JP2912188B2 - 成膜装置及び成膜方法 - Google Patents
成膜装置及び成膜方法Info
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- JP2912188B2 JP2912188B2 JP7103759A JP10375995A JP2912188B2 JP 2912188 B2 JP2912188 B2 JP 2912188B2 JP 7103759 A JP7103759 A JP 7103759A JP 10375995 A JP10375995 A JP 10375995A JP 2912188 B2 JP2912188 B2 JP 2912188B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は成膜装置及び成膜方法に
関し、特に半導体製造工程において半導体ウェハの主表
面にタングステン膜を形成する装置とその方法に関す
る。
関し、特に半導体製造工程において半導体ウェハの主表
面にタングステン膜を形成する装置とその方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来のタングステン成膜装置を模式的に
示した図３の断面図を参照すると、この装置は、材料ガ
スを導入するガス導入口１と、導入されたガスを分散さ
せるガス分散板２と、材料ガスが導入され成膜処理を行
う反応室３と、ガス導入口１及びガス分散板２を反応室
３と気密性を保ちながら電気的に絶縁する絶縁板４と、
反応室３内のガスを排気する真空ポンプ５と、被処理の
半導体ウェハ９を支持して加熱すると共に高周波の印加
される下部電極を有する支持台６と、被処理半導体ウェ
ハ９を反応室３に出し入れするための搬出入扉７と、配
線１２を各電極へ導入してガス分散板２と支持台６とに
高周波（ＲＦ）を印加する高周波発生器８とを備える。
尚、被処理半導体ウェハ９を搬送するための機構や、ガ
ス分散板の形状等については、本発明の主な特徴では無
いので、ここでは模式的に示すに留める。
示した図３の断面図を参照すると、この装置は、材料ガ
スを導入するガス導入口１と、導入されたガスを分散さ
せるガス分散板２と、材料ガスが導入され成膜処理を行
う反応室３と、ガス導入口１及びガス分散板２を反応室
３と気密性を保ちながら電気的に絶縁する絶縁板４と、
反応室３内のガスを排気する真空ポンプ５と、被処理の
半導体ウェハ９を支持して加熱すると共に高周波の印加
される下部電極を有する支持台６と、被処理半導体ウェ
ハ９を反応室３に出し入れするための搬出入扉７と、配
線１２を各電極へ導入してガス分散板２と支持台６とに
高周波（ＲＦ）を印加する高周波発生器８とを備える。
尚、被処理半導体ウェハ９を搬送するための機構や、ガ
ス分散板の形状等については、本発明の主な特徴では無
いので、ここでは模式的に示すに留める。
【０００３】次に動作について説明する。まず、搬出入
扉７から被処理半導体ウェハ９が反応室３内に搬送さ
れ、支持台６に保持される。この支持台６は、４００℃
乃至５００℃の範囲内のある一定温度に保たれており、
且つ真空ポンプ５によって反応室３を減圧状態（数１０
ｍＴｏｒｒ程度）にする。ここで、ガス導入口１よりＷ
Ｆ6 やＳｉＨ4 等の材料ガスを導入し、ガス分散板２で
この材料ガスを均一となるように分散して、反応室３内
に一様に拡散させる。反応室３内では、導入された材料
ガスが、下記に示す第１および第２の反応により、支持
台６に保持された被処理ウェハ９の主表面にタングステ
ン（Ｗ）膜を成膜して、次に未反応ガスの大部分を真空
ポンプ５により反応室３から排気する。
扉７から被処理半導体ウェハ９が反応室３内に搬送さ
れ、支持台６に保持される。この支持台６は、４００℃
乃至５００℃の範囲内のある一定温度に保たれており、
且つ真空ポンプ５によって反応室３を減圧状態（数１０
ｍＴｏｒｒ程度）にする。ここで、ガス導入口１よりＷ
Ｆ6 やＳｉＨ4 等の材料ガスを導入し、ガス分散板２で
