JP2914545B2 - 導波路型光非線形素子 - Google Patents
導波路型光非線形素子Info
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/061—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on electro-optical organic material
- G02F1/065—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on electro-optical organic material in an optical waveguide structure
Landscapes
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Description
素子、さらに詳細には、電気光学効果を示す光非線形材
料と透明性に優れた高分子材料の双方の特徴を生かし
た、小型でかつ、集積度の高い高機能な光導波路素子に
関するものである。
的な素子としては、ニオブ酸リチウムを用いた光変調器
がある。この素子は、ニオブ酸リチウム基板の表面にチ
タンを拡散させ、この部分をコアとし、その上方に、金
属の電極を形成した構造を有する。一方、将来の高度な
光通信や光情報処理の分野では、小型でかつ、集積度の
高い高機能な光導波路素子が期待されている。その中
で、集積度を上げるためには、基板平面上だけではな
く、基板と垂直方向に高機能光導波路を何層にも積層す
る方法が考えられる。しかし、電気光学効果を示す材料
としてニオブ酸リチウムを用いた場合、ニオブ酸リチウ
ム結晶基板をそのまま積層することは困難であり、かと
いって、任意の基板の上に、ニオブ酸リチウムを結晶成
長させて多層化を図ることも極めて困難であった。
いると、ニオブ酸リチウムに比べ積層化の可能性は高い
が、光透過性に劣る材料が多く、この材料だけで光導波
路を構成すると高機能高集積化は困難である。
オブ酸リチウムを始め無機材料では困難であった電気光
学素子の多層化を実現するため、電気光学効果を示す高
分子材料と透明性に優れた高分子材料を組み合わせ、高
機能で光透明性に優れた新しい多層化構造を有する光機
能素子を提供するものである。
るため、本発明による導波路型光非線形素子は、少なく
とも2個のコア部と、これらのコア部より屈折率の低い
クラッド部と、前記コア部を挟み込む形で配置された上
部及び下部電極とを有し、少なくとも2個の前記コア部
は基板と垂直な方向にクラッド部を挟んで配置された導
波路型光非線形素子において、一方の前記コア部が1次
の電気光学効果を示す非線形高分子材料であるアゾ色素
が結合したアクリル系高分子(アゾ系アクリル樹脂)で
構成され、他方の前記電気光学効果を示さないコア部及
びクラッドがエポキシ系紫外線硬化樹脂で構成されてい
ることを特徴とする。
子は、少なくとも2個のコア部と、これらのコア部より
屈折率の低いクラッド部と、前記クラッドの上方または
下方に配置された電極とを有し、少なくとも2個の前記
コア部は基板と垂直な方向にクラッド部を挟んで配置さ
れた導波路型光非線形素子において、一方の前記コア部
が1次の電気光学効果を示す非線形高分子材料であるア
ゾ色素が結合したアクリル系高分子(アゾ系アクリル樹
脂)で構成され、他方の前記電気光学効果を示さないコ
ア部及びクラッドがエポキシ系紫外線硬化樹脂で構成さ
れていることを特徴とする。
膜が形成可能な電気光学効果を示す高分子材料を第1コ
ア層とし、光透過性に優れた高分子材料を第2コア層と
して用い、基板と垂直方向に光導波路を多層に形成する
とともに、電気光学素子に必要な電極も電気光学効果が
効率的に発揮できる任意の位置に容易に形成できること
を最も主要な特徴としている。さらに、スイッチ等の機
能的な動作は主として第1コア層に光を導波させて行
い、それ以外の部分は主として光透過性の良い第2コア
層に光を導波させることにより、素子全体としての光導
波損失を低減させることも特徴としている。ニオブ酸リ
チウムのような無機材料の単結晶を用いた素子では、導
波路のコア部を形成するのに表面からチタンのような無
機材料を拡散する必要があり、多層化が困難であり、ま
して、任意の位置に電極を形成するなど不可能に近い。
を用いて説明する。1は光透過性に優れた電気光学効果
を示さない高分子を用いたコア部、2は電気光学効果を
示す高分子を用いたコア部、3はクラッド部であって、
コア部がチャネル導波路として、光が導波する部分であ
る。コア部1および2は、クラッド部を挟んで光学的に
弱く結合しており、方向性結合器の結合部を構成してい
る。4は上部電極、5は下部電極であり、6は素子の基
板である。
の電気光学効果を示す高分子で構成されているため、上
下電極4、5間に電圧を印加すると、コア部2の屈折率
が変化する。したがって、入射端から光を入射すると出
射端からは、印加した電圧の大きさに応じて、コア部2
の屈折率が変化し、上部コア1、または下部コア2とど
ちらかから光が出てくるため、電圧の制御により光のス
イッチ動作が行える。このようなスイッチ動作が上部下
部コア1、2間で行えることは、同一平面内でのスイッ
チ動作する導波路と組み合わせると1平面上だけでなく
3次元的な構成で多段スイッチが構成でき集積度は飛躍
的に向上する。
る。1は光透過性に優れたコア部、2は電気光学効果を
示すコア部、3はクラッド部であって、4は上部電極、
5は下部電極であり、6は素子の基板であり、ここで
は、熱酸化シリコン付シリコン基板を使用している。
よりクロムを50Å付け真空を破らずに続けて金を10
00Å付けた。この上に通常のフォトプロセスにより電
極の形状にあわせたレジストパタンを形成し、アルゴン
