JP2919659B2 - 絶縁ゲート形電界効果トランジスタの製造方法 - Google Patents
絶縁ゲート形電界効果トランジスタの製造方法Info
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
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- H01L29/7801—DMOS transistors, i.e. MISFETs with a channel accommodating body or base region adjoining a drain drift region
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は絶縁ゲート形電界効果ト
ランジスタに係り、特に低耐圧のパワーＭＯＳＦＥＴ、
絶縁ゲート形バイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）等に
好適な縦型の絶縁ゲート形電界効果トランジスタに関す
る。
ランジスタに係り、特に低耐圧のパワーＭＯＳＦＥＴ、
絶縁ゲート形バイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）等に
好適な縦型の絶縁ゲート形電界効果トランジスタに関す
る。
【０００２】
【従来の技術】図１２は、従来の縦型の絶縁ゲート形電
界効果トランジスタ（以下、縦型ＭＯＳＦＥＴという）
の断面図である。符号１はＮ-型の半導体基板であり、
縦型のＭＯＳＦＥＴのドレイン領域を構成する。符号２
はＰ型の縦型ＭＯＳＦＥＴのチャネル領域である。符号
６はＰ+型のボディ領域であり、チャネル領域２の抵抗
を下げること等により、寄生トランジスタ効果を防止
し、アバランシェ、ラッチアップ耐量を上げるためのも
のである。符号３は、Ｎ+ 型の拡散層であり、縦型ＭＯ
ＳＦＥＴのソース領域を形成する。符号４は、薄い酸化
膜からなるゲート絶縁膜であり、符号５は、多結晶シリ
コン膜からなるゲート電極であり、このゲート電極５に
電圧が印加されることによって、ソース領域３とドレイ
ン領域１とがゲート絶縁膜４を介して導通が制御され
る。符号８は、リンガラス等の酸化膜からなる層間絶縁
膜であり、符号９はアルミ等の金属電極であり、縦型Ｍ
ＯＳＦＥＴのソース電極を構成する。このような縦型Ｍ
ＯＳＦＥＴの構造は、高速、大電流を取り扱うパワーＭ
ＯＳＦＥＴ、絶縁ゲート形バイポーラトランジスタ（Ｉ
ＧＢＴ）等に好適である。
界効果トランジスタ（以下、縦型ＭＯＳＦＥＴという）
の断面図である。符号１はＮ-型の半導体基板であり、
縦型のＭＯＳＦＥＴのドレイン領域を構成する。符号２
はＰ型の縦型ＭＯＳＦＥＴのチャネル領域である。符号
６はＰ+型のボディ領域であり、チャネル領域２の抵抗
を下げること等により、寄生トランジスタ効果を防止
し、アバランシェ、ラッチアップ耐量を上げるためのも
のである。符号３は、Ｎ+ 型の拡散層であり、縦型ＭＯ
ＳＦＥＴのソース領域を形成する。符号４は、薄い酸化
膜からなるゲート絶縁膜であり、符号５は、多結晶シリ
コン膜からなるゲート電極であり、このゲート電極５に
電圧が印加されることによって、ソース領域３とドレイ
ン領域１とがゲート絶縁膜４を介して導通が制御され
る。符号８は、リンガラス等の酸化膜からなる層間絶縁
膜であり、符号９はアルミ等の金属電極であり、縦型Ｍ
ＯＳＦＥＴのソース電極を構成する。このような縦型Ｍ
ＯＳＦＥＴの構造は、高速、大電流を取り扱うパワーＭ
ＯＳＦＥＴ、絶縁ゲート形バイポーラトランジスタ（Ｉ
ＧＢＴ）等に好適である。
【０００３】従来、係る構造の縦型ＭＯＳＦＥＴは以下
に述べる製造工程により製造されていた。先ずＮ-型の
シリコン半導体基板１にＰ+型の深い拡散層であるボデ
ィ領域６を形成する。次に、半導体基板１表面の多数の
セルを形成すべき領域をホトエッチで開口後、表面をゲ
ート酸化し、ゲート絶縁膜４をセル領域全面に被着す
る。次にそのゲート絶縁膜４上に、全面に多結晶シリコ
ン膜を被着する。そしてリン等の不純物をその多結晶シ
リコン膜にドープし、ゲートホトエッチにより、ゲート