この材料ガスを均一となるように分散して、反応室３内
に一様に拡散させる。反応室３内では、導入された材料
ガスが、下記に示す第１および第２の反応により、支持
台６に保持された被処理ウェハ９の主表面にタングステ
ン（Ｗ）膜を成膜して、次に未反応ガスの大部分を真空
ポンプ５により反応室３から排気する。
【０００４】第１の反応１：２ＷＦ6 ＋３ＳｉＨ4 →２
Ｗ＋３ＳｉＦ4 ＋６Ｈ2 第２の反応２：ＷＦ6 ＋３Ｈｚ→Ｗ＋６ＨＦ タングステンが成膜された被処理ウェハ９は、搬出入扉
７から搬出される。次に、成膜処理が終了した反応室３
内では、成膜処理中に過剰の存在した材料ガスにより、
反応室３内の内壁面、ガス分散板２の表面や支持台６の
側面等にもタングステンが付着している。このため、ガ
ス導入口１より三フッ化窒素（ＮＦ3 ）あるいはヘキサ
フルオロエタン（Ｃ2 Ｆ6 ）等のエッチングガスを導入
すると共に、ガス分散板２および支持台６を電極とし
て、高周波発生器８により１０数ＭＨｚの高周波を印加
することで、発生させたプラズマ状態となっている、い
わゆるフッ素ラジカルと付着したタングステンを反応さ
せて、反応室３内のクリーニングを行い、一連の動作を
完了する。
Ｗ＋３ＳｉＦ4 ＋６Ｈ2 第２の反応２：ＷＦ6 ＋３Ｈｚ→Ｗ＋６ＨＦ タングステンが成膜された被処理ウェハ９は、搬出入扉
７から搬出される。次に、成膜処理が終了した反応室３
内では、成膜処理中に過剰の存在した材料ガスにより、
反応室３内の内壁面、ガス分散板２の表面や支持台６の
側面等にもタングステンが付着している。このため、ガ
ス導入口１より三フッ化窒素（ＮＦ3 ）あるいはヘキサ
フルオロエタン（Ｃ2 Ｆ6 ）等のエッチングガスを導入
すると共に、ガス分散板２および支持台６を電極とし
て、高周波発生器８により１０数ＭＨｚの高周波を印加
することで、発生させたプラズマ状態となっている、い
わゆるフッ素ラジカルと付着したタングステンを反応さ
せて、反応室３内のクリーニングを行い、一連の動作を
完了する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の装置で
は、反応室３内において発塵源となる被処理ウェハ９の
表面以外に付着したタングステン除去の条件出しを、こ
こに高周波を印加した電極間の電圧変化値やフッ素ラジ
カルの分光分析等により行っているため、反応室３内の
限定された局所（測定箇所）だけに対応した観測しかで
きなかった。従って、クリーニング時間（高周波印加時
間）が短い場合には、前記内壁等に付着したタングステ
ン部分的に残渣となり、さらに被処理ウェハ９の搬出入
時等に扉７から混入したり、あるいは付着するＯ2 やＨ
2 Ｏ，その他の微量汚染物（例えばＮａ）があるため、
反応室３内にはタングステンの化合物例えばＷＯｘＦ
ｙ，ＷＯ3 ・ｘＨ2 Ｏ，ＮａＷＯ4 ，ＣａＷＯ4 等が生
成してしまい、これが剥離して発塵源となっている。
は、反応室３内において発塵源となる被処理ウェハ９の
表面以外に付着したタングステン除去の条件出しを、こ
こに高周波を印加した電極間の電圧変化値やフッ素ラジ
カルの分光分析等により行っているため、反応室３内の
限定された局所（測定箇所）だけに対応した観測しかで
きなかった。従って、クリーニング時間（高周波印加時
間）が短い場合には、前記内壁等に付着したタングステ
ン部分的に残渣となり、さらに被処理ウェハ９の搬出入
時等に扉７から混入したり、あるいは付着するＯ2 やＨ
2 Ｏ，その他の微量汚染物（例えばＮａ）があるため、
反応室３内にはタングステンの化合物例えばＷＯｘＦ
ｙ，ＷＯ3 ・ｘＨ2 Ｏ，ＮａＷＯ4 ，ＣａＷＯ4 等が生
成してしまい、これが剥離して発塵源となっている。
【０００６】微量汚染物としては、アルカリ金属やアル
カリ土類金属等があり、大気中に存在する物質や作業者
には付着した物質等があり、いずれもタングステンと反
応して、タングステン酸塩等となり、発塵する。
カリ土類金属等があり、大気中に存在する物質や作業者