ガス中のイオンミリングにより5で示す下層の電極5を
形成した。この上に、エポキシ系の紫外線硬化樹脂をス
ピンコート法により15μmの厚さに積層し、紫外線を
10分間照射した。次に、アゾ色素が結合したアクリル
系高分子(アゾ系アクリル樹脂)をスピンコート法によ
り5μmの厚さに積層した。この上に、通常のフォトプ
ロセスにより幅5μmのレジストパタンを形成し、酸素
ガス中の反応性リアクティブイオンエッチング(RI
E)を行った後、レジストを除去することにより、図
1、図2の下層の導波路コア部2を形成した。
の厚さにスピンコートし紫外線を照射すると、エポキシ
系樹脂の最上面は、平坦になった。その結果、コア部上
面部とエポキシ系樹脂の最上面との距離は、3μmとな
った。次に、その上に、クラッド部の屈折率より0.5
%屈折率が高いエポキシ系紫外線硬化樹脂をスピンコー
トにより積層し紫外線を照射し、上記下部コア部2の作
製法と同様な方法によりコア部1を作製し、エポキシ系
紫外線硬化樹脂を20μmの厚さにスピンコートし、紫
外線を照射した。さらに、上記下部電極作製法と同じ方
法により上部電極4を作製した。
り、その中に、3μm厚の紫外線硬化樹脂を挟んで5×
5μmのアゾ系アクリル樹脂でできたチャネル導波路2
と5×5μmの紫外線硬化樹脂でできたチャネル導波路
1が形成された。この素子を140℃に加熱し1800
Vの電圧を上下電極間に印加し、そのまま室温に下げて
から、電圧を下ろした。このポーリング処理により、ア
ゾ系アクリル樹脂のチャネル導波路2は、電気光学効果
を示すようになる。
2より波長1.3μmの光をファイバーのバッティング
により導入し、電極に電圧を印加しながら赤外線カメラ
で出射端を見た。電圧0Vの時上部導波路が明るく下部
導波路2は暗かったが、電圧を15V印加した時、上部
導波路1は暗く、下部導波路2が明るくなることを確か
められ、電極の電圧制御により2個のチャネル導波路間
で光のスイッチングが起こることが確認された。
る。7は電気光学効果を示すコア部であり、8は光透過
性に優れたコア部であり、9はクラッド部であって、1
0は素子の基板であり、11は電極である。
に、エポキシ系紫外線硬化樹脂をスピンコート法により
15μmの厚さに積層し、紫外線を10分間照射した。
次に、この紫外線硬化樹脂より屈折率が0.5%高いエ
ポキシ系紫外線硬化樹脂をスピンコート法により5μm
の厚さに積層し、紫外線を照射した。この上に、通常の
フォトプロセスにより幅5μmのレジストパタンを形成
し、酸素ガス中の反応性リアクティブイオンエッチング
(RIE)を行った後、レジストを除去することによ
り、下層コア部8を形成した。
の厚さにスピンコートし紫外線を照射すると、エポキシ
系樹脂の最上面は、平坦になった。その結果、コア部上
面部とクラッド部エピキシ系樹脂の最上面との距離は、
3μmとなった。次に、その上に、アゾ色素系アクリル
樹脂をスピンコートにより積層し、上記コア部の作製法
と同様な方法により上部コア部7を作製し、エポキシ系
紫外線硬化樹脂を20μmの厚さにスピンコートし、紫
外線を照射した。
50Å付け真空を破らずに続けて金を1000Å付け
た。この上に通常のフォトプロセスにより電極の形状に
あわせたレジストパタンを形成し、アルゴンガス中のイ
オンミリングにより上層の電極11を形成した。
り、その中に、3μm厚の紫外線硬化樹脂を挟んで5×
5μmのアゾ系アクリル樹脂でできたチャネル導波路7
と5×5μmの紫外線硬化樹脂でできたチャネル導波路
8が形成された。
電圧を電極11とシリコン基板10との間で印加し、そ
のまま室温に下げてから、電圧を下ろした。このポーリ
ング処理により、アゾ系アクリル樹脂のチャネル導波路
7は、電気光学効果を示すようになる。ここで電極は、
コプレナー型の高周波用電極を構成しており、交流の電
界を印加すれば、コアを含むポリマー内にも電界が分布
し、コアの屈折率制御が可能である。
波路より波長1.3μmの光をファイバーのバッティン
グにより導入し、電極に100kHzの交流電圧を印加
しながら両方の出射端をそれぞれファイバーに接続し、
さらに赤外線検出器を接続し、赤外線検出器からの信号
をシンクロスコープにつなぎ波形の変化を観測した。印
加電圧0Vの時、上部導波路が明るく下部導波路は暗い
ことに対応した波形が観測され、印加電圧が18Vの
時、上部導波路は暗く、下部が明るくなることに対応し
た波形が観測された。電極の電圧制御により2個のチャ
ネル導波路間で光のスイッチングが起こることが確認さ
れた。
垂直方向に配置された導波路間を光がスッチングするこ
とを可能にするため、基板と水平方向にあるスイッチン
グ素子と組み合わせることにより光を3次元的に導波さ
せることができ、集積度の高い高機能な素子が実現でき
る。実施例で示したアゾ色素系高分子の損失は、1.3
μmの波長で1.5dB/cm、一方、光透過性に優れ
た紫外線硬化樹脂の損失は1.3μmの波長で、0.3
dB/cmである。したがって、光の損失の観点から
は、素子を構成する場合、スイッチ機能をもたせるとこ
ろ以外は、できるだけ紫外線硬化樹脂を用いたコア部を
光導波させるほうが有利となる。このように、スイッチ
機能をもたせる部分を電気光学効果を示す高分子、この
部分をつなぐ導波部分を光透過性に優れた高分子とそれ
ぞれ役割を分担して素子を構成することにより、集積度
の高い高機能な素子でしかも光透過性に優れた素子を実
現できる。
型光非線形素子の断面図。
波路型光非線形素子の断面図。
Claims (2)
- 【請求項1】 少なくとも2個のコア部と、これらのコ
ア部より屈折率の低いクラッド部と、前記コア部を挟み
込む形で配置された上部及び下部電極とを有し、少なく
とも2個の前記コア部は基板と垂直な方向にクラッド部
を挟んで配置された導波路型光非線形素子において、一
