JP2923833B2 - 磁気ディスクのヘッド傷検査方法およびヘッド傷検査装置 - Google Patents
磁気ディスクのヘッド傷検査方法およびヘッド傷検査装置Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、磁気ディスクのヘッ
ド傷判定方法およびヘッド傷検査装置に関し、詳しく
は、磁気ディスクのヘッド傷の大きさを計測し、その良
否を判定する方法および装置に関する。
ド傷判定方法およびヘッド傷検査装置に関し、詳しく
は、磁気ディスクのヘッド傷の大きさを計測し、その良
否を判定する方法および装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】情報記録媒体の磁気ディスクは、サーテ
ファイヤーとよばれる検査装置により、磁性膜の記録性
能などが検査されて保証される。図４は、グライドテス
ター及びサーテファイヤーの要部の概略の構成を示して
いる。これを参照して、その動作と、これにより生ずる
ヘッド傷について説明する。磁気ディスク（以下単にデ
ィスクという）１は、表面と裏面に磁性膜Ｍ（保護膜等
を含めて磁性膜で代表する。）が形成されており、スピ
ンドル機構２に装着されてθ回転する。これに対してヘ
ッドアッセンブリ３が設けられ、その磁気ヘッド（以下
単にヘッドという）３a は、キャリッジ機構３b により
中心孔１a の近傍より半径Ｒの方向に外周１b の近傍ま
でステップ移動し、同心円をなす各トラックＴに対して
テストデータの書込み／読出しを行う。
ファイヤーとよばれる検査装置により、磁性膜の記録性
能などが検査されて保証される。図４は、グライドテス
ター及びサーテファイヤーの要部の概略の構成を示して
いる。これを参照して、その動作と、これにより生ずる
ヘッド傷について説明する。磁気ディスク（以下単にデ
ィスクという）１は、表面と裏面に磁性膜Ｍ（保護膜等
を含めて磁性膜で代表する。）が形成されており、スピ
ンドル機構２に装着されてθ回転する。これに対してヘ
ッドアッセンブリ３が設けられ、その磁気ヘッド（以下
単にヘッドという）３a は、キャリッジ機構３b により
中心孔１a の近傍より半径Ｒの方向に外周１b の近傍ま
でステップ移動し、同心円をなす各トラックＴに対して
テストデータの書込み／読出しを行う。
【０００３】上記のテストデータの書込み／読出しにお
いては、ヘッド３a は、ディスク１の表面にローディン
グされ、その底面に形成されたスライダー面が、ディス
ク１の回転により生ずるエアフローにより微小な高さで
浮上して書込み／読出しがなされる。この場合、ヘッド
３a の重量やスライダー面の形状にはばらつきがあるた
め、これが磁性膜Ｍに接触してヘッド傷ｈが発生するこ
とがある。またローディングの方式として、ディスク１
を停止してヘッド３a を磁性膜Ｍに接触させた後、回転
して浮上させて検査を行い、検査終了により回転を停止
するコンタクトスタートストップ方式がある。この方式
ではスライダー面が磁性膜Ｍをかならず擦過するために
ヘッド傷ｈが生ずる。
いては、ヘッド３a は、ディスク１の表面にローディン
グされ、その底面に形成されたスライダー面が、ディス
ク１の回転により生ずるエアフローにより微小な高さで
浮上して書込み／読出しがなされる。この場合、ヘッド
３a の重量やスライダー面の形状にはばらつきがあるた
め、これが磁性膜Ｍに接触してヘッド傷ｈが発生するこ
とがある。またローディングの方式として、ディスク１
を停止してヘッド３a を磁性膜Ｍに接触させた後、回転
して浮上させて検査を行い、検査終了により回転を停止
するコンタクトスタートストップ方式がある。この方式
ではスライダー面が磁性膜Ｍをかならず擦過するために
ヘッド傷ｈが生ずる。
【０００４】上記により発生したヘッド傷ｈは、トラッ
クＴと同様に同心円に沿った円の一部の、いわゆる弧状
をなし、その長さは、図示のように１円周に達する長い
ｈ1や、比較的に短いｈ2 など長短はさまざまである。
ヘッド傷ｈの半径Ｒ方向の幅もまた大小さまざまであ
る。ヘッド傷ｈは、長さと幅が比較的に小さいものでは
記録性能にほとんど無害であるが、これらが一定以上、
例えば、幅が約２００μｍ以上で長さが約５ｍｍ以上の
ものは有害とされ、この幅２００μｍと長さ５ｍｍがヘ
ッド傷ｈの無害／有害（または良否）の判定条件とされ
ている。
クＴと同様に同心円に沿った円の一部の、いわゆる弧状
をなし、その長さは、図示のように１円周に達する長い