には付着した物質等があり、いずれもタングステンと反
応して、タングステン酸塩等となり、発塵する。
【０００７】逆に、クリーニング時間が長い場合には、
アルミニウム製の反応室３等とフッ素ラジカルが反応
し、フッ化アルミニウム化合物（ＡｌＦ3 等）を生成し
て発塵することがあった。従来では、もっともタングス
テン残渣の多い箇所を容易に特定することができず、従
ってこれを除去する最適値の条件を求めることができな
かった。
アルミニウム製の反応室３等とフッ素ラジカルが反応
し、フッ化アルミニウム化合物（ＡｌＦ3 等）を生成し
て発塵することがあった。従来では、もっともタングス
テン残渣の多い箇所を容易に特定することができず、従
ってこれを除去する最適値の条件を求めることができな
かった。
【０００８】発塵粒子の直径は、数１０μｍ程度と小さ
いので、単純に観察窓を取付けただけでは、数万個の粒
子集団があったとしても、目視によるタングステン残渣
の特定には困難をともなう。
いので、単純に観察窓を取付けただけでは、数万個の粒
子集団があったとしても、目視によるタングステン残渣
の特定には困難をともなう。
【０００９】また発塵箇所の特定のためには、反応室３
を大気解放する必要があり、この場合発塵調査やクリー
ニング条件の最適化等に長時間を要するだけでなく、大
気中の酸素，水分と瞬時に化合してしまうため、最もタ
ングステン残渣が多い箇所を特定することが困難であっ
た。
を大気解放する必要があり、この場合発塵調査やクリー
ニング条件の最適化等に長時間を要するだけでなく、大
気中の酸素，水分と瞬時に化合してしまうため、最もタ
ングステン残渣が多い箇所を特定することが困難であっ
た。
【００１０】以上のような諸問題点に鑑み、本発明は次
の課題を掲げる。（１）大気解放しないで、タングステ
ン残渣の場所の特定ができるようにすること。（２）最
適なクリーニング時間を容易に設定できるようにするこ
と。（３）大気解放によるタングステン酸塩等が生じな
いようにすること。（４）タングステン残渣を目視によ
って容易に観測できるようにすること。（５）発塵原因
となる製造プロセスを使用せず、信頼性の高い半導体ウ
ェハが製造できるようにすること。（６）反応室を開け
ることなく、内部の汚れ状況を確認できるようにするこ
と。（７）成膜時及びスクリーニング時のガス流量及び
時間の最適化が容易に行えるようにすること。
の課題を掲げる。（１）大気解放しないで、タングステ
ン残渣の場所の特定ができるようにすること。（２）最
適なクリーニング時間を容易に設定できるようにするこ
と。（３）大気解放によるタングステン酸塩等が生じな
いようにすること。（４）タングステン残渣を目視によ
って容易に観測できるようにすること。（５）発塵原因
となる製造プロセスを使用せず、信頼性の高い半導体ウ
ェハが製造できるようにすること。（６）反応室を開け
ることなく、内部の汚れ状況を確認できるようにするこ
と。（７）成膜時及びスクリーニング時のガス流量及び
時間の最適化が容易に行えるようにすること。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明の第１の構成は、
半導体ウェハの主表面上に成膜処理を行なう反応室と、
前記反応室内に材料ガスを導入する導入口と、前記反応
室内に前記半導体ウェハを出し入れする搬出入扉と、前
記反応室内のガスを排出する真空ポンプと、前記反応室
内に高周波信号を印加する高周波発生器とを備えた成膜
装置において、前記反応室内に紫外線を照射し前記反応
室内に付着する発塵物質に燐光を発生させる紫外線照射
手段と、前記反応室内の前記燐光の発生状態を観察でき
る観察窓とを設けたことを特徴とする。
半導体ウェハの主表面上に成膜処理を行なう反応室と、
前記反応室内に材料ガスを導入する導入口と、前記反応
室内に前記半導体ウェハを出し入れする搬出入扉と、前
記反応室内のガスを排出する真空ポンプと、前記反応室
内に高周波信号を印加する高周波発生器とを備えた成膜