電極５を形成する。
に述べる製造工程により製造されていた。先ずＮ-型の
シリコン半導体基板１にＰ+型の深い拡散層であるボデ
ィ領域６を形成する。次に、半導体基板１表面の多数の
セルを形成すべき領域をホトエッチで開口後、表面をゲ
ート酸化し、ゲート絶縁膜４をセル領域全面に被着す
る。次にそのゲート絶縁膜４上に、全面に多結晶シリコ
ン膜を被着する。そしてリン等の不純物をその多結晶シ
リコン膜にドープし、ゲートホトエッチにより、ゲート
電極５を形成する。
【０００４】次に、多結晶シリコン膜であるゲート電極
５をマスクとして、自己整合（セルフアライン）により
ボロン等のＰ型不純物をイオン注入する。そして熱処理
によりボロン等の不純物を半導体基板１に拡散すること
により、Ｐ型のチャネル領域２を形成する。そして、ホ
トレジストを全面に塗布し、ホトレジストのソース領域
となる部分を開口し、ホトレジスト及びゲート電極５を
マスクとしてリンをイオン注入する。そして後述の熱処
理により、リンの高濃度拡散層であるＮ+ 型のソース領
域３が形成される。このようにゲート電極５の直下にお
いては、Ｐ型のチャネル領域２と、Ｎ+型のソース領域
３とは二重に、ゲート電極をマスクとした自己整合によ
って形成される。
５をマスクとして、自己整合（セルフアライン）により
ボロン等のＰ型不純物をイオン注入する。そして熱処理
によりボロン等の不純物を半導体基板１に拡散すること
により、Ｐ型のチャネル領域２を形成する。そして、ホ
トレジストを全面に塗布し、ホトレジストのソース領域
となる部分を開口し、ホトレジスト及びゲート電極５を
マスクとしてリンをイオン注入する。そして後述の熱処
理により、リンの高濃度拡散層であるＮ+ 型のソース領
域３が形成される。このようにゲート電極５の直下にお
いては、Ｐ型のチャネル領域２と、Ｎ+型のソース領域
３とは二重に、ゲート電極をマスクとした自己整合によ
って形成される。
【０００５】次に層間絶縁膜８となるリンドープの酸化
膜をＣＶＤ等により半導体基板１の全面に被着する。そ
して熱処理を行った後、ホトレジストを全面に塗布し、
コンタクトのマスクを用いてコンタクトの開口をホトエ
ッチにより形成する。コンタクトの開口後、ホトレジス
トを除去して、アルミ膜を半導体基板の全面に被着す
る。そしてホトレジストを塗布して、金属電極のマスク
のホトエッチにより金属電極９を形成する。以上の一連
の工程により、図１２に示す縦型ＭＯＳＦＥＴが完成す
る。
膜をＣＶＤ等により半導体基板１の全面に被着する。そ
して熱処理を行った後、ホトレジストを全面に塗布し、
コンタクトのマスクを用いてコンタクトの開口をホトエ
ッチにより形成する。コンタクトの開口後、ホトレジス
トを除去して、アルミ膜を半導体基板の全面に被着す
る。そしてホトレジストを塗布して、金属電極のマスク
のホトエッチにより金属電極９を形成する。以上の一連
の工程により、図１２に示す縦型ＭＯＳＦＥＴが完成す
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述の
従来の製造方法では、Ｐ+ 型の深い拡散領域であるボデ
ィ領域６の形成と、Ｐ型の拡散領域であるチャネル領域
２の形成とを、２回の熱処理に分けて行っていた。この
ため、ボディ領域６の拡散層の深さのばらつきが大きい
という問題があった。特に、３０〜１００Ｖの低耐圧、
大電流の縦型ＭＯＳＦＥＴにおいては、ボディ領域６の
底から、Ｎ+ 層７迄の距離が数μｍと短く、これを精度
良くコントロールしなければならない。即ち、ボディ領
域６が深く入り過ぎると、耐圧が低下し、ボディ領域６
が浅過ぎると、電流容量が低下してしまう。しかしなが
ら、ボディ領域６を拡散により形成した後で、チャネル
領域２の拡散等の熱処理を行うと、後の熱処理により、
ボディ領域６が深く入り過ぎてしまう。このように、ば
らつき幅が大きいとＮ+ 層７迄の距離のコントロールに
よる耐圧の制御が困難となる。
従来の製造方法では、Ｐ+ 型の深い拡散領域であるボデ
ィ領域６の形成と、Ｐ型の拡散領域であるチャネル領域
２の形成とを、２回の熱処理に分けて行っていた。この
ため、ボディ領域６の拡散層の深さのばらつきが大きい
