JP2916613B2 - 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の作製方法 - Google Patents
窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の作製方法Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、マグネシウムを添
加した窒化ガリウム系化合物半導体層を有する純青色発
光素子の作製方法に関するものである。
加した窒化ガリウム系化合物半導体層を有する純青色発
光素子の作製方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、有機金属化合物気相成長法（以
下、ＭＯＶＰＥ法と記す）を用いて、窒化ガリウム系化
合物半導体（Ｇａ1-X ＡｌX Ｎ但し１＞ｘ＞０）をサフ
ァイア基板上に気相成長させた構造の青色発光素子が研
究されている。
下、ＭＯＶＰＥ法と記す）を用いて、窒化ガリウム系化
合物半導体（Ｇａ1-X ＡｌX Ｎ但し１＞ｘ＞０）をサフ
ァイア基板上に気相成長させた構造の青色発光素子が研
究されている。
【０００３】これらの材料により青色発光素子を作製す
る場合には、従来絶縁層を形成するため、及び青色発光
中心の形成を狙いとして亜鉛が添加される。亜鉛添加窒
化ガリウム系化合物半導体Ｇａ1-X ＡｌX Ｎ（但し１＞
ｘ＞０）に於ける発光素子の発光ピーク波長は425 ｎｍ
付近の紫色、及び490 ｎｍ付近の青緑色領域であった。
る場合には、従来絶縁層を形成するため、及び青色発光
中心の形成を狙いとして亜鉛が添加される。亜鉛添加窒
化ガリウム系化合物半導体Ｇａ1-X ＡｌX Ｎ（但し１＞
ｘ＞０）に於ける発光素子の発光ピーク波長は425 ｎｍ
付近の紫色、及び490 ｎｍ付近の青緑色領域であった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】窒化ガリウム系化合物
半導体を用いて青色発光素子を作製する場合、添加する
不純物に必要となる役割は二つある。一つには絶縁層の
形成が可能であること、もう一つは添加した不純物自体
或はそれが関係して青色発光中心を形成することであ
る。窒化ガリウム系化合物半導体に於て一般的に用いら
れる亜鉛の場合、絶縁層の形成は可能であるが、それが
関係して形成される発光中心に問題があった。即ち、形
成される発光中心は前述のごとく紫色及び青緑色領域に
発光ピークがあった。明所視で目視により青色と観測さ
れる光の波長は450 ｎｍから480 ｎｍの範囲内であり、
亜鉛添加窒化ガリウム系化合物半導体Ｇａ1-X ＡｌX Ｎ
（但し１＞ｘ＞０）による発光素子では色純度の問題が
あった。
半導体を用いて青色発光素子を作製する場合、添加する
不純物に必要となる役割は二つある。一つには絶縁層の
形成が可能であること、もう一つは添加した不純物自体
或はそれが関係して青色発光中心を形成することであ
る。窒化ガリウム系化合物半導体に於て一般的に用いら
れる亜鉛の場合、絶縁層の形成は可能であるが、それが
関係して形成される発光中心に問題があった。即ち、形
成される発光中心は前述のごとく紫色及び青緑色領域に
発光ピークがあった。明所視で目視により青色と観測さ
れる光の波長は450 ｎｍから480 ｎｍの範囲内であり、
亜鉛添加窒化ガリウム系化合物半導体Ｇａ1-X ＡｌX Ｎ
（但し１＞ｘ＞０）による発光素子では色純度の問題が
あった。
【０００５】そこで純青色発光中心が形成され、かつ絶
縁層の形成が可能な不純物を各種探索した結果、Ｍｇが
その二つの役割を果たすことを見いだした。
縁層の形成が可能な不純物を各種探索した結果、Ｍｇが
その二つの役割を果たすことを見いだした。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、水素雰囲気で
大気圧に保たれた反応管内にサファイア等の絶縁体基板
を設け、反応管の一方より有機ガリウム化合物、有機ア
ルミニウム化合物及びアンモニアをガス状で導入し、基
板上にて気相成長法によりＧａ1-x Ａｌx Ｎ（但し１＞
ｘ＞０）の単結晶層からなるｎ型窒化ガリウム系化合物
半導体層を形成後、原料ガスに有機マグネシウム化合物
をガス状でガリウム（Ｇａ）成分に対するマグネシウム