装置において、前記反応室内に紫外線を照射し前記反応
室内に付着する発塵物質に燐光を発生させる紫外線照射
手段と、前記反応室内の前記燐光の発生状態を観察でき
る観察窓とを設けたことを特徴とする。
【００１２】特に前記観察窓が、二重の透明ガラスと、
この間に冷却水を循環する手段とを備えたことを特徴と
する。
この間に冷却水を循環する手段とを備えたことを特徴と
する。
【００１３】本発明の第２の構成は、反応室内の半導体
ウェハの主表面に材料ガスを導入して成膜する工程と、
残存した前記ガスを除去するクリーニング工程とを複数
回繰り返した後、紫外線を照射して前記反応室内の燐光
反応を視認する工程を設けたことを特徴とする。
ウェハの主表面に材料ガスを導入して成膜する工程と、
残存した前記ガスを除去するクリーニング工程とを複数
回繰り返した後、紫外線を照射して前記反応室内の燐光
反応を視認する工程を設けたことを特徴とする。
【００１４】
【実施例】本発明の一実施例の成膜装置を模式的に示し
た図１の断面図を参照すると、この実施例は観察窓４
と、この窓４の空間内に冷却水６ａを循環させる熱交換
器６と、紫外線ランプ５とを備えること以外、図１の構
造と共通するため、共通する部分は、共通した参照数字
で示すに留め説明を省略する。
た図１の断面図を参照すると、この実施例は観察窓４
と、この窓４の空間内に冷却水６ａを循環させる熱交換
器６と、紫外線ランプ５とを備えること以外、図１の構
造と共通するため、共通する部分は、共通した参照数字
で示すに留め説明を省略する。
【００１５】観察窓４は、二重ガラス即ち反応室３に面
した内部側の透明ガラスと大気に面した外部側の透明ガ
ラスとからなり、この間の空間には冷却水６ａが満たさ
れる。この冷却水６ａは熱交換器６により、強制循環
し、大気と反応室３内の雰囲気との熱的しゃ断を行って
視認性を良好にしている。観察窓４を介した目視によ
り、ガス分散板２を除く反応室３内の略全域が視野の中
に入る。複数の紫外線ランプ５は、内部側の透明ガラス
を介して、反応室３内の全域に照射される。
した内部側の透明ガラスと大気に面した外部側の透明ガ
ラスとからなり、この間の空間には冷却水６ａが満たさ
れる。この冷却水６ａは熱交換器６により、強制循環
し、大気と反応室３内の雰囲気との熱的しゃ断を行って
視認性を良好にしている。観察窓４を介した目視によ
り、ガス分散板２を除く反応室３内の略全域が視野の中
に入る。複数の紫外線ランプ５は、内部側の透明ガラス
を介して、反応室３内の全域に照射される。
【００１６】次に、この動作について説明する。この実
施例における成膜処理だけについては、上述した従来の
技術と共通するため、成膜処理後について説明する。
施例における成膜処理だけについては、上述した従来の
技術と共通するため、成膜処理後について説明する。
【００１７】成膜処理後、ＮＦ3 やＣ2 Ｆ6 等のエッチ
ングガスをガス導入口１より導入し、ガス分散板２でこ
れを分散させて、反応室内に一様に導入する。
ングガスをガス導入口１より導入し、ガス分散板２でこ
れを分散させて、反応室内に一様に導入する。
【００１８】前記エッチングガスが、反応室３内におい
て、一定圧力となるように真空ポンプ７で制御される状
態になった時、ガス分散板２（材質：アルミニウム）を
上部電極，支持台８（材質：アルミニウム）を下部電極
として、高周波発生器８により高周波を印加し、前記エ
ッチングガスをプラズマ状態にする。エッチングガス流
量は、１００乃至２００ｓｃｃｍが好ましい。ここで、
発生したフッ素ラジカルが反応室３内に付着しているタ
ングステンと反応し、ＷＦｘ（ｘ：３〜６）として排気
されるため、電極間に存在するフッ素ラジカルの濃度に
変化が生じて、電極間の電圧が、図２の特性図に示すよ
うな変化が起きる。
て、一定圧力となるように真空ポンプ７で制御される状
態になった時、ガス分散板２（材質：アルミニウム）を
上部電極，支持台８（材質：アルミニウム）を下部電極