という問題があった。特に、３０〜１００Ｖの低耐圧、
大電流の縦型ＭＯＳＦＥＴにおいては、ボディ領域６の
底から、Ｎ+ 層７迄の距離が数μｍと短く、これを精度
良くコントロールしなければならない。即ち、ボディ領
域６が深く入り過ぎると、耐圧が低下し、ボディ領域６
が浅過ぎると、電流容量が低下してしまう。しかしなが
ら、ボディ領域６を拡散により形成した後で、チャネル
領域２の拡散等の熱処理を行うと、後の熱処理により、
ボディ領域６が深く入り過ぎてしまう。このように、ば
らつき幅が大きいとＮ+ 層７迄の距離のコントロールに
よる耐圧の制御が困難となる。
【０００７】更に、ソース領域及びコンタクトの開口
を、ホトリソグラフィ、マスク合わせ、及び、ホトエッ
チにより行っていた。このためソース及びコンタクトパ
ターンのマスク合わせずれが製品の加工精度に直接影響
を及ぼし、製品の加工精度向上、製品の歩留り向上のた
めの問題点となっていた。
を、ホトリソグラフィ、マスク合わせ、及び、ホトエッ
チにより行っていた。このためソース及びコンタクトパ
ターンのマスク合わせずれが製品の加工精度に直接影響
を及ぼし、製品の加工精度向上、製品の歩留り向上のた
めの問題点となっていた。
【０００８】
【課題を解決するための手段】係る従来の製造方法の課
題を解決するため、本発明は、縦型ＭＯＳＦＥＴの製造
方法を、ゲート絶縁膜と、多結晶シリコン膜と、酸化膜
とを半導体基板上に形成する工程と、ホトレジスト膜を
塗布し開口する工程と、開口されたホトレジスト膜をマ
スクとして、酸化膜と多結晶シリコン膜をオーバエッチ
により、ゲート電極を形成する工程と、ホトレジスト膜
の開口をマスクとして、一導電型の不純物をイオン注入
する工程と、ホトレジスト膜を除去後、ゲート電極をマ
クスとして、同一導電型の不純物をイオン注入する工程
と、熱処理により、一導電型の不純物を拡散することに
より、ボディ領域及びチャネル領域を同時に形成する工
程と、ゲート電極をマクスとして、反対導電型の不純物
をイオン注入する工程と、リンガラス膜を半導体基板に
被着し熱処理する工程と、リンガラス膜及び半導体基板
を一導電型の拡散領域を露出させる迄全面エッチングに
より除去することにより、コンタクト開口を形成する工
程とから構成したものである。
題を解決するため、本発明は、縦型ＭＯＳＦＥＴの製造
方法を、ゲート絶縁膜と、多結晶シリコン膜と、酸化膜
とを半導体基板上に形成する工程と、ホトレジスト膜を
塗布し開口する工程と、開口されたホトレジスト膜をマ
スクとして、酸化膜と多結晶シリコン膜をオーバエッチ
により、ゲート電極を形成する工程と、ホトレジスト膜
の開口をマスクとして、一導電型の不純物をイオン注入
する工程と、ホトレジスト膜を除去後、ゲート電極をマ
クスとして、同一導電型の不純物をイオン注入する工程
と、熱処理により、一導電型の不純物を拡散することに
より、ボディ領域及びチャネル領域を同時に形成する工
程と、ゲート電極をマクスとして、反対導電型の不純物
をイオン注入する工程と、リンガラス膜を半導体基板に
被着し熱処理する工程と、リンガラス膜及び半導体基板
を一導電型の拡散領域を露出させる迄全面エッチングに
より除去することにより、コンタクト開口を形成する工
程とから構成したものである。
【０００９】
【作用】本発明においては、Ｐ+ 型の深い拡散領域であ
るボディ領域の形成と、Ｐ型の拡散領域であるチャネル
領域の形成とを、１回の熱処理により、同時に拡散する
ことにより行っている。このため、ボディ領域の拡散深
さが精度良くコントロールできる。それ故、特に低耐圧
タイプの縦型ＭＯＳＦＥＴにおいて、耐圧と電流容量を
バランス良くコントロールすることが可能となり、且
つ、工程が短縮される。更に、ソース領域およびコンタ
クトの開口を、ホトリソグラフィを用いることなく、セ
ルフアラインにより形成している。従って、従来のホト
レジスト塗布、マスク合わせ、という工程がなくなり、
マスク合わせの必要がなくなったことからマスク合わせ
ずれの問題がなくなり、歩留りが向上し、工程が短縮さ
れる。又、リンガラス膜を熱処理によりリフローし、全
面エッチングによりそのリンガラス膜を除去しているた