（Ｍｇ）成分の混合割合が0.1 〜10ａｔｍ％となること
及びマグネシウム（Ｍｇ）原料ガスの固相中のＭｇ濃度
が供給量で1018cm-3ないし２×1020cm-3の範囲内となる
よう反応管内に導入し、絶縁層及び発光層としてマグネ
シウム（Ｍｇ）を添加したｉ型の窒化ガリウム系化合物
半導体Ｇａ1-x Ａｌx Ｎ（但し１＞ｘ＞０）層（但し発
光波長範囲430 〜480 ｎｍで450 ｎｍ付近に発光ピーク
波長をもつ）ものを作製することを特徴とする窒化ガリ
ウム系化合物半導体発光素子の作製方法にある。
大気圧に保たれた反応管内にサファイア等の絶縁体基板
を設け、反応管の一方より有機ガリウム化合物、有機ア
ルミニウム化合物及びアンモニアをガス状で導入し、基
板上にて気相成長法によりＧａ1-x Ａｌx Ｎ（但し１＞
ｘ＞０）の単結晶層からなるｎ型窒化ガリウム系化合物
半導体層を形成後、原料ガスに有機マグネシウム化合物
をガス状でガリウム（Ｇａ）成分に対するマグネシウム
（Ｍｇ）成分の混合割合が0.1 〜10ａｔｍ％となること
及びマグネシウム（Ｍｇ）原料ガスの固相中のＭｇ濃度
が供給量で1018cm-3ないし２×1020cm-3の範囲内となる
よう反応管内に導入し、絶縁層及び発光層としてマグネ
シウム（Ｍｇ）を添加したｉ型の窒化ガリウム系化合物
半導体Ｇａ1-x Ａｌx Ｎ（但し１＞ｘ＞０）層（但し発
光波長範囲430 〜480 ｎｍで450 ｎｍ付近に発光ピーク
波長をもつ）ものを作製することを特徴とする窒化ガリ
ウム系化合物半導体発光素子の作製方法にある。
【０００７】
【発明の実施の形態】本発明の好ましい実施の形態では
前記マグネシウム（Ｍｇ）添加窒化ガリウム系化合物半
導体Ｇａ1-X ＡｌX Ｎ（但し１＞ｘ＞０）層に於て、添
加するマグネシウム（Ｍｇ）ガスの供給量は1018cm-3以
上であることが好ましい。また必要以上に高濃度に添加
された場合、他の発光中心が形成され、純青色発光の効
率が低下するためＭｇガスの供給量の固相中のＭｇ濃度
が即ちＭｇガス供給量が２×1020cm-3以内であることが
好ましい。また作製した発光素子に於て、最も大きい光
強度を示す発光波長が430 ｎｍから480 ｎｍの範囲であ
ることが特徴である。特に450 ｎｍ付近に発光ピーク波
長をもつのが特徴である。
前記マグネシウム（Ｍｇ）添加窒化ガリウム系化合物半
導体Ｇａ1-X ＡｌX Ｎ（但し１＞ｘ＞０）層に於て、添
加するマグネシウム（Ｍｇ）ガスの供給量は1018cm-3以
上であることが好ましい。また必要以上に高濃度に添加
された場合、他の発光中心が形成され、純青色発光の効
率が低下するためＭｇガスの供給量の固相中のＭｇ濃度
が即ちＭｇガス供給量が２×1020cm-3以内であることが
好ましい。また作製した発光素子に於て、最も大きい光
強度を示す発光波長が430 ｎｍから480 ｎｍの範囲であ
ることが特徴である。特に450 ｎｍ付近に発光ピーク波
長をもつのが特徴である。
【０００８】以下、添付図面を参照して本発明による純
青色発光素子の作製法の実施例を説明する。しかし、図
示し且つ以下に説明する実施例は、本発明の方法を例示
するものに過ぎず、本発明を限定するものではない。
青色発光素子の作製法の実施例を説明する。しかし、図
示し且つ以下に説明する実施例は、本発明の方法を例示
するものに過ぎず、本発明を限定するものではない。
【０００９】図１は純青色発光素子を作製するために使
用する窒化ガリウム系化合物半導体のエピタキシアル結
晶成長装置の概略図である。図１において、１は反応
管、２は基板加熱用サセプタ、３はその上に載置した基
板を示し、４は原料ガス供給管、５は反応管に連設した
試料予備室、６はターボ真空ポンプ、７，８はロータリ
ー真空ポンプを示す。９は原料ガスと水素との供給装置
であって、10は水素供給口、11はアンモニアガス（ＮＨ
3 ）供給口、12Ａ，12Ｂ，12Ｃ，12Ｄ，12Ｅ，12Ｆ，12
Ｇは水素流量計、13はビスシクロペンタジエニルマグネ
シウム（ＣＰ2 Ｍｇ）又はビスメチルシクロペンタジエ
ニルマグネシウム（ＭＣＰ2 Ｍｇ）の貯留槽、14はトリ
メチルアルミニウム（ＴＭＡ）の貯留槽、15はトリメチ
ルガリウム（ＴＭＧ）の貯留槽、16〜31は流量制御弁、
32〜34は切換混合弁を示す。
用する窒化ガリウム系化合物半導体のエピタキシアル結
