JP2923944B1 - 成形型製造方法 - Google Patents
成形型製造方法Info
- Publication number
- JP2923944B1 JP2923944B1 JP14307798A JP14307798A JP2923944B1 JP 2923944 B1 JP2923944 B1 JP 2923944B1 JP 14307798 A JP14307798 A JP 14307798A JP 14307798 A JP14307798 A JP 14307798A JP 2923944 B1 JP2923944 B1 JP 2923944B1
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- Japan
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- silicon wafer
- forming
- mold
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Abstract
【要約】
【課題】 成形型部材について、サブミクロンオーダー
での穴明け加工を容易に実現できる成形型製造方法を提
供する。 【解決手段】 結晶異方性エッチングにより、シリコン
ウェハに所要のパターンで穴加工を行い、該シリコンウ
ェハ表面に金属蒸着膜を形成して、これを基に所要精度
の穴明き成形品のための成形型部材を構成することを特
徴とする。
での穴明け加工を容易に実現できる成形型製造方法を提
供する。 【解決手段】 結晶異方性エッチングにより、シリコン
ウェハに所要のパターンで穴加工を行い、該シリコンウ
ェハ表面に金属蒸着膜を形成して、これを基に所要精度
の穴明き成形品のための成形型部材を構成することを特
徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、主として、細径の
貫通穴を有するプラスチック成形品の金型において、そ
の成形型部材に穴加工する際の成形型製造方法に関す
る。
貫通穴を有するプラスチック成形品の金型において、そ
の成形型部材に穴加工する際の成形型製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】一般に、金型のコアピンの位置決めを目
的として、成形型部材にガイド穴のための穴明け加工を
施す場合、金型入れ子となる前記成形型部材に、放電加
工機を使用した穴加工が行われるか、あるいは、前記成
形型部材にドリルで下穴を加工し、該下穴にワイヤを通
して、ワイヤカット放電加工を行っている。
的として、成形型部材にガイド穴のための穴明け加工を
施す場合、金型入れ子となる前記成形型部材に、放電加
工機を使用した穴加工が行われるか、あるいは、前記成
形型部材にドリルで下穴を加工し、該下穴にワイヤを通
して、ワイヤカット放電加工を行っている。
【０００３】しかし、光ファイバー用多芯コネクタなど
のプラスチック成形品では、光ファイバーなどを位置決
めする穴を、所要の穴径、穴ピッチで形成する際に、サ
ブミクロン単位の精度で作成しなければならない。例え
ば、その穴ピッチの公差が±１μｍ以下に設定される。
このため、このような穴を成形する際の金型上における
コアピンのガイド穴も、これに見合う精度で、例えば、
そのガイド穴のピッチの公差も±１μｍ以下になるよう
に、作成されなければならない。
のプラスチック成形品では、光ファイバーなどを位置決
めする穴を、所要の穴径、穴ピッチで形成する際に、サ
ブミクロン単位の精度で作成しなければならない。例え
ば、その穴ピッチの公差が±１μｍ以下に設定される。
このため、このような穴を成形する際の金型上における
コアピンのガイド穴も、これに見合う精度で、例えば、
そのガイド穴のピッチの公差も±１μｍ以下になるよう
に、作成されなければならない。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
ような従来の機械的な金型加工方法では、前記ガイド穴
の穴径精度や穴ピッチ精度をサブミクロン単位の精度で
作成することが、その加工機精度の上からも、金型加工
の技術からも、甚だ困難であった。