ｈ1や、比較的に短いｈ2 など長短はさまざまである。
ヘッド傷ｈの半径Ｒ方向の幅もまた大小さまざまであ
る。ヘッド傷ｈは、長さと幅が比較的に小さいものでは
記録性能にほとんど無害であるが、これらが一定以上、
例えば、幅が約２００μｍ以上で長さが約５ｍｍ以上の
ものは有害とされ、この幅２００μｍと長さ５ｍｍがヘ
ッド傷ｈの無害／有害（または良否）の判定条件とされ
ている。
【０００５】上記のヘッド傷ｈを検査するためにヘッド
傷検査装置が開発されている。図５は、ヘッド傷検査装
置の概略の構成を示し、ディスク１を装着してθ回転す
るスピンドル機構２と、投光系４と受光系５よりなる検
査光学系６、検査光学系６をディスク１の半径Ｒ上で連
続移動する移動制御部６a および信号処理部７とにより
構成されている。投光系４のレーザ光源４１よりのレー
ザビームＬT は、集束レンズ４２によりスポットＳp に
集束されて磁性膜Ｍに投射され、中心孔１a の近傍から
外周１bの近傍まで連続移動し、ディスク１の回転によ
り磁性膜Ｍをスパイラル状に走査する。ヘッド傷ｈがあ
ると、その散乱光ＬR が受光系５の集光レンズ５１によ
り集光され、これがハーフミラー５２により透過光と反
射光に分割される。分割された透過光は空間フィルタ５
３により正反射成分ＬRsが除去され、乱反射成分ＬRRの
みが第１の受光器５４に受光される。一方、反射光は正
反射成分ＬRsのみがスリット板５５の孔を透過して第２
の受光器５６に受光される。上記の両受光器の各受光信
号は、信号処理部６に入力して差分信号が作成され、正
反射成分ＬRsの影響が排除されてＳ／Ｎ比が向上し、差
分信号よりヘッド傷ｈが検出されてヘッド傷信号が出力
される。
傷検査装置が開発されている。図５は、ヘッド傷検査装
置の概略の構成を示し、ディスク１を装着してθ回転す
るスピンドル機構２と、投光系４と受光系５よりなる検
査光学系６、検査光学系６をディスク１の半径Ｒ上で連
続移動する移動制御部６a および信号処理部７とにより
構成されている。投光系４のレーザ光源４１よりのレー
ザビームＬT は、集束レンズ４２によりスポットＳp に
集束されて磁性膜Ｍに投射され、中心孔１a の近傍から
外周１bの近傍まで連続移動し、ディスク１の回転によ
り磁性膜Ｍをスパイラル状に走査する。ヘッド傷ｈがあ
ると、その散乱光ＬR が受光系５の集光レンズ５１によ
り集光され、これがハーフミラー５２により透過光と反
射光に分割される。分割された透過光は空間フィルタ５
３により正反射成分ＬRsが除去され、乱反射成分ＬRRの
みが第１の受光器５４に受光される。一方、反射光は正
反射成分ＬRsのみがスリット板５５の孔を透過して第２
の受光器５６に受光される。上記の両受光器の各受光信
号は、信号処理部６に入力して差分信号が作成され、正
反射成分ＬRsの影響が排除されてＳ／Ｎ比が向上し、差
分信号よりヘッド傷ｈが検出されてヘッド傷信号が出力
される。
【０００６】さて、前記したように、ヘッド傷ｈは幅と
長さを上記の判定条件に照らしてその良否を判定するこ
とが必要である。しかし、信号処理部７においては、単
にヘッド傷信号が出力されるのみで、その幅や長さは検
出されない。すなわち、ヘッド傷ｈは弧状であり、これ
に対するスポットＳp はスパイラル走査であるため、両
者がマッチせず幅と長さは単純には検出できない。これ
を図６により説明する。図６において、スポットＳp の
スパイラル走査線（以下単に走査線）をＣとし、そのピ
ッチ間隔をΔｒとする。いま隣接した任意の３本の走査
線Ｃn-1 ，Ｃn，Ｃn+1 をとり、図示の位置にヘッド傷
ｈがあるとする。
長さを上記の判定条件に照らしてその良否を判定するこ
とが必要である。しかし、信号処理部７においては、単
にヘッド傷信号が出力されるのみで、その幅や長さは検
出されない。すなわち、ヘッド傷ｈは弧状であり、これ
に対するスポットＳp はスパイラル走査であるため、両
者がマッチせず幅と長さは単純には検出できない。これ
を図６により説明する。図６において、スポットＳp の
スパイラル走査線（以下単に走査線）をＣとし、そのピ
ッチ間隔をΔｒとする。いま隣接した任意の３本の走査
線Ｃn-1 ，Ｃn，Ｃn+1 をとり、図示の位置にヘッド傷
ｈがあるとする。
【０００７】ヘッド傷ｈの円弧線は、各走査線Ｃと交差
し、例えば、まず点ｐ1 で走査線Ｃn-1 と交差し、つい
でディスク１の１回転により点ｐ2 で走査線Ｃn と交差
し、さらに１回転により点ｐ3 で走査線Ｃn+1 と交差す
る。したがって、ピッチ間隔Δｒに比較して短いヘッド