晶成長装置の概略図である。図１において、１は反応
管、２は基板加熱用サセプタ、３はその上に載置した基
板を示し、４は原料ガス供給管、５は反応管に連設した
試料予備室、６はターボ真空ポンプ、７，８はロータリ
ー真空ポンプを示す。９は原料ガスと水素との供給装置
であって、10は水素供給口、11はアンモニアガス（ＮＨ
3 ）供給口、12Ａ，12Ｂ，12Ｃ，12Ｄ，12Ｅ，12Ｆ，12
Ｇは水素流量計、13はビスシクロペンタジエニルマグネ
シウム（ＣＰ2 Ｍｇ）又はビスメチルシクロペンタジエ
ニルマグネシウム（ＭＣＰ2 Ｍｇ）の貯留槽、14はトリ
メチルアルミニウム（ＴＭＡ）の貯留槽、15はトリメチ
ルガリウム（ＴＭＧ）の貯留槽、16〜31は流量制御弁、
32〜34は切換混合弁を示す。
【００１０】サファイア等の絶縁体基板上に窒化ガリウ
ム系化合物半導体を気相でエピタキシアル成長させて単
結晶を形成するには、上記の反応管１は予め真空に吸引
し、水分、酸素その他の不純物を除き大気圧の水素雰囲
気として、反応管１をヒーター35により加熱して結晶成
長温度に保つようにし、反応管１内に設けた基板加熱用
サセプタ２上に例えばサファイア等の結晶成長用絶縁体
基板３を設置し、高周波誘導加熱等により外部より反応
管１を加熱し、結晶成長温度に基板加熱用サセプタ２を
保持しつつ、結晶成長効率及び不純物添加効率をあげる
ために設置された原料導入管４により原料ガスを導入
し、導入ガスを基板上で気相でエピタキシアル成長法で
必要な結晶成長層厚さになるまで結晶成長を行う。発光
ダイオードを作製するにはサファイア等の基板３の上に
故意に不純物を添加していないｎ型の該窒化ガリウム系
化合物半導体Ｇａ1-X ＡｌX Ｎ（但し１＞ｘ＞０）の単
結晶を形成の後、Ｍｇ成分をビスシクロペンタジエニル
マグネシウム（ＣＰ2 Ｍｇ）又はビスメチルシクロペン
タジエニルマグネシウム（ＭＣＰ2 Ｍｇ）等の有機マグ
ネシウム化合物をガス態で原料ガスに混合し、Ｍｇ成分
を添加した窒化ガリウム系化合物半導体Ｇａ1-X ＡｌX
Ｎ（但し１＞ｘ＞０）層を作製する。固体中のＭｇ添加
量の制御は、ＭｇとＧａの流量比を切換混合弁32〜34に
より行い、図２に示すように原料ガス中のＭｇの濃度は
Ｍｇ原料ガス供給量に比例するのでその供給量の加減に
より制御する。
ム系化合物半導体を気相でエピタキシアル成長させて単
結晶を形成するには、上記の反応管１は予め真空に吸引
し、水分、酸素その他の不純物を除き大気圧の水素雰囲
気として、反応管１をヒーター35により加熱して結晶成
長温度に保つようにし、反応管１内に設けた基板加熱用
サセプタ２上に例えばサファイア等の結晶成長用絶縁体
基板３を設置し、高周波誘導加熱等により外部より反応
管１を加熱し、結晶成長温度に基板加熱用サセプタ２を
保持しつつ、結晶成長効率及び不純物添加効率をあげる
ために設置された原料導入管４により原料ガスを導入
し、導入ガスを基板上で気相でエピタキシアル成長法で
必要な結晶成長層厚さになるまで結晶成長を行う。発光
ダイオードを作製するにはサファイア等の基板３の上に
故意に不純物を添加していないｎ型の該窒化ガリウム系
化合物半導体Ｇａ1-X ＡｌX Ｎ（但し１＞ｘ＞０）の単
結晶を形成の後、Ｍｇ成分をビスシクロペンタジエニル
マグネシウム（ＣＰ2 Ｍｇ）又はビスメチルシクロペン
タジエニルマグネシウム（ＭＣＰ2 Ｍｇ）等の有機マグ
ネシウム化合物をガス態で原料ガスに混合し、Ｍｇ成分
を添加した窒化ガリウム系化合物半導体Ｇａ1-X ＡｌX
Ｎ（但し１＞ｘ＞０）層を作製する。固体中のＭｇ添加
量の制御は、ＭｇとＧａの流量比を切換混合弁32〜34に
より行い、図２に示すように原料ガス中のＭｇの濃度は
Ｍｇ原料ガス供給量に比例するのでその供給量の加減に
より制御する。
【００１１】図３にＭｇを適量添加した場合（ａ：４×
1019cm-3）、及び適量以上添加した場合（ｂ：３×1020
cm-3）の窒化ガリウムのフォトルミネッセンス（ＰＬ）
スぺクトルを示す。Ｍｇを適量添加した場合には純青色
発光が明瞭に観測されるが、ある濃度を越えると純青色
発光強度は小さくなり、長波長緑色発光が主体となる。
Ｍｇ添加量に関する詳細な実験の結果、発光色の変化す
るＭｇ添加量がその供給量で２×1020cm-3以下であるこ
とを見いだした。またこれらの試料を用いて発光ダイオ
ードを作製し、フォトルミネッセンスと同様、エレクト