として、高周波発生器８により高周波を印加し、前記エ
ッチングガスをプラズマ状態にする。エッチングガス流
量は、１００乃至２００ｓｃｃｍが好ましい。ここで、
発生したフッ素ラジカルが反応室３内に付着しているタ
ングステンと反応し、ＷＦｘ（ｘ：３〜６）として排気
されるため、電極間に存在するフッ素ラジカルの濃度に
変化が生じて、電極間の電圧が、図２の特性図に示すよ
うな変化が起きる。
【００１９】ここで、図２の特性図について説明する。
反応室３内に付着したタングステンを除去する場合、上
述したエッチングガスを導入して、ガス分散板２と支持
台６とに、高周波発生器８で高周波を印加して、ガス中
のフッ素をプラズマ状態にする。即ち、フッ素ラジカル
を生成させる。
反応室３内に付着したタングステンを除去する場合、上
述したエッチングガスを導入して、ガス分散板２と支持
台６とに、高周波発生器８で高周波を印加して、ガス中
のフッ素をプラズマ状態にする。即ち、フッ素ラジカル
を生成させる。
【００２０】高周波を印加した頭初は、反応室３内にタ
ングステンが充分に存在しているため、ＷＦｘの化合物
が容易に発生し、フッ素ラジカルは次々と消費されて、
この濃度が低い状態になっている。この状態が図２の特
性図の左側の特性である。
ングステンが充分に存在しているため、ＷＦｘの化合物
が容易に発生し、フッ素ラジカルは次々と消費されて、
この濃度が低い状態になっている。この状態が図２の特
性図の左側の特性である。
【００２１】さらに、高周波印加時間の経過と共に、反
応室３内のタングステン正確には支持台表面とガス分散
板近傍の付着タングステンは減少していくため、フッ素
ラジカルの濃度が次第に上昇していく。即ち、電極間の
電荷が変化するので、これにともない電極間の電位差が
急激に変化し、この最大の変化点のところを変化点ａと
する。
応室３内のタングステン正確には支持台表面とガス分散
板近傍の付着タングステンは減少していくため、フッ素
ラジカルの濃度が次第に上昇していく。即ち、電極間の
電荷が変化するので、これにともない電極間の電位差が
急激に変化し、この最大の変化点のところを変化点ａと
する。
【００２２】さらに反応するタングステンがほとんど無
くなった時には、電荷の変化がなくなるので、右側の特
性曲線のように、飽和した状態になる。ここで、図２の
特性図において、エッチングガスの流量や反応室内の汚
れ具合によって、測定値が相違するが、いずれも略共通
した特性曲線を描く。
くなった時には、電荷の変化がなくなるので、右側の特
性曲線のように、飽和した状態になる。ここで、図２の
特性図において、エッチングガスの流量や反応室内の汚
れ具合によって、測定値が相違するが、いずれも略共通
した特性曲線を描く。
【００２３】この時の変化点ａにおける高周波印加時間
即ちエッチング時間を初期値として、成膜処理とクリー
ニング処理とのサイクルを数回繰り返した後、波長２０
０ｎｍ乃至４５０ｎｍの紫外線を照射刷るランプ５を点
灯する。反応室３の内壁面や支持台８の表面等にタング
ステンが付着していなければ、これらの母材であるアル
ミニウムに反射して紫色の反射光だけが観察できるが、
クリーニングが不充分である場合にはタングステン酸塩
等が生じているので、これと紫外光照射による燐光検知
方法がが起きるため、直ちに視認できるこの種の燐光反
応は、例えば特開平３−５０３４５０号公報に記載され
ており、紫外光照射による燐光検知方法が応用し得る。
即ちエッチング時間を初期値として、成膜処理とクリー
ニング処理とのサイクルを数回繰り返した後、波長２０
０ｎｍ乃至４５０ｎｍの紫外線を照射刷るランプ５を点
灯する。反応室３の内壁面や支持台８の表面等にタング
ステンが付着していなければ、これらの母材であるアル
ミニウムに反射して紫色の反射光だけが観察できるが、
クリーニングが不充分である場合にはタングステン酸塩
等が生じているので、これと紫外光照射による燐光検知
方法がが起きるため、直ちに視認できるこの種の燐光反
応は、例えば特開平３−５０３４５０号公報に記載され