傷ｈは１本の走査線により検出可能であるが、これが長
くなると１本の走査線では検出不能となり、複数の走査
線でそれぞれ検出される。ただし、１本の走査線による
検出可能の長さは、スポットＳp の直径または第１の受
光器５４の受光面５４１の幅に依存して変化するが、こ
の直径または幅をピッチ間隔Δｒより過小にすると走査
漏れが生じ、また、直径を過大にすると複数の走査線が
同時にヘッド傷ｈに交差してその幅が計測できないな
ど、不都合が生ずる。
し、例えば、まず点ｐ1 で走査線Ｃn-1 と交差し、つい
でディスク１の１回転により点ｐ2 で走査線Ｃn と交差
し、さらに１回転により点ｐ3 で走査線Ｃn+1 と交差す
る。したがって、ピッチ間隔Δｒに比較して短いヘッド
傷ｈは１本の走査線により検出可能であるが、これが長
くなると１本の走査線では検出不能となり、複数の走査
線でそれぞれ検出される。ただし、１本の走査線による
検出可能の長さは、スポットＳp の直径または第１の受
光器５４の受光面５４１の幅に依存して変化するが、こ
の直径または幅をピッチ間隔Δｒより過小にすると走査
漏れが生じ、また、直径を過大にすると複数の走査線が
同時にヘッド傷ｈに交差してその幅が計測できないな
ど、不都合が生ずる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上記のヘッド傷検査装
置に対して、ヘッド傷の長さと幅を的確に計測し、その
良否を判定する方法が要請とされている。この発明は以
上に鑑みてなされたもので、スポットのスパイラル走査
により検出されたヘッド傷信号より、弧状のヘッド傷の
幅と長さを的確に計測し、判定条件に照らしてその良否
を判定する、磁気ディスクのヘッド傷判定方法およびヘ
ッド傷検査装置を提供することを目的とする。
置に対して、ヘッド傷の長さと幅を的確に計測し、その
良否を判定する方法が要請とされている。この発明は以
上に鑑みてなされたもので、スポットのスパイラル走査
により検出されたヘッド傷信号より、弧状のヘッド傷の
幅と長さを的確に計測し、判定条件に照らしてその良否
を判定する、磁気ディスクのヘッド傷判定方法およびヘ
ッド傷検査装置を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】この発明の磁気ディスク
のヘッド傷判定方法およびヘッド傷検査装置の特徴は、
スパイラル走査のピッチ間隔Δｒを、判定条件の幅ΔＲ
s より小さい値に、スポットの直径Δφをピッチ間隔Δ
ｒより大きく、例えば、ほぼ２倍に、また、受光器の受
光面の幅をピッチ間隔Δｒに対応した幅にそれぞれ設定
する。ヘッド傷信号に対するデータ処理部と、スピンド
ル機構に付加され、ディスクの回転角度を検出する角度
検出器とをそれぞれ設ける。スパイラル走査ごとに信号
処理部より出力されるヘッド傷信号と、移動制御部より
出力されるスポットの位置信号、および角度検出器より
出力される角度信号とをデータ処理部に入力して、ヘッ
ド傷の幅と長さを計測し、これを判定条件に比較して、
判定条件を越えているとき有害なヘッド傷と判定する。
のヘッド傷判定方法およびヘッド傷検査装置の特徴は、
スパイラル走査のピッチ間隔Δｒを、判定条件の幅ΔＲ
s より小さい値に、スポットの直径Δφをピッチ間隔Δ
ｒより大きく、例えば、ほぼ２倍に、また、受光器の受
光面の幅をピッチ間隔Δｒに対応した幅にそれぞれ設定
する。ヘッド傷信号に対するデータ処理部と、スピンド
ル機構に付加され、ディスクの回転角度を検出する角度
検出器とをそれぞれ設ける。スパイラル走査ごとに信号
処理部より出力されるヘッド傷信号と、移動制御部より
出力されるスポットの位置信号、および角度検出器より
出力される角度信号とをデータ処理部に入力して、ヘッ
ド傷の幅と長さを計測し、これを判定条件に比較して、
判定条件を越えているとき有害なヘッド傷と判定する。
【００１０】また、上記において、さらに具体的構成と
して、データ処理部は、交差点検出部と演算処理部、ヘ
ッド傷判定部およびメモリを有していて、交差点検出部
に入力したヘッド傷信号と位置信号および角度信号によ
り、各スパイラル走査線とヘッド傷の円弧線との交差点
の座標値（Ｒ，θ）を逐次に検出してメモリに記憶す
る。演算処理部により、記憶された各座標値を読出し
て、１個のヘッド傷に交差した複数のスパイラル走査線
の各交差点の始点間または終点間の間隔を求めてヘッド
傷の幅ΔＲm を計測する。さらに、上記の始点と終点に