ロルミネッセンスに於いても同様の結果を示すことが確
かめられた。
1019cm-3）、及び適量以上添加した場合（ｂ：３×1020
cm-3）の窒化ガリウムのフォトルミネッセンス（ＰＬ）
スぺクトルを示す。Ｍｇを適量添加した場合には純青色
発光が明瞭に観測されるが、ある濃度を越えると純青色
発光強度は小さくなり、長波長緑色発光が主体となる。
Ｍｇ添加量に関する詳細な実験の結果、発光色の変化す
るＭｇ添加量がその供給量で２×1020cm-3以下であるこ
とを見いだした。またこれらの試料を用いて発光ダイオ
ードを作製し、フォトルミネッセンスと同様、エレクト
ロルミネッセンスに於いても同様の結果を示すことが確
かめられた。
【００１２】この結果は、窒化ガリウムの例を示したが
Ａｌを含む窒化ガリウム系化合物半導体Ｇａ1-X ＡｌX
Ｎ（但し１＞ｘ＞０）に於いても図４に示すように同様
の結果を示すことが確かめられた。図４は本発明の発光
素子において、光の波長と発光強度との関係を示す特性
図である。ｘ（ＡｌＮモル分率）の増加とともに、ピー
クが短波長化する傾向にある。ｘ＝0.08で430 ｎｍ及び
ｘ＝0.05で460 ｎｍにピークがあることが確認された。
Ａｌを含む窒化ガリウム系化合物半導体Ｇａ1-X ＡｌX
Ｎ（但し１＞ｘ＞０）に於いても図４に示すように同様
の結果を示すことが確かめられた。図４は本発明の発光
素子において、光の波長と発光強度との関係を示す特性
図である。ｘ（ＡｌＮモル分率）の増加とともに、ピー
クが短波長化する傾向にある。ｘ＝0.08で430 ｎｍ及び
ｘ＝0.05で460 ｎｍにピークがあることが確認された。
【００１３】以上の結果より、添加するＭｇガスの供給
量は２×1020cm-3以下であることが好ましい。また添加
するＭｇガスの供給量が1018cm-3より少なくなると発光
ダイオードに於ける絶縁層の形成が困難となるため、そ
れ以上添加する必要がある。
量は２×1020cm-3以下であることが好ましい。また添加
するＭｇガスの供給量が1018cm-3より少なくなると発光
ダイオードに於ける絶縁層の形成が困難となるため、そ
れ以上添加する必要がある。
【００１４】窒化ガリウム系化合物半導体の気相エピタ
キシアル成長に際して、Ｇａ成分に対するＭｇ成分の混
合割合は0.1 〜10ａｔｍ％であり、Ｇａの原料ガスとし
て使用するトリメチルガリウム（ＴＭＧ）の蒸気圧は30
mm Ｈｇ／−15℃である。
キシアル成長に際して、Ｇａ成分に対するＭｇ成分の混
合割合は0.1 〜10ａｔｍ％であり、Ｇａの原料ガスとし
て使用するトリメチルガリウム（ＴＭＧ）の蒸気圧は30
mm Ｈｇ／−15℃である。
【００１５】
【発明の効果】以上の説明のように、本発明による発光
素子の作製方法によれば結晶成長用基板上にｎ型該窒化
ガリウム系化合物半導体Ｇａ1-X ＡｌX Ｎ（但し１＞ｘ
＞０）単結晶からなるｎ型窒化ガリウム系化合物半導体
層を形成後、原料ガスに有機マグネシウム化合物をガス
状でガリウム（Ｇａ）成分に対するマグネシウム（Ｍ
ｇ）成分の混合割合が0.1 〜10ａｔｍ％となること及び
マグネシウム（Ｍｇ）原料ガスの固相中の濃度が供給量
で1018cm-3ないし２×1020cm-3の範囲となるよう反応管
内に導入し、絶縁層及び発光層としてマグネシウム（Ｍ
ｇ）を添加した窒化ガリウム系化合物半導体Ｇａ1-X Ａ
ｌX Ｎ（但し１＞ｘ＞０）層（但し発光波長範囲430 〜
480 ｎｍで450 ｎｍに発光ピークをもつ）ものを形成す
ることにより、純青色発光ダイオードを作製することが
可能である。従来知られている青色発光ダイオードとよ
ばれているものは発光波長が紫色または青緑色領域にか
たよっているもの、或はより長波長の発光が無視できず
色純度に問題のあるものが殆どであった。本発明の図３
（ａ）のように450 ｎｍ付近に発光ピーク波長を持ち、
かつより長波長の発光が殆ど観測されない発光スぺクト
ルを示すダイオードは現在まで報告された例はなかっ
た。
素子の作製方法によれば結晶成長用基板上にｎ型該窒化
ガリウム系化合物半導体Ｇａ1-X ＡｌX Ｎ（但し１＞ｘ
＞０）単結晶からなるｎ型窒化ガリウム系化合物半導体
層を形成後、原料ガスに有機マグネシウム化合物をガス
状でガリウム（Ｇａ）成分に対するマグネシウム（Ｍ
ｇ）成分の混合割合が0.1 〜10ａｔｍ％となること及び