ような従来の機械的な金型加工方法では、前記ガイド穴
の穴径精度や穴ピッチ精度をサブミクロン単位の精度で
作成することが、その加工機精度の上からも、金型加工
の技術からも、甚だ困難であった。
【０００５】本発明は、上記事情に基づいてなされたも
ので、その目的とするところは、成形型部材について、
サブミクロンオーダーでの穴明け加工を容易に実現でき
る成形型製造方法を提供することにある。
ので、その目的とするところは、成形型部材について、
サブミクロンオーダーでの穴明け加工を容易に実現でき
る成形型製造方法を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】このため、本発明では、
結晶異方性エッチングにより、シリコンウェハに所要の
パターンで穴加工を行い、該シリコンウェハ表面に金属
蒸着膜を形成して成形型基材を構成し、この成形型基材
に二次加工を施して、所要精度の穴明き成形品のための
成形型部材を構成すると共に、前記結晶異方性エッチン
グによる穴加工で得られた成形型部材の穴は、例えば、
光ファイバー用多芯コネクタなどの成形品のための成形
型のコアピンの位置決め用ガイド穴であることを特徴と
する。
結晶異方性エッチングにより、シリコンウェハに所要の
パターンで穴加工を行い、該シリコンウェハ表面に金属
蒸着膜を形成して成形型基材を構成し、この成形型基材
に二次加工を施して、所要精度の穴明き成形品のための
成形型部材を構成すると共に、前記結晶異方性エッチン
グによる穴加工で得られた成形型部材の穴は、例えば、
光ファイバー用多芯コネクタなどの成形品のための成形
型のコアピンの位置決め用ガイド穴であることを特徴と
する。
【０００７】また、本発明では、結晶異方性エッチング
により、シリコンウェハに所要のパターンで穴加工を行
い、該シリコンウェハ表面に金属蒸着膜を形成して電鋳
マスタを構成すると共に、該電鋳マスタを用いて、電鋳
加工により成形型基材を構成し、この成形型基材に二次
加工を施して、所要精度の穴明き成形品のための成形型
部材を構成することを特徴とする。
により、シリコンウェハに所要のパターンで穴加工を行
い、該シリコンウェハ表面に金属蒸着膜を形成して電鋳
マスタを構成すると共に、該電鋳マスタを用いて、電鋳
加工により成形型基材を構成し、この成形型基材に二次
加工を施して、所要精度の穴明き成形品のための成形型
部材を構成することを特徴とする。
【０００８】この場合、前記結晶異方性エッチングによ
る穴加工で得られた成形型部材の穴は、例えば、光ファ
イバー用多芯コネクタなどの成形品のための成形型のコ
アピンの位置決め用ガイド穴である。
る穴加工で得られた成形型部材の穴は、例えば、光ファ
イバー用多芯コネクタなどの成形品のための成形型のコ
アピンの位置決め用ガイド穴である。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を、光
ファイバー用多芯コネクタの本体を成形する際の事例に
ついて、図面を参照して具体的に説明する。図１〜図４
には、本発明の製造方法で、成形型部材を作成する工程
が示されている。ここでは、先ず、結晶異方性エッチン
グにより、長方形のシリコンウェハ１に所要のパターン
２（所要の穴径、所要の穴ピッチ）で精度の高い穴加工
（例えば、公差が±１μｍ程度以下）を行う（図１を参
照）。そして、このシリコンウェハ１にシャンク３を装
着し（図２を参照）、電鋳槽４の電鋳浴５に浸漬して、
電極６と電極としての前記シャンク３との間で、直流電
界を印加し（図３を参照）、シリコンウェハ表面に金属
蒸着膜を所要厚さまで形成して成形型基材１’を構成
し、この成形型基材１’に二次加工（例えば、周辺加
工）を施して、所要精度の穴明き成形品のための成形型
部材１”を構成する（図４を参照）。
ファイバー用多芯コネクタの本体を成形する際の事例に
ついて、図面を参照して具体的に説明する。図１〜図４
には、本発明の製造方法で、成形型部材を作成する工程
が示されている。ここでは、先ず、結晶異方性エッチン
グにより、長方形のシリコンウェハ１に所要のパターン
２（所要の穴径、所要の穴ピッチ）で精度の高い穴加工
（例えば、公差が±１μｍ程度以下）を行う（図１を参
照）。そして、このシリコンウェハ１にシャンク３を装