対する座標値θ1 ，θ2 の角度差θm を求め、これに始
点または終点の座標値Ｒm を乗じてヘッド傷の長さｌm
を計測する。計測された幅ΔＲm と長さｌm とをヘッド
傷判定部に入力し、メモリに予め記憶された判定条件に
それぞれ比較するものである。
して、データ処理部は、交差点検出部と演算処理部、ヘ
ッド傷判定部およびメモリを有していて、交差点検出部
に入力したヘッド傷信号と位置信号および角度信号によ
り、各スパイラル走査線とヘッド傷の円弧線との交差点
の座標値（Ｒ，θ）を逐次に検出してメモリに記憶す
る。演算処理部により、記憶された各座標値を読出し
て、１個のヘッド傷に交差した複数のスパイラル走査線
の各交差点の始点間または終点間の間隔を求めてヘッド
傷の幅ΔＲm を計測する。さらに、上記の始点と終点に
対する座標値θ1 ，θ2 の角度差θm を求め、これに始
点または終点の座標値Ｒm を乗じてヘッド傷の長さｌm
を計測する。計測された幅ΔＲm と長さｌm とをヘッド
傷判定部に入力し、メモリに予め記憶された判定条件に
それぞれ比較するものである。
【００１１】
【作用】上記のヘッド傷判定方法においては、各走査線
のピッチ間隔Δｒは、判定条件の幅ΔＲs より小さい値
に、スポットの直径Δφはピッチ間隔Δｒより大きい、
例えば、それはほぼ２倍である。また、受光器の受光面
は半径方向の幅がピッチ間隔Δｒに対応してそれぞれ設
定されているので、幅がある程度以上のヘッド傷は複数
の走査線に交差し、その散乱光は漏れとオーバラップせ
ずに受光面に逐次に受光される。なお、ΔφをΔｒのほ
ぼ２倍に設定した理由は、レーザのスポットは半径方向
に強度が減少するので、なるべく強度の均一な範囲を使
用することが必要なためである。各走査線に対するヘッ
ド傷信号とスポットの位置信号および角度信号はデータ
処理部に入力して、ヘッド傷の幅と長さとが計測され、
これらが判定条件を越えているとき有害なヘッド傷と判
定される。
のピッチ間隔Δｒは、判定条件の幅ΔＲs より小さい値
に、スポットの直径Δφはピッチ間隔Δｒより大きい、
例えば、それはほぼ２倍である。また、受光器の受光面
は半径方向の幅がピッチ間隔Δｒに対応してそれぞれ設
定されているので、幅がある程度以上のヘッド傷は複数
の走査線に交差し、その散乱光は漏れとオーバラップせ
ずに受光面に逐次に受光される。なお、ΔφをΔｒのほ
ぼ２倍に設定した理由は、レーザのスポットは半径方向
に強度が減少するので、なるべく強度の均一な範囲を使
用することが必要なためである。各走査線に対するヘッ
ド傷信号とスポットの位置信号および角度信号はデータ
処理部に入力して、ヘッド傷の幅と長さとが計測され、
これらが判定条件を越えているとき有害なヘッド傷と判
定される。
【００１２】上記において、特に、交差点検出部では、
これによりそれぞれ検出されてメモリに記憶された、各
走査線とヘッド傷の円弧線との複数個の交差点の座標値
（Ｒ，θ）は、演算処理部により読み出されて、１個の
ヘッド傷に対する複数の走査線の各交差点の、始点間ま
たは終点間の間隔が求められ、ヘッド傷の幅ΔＲm が計
測される。また、上記の始点と終点の角度差θm に対し
て始点または終点の座標値Ｒm を乗じてヘッド傷の長さ
ｌm が計測される。計測された幅ΔＲm と長さｌm と
は、ヘッド傷判定部において、予めメモリに記憶されて
いる判定条件に比較され、ヘッド傷の良否が判定される
ものである。
これによりそれぞれ検出されてメモリに記憶された、各
走査線とヘッド傷の円弧線との複数個の交差点の座標値
（Ｒ，θ）は、演算処理部により読み出されて、１個の
ヘッド傷に対する複数の走査線の各交差点の、始点間ま
たは終点間の間隔が求められ、ヘッド傷の幅ΔＲm が計
測される。また、上記の始点と終点の角度差θm に対し
て始点または終点の座標値Ｒm を乗じてヘッド傷の長さ
ｌm が計測される。計測された幅ΔＲm と長さｌm と
は、ヘッド傷判定部において、予めメモリに記憶されて
いる判定条件に比較され、ヘッド傷の良否が判定される
ものである。
【００１３】
【実施例】図１は、この発明による磁気ディスクのヘッ
ド傷判定方法およびヘッド傷検査装置を適用したヘッド
傷検査装置の一実施例におけるブロック構成図、図２
は、図１におけるスパイラル走査線Ｃのピッチ間隔と、
スポットＳp および受光面５４１の相互の寸法関係の説
明図、図３は、ヘッド傷と各走査線の交差点の説明図で
ある。図１に示すヘッド傷検査装置は、前記した図５と
同一のスピンドル機構２と、投光系４と受光系５、およ