マグネシウム（Ｍｇ）原料ガスの固相中の濃度が供給量
で1018cm-3ないし２×1020cm-3の範囲となるよう反応管
内に導入し、絶縁層及び発光層としてマグネシウム（Ｍ
ｇ）を添加した窒化ガリウム系化合物半導体Ｇａ1-X Ａ
ｌX Ｎ（但し１＞ｘ＞０）層（但し発光波長範囲430 〜
480 ｎｍで450 ｎｍに発光ピークをもつ）ものを形成す
ることにより、純青色発光ダイオードを作製することが
可能である。従来知られている青色発光ダイオードとよ
ばれているものは発光波長が紫色または青緑色領域にか
たよっているもの、或はより長波長の発光が無視できず
色純度に問題のあるものが殆どであった。本発明の図３
（ａ）のように450 ｎｍ付近に発光ピーク波長を持ち、
かつより長波長の発光が殆ど観測されない発光スぺクト
ルを示すダイオードは現在まで報告された例はなかっ
た。
【００１６】本発明による発光素子の作製方法を用いれ
ば、特別な色フィルターを使用することなく純青色発光
ダイオードの作製が可能となるため、フィルターによる
損失がなく従来のものと比較して効率の高い青色発光ダ
イオードの実現が可能である。本発明により現在まで実
用化の遅れている青色発光ダイオードの実用化が可能と
なる工業上大なる利益がある。
ば、特別な色フィルターを使用することなく純青色発光
ダイオードの作製が可能となるため、フィルターによる
損失がなく従来のものと比較して効率の高い青色発光ダ
イオードの実現が可能である。本発明により現在まで実
用化の遅れている青色発光ダイオードの実用化が可能と
なる工業上大なる利益がある。
【図１】図１は本発明を実現するための結晶成長装置の
概略構成図である。
概略構成図である。
【図２】図２はＭｇ原料ガス供給量と窒化ガリウムに添
加されたＭｇ量の関係を示す特性図である。
加されたＭｇ量の関係を示す特性図である。
【図３】図３は本発明の発光素子において、発光波長と
発光強度フォトルミネッセンスＰＬとの特性図である。
（ａ）曲線はＭｇを４×1019cm-3添加した試料の室温で
のフォトルミネッセンススぺクトル特性図、（ｂ）曲線
はＭｇを３×1020cm-3添加した試料の室温でのフォトル
ミネッセンススぺクトル特性図である。
発光強度フォトルミネッセンスＰＬとの特性図である。
（ａ）曲線はＭｇを４×1019cm-3添加した試料の室温で
のフォトルミネッセンススぺクトル特性図、（ｂ）曲線
はＭｇを３×1020cm-3添加した試料の室温でのフォトル
ミネッセンススぺクトル特性図である。
【図４】図４は本発明の発光素子において、光の波長と
発光強度との関係を示す特性図である。
発光強度との関係を示す特性図である。
１ 結晶成長用反応管 ２ 基板加熱用サセプタ ３ 基板 ４ 原料導入管 ５ 試料予備室 ６ ターボ真空ポンプ ７，８ ロータリー真空ポンプ ９ 原料ガスと水素との供給装置 １０ 水素供給口 １１ アンモニアガス（ＮＨ3 ）供給口 １２Ａ〜12Ｇ 水素流量計 １３ ＣＰ2 Ｍｇ又はＭＣＰ2 Ｍｇ等の有機Ｍｇ化合物
の貯留槽 １４ トリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）の貯留槽 １５ トリメチルガリウム（ＴＭＧ）の貯留槽 １６〜３１ 流量制御弁 ３２〜３４ 切換混合弁 ３５〜３６ 排出口 ３７〜４０ 流量制御弁
の貯留槽 １４ トリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）の貯留槽 １５ トリメチルガリウム（ＴＭＧ）の貯留槽 １６〜３１ 流量制御弁 ３２〜３４ 切換混合弁 ３５〜３６ 排出口 ３７〜４０ 流量制御弁
フロントページの続き (56)参考文献 Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｅｌｅｃｔｒ ｏｃｈｅｉｃａｌ Ｓｏｃｉｅｔｙ Ｖ ｏｌ．121，Ｎｏ．９，ｐｐ．1202− 1207（1975) Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｅｌｅｃｔｒ ｏｎｉｃ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ Ｖｏ ｌ．14，Ｎｏ．５，ｐｐ．636−644 (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 33/00 H01L 21/205