着し（図２を参照）、電鋳槽４の電鋳浴５に浸漬して、
電極６と電極としての前記シャンク３との間で、直流電
界を印加し（図３を参照）、シリコンウェハ表面に金属
蒸着膜を所要厚さまで形成して成形型基材１’を構成
し、この成形型基材１’に二次加工（例えば、周辺加
工）を施して、所要精度の穴明き成形品のための成形型
部材１”を構成する（図４を参照）。
【００１０】また、図５〜図９に本発明の他の製造方法
を示す。ここでは、先ず、結晶異方性エッチングによ
り、シリコンウェハ１に所要のパターン２（所要の穴
径、所要の穴ピッチ）で穴加工を行い（図５を参照）、
シリコンウェハ１にシャンク３を装着し（図６を参
照）、電鋳槽４の電鋳浴５に浸漬して、電極６と電極と
しての前記シャンク３との間で、直流電界を印加し（図
７を参照）、シリコンウェハ表面に、例えば、クロムと
金の二層蒸着などの、金属蒸着膜を所要厚さまで形成し
て電鋳マスタ７を構成する（図８を参照）と共に、この
電鋳マスタ７を用いて、例えば、ニッケルなどの電鋳加
工により成形型基材１’（電鋳体）を構成し、この成形
型基材１’に二次加工（例えば、周辺加工）を施して、
所要精度の穴明き成形品のための成形型部材１”を構成
する（図９を参照）。
を示す。ここでは、先ず、結晶異方性エッチングによ
り、シリコンウェハ１に所要のパターン２（所要の穴
径、所要の穴ピッチ）で穴加工を行い（図５を参照）、
シリコンウェハ１にシャンク３を装着し（図６を参
照）、電鋳槽４の電鋳浴５に浸漬して、電極６と電極と
しての前記シャンク３との間で、直流電界を印加し（図
７を参照）、シリコンウェハ表面に、例えば、クロムと
金の二層蒸着などの、金属蒸着膜を所要厚さまで形成し
て電鋳マスタ７を構成する（図８を参照）と共に、この
電鋳マスタ７を用いて、例えば、ニッケルなどの電鋳加
工により成形型基材１’（電鋳体）を構成し、この成形
型基材１’に二次加工（例えば、周辺加工）を施して、
所要精度の穴明き成形品のための成形型部材１”を構成
する（図９を参照）。
【００１１】これらの製造方法で形成された成形型部材
１”は、図１０に示すように、上型８および下型９のキ
ャビティ内に装着され、前記穴加工で成形型部材１”に
形成された貫通穴にコアピン１０を摺動可能に嵌合さ
せ、コアピンの基端を、例えば下型９側に固定させて、
成形型を構成するのである。そして、このようにして構
成された内部空間に、射出成形などの手段で、樹脂を充
填して、例えば、光ファイバー用多芯コネクタなどの成
形品を成形することができる。
１”は、図１０に示すように、上型８および下型９のキ
ャビティ内に装着され、前記穴加工で成形型部材１”に
形成された貫通穴にコアピン１０を摺動可能に嵌合さ
せ、コアピンの基端を、例えば下型９側に固定させて、
成形型を構成するのである。そして、このようにして構
成された内部空間に、射出成形などの手段で、樹脂を充
填して、例えば、光ファイバー用多芯コネクタなどの成
形品を成形することができる。
【００１２】なお、図１１は、（１００）シリコンウェ
ハを、その（１１０）面でエッチングして所要パターン
２の穴を有するシリコンウェハを構成し、これを基に作
成した、コアピン位置決めのためのガイド穴を有する成
形型部材１”であり、また、図１２は（１１０）シリコ
ンウェハを、その（１１１）面でエッチングして所要パ
ターン２の穴を有するシリコンウェハを構成し、これを
基に作成した、コアピン位置決めのためのガイド穴を有
する成形型部材１”である。
ハを、その（１１０）面でエッチングして所要パターン
２の穴を有するシリコンウェハを構成し、これを基に作
成した、コアピン位置決めのためのガイド穴を有する成
形型部材１”であり、また、図１２は（１１０）シリコ
ンウェハを、その（１１１）面でエッチングして所要パ
ターン２の穴を有するシリコンウェハを構成し、これを
基に作成した、コアピン位置決めのためのガイド穴を有
する成形型部材１”である。
【００１３】
【発明の効果】本発明は、以上詳述したようになり、こ
の製造方法で作成した成形型部材を金型の入れ子として
使用することで、光ファイバー用多芯コネクタなどの、
高精度の穴径、穴ピッチでの穴明き成形品を作成するこ
とができる。
の製造方法で作成した成形型部材を金型の入れ子として