び信号処理部６を具備し、これに対して、マイクロプロ
セッサ（ＭＰＵ）７と、メモリ（ＭＥＭ）７a および出
力部８とを設ける。またスピンドル機構２に対して角度
検出器２a を設け、移動制御部６a はスポットＳp の位
置信号を出力する機能を有するものとする。
ド傷判定方法およびヘッド傷検査装置を適用したヘッド
傷検査装置の一実施例におけるブロック構成図、図２
は、図１におけるスパイラル走査線Ｃのピッチ間隔と、
スポットＳp および受光面５４１の相互の寸法関係の説
明図、図３は、ヘッド傷と各走査線の交差点の説明図で
ある。図１に示すヘッド傷検査装置は、前記した図５と
同一のスピンドル機構２と、投光系４と受光系５、およ
び信号処理部６を具備し、これに対して、マイクロプロ
セッサ（ＭＰＵ）７と、メモリ（ＭＥＭ）７a および出
力部８とを設ける。またスピンドル機構２に対して角度
検出器２a を設け、移動制御部６a はスポットＳp の位
置信号を出力する機能を有するものとする。
【００１４】さらに、この発明においては、図２に示す
ように、スパイラル走査線Ｃのピッチ間隔Δｒは、判定
条件の幅Δs(２００μｍ）の数分の１の、例えば３０μ
ｍとし、受光面５４１の幅はΔｒに対応する幅に、スポ
ットＳp の直径ΔφはΔｒのほぼ２倍に設定する。これ
により、前記したようにヘッド傷ｈはスポットＳp の均
一強度で走査され、その散乱光は受光面５４１に漏れと
オーバラップなく受光される。次に信号処理部６は、信
号処理回路６１、コンパレータ６２、およびＡ／Ｄ変換
器６３よりなり、ＭＰＵ７は交差点検出部７１、演算処
理部７２、およびヘッド傷判定部７３とにより構成され
る。
ように、スパイラル走査線Ｃのピッチ間隔Δｒは、判定
条件の幅Δs(２００μｍ）の数分の１の、例えば３０μ
ｍとし、受光面５４１の幅はΔｒに対応する幅に、スポ
ットＳp の直径ΔφはΔｒのほぼ２倍に設定する。これ
により、前記したようにヘッド傷ｈはスポットＳp の均
一強度で走査され、その散乱光は受光面５４１に漏れと
オーバラップなく受光される。次に信号処理部６は、信
号処理回路６１、コンパレータ６２、およびＡ／Ｄ変換
器６３よりなり、ＭＰＵ７は交差点検出部７１、演算処
理部７２、およびヘッド傷判定部７３とにより構成され
る。
【００１５】図１に図３を併用してヘッド傷検出方法を
説明する。信号処理回路６１においては、従来と同様に
第１および第２の受光器５４，５６の各受光信号より差
分信号が作成され、これがコンパレータ６２において閾
値電圧ｖs と比較されてノイズが除去され、ついでＡ／
Ｄ変換器６３によりデジタル化されてデジタルのヘッド
傷信号が出力される。各ヘッド傷信号とスポットＳp の
位置信号および角度検出器２a よりの角度信号θr と
が、ＭＰＵ７の交差点検出部７１に逐次に入力されて、
ヘッド傷ｈと各走査線Ｃの交差点の座標値（Ｒ，θ）が
検出される。
説明する。信号処理回路６１においては、従来と同様に
第１および第２の受光器５４，５６の各受光信号より差
分信号が作成され、これがコンパレータ６２において閾
値電圧ｖs と比較されてノイズが除去され、ついでＡ／
Ｄ変換器６３によりデジタル化されてデジタルのヘッド
傷信号が出力される。各ヘッド傷信号とスポットＳp の
位置信号および角度検出器２a よりの角度信号θr と
が、ＭＰＵ７の交差点検出部７１に逐次に入力されて、
ヘッド傷ｈと各走査線Ｃの交差点の座標値（Ｒ，θ）が
検出される。
【００１６】これらの検出の詳細を、図３により説明す
る。図３において、一点鎖線で示す複数の走査線Ｃ1 〜
Ｃ10の範囲に対して、実線で示すヘッド傷ｈが存在し、
ヘッド傷ｈは間隔（幅）ΔＲm をなす左右の円弧線ｈ1
，ｈ2 を有するものとする。
る。図３において、一点鎖線で示す複数の走査線Ｃ1 〜
Ｃ10の範囲に対して、実線で示すヘッド傷ｈが存在し、
ヘッド傷ｈは間隔（幅）ΔＲm をなす左右の円弧線ｈ1
，ｈ2 を有するものとする。
【００１７】円弧線ｈ1 は、最初の走査線Ｃ1 の交差点
ｐ1 で交差してその座標値（Ｒ1 ，θ1 ）が検出され、
つづく各走査線の点ｐ2 ，ｐ3 ，ｐ4 で順次に検出さ
れ、走査線Ｃ5 の点ｐ5 で座標値（Ｒ5 ，θ5 ）が検出
されて終了する。円弧線ｈ2 においても同様で、まず走
査線Ｃ8 の点ｐ6 で交差して座標値（Ｒ6 ，θ6 ）が検
出され、つづく各走査線の点ｐ7 ，ｐ8 ，ｐ9 を経て、
最後の走査線Ｃ10の点ｐ10の座標値（Ｒ10，θ10）が検