Claims (1)
- 【請求項１】 水素雰囲気で大気圧に保たれた反応管内
にサファイア等の絶縁体基板を設け、反応管の一方より
有機ガリウム化合物、有機アルミニウム化合物及びアン
モニアをガス状で導入し、基板上にて気相成長法により
Ｇａ1-x Ａｌx Ｎ（但し１＞ｘ＞０）の単結晶層からな
るｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層を形成後、原料ガ
スに有機マグネシウム化合物をガス状でガリウム（Ｇ
ａ）成分に対するマグネシウム（Ｍｇ）成分の混合割合
が0.1 〜10ａｔｍ％となること及びマグネシウム（Ｍ
ｇ）原料ガスの固相中のＭｇ濃度が供給量で1018cm-3な
いし２×1020cm-3の範囲内となるよう反応管内に導入
し、絶縁層及び発光層としてマグネシウム（Ｍｇ）を添
加したｉ型の窒化ガリウム系化合物半導体Ｇａ1-x Ａｌ
x Ｎ（但し１＞ｘ＞０）層（但し発光波長範囲430 〜48
0 ｎｍで450 ｎｍ付近に発光ピーク波長をもつ）ものを
作製することを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体
発光素子の作製方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13616696A JP2916613B2 (ja) | 1996-05-30 | 1996-05-30 | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13616696A JP2916613B2 (ja) | 1996-05-30 | 1996-05-30 | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の作製方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7665289A Division JPH069257B2 (ja) | 1989-03-30 | 1989-03-30 | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の作製方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH098352A JPH098352A (ja) | 1997-01-10 |
| JP2916613B2 true JP2916613B2 (ja) | 1999-07-05 |
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ID=15168874
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
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Country Status (1)
| Country | Link |
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-
1996
- 1996-05-30 JP JP13616696A patent/JP2916613B2/ja not_active Expired - Lifetime
Non-Patent Citations (2)
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|---|
| Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｉｃａｌ Ｓｏｃｉｅｔｙ Ｖｏｌ．１２１，Ｎｏ．９，ｐｐ．１２０２−１２０７（１９７５） |
| Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ Ｖｏｌ．１４，Ｎｏ．５，ｐｐ．６３６−６４４ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH098352A (ja) | 1997-01-10 |
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