め、ゲート電極の側面において層間絶縁膜がなだらかに
形成され、ステップカバレージが大幅に改善される。以
上により、特に低耐圧タイプの縦型ＭＯＳＦＥＴにおい
て、加工精度が向上し、工程が短縮され、製品の歩留り
が向上する。
るボディ領域の形成と、Ｐ型の拡散領域であるチャネル
領域の形成とを、１回の熱処理により、同時に拡散する
ことにより行っている。このため、ボディ領域の拡散深
さが精度良くコントロールできる。それ故、特に低耐圧
タイプの縦型ＭＯＳＦＥＴにおいて、耐圧と電流容量を
バランス良くコントロールすることが可能となり、且
つ、工程が短縮される。更に、ソース領域およびコンタ
クトの開口を、ホトリソグラフィを用いることなく、セ
ルフアラインにより形成している。従って、従来のホト
レジスト塗布、マスク合わせ、という工程がなくなり、
マスク合わせの必要がなくなったことからマスク合わせ
ずれの問題がなくなり、歩留りが向上し、工程が短縮さ
れる。又、リンガラス膜を熱処理によりリフローし、全
面エッチングによりそのリンガラス膜を除去しているた
め、ゲート電極の側面において層間絶縁膜がなだらかに
形成され、ステップカバレージが大幅に改善される。以
上により、特に低耐圧タイプの縦型ＭＯＳＦＥＴにおい
て、加工精度が向上し、工程が短縮され、製品の歩留り
が向上する。
【００１０】
【実施例】図１は、本発明の一実施例の縦型ＭＯＳＦＥ
Ｔの製造工程における完成段階の断面図である。ドレイ
ン領域となるＮ-型の半導体基板１に、ｐ型のチャネル
領域２及びＰ+型のボディ領域６は、不純物のイオン注
入は２回に分けて行われるが、１回の熱処理で同時に拡
散形成されている。ソース領域３はゲート電極１０をマ
スクとしてセルフアラインで形成され、ソース領域３お
よびチャネル領域２への金属電極９のコンタクト開口
も、同様にマスクを使用せず、全面エッチングでなされ
ている。
Ｔの製造工程における完成段階の断面図である。ドレイ
ン領域となるＮ-型の半導体基板１に、ｐ型のチャネル
領域２及びＰ+型のボディ領域６は、不純物のイオン注
入は２回に分けて行われるが、１回の熱処理で同時に拡
散形成されている。ソース領域３はゲート電極１０をマ
スクとしてセルフアラインで形成され、ソース領域３お
よびチャネル領域２への金属電極９のコンタクト開口
も、同様にマスクを使用せず、全面エッチングでなされ
ている。
【００１１】以下にこの縦型ＭＯＳＦＥＴの製造方法に
ついて、図２から図１１の製造工程の断面図によって説
明する。図２は、Ｎ-型のシリコン半導体基板１上に、
ゲート絶縁膜４と、多結晶シリコン膜１１と、酸化膜１
２を被着形成した断面図である。半導体基板１は、Ｎ+
型層７の上にエピタキシャル成長等によりＮ- 型層が形
成されており、この半導体基板１は縦型ＭＯＳＦＥＴの
ドレイン領域となり、ドレイン電極は図示しないＮ+ 型
層７の半導体基板下部より取り出される。又、絶縁ゲー
ト形バイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）においては、
Ｎ+型層７の下に、Ｐ+型層が形成されている。この半導
体基板１のセル領域全面をホトエッチで開口後、まず、
ゲート酸化により、数百オングストローム程度のゲート
絶縁膜４を形成する。次に多結晶シリコン膜１１を全面
にＣＶＤにより、０.５ μｍ程度成長させ、Ｎ型にドー
プする。そして、その上に酸化膜１２をＣＶＤ等により
同様に ０.５μｍ程度成長させる。
ついて、図２から図１１の製造工程の断面図によって説
明する。図２は、Ｎ-型のシリコン半導体基板１上に、
ゲート絶縁膜４と、多結晶シリコン膜１１と、酸化膜１
２を被着形成した断面図である。半導体基板１は、Ｎ+
型層７の上にエピタキシャル成長等によりＮ- 型層が形
成されており、この半導体基板１は縦型ＭＯＳＦＥＴの
ドレイン領域となり、ドレイン電極は図示しないＮ+ 型
層７の半導体基板下部より取り出される。又、絶縁ゲー
ト形バイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）においては、
Ｎ+型層７の下に、Ｐ+型層が形成されている。この半導