出されて終了する。これらの各座標値は、ＭＥＭ７a に
順次に記憶される。なお、図３においては、便宜上スポ
ットＳp が各点ｐ1 〜ｐ10の位置にあるものとしたが、
実際ではスポットＳp はディスク１の同一の半径Ｒ上に
あり、ここで各走査線と交差して各交差点が検出され
る。
ｐ1 で交差してその座標値（Ｒ1 ，θ1 ）が検出され、
つづく各走査線の点ｐ2 ，ｐ3 ，ｐ4 で順次に検出さ
れ、走査線Ｃ5 の点ｐ5 で座標値（Ｒ5 ，θ5 ）が検出
されて終了する。円弧線ｈ2 においても同様で、まず走
査線Ｃ8 の点ｐ6 で交差して座標値（Ｒ6 ，θ6 ）が検
出され、つづく各走査線の点ｐ7 ，ｐ8 ，ｐ9 を経て、
最後の走査線Ｃ10の点ｐ10の座標値（Ｒ10，θ10）が検
出されて終了する。これらの各座標値は、ＭＥＭ７a に
順次に記憶される。なお、図３においては、便宜上スポ
ットＳp が各点ｐ1 〜ｐ10の位置にあるものとしたが、
実際ではスポットＳp はディスク１の同一の半径Ｒ上に
あり、ここで各走査線と交差して各交差点が検出され
る。
【００１８】上記によりＭＥＭ７a に記憶された各点の
座標値（Ｒ，θ）は、演算処理部７２に読み出され、両
円弧線ｈ1 ，ｈ2 の始点ｐ1 ，ｐ6 の座標値Ｒ1 ，Ｒ6
の差を算出するとヘッド傷ｈの幅ΔＲm が計測される
（終点ｐ5 ，ｐ10でもよい）。また、円弧線ｈ1 の始点
ｐ1 と終点ｐ5 の座標値θ1 ，θ5 の角度差θm を求
め、これに始点ｐ1 または終点ｐ5 の座標値Ｒ1 または
Ｒ5 （両者はほとんど同じ）を乗ずるとヘッド傷ｈの長
さｌm が計測される。以上により計測された幅ΔＲm と
長さｌm は、ヘッド傷判定部７３において、予めＭＥＭ
７a に記憶されている判定条件に比較され、ヘッド傷ｈ
の無害／有害が判定され、有害のときはヘッド傷データ
が座標値を伴って出力部８に出力される。
座標値（Ｒ，θ）は、演算処理部７２に読み出され、両
円弧線ｈ1 ，ｈ2 の始点ｐ1 ，ｐ6 の座標値Ｒ1 ，Ｒ6
の差を算出するとヘッド傷ｈの幅ΔＲm が計測される
（終点ｐ5 ，ｐ10でもよい）。また、円弧線ｈ1 の始点
ｐ1 と終点ｐ5 の座標値θ1 ，θ5 の角度差θm を求
め、これに始点ｐ1 または終点ｐ5 の座標値Ｒ1 または
Ｒ5 （両者はほとんど同じ）を乗ずるとヘッド傷ｈの長
さｌm が計測される。以上により計測された幅ΔＲm と
長さｌm は、ヘッド傷判定部７３において、予めＭＥＭ
７a に記憶されている判定条件に比較され、ヘッド傷ｈ
の無害／有害が判定され、有害のときはヘッド傷データ
が座標値を伴って出力部８に出力される。
【００１９】なお、明細書および請求の範囲での弧状と
いう語は、円となった場合も含めるものとする。
いう語は、円となった場合も含めるものとする。
【００２０】
【発明の効果】以上の説明のとおり、この発明にあって
は、レーザスポットのスパイラル走査により検出された
ヘッド傷信号より、弧状のヘッド傷の幅と長さが的確に
計測され、判定条件に照らしてその無害有害を正しく判
定できるもので、ヘッド傷検査装置の検査性能の向上に
寄与するところには、大きいものがある。
は、レーザスポットのスパイラル走査により検出された
ヘッド傷信号より、弧状のヘッド傷の幅と長さが的確に
計測され、判定条件に照らしてその無害有害を正しく判
定できるもので、ヘッド傷検査装置の検査性能の向上に
寄与するところには、大きいものがある。
【図１】図１は、この発明による磁気ディスクのヘッド
傷判定方法およびヘッド傷検査装置を適用したヘッド傷
検査装置の一実施例におけるブロック構成図である。
傷判定方法およびヘッド傷検査装置を適用したヘッド傷
検査装置の一実施例におけるブロック構成図である。
【図２】図２は、図１におけるスパイラル走査線Ｃのピ
ッチ間隔と、スポットＳp および受光面５４１の相互の
寸法関係の説明図を示す。
ッチ間隔と、スポットＳp および受光面５４１の相互の
寸法関係の説明図を示す。
【図３】図３は、ヘッド傷と各走査線の交差点の説明図
を示す。
を示す。
【図４】図４は、磁気ディスクのサーテファイヤーの要
部の概略構成図を示す。
部の概略構成図を示す。
【図５】図５は、ヘッド傷検査装置の概略の構成図を示
す。
す。
【図６】図６は、ヘッド傷ｈの円弧線とレーザスポット
Ｓp のスパイラル走査線Ｃの関係の説明図を示す。
Ｓp のスパイラル走査線Ｃの関係の説明図を示す。
１…磁気ディスク、１a …中心孔、１b …外周、２…ス
ピンドル機構、３…ヘッドアッセンブリ、３a …磁気ヘ
ッド、３b …キャリッジ機構、４…投光系、４１…レー
ザ光源、４２…集束レンズ、５…受光系、５１…集光レ
ンズ、５２…ハーフミラー、５３…空間フィルタ、５４
…第１の受光器、５４１…受光面、５５…スリット板、
５６…第２の受光器、６…検査光学系、７…信号処理
部、７１…信号処理回路、７２…コンパレータ、７３…
Ａ／Ｄ変換器、８…マイクロプロセッサ（ＭＰＵ）、８
１…交差点検出部、８２…演算処理部、８３…ヘッド傷
判定部、８a …メモリ（ＭＥＭ）、９…出力部、ｈ…ヘ
ッド傷、θ…回転角度、Ｒ…ディスクの半径、Ｓp …レ
ーザスポット、Ｃ…スパイラル走査線、Δｒ…走査線の
ピッチ間隔または受光面の幅、Δφ…スポットの直径、
ｐ…交差点。
ピンドル機構、３…ヘッドアッセンブリ、３a …磁気ヘ
ッド、３b …キャリッジ機構、４…投光系、４１…レー
ザ光源、４２…集束レンズ、５…受光系、５１…集光レ
ンズ、５２…ハーフミラー、５３…空間フィルタ、５４
…第１の受光器、５４１…受光面、５５…スリット板、
５６…第２の受光器、６…検査光学系、７…信号処理
部、７１…信号処理回路、７２…コンパレータ、７３…
Ａ／Ｄ変換器、８…マイクロプロセッサ（ＭＰＵ）、８
１…交差点検出部、８２…演算処理部、８３…ヘッド傷
判定部、８a …メモリ（ＭＥＭ）、９…出力部、ｈ…ヘ
ッド傷、θ…回転角度、Ｒ…ディスクの半径、Ｓp …レ
ーザスポット、Ｃ…スパイラル走査線、Δｒ…走査線の
ピッチ間隔または受光面の幅、Δφ…スポットの直径、
ｐ…交差点。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 栗川 明典 東京都新宿区中落合２丁目７番５号 ホ ーヤ株式会社内 (56)参考文献 特開 昭63−33651（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−122937（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−67550（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−253242（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−122936（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−287205（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−200251（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−190720（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G01N 21/84 - 21/90 G01B 11/30
Claims (3)
- 【請求項１】磁気ディスクの被薄膜に生じた弧状のヘッ
ド傷を対象とし、スピンドル機構に装着されて回転する
該磁気ディスクの表面に対して、レーザスポットを投射
し、このレーザスポットによって発生したヘッド傷によ
る散乱光に基づいて磁気ディスクのヘッド傷を検査する
検査方法であって、 前記レーザスポットを移動制御部によって、前記磁気デ
ィスクの半径方向に連続的に移動して前記レーザスポッ
トをスパイラル走査し、散乱光を受光する受光器からの
受光信号が入力されて信号処理部によってヘッド傷信号
を出力する信号処理工程と、該磁気ディスクの半径方向
の一定の幅ΔＲs と、円周方向の一定の長さｌs とを良
否の判定条件としてヘッド傷を検査する工程とを含み、 前記スパイラル走査のピッチ間隔Δｒを前記判定条件の
幅ΔＲs より小さい値とし、前記レーザスポットの直径
Δφを該ピッチ間隔Δｒのより大とし、かつ、前記受光
器の受光面の幅を該ピッチ間隔Δｒに対応した幅に設定
し、前記磁気ディスクの回転角度を角度検出器により検
出し、前記スパイラル走査ごとに前記信号処理部より出
力されるヘッド傷信号と、前記移動制御部より出力され
る前記スポットの位置信号、および前記角度検出器より
出力される角度信号とに基づき、前記ヘッド傷の幅と長
さを計測し、該計測された幅と長さを前記判定条件と比
較し、該判定条件を越えているとき有害なヘッド傷と判
定することを特徴とする、磁気ディスクのヘッド傷検査
方法。 - 【請求項２】磁気ディスクの性能検査により被薄膜に生
じた弧状のヘッド傷を対象とし、スピンドル機構に装着
されて回転する該磁気ディスクの表面に対して、レーザ
スポットを投射する投光系および該ヘッド傷による散乱
光を受光する受光系よりなる検査光学系と、 該光学系を前記磁気ディスクの半径方向に連続的に移動
して前記レーザスポットをスパイラル走査する移動制御
部、ならびに該受光系の受光信号が入力してヘッド傷信
号を出力する信号処理部とを具備し、 該磁気ディスクの半径方向の一定の幅ΔＲs と、円周方
向の一定の長さｌs とを良否の判定条件とするヘッド傷
検査装置において、 前記ヘッド傷信号に対するデータ処理部と、前記スピン
ドル機構に付加され、前記磁気ディスクの回転角度を検
出する角度検出器とを備え、 前記データ処理部は、前記スパイラル走査ごとに前記信
号処理部より出力されるヘッド傷信号と、前記移動制御
部より出力される前記スポットの位置信号、および前記
角度検出器より出力される角度信号とを受けて、前記ヘ
ッド傷の幅と長さを計測し、該計測された幅と長さを前
記判定条件と比較し、該判定条件を越えているとき有害
なヘッド傷と判定するものであって、前記スパイラル走
査のピッチ間隔Δｒが前記判定条件の幅ΔＲs より小さ
く、前記レーザスポットの直径Δφが該ピッチ間隔Δｒ
のより大きく、かつ、前記受光器の受光面の幅が該ピッ
チ間隔Δｒに対応した幅であることを特徴とする、磁気
ディスクのヘッド傷検査装置。 - 【請求項３】前記データ処理部は、交差点検出部と演算
処理部、ヘッド傷判定部およびメモリとを有し、該交差
点検出部に入力した前記各ヘッド傷信号と位置信号およ
び角度信号により、各スパイラル走査線とヘッド傷の円
弧線との交差点の座標値（Ｒ，θ）を逐次に検出して前
記メモリに記憶し、前記演算処理部により、該記憶され
た各座標値を読出して、１個のヘッド傷に交差した複数
のスパイラル走査線の各交差点の始点間または終点間の
間隔を求め、前記ヘッド傷の幅ΔＲm を計測し、かつ、
前記始点と終点に対する座標値θ1 とθ2 の角度差θm
に対して、該始点または終点の座標値Ｒm を乗じてヘッ
ド傷の長さｌm を計測し、該計測された幅ΔＲm と長さ
ｌm とを前記ヘッド傷判定部に入力し、前記メモリに予
め記憶された判定条件とそれぞれ比較することを特徴と
する、請求項２記載の磁気ディスクのヘッド傷検査装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34767793A JP2923833B2 (ja) | 1993-12-24 | 1993-12-24 | 磁気ディスクのヘッド傷検査方法およびヘッド傷検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34767793A JP2923833B2 (ja) | 1993-12-24 | 1993-12-24 | 磁気ディスクのヘッド傷検査方法およびヘッド傷検査装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07190949A JPH07190949A (ja) | 1995-07-28 |
| JP2923833B2 true JP2923833B2 (ja) | 1999-07-26 |
Family
ID=18391835
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34767793A Expired - Lifetime JP2923833B2 (ja) | 1993-12-24 | 1993-12-24 | 磁気ディスクのヘッド傷検査方法およびヘッド傷検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2923833B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6167618B2 (ja) * | 2012-11-15 | 2017-07-26 | 株式会社リコー | 画像形成装置 |
-
1993
- 1993-12-24 JP JP34767793A patent/JP2923833B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07190949A (ja) | 1995-07-28 |
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