ており、紫外光照射による燐光検知方法が応用し得る。
【００２４】一方、観察窓４を熱交換器６により送られ
る冷却水６ａで冷却することで、観察窓４の表面近傍で
の材料ガスの反応を減速させ、もって観察窓４表面への
タングステンの付着を防止し、前記燐光反応を観察して
タングステンの残留箇所を視認により特定し、高周波の
印加時間やエッチングガスの流量を燐光反応が丁度消失
する状態に調節することにより、最適なクリーニング条
件を得ることができる。
る冷却水６ａで冷却することで、観察窓４の表面近傍で
の材料ガスの反応を減速させ、もって観察窓４表面への
タングステンの付着を防止し、前記燐光反応を観察して
タングステンの残留箇所を視認により特定し、高周波の
印加時間やエッチングガスの流量を燐光反応が丁度消失
する状態に調節することにより、最適なクリーニング条
件を得ることができる。
【００２５】即ち、本発明の課題の一つは、上述した最
適な秒数を、正確にかつ容易に求めることにある。
適な秒数を、正確にかつ容易に求めることにある。
【００２６】これを解決するポイントは、ガス分散板２
及び支持台６以外の部分までも、汚れ具合を正確に検知
することである。成膜処理及びクリーニング処理を数回
繰り返すのは、変化点ａをより正確に求めると共に、残
渣部分をより目立たせるという効果がある。即ち、この
実施例によれば従来では観察できないような高い精度で
求めることができる。
及び支持台６以外の部分までも、汚れ具合を正確に検知
することである。成膜処理及びクリーニング処理を数回
繰り返すのは、変化点ａをより正確に求めると共に、残
渣部分をより目立たせるという効果がある。即ち、この
実施例によれば従来では観察できないような高い精度で
求めることができる。
【００２７】これを実現するために、反応室の内部を覗
き、視覚的に検知できるようにすると共に、タングステ
ン酸塩等の燐光反応を応用している。
き、視覚的に検知できるようにすると共に、タングステ
ン酸塩等の燐光反応を応用している。
【００２８】尚二重の透明ガラスからなる観察窓４は、
内部側のガラスにタングステンが付着するのを防止する
ために必要であるが、熱交換器６による冷却水６ａの循
環がなくとも、断熱効果が得られるが、やはりある方が
より好ましい。
内部側のガラスにタングステンが付着するのを防止する
ために必要であるが、熱交換器６による冷却水６ａの循
環がなくとも、断熱効果が得られるが、やはりある方が
より好ましい。
【００２９】この実施例では、タングステンの成膜装置
について説明したが、他の金属膜の成膜においても、共
通して、使用することができる。
について説明したが、他の金属膜の成膜においても、共
通して、使用することができる。
【００３０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
タングステン酸塩等と燐光反応を起こす紫外線源と、反
応室内部を視認できるようにした観察窓とを設けている
ため、反応室内部の汚れ状況を直ちに視認することがで
きるため、ダウンタイムを低減でき、成膜時及びクリー
ニング時のガス流量及び時間の最適化が容易に行え、処
理条件出しに要する時間を短縮でき、また発塵箇所の特
定が容易であり、発塵原因調査に要する時間を短縮でき
る等の効果が得られ、上述した（１）乃至（７）の各課
題がことごとく達成された。
タングステン酸塩等と燐光反応を起こす紫外線源と、反
応室内部を視認できるようにした観察窓とを設けている
ため、反応室内部の汚れ状況を直ちに視認することがで
きるため、ダウンタイムを低減でき、成膜時及びクリー
ニング時のガス流量及び時間の最適化が容易に行え、処
理条件出しに要する時間を短縮でき、また発塵箇所の特
定が容易であり、発塵原因調査に要する時間を短縮でき
る等の効果が得られ、上述した（１）乃至（７）の各課
題がことごとく達成された。
【図１】本発明の一実施例の成膜装置を模式的に示す断
面図である。
面図である。
【図２】一実施例の動作状態を示す特性図である。