体基板１のセル領域全面をホトエッチで開口後、まず、
ゲート酸化により、数百オングストローム程度のゲート
絶縁膜４を形成する。次に多結晶シリコン膜１１を全面
にＣＶＤにより、０.５ μｍ程度成長させ、Ｎ型にドー
プする。そして、その上に酸化膜１２をＣＶＤ等により
同様に ０.５μｍ程度成長させる。
【００１２】図３は、ホトレジスト膜を塗布し開口した
工程の断面図である。まず、ホトレジスト膜を、１〜２
μｍ厚で全面に塗布し形成する。そして、ボディ領域６
のパターンを用いて、ホトリソグラフィにより、ホトレ
ジスト膜１３を開口する。
工程の断面図である。まず、ホトレジスト膜を、１〜２
μｍ厚で全面に塗布し形成する。そして、ボディ領域６
のパターンを用いて、ホトリソグラフィにより、ホトレ
ジスト膜１３を開口する。
【００１３】図４は、開口されたホトレジスト膜１３を
マスクとして、酸化膜１２と多結晶シリコン膜１１をエ
ッチングして、ゲート電極１０を形成した工程の断面図
である。この際、等方性エッチングで、オーバエッチに
より、酸化膜１２をホトレジスト膜１３の開口よりも、
内側に、ホトレジスト膜１３をひさし状に残すようにエ
ッチングする。次にオーバエッチされた酸化膜をマスク
として、多結晶シリコン膜１１をエッチングすることに
より、ホトレジスト膜１３の開口に対して、ひさし状の
内側に多結晶シリコン膜１１からなるゲート電極１０が
形成される。
マスクとして、酸化膜１２と多結晶シリコン膜１１をエ
ッチングして、ゲート電極１０を形成した工程の断面図
である。この際、等方性エッチングで、オーバエッチに
より、酸化膜１２をホトレジスト膜１３の開口よりも、
内側に、ホトレジスト膜１３をひさし状に残すようにエ
ッチングする。次にオーバエッチされた酸化膜をマスク
として、多結晶シリコン膜１１をエッチングすることに
より、ホトレジスト膜１３の開口に対して、ひさし状の
内側に多結晶シリコン膜１１からなるゲート電極１０が
形成される。
【００１４】図５は、ホトレジスト膜１３の開口をマス
クとして、一導電型の不純物をイオン注入した工程の断
面図である。ホトレジスト膜１３の開口をマスクとし
て、Ｐ型不純物であるボロンをドーズ量５×１０15／cm
2 程度、半導体基板１にイオン注入する。このＰ型不純
物１５は、後の熱処理により、Ｐ+型のボディ領域６と
なる。図６は、ホトレジスト膜１３を除去した工程の断
面図である。Ｐ型不純物のイオン注入後、ホトレジスト
膜１３を除去する。ゲート電極１０及び酸化膜１２が表
面に現れる。
クとして、一導電型の不純物をイオン注入した工程の断
面図である。ホトレジスト膜１３の開口をマスクとし
て、Ｐ型不純物であるボロンをドーズ量５×１０15／cm
2 程度、半導体基板１にイオン注入する。このＰ型不純
物１５は、後の熱処理により、Ｐ+型のボディ領域６と
なる。図６は、ホトレジスト膜１３を除去した工程の断
面図である。Ｐ型不純物のイオン注入後、ホトレジスト
膜１３を除去する。ゲート電極１０及び酸化膜１２が表
面に現れる。
【００１５】図７は、ゲート電極１０及び酸化膜１２を
マスクとして、同一導電型の不純物をイオン注入した工
程の断面図である。ゲート電極パターンの酸化膜１２、
多結晶シリコン膜１１をマスクとして、セルフアライン
によりＰ型不純物１６（ボロン）を、チャネル領域とな
る部分に、ドーズ量５×１０13／cm2 程度イオン注入す
る。
マスクとして、同一導電型の不純物をイオン注入した工
程の断面図である。ゲート電極パターンの酸化膜１２、
多結晶シリコン膜１１をマスクとして、セルフアライン
によりＰ型不純物１６（ボロン）を、チャネル領域とな
る部分に、ドーズ量５×１０13／cm2 程度イオン注入す
る。
【００１６】図８は、熱処理により、Ｐ型の不純物拡散
領域を形成した工程の断面図である。１１００℃程度の
熱処理により、一導電型の不純物であるポロンを拡散さ
せ、Ｐ型のチャネル領域２及びボディ領域６を同時に形
成する。この時、熱処理前のＰ型不純物の濃度が、ボデ
ィ領域６の方が、チャネル領域よりも高いため、ボディ
領域６の方が、チャネル領域２よりも深く拡散される。
領域を形成した工程の断面図である。１１００℃程度の
熱処理により、一導電型の不純物であるポロンを拡散さ