使用することで、光ファイバー用多芯コネクタなどの、
高精度の穴径、穴ピッチでの穴明き成形品を作成するこ
とができる。
【図１】本発明の製造方法の実施の形態を示す最初の穴
明きシリコンウェハの概略斜視図である。
明きシリコンウェハの概略斜視図である。
【図２】同じく、シャンク取付状態の概略斜視図であ
る。
る。
【図３】同じく、電鋳作業を概念的に示す模式的側面図
である。
である。
【図４】同じく、形成された成形型部材である。
【図５】本発明の製造方法の他の実施の形態を示す最初
の穴明きシリコンウェハの概略斜視図である。
の穴明きシリコンウェハの概略斜視図である。
【図６】同じく、シャンク取付状態の概略斜視図であ
る。
る。
【図７】同じく、電鋳作業を概念的に示す模式的側面図
である。
である。
【図８】同じく、形成された電鋳マスタの斜視図であ
る。
る。
【図９】同じく、前記電鋳マスタから形成された成形型
部材である。
部材である。
【図１０】これらの製造方法で得られた成形型部材を装
填した成形型の断面図である。
填した成形型の断面図である。
【図１１】本発明に係わる成形型部材の斜視図である。
【図１２】同じく、他の成形型部材の斜視図である。
１ シリコンウェハ １’ 成形型基材（電鋳体） １” 成形型部材 ２ パターン ３ シャンク ４ 電鋳槽 ５ 電鋳浴 ６ 電極 ７ 電鋳マスタ ８ 上型 ９ 下型
Claims (3)
- 【請求項１】 結晶異方性エッチングにより、シリコン
ウェハに所要のパターンで穴加工を行い、該シリコンウ
ェハ表面に金属蒸着膜を形成して成形型基材を構成し、
この成形型基材に二次加工を施して、所要精度の穴明き
成形品のための成形型部材を構成すると共に、前記結晶
異方性エッチングによる穴加工で得られた成形型部材の
穴は、成形型のコアピンの位置決め用ガイド穴であるこ
とを特徴とする成形型製造方法。 - 【請求項２】 結晶異方性エッチングにより、シリコン
ウェハに所要のパターンで穴加工を行い、該シリコンウ
ェハ表面に金属蒸着膜を形成して電鋳マスタを構成する
と共に、該電鋳マスタを用いて、電鋳加工により成形型
基材を構成し、この成形型基材に二次加工を施して、所
要精度の穴明き成形品のための成形型部材を構成するこ
とを特徴とする成形型製造方法。 - 【請求項３】 前記結晶異方性エッチングによる穴加工
で得られた成形型部材の穴は、成形型のコアピンの位置
決め用ガイド穴であることを特徴とする請求項２に記載
の成形型製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14307798A JP2923944B1 (ja) | 1998-05-25 | 1998-05-25 | 成形型製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14307798A JP2923944B1 (ja) | 1998-05-25 | 1998-05-25 | 成形型製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2923944B1 true JP2923944B1 (ja) | 1999-07-26 |
| JPH11333854A JPH11333854A (ja) | 1999-12-07 |
Family
ID=15330386
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14307798A Expired - Lifetime JP2923944B1 (ja) | 1998-05-25 | 1998-05-25 | 成形型製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2923944B1 (ja) |
-
1998
- 1998-05-25 JP JP14307798A patent/JP2923944B1/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH11333854A (ja) | 1999-12-07 |
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