【図３】従来の成膜装置を模式的に示す断面図である。
１ ガス導入口 ２ ガス分散板 ３ 反応室 ４ 観察窓 ５ 紫外線ランプ ６ 熱交換器 ７ 真空ポンプ ８ 支持台 ９ 搬出入扉 １０ 高周波発生器 １１ 被処理半導体ウェハ １２ 配線 ａ 変化点
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) C23C 16/00 - 16/56 C23C 14/52 H01L 21/205 H01L 21/285
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体ウェハの主表面上に成膜処理を行
なう反応室と、前記反応室内に材料ガスを導入する導入
口と、前記反応室内に前記半導体ウェハを出し入れする
搬出入扉と、前記反応室内のガスを排出する真空ポンプ
と、前記反応室内に高周波信号を印加する高周波発生器
とを備えた成膜装置において、前記反応室内に紫外線を
照射し前記反応室内に付着する発塵物質に燐光を発生さ
せる紫外線照射手段と、前記反応室内の前記燐光の発生
状態を観察できる観察窓とを設けたことを特徴とする成
膜装置。 - 【請求項２】 前記観察窓が、二重の透明ガラスと、こ
の間に冷却水を循環する手段とを備えた請求項１記載の
成膜装置。 - 【請求項３】 反応室内の半導体ウェハの主表面に材料
ガスを導入して成膜する工程と、残存した前記ガスを除
去するクリーニング工程とを複数回繰り返した後、紫外
線を照射して前記反応室内の燐光反応を視認することを
特徴とする成膜方法。
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| JP7103759A JP2912188B2 (ja) | 1995-04-27 | 1995-04-27 | 成膜装置及び成膜方法 |
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| JP7103759A JP2912188B2 (ja) | 1995-04-27 | 1995-04-27 | 成膜装置及び成膜方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08296045A JPH08296045A (ja) | 1996-11-12 |
| JP2912188B2 true JP2912188B2 (ja) | 1999-06-28 |
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ID=14362457
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| JP7103759A Expired - Fee Related JP2912188B2 (ja) | 1995-04-27 | 1995-04-27 | 成膜装置及び成膜方法 |
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| JP (1) | JP2912188B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
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|---|---|---|---|---|
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-
1995
- 1995-04-27 JP JP7103759A patent/JP2912188B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JPH08296045A (ja) | 1996-11-12 |
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