せ、Ｐ型のチャネル領域２及びボディ領域６を同時に形
成する。この時、熱処理前のＰ型不純物の濃度が、ボデ
ィ領域６の方が、チャネル領域よりも高いため、ボディ
領域６の方が、チャネル領域２よりも深く拡散される。
【００１７】図９は、ゲート電極１０をマスクとして、
反対導電型不純物をイオン注入した工程の断面図であ
る。ゲート電極１０である多結晶シリコン膜１１及び酸
化膜１２をマクスとして、セルフアラインにより、リン
をドーズ量５×１０15／cm2 程度イオン注入する。即
ち、注入されたＮ型不純物１７（リン）は、その後の熱
処理により、ソース領域３を、チャネル領域２と同じマ
スクにより、チャネル領域２内の全面に、セルフアライ
ンにより形成する。
反対導電型不純物をイオン注入した工程の断面図であ
る。ゲート電極１０である多結晶シリコン膜１１及び酸
化膜１２をマクスとして、セルフアラインにより、リン
をドーズ量５×１０15／cm2 程度イオン注入する。即
ち、注入されたＮ型不純物１７（リン）は、その後の熱
処理により、ソース領域３を、チャネル領域２と同じマ
スクにより、チャネル領域２内の全面に、セルフアライ
ンにより形成する。
【００１８】図１０は、リンガラス膜１３を全面に被着
し、熱処理する工程の断面図である。リンガラス膜１３
を半導体基板１の全面に被着し、熱処理によりリフロー
する。このリンガラス膜１３は、ＣＶＤ等により、１μ
ｍ厚程度である。熱処理は、９００℃〜１０００℃の温
度で行われ、高温度の熱処理により、リンガラス膜を流
動化（リフロー）する処理であり、これにより急峻な酸
化膜１２と多結晶シリコン膜１１からなるゲート電極１
０の端部にリンガラス膜１３が埋め込まれる。同時に、
前述のイオン注入されたリンが、チャネル領域２内に拡
散され、ソース領域３がチャネル領域２内に形成され
る。
し、熱処理する工程の断面図である。リンガラス膜１３
を半導体基板１の全面に被着し、熱処理によりリフロー
する。このリンガラス膜１３は、ＣＶＤ等により、１μ
ｍ厚程度である。熱処理は、９００℃〜１０００℃の温
度で行われ、高温度の熱処理により、リンガラス膜を流
動化（リフロー）する処理であり、これにより急峻な酸
化膜１２と多結晶シリコン膜１１からなるゲート電極１
０の端部にリンガラス膜１３が埋め込まれる。同時に、
前述のイオン注入されたリンが、チャネル領域２内に拡
散され、ソース領域３がチャネル領域２内に形成され
る。
【００１９】図１１は、リンガラス膜１３及び半導体基
板を全面エッチングした工程の断面図である。このリン
ガラス膜１３を全面に、異方性ドライエッチングする。
エッチングは、まずリンガラス膜１３を越えて、半導体
基板１の表面、即ち、シリコン表面の地がでるところ迄
進められる。このエッチングにより、ソース領域３の半
導体基板１の表面、即ち、シリコンの地が露出される。
リフローされたリンガラス膜１３を全面エッチングして
いるので、ゲート電極１０を構成する多結晶シリコン膜
１１の側面においてリンガラス膜１３が残り、なだらか
な傾斜をもった層間絶縁膜が形成される。次に、引き続
き、エッチングガスを変更して、半導体基板１の表面、
即ち、シリコンの地をリンガラス膜をマスクに選択的に
異方性エッチングし、半導体基板１を、ソース領域３を
越えて、チャネル領域２を表面に露出させる迄エッチン
グする。これにより、チャネル領域２の表面及びソース
領域３の側面にコンタクト開口が、図１１に示すように
形成される。次にアルミ膜を全面にスパッタリング等に
より形成し、全面にホトレジストを塗布し、電極パター
ンによりホトエッチすることによりアルミの金属電極９
を形成する。以上の工程により図１に示す縦型ＭＯＳＦ
ＥＴが完成する。
板を全面エッチングした工程の断面図である。このリン
ガラス膜１３を全面に、異方性ドライエッチングする。
エッチングは、まずリンガラス膜１３を越えて、半導体
基板１の表面、即ち、シリコン表面の地がでるところ迄
進められる。このエッチングにより、ソース領域３の半
導体基板１の表面、即ち、シリコンの地が露出される。
リフローされたリンガラス膜１３を全面エッチングして
いるので、ゲート電極１０を構成する多結晶シリコン膜
