04 | 1991-10-04 | 半導体装置モジュールの製造方法 |
Country Status (1)
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Families Citing this family (4)
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KR100429878B1 (ko) * | 2001-09-10 | 2004-05-03 | 삼성전자주식회사 | 메모리 모듈과 그에 사용되는 인쇄회로기판 |
FR2897503B1 (fr) * | 2006-02-16 | 2014-06-06 | Valeo Sys Controle Moteur Sas | Procede de fabrication d'un module electronique par fixation sequentielle des composants et ligne de production correspondante |
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-
1991
- 1991-10-04 JP JP3257331A patent/JP2935920B2/ja not_active Expired - Fee Related
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JPH05251840A (ja) | 1993-09-28 |
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