方の前記コア部が1次の電気光学効果を示す非線形高分
子材料であるアゾ色素が結合したアクリル系高分子(ア
ゾ系アクリル樹脂)で構成され、他方の前記電気光学効
果を示さないコア部及びクラッドがエポキシ系紫外線硬
化樹脂で構成されていることを特徴とする導波路型光非
線形素子。 - 【請求項2】少なくとも2個のコア部と、これらのコア
部より屈折率の低いクラッド部と、前記クラッドの上方
または下方に配置された電極とを有し、少なくとも2個
の前記コア部は基板と垂直な方向にクラッド部を挟んで
配置された導波路型光非線形素子において、一方の前記
コア部が1次の電気光学効果を示す非線形高分子材料で
あるアゾ色素が結合したアクリル系高分子(アゾ系アク
リル樹脂)で構成され、他方の前記電気光学効果を示さ
ないコア部及びクラッドがエポシキ系紫外線硬化樹脂で
構成されていることを特徴とする導波路型光非線形素
子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5021843A JP2914545B2 (ja) | 1993-01-14 | 1993-01-14 | 導波路型光非線形素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5021843A JP2914545B2 (ja) | 1993-01-14 | 1993-01-14 | 導波路型光非線形素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06214275A JPH06214275A (ja) | 1994-08-05 |
JP2914545B2 true JP2914545B2 (ja) | 1999-07-05 |
Family
ID=12066376
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5021843A Expired - Lifetime JP2914545B2 (ja) | 1993-01-14 | 1993-01-14 | 導波路型光非線形素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
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Families Citing this family (8)
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US6022671A (en) * | 1997-03-11 | 2000-02-08 | Lightwave Microsystems Corporation | Method of making optical interconnects with hybrid construction |
US5970186A (en) * | 1997-03-11 | 1999-10-19 | Lightwave Microsystems Corporation | Hybrid digital electro-optic switch |
US6122416A (en) * | 1997-09-26 | 2000-09-19 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Stacked thermo-optic switch, switch matrix and add-drop multiplexer having the stacked thermo-optic switch |
CA2346130A1 (en) | 1998-11-10 | 2000-05-18 | Lightwave Microsystems Corporation | Photonic devices comprising thermo-optic polymer |
US6351578B1 (en) * | 1999-08-06 | 2002-02-26 | Gemfire Corporation | Thermo-optic switch having fast rise-time |
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KR20200092123A (ko) | 2019-01-24 | 2020-08-03 | 한국전자통신연구원 | 3차원 광스위치 |
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JPH06175172A (ja) * | 1992-07-13 | 1994-06-24 | Fujitsu Ltd | 非線形光学材料、その製造方法並びにそれを用いた非線形光学デバイス及び方向性結合型光スイッチ |
-
1993
- 1993-01-14 JP JP5021843A patent/JP2914545B2/ja not_active Expired - Lifetime
Non-Patent Citations (2)
Title |
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IEEE Transactions Technology Letters,Vol.3,No.11,p.p.1003−1006 |
Jpn.J.Appl.Phys.Part2,Vol.31,No.8B,p.p.L1180−L1181 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH06214275A (ja) | 1994-08-05 |
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