１１の側面においてリンガラス膜１３が残り、なだらか
な傾斜をもった層間絶縁膜が形成される。次に、引き続
き、エッチングガスを変更して、半導体基板１の表面、
即ち、シリコンの地をリンガラス膜をマスクに選択的に
異方性エッチングし、半導体基板１を、ソース領域３を
越えて、チャネル領域２を表面に露出させる迄エッチン
グする。これにより、チャネル領域２の表面及びソース
領域３の側面にコンタクト開口が、図１１に示すように
形成される。次にアルミ膜を全面にスパッタリング等に
より形成し、全面にホトレジストを塗布し、電極パター
ンによりホトエッチすることによりアルミの金属電極９
を形成する。以上の工程により図１に示す縦型ＭＯＳＦ
ＥＴが完成する。
【００２０】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
おいては、Ｐ+型の深い拡散領域であるボディ領域の形
成と、Ｐ型の拡散領域であるチャネル領域の形成とを、
１回の熱処理により、同時に行っている。このため、Ｐ
+型ボディ領域の深さが精度良くコントロールできる。
それ故、特に低耐圧タイプの縦型ＭＯＳＦＥＴにおい
て、耐圧と電流容量を精度良くコントロールすることが
可能となり、且つ工程が短縮される。更に、ソース領域
およびコンタクトの開口をセルフアラインにより形成し
ている。従って従来のホトレジスト塗布、マスク合わ
せ、というホトリソグラフィの工程がソース領域形成お
よびコンタクトの開口工程から無くなり、マスク合わせ
ずれの問題が無くなり、且つ、工程が短縮される。更
に、リンガラス膜をリフローし、全面エッチングにより
リンガラス膜を除去しているため、ゲート電極の側面に
おいて層間絶縁膜がなだらかに形成され、アルミ電極の
ステップカバレージが大幅に改善された。以上により、
特に、低耐圧タイプの縦型ＭＯＳＦＥＴの加工精度が向
上し、製品の歩留りが向上し、且つ工程が短縮される。
おいては、Ｐ+型の深い拡散領域であるボディ領域の形
成と、Ｐ型の拡散領域であるチャネル領域の形成とを、
１回の熱処理により、同時に行っている。このため、Ｐ
+型ボディ領域の深さが精度良くコントロールできる。
それ故、特に低耐圧タイプの縦型ＭＯＳＦＥＴにおい
て、耐圧と電流容量を精度良くコントロールすることが
可能となり、且つ工程が短縮される。更に、ソース領域
およびコンタクトの開口をセルフアラインにより形成し
ている。従って従来のホトレジスト塗布、マスク合わ
せ、というホトリソグラフィの工程がソース領域形成お
よびコンタクトの開口工程から無くなり、マスク合わせ
ずれの問題が無くなり、且つ、工程が短縮される。更
に、リンガラス膜をリフローし、全面エッチングにより
リンガラス膜を除去しているため、ゲート電極の側面に
おいて層間絶縁膜がなだらかに形成され、アルミ電極の
ステップカバレージが大幅に改善された。以上により、
特に、低耐圧タイプの縦型ＭＯＳＦＥＴの加工精度が向
上し、製品の歩留りが向上し、且つ工程が短縮される。
【図１】本発明の一実施例の縦型ＭＯＳＦＥＴの製造工
程の断面図である。
程の断面図である。
【図２】本発明の一実施例の縦型ＭＯＳＦＥＴの製造工
程の断面図である。
程の断面図である。
【図３】本発明の一実施例の縦型ＭＯＳＦＥＴの製造工
程の断面図である。
程の断面図である。
【図４】本発明の一実施例の縦型ＭＯＳＦＥＴの製造工
程の断面図である。
程の断面図である。
【図５】本発明の一実施例の縦型ＭＯＳＦＥＴの製造工
程の断面図である。
程の断面図である。
【図６】本発明の一実施例の縦型ＭＯＳＦＥＴの製造工
程の断面図である。
程の断面図である。
【図７】本発明の一実施例の縦型ＭＯＳＦＥＴの製造工
程の断面図である。
程の断面図である。
【図８】本発明の一実施例の縦型ＭＯＳＦＥＴの製造工
程の断面図である。
程の断面図である。
【図９】本発明の一実施例の縦型ＭＯＳＦＥＴの製造工
程の断面図である。
程の断面図である。
【図１０】本発明の一実施例の縦型ＭＯＳＦＥＴの製造
工程の断面図である。
工程の断面図である。
【図１１】本発明の一実施例の縦型ＭＯＳＦＥＴの製造
工程の断面図である。
工程の断面図である。
【図１２】従来の縦型ＭＯＳＦＥＴの断面図である。
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 29/78 H01L 21/336
Claims (1)
- 【請求項１】 ゲート絶縁膜と、多結晶シリコン膜と、
酸化膜とを半導体基板上に形成する工程と、ホトレジス
ト膜を塗布し開口する工程と、該開口されたホトレジス
ト膜をマスクとして、前記開口よりも内側にアンダーカ
ットを生じるように前記酸化膜と多結晶シリコン膜をオ
ーバーエッチしてゲート電極を形成する工程と、前記ホ
トレジスト膜の開口をマスクとして、一導電型の不純物
をイオン注入する工程と、前記ホトレジスト膜を除去
後、前記ゲート電極をマスクとして、同一導電型の不純
物をイオン注入する工程と、熱処理により、一導電型の
不純物を拡散することにより、ボディ領域及びチャネル
領域を同時に形成する工程と、前記ゲート電極をマスク
として、反対導電型の不純物をイオン注入する工程と、
リンガラス膜を前記半導体基板に被着し熱処理すると共
に前記ソース領域を熱拡散する工程と、前記リンガラス
膜及び前記半導体基板を、前記一導電型の拡散領域を表
面に露出させる迄全面エッチングにより除去することに
より、コンタクト開口を形成する工程とからなることを
特徴とする絶縁ゲート型電界効果トランジスタの製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3283114A JP2919659B2 (ja) | 1991-10-29 | 1991-10-29 | 絶縁ゲート形電界効果トランジスタの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3283114A JP2919659B2 (ja) | 1991-10-29 | 1991-10-29 | 絶縁ゲート形電界効果トランジスタの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05121745A JPH05121745A (ja) | 1993-05-18 |
| JP2919659B2 true JP2919659B2 (ja) | 1999-07-12 |
Family
ID=17661409
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3283114A Expired - Fee Related JP2919659B2 (ja) | 1991-10-29 | 1991-10-29 | 絶縁ゲート形電界効果トランジスタの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2919659B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW201240087A (en) * | 2011-03-30 | 2012-10-01 | Anpec Electronics Corp | Power device with boundary trench structure |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61156810A (ja) * | 1984-12-28 | 1986-07-16 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
| EP0227894A3 (en) * | 1985-12-19 | 1988-07-13 | SILICONIX Incorporated | High density vertical dmos transistor |
-
1991
- 1991-10-29 JP JP3283114A patent/JP2919659B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05121745A (ja) | 1993-05-18 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |