JP2911626B2 - カルボン酸クロリドの製法 - Google Patents
カルボン酸クロリドの製法Info
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- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C51/00—Preparation of carboxylic acids or their salts, halides or anhydrides
- C07C51/58—Preparation of carboxylic acid halides
- C07C51/60—Preparation of carboxylic acid halides by conversion of carboxylic acids or their anhydrides or esters, lactones, salts into halides with the same carboxylic acid part
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はカルボン酸クロリドの製
法に関する。
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】カルボン酸クロリドは、相応するカルボ
ン酸とホスゲンとの反応により良好に製造することがで
きる。この反応は触媒を必要とする。触媒として、例え
ばカルボキシアミド、有利にＮ−アルキルホルムアミド
を使用する（ＤＥ−Ａ−３４３９９３７）。
ン酸とホスゲンとの反応により良好に製造することがで
きる。この反応は触媒を必要とする。触媒として、例え
ばカルボキシアミド、有利にＮ−アルキルホルムアミド
を使用する（ＤＥ−Ａ−３４３９９３７）。
【０００３】アルキルの大きさの程度は、Ｎ，Ｎ−ジア
ルキルホルムアミドの場合ジメチルホルムアミドからＣ
−原子３０個のホルムアミドまでである（ＥＰ−Ａ−０
０５０７７９，ＤＥ−Ａ−２９５０１５５，ＤＥ−Ａ−
１９３１０７４）。
ルキルホルムアミドの場合ジメチルホルムアミドからＣ
−原子３０個のホルムアミドまでである（ＥＰ−Ａ−０
０５０７７９，ＤＥ−Ａ−２９５０１５５，ＤＥ−Ａ−
１９３１０７４）。
【０００４】触媒系の選択により、カルボン酸をカルボ
ン酸クロリドにするホスゲン化の経過並びにバッチの後
処理は決定的に影響される。
ン酸クロリドにするホスゲン化の経過並びにバッチの後
処理は決定的に影響される。
【０００５】タール含有粗生成物の濾過と二者択一的
に、数例では、触媒含有生成物の蒸留による後処理も考
えられうる。しかしながら生じた酸クロリドの蒸留は、
エネルギー及び時間のかかる工程であるばかりでなく、
一連の他の欠点も含んでいる。
に、数例では、触媒含有生成物の蒸留による後処理も考
えられうる。しかしながら生じた酸クロリドの蒸留は、
エネルギー及び時間のかかる工程であるばかりでなく、
一連の他の欠点も含んでいる。
【０００６】多くの長鎖の酸クロリドを、部分的に分解
することなく蒸留することはできない。更に、蒸留缶
（Ｄｅｓｔｉｌｌａｔｉｏｎｓｓｕｍｐｆ）中に存在す
る触媒の分解により蒸留された生成物が汚染されうるこ
とは公知である。より多量の触媒残分は、蒸留の際に安
全のリスクをおかす。それというのも熱の中では自然分
解のおそれがあるからである。
することなく蒸留することはできない。更に、蒸留缶
（Ｄｅｓｔｉｌｌａｔｉｏｎｓｓｕｍｐｆ）中に存在す
る触媒の分解により蒸留された生成物が汚染されうるこ
とは公知である。より多量の触媒残分は、蒸留の際に安
全のリスクをおかす。それというのも熱の中では自然分
解のおそれがあるからである。
【０００７】汚染されたバッチの生成物後処理の際に
は、触媒活性度は濾過によっても蒸留によっても著しく
減少する。大抵の場合に、使用触媒は役に立たず、再使
用することもできない。
は、触媒活性度は濾過によっても蒸留によっても著しく
減少する。大抵の場合に、使用触媒は役に立たず、再使
用することもできない。
【０００８】触媒含有カルボン酸クロリドの蒸留も、濾
過も、利点のない後処理法である。後処理により生じる
触媒損失に基づき、その消費量はできるだけ小量にすべ
きである。
過も、利点のない後処理法である。後処理により生じる
触媒損失に基づき、その消費量はできるだけ小量にすべ
きである。
【０００９】西独特許（ＤＥ−Ａ）第２９５０１５５号
明細書中で、触媒としてのジイソブチルホルムアミドが
使用されており、これは反応バッチ中の反応の各々の相
に可溶性である。酸クロリドの引き続く蒸留をやめるべ
き場合は、生成物純度の理由から、可溶性触媒分を最少
に制限すべきである。この触媒系でも、触媒の再使用
は、排除される。それというのも触媒が生成物とともに
搬出されるからである。
明細書中で、触媒としてのジイソブチルホルムアミドが
使用されており、これは反応バッチ中の反応の各々の相
に可溶性である。酸クロリドの引き続く蒸留をやめるべ
き場合は、生成物純度の理由から、可溶性触媒分を最少
に制限すべきである。この触媒系でも、触媒の再使用
は、排除される。それというのも触媒が生成物とともに
搬出されるからである。
【００１０】触媒分が多い程、ホスゲンとの反応がそれ
だけ効果的に進行することも公知である。逆に、少量の
触媒量はガス処理されたホスゲンの悪い徹底的利用又は
長いガス処理時間の原因となる。
だけ効果的に進行することも公知である。逆に、少量の
触媒量はガス処理されたホスゲンの悪い徹底的利用又は
長いガス処理時間の原因となる。
【００１１】西独特許（ＤＥ−Ａ）第２２４０８８３号
明細書中に、カルボン酸と触媒を当モル量用いるカルボ
ン酸クロリドの製造が記載されている。多量の触媒の分
離及び回収のために、もちろん、引き続くベンゼン生成
物溶液の蒸留を伴う反応量の３〜４倍のベンゼンの引き
続く添加が必要である。
明細書中に、カルボン酸と触媒を当モル量用いるカルボ
ン酸クロリドの製造が記載されている。多量の触媒の分
離及び回収のために、もちろん、引き続くベンゼン生成
物溶液の蒸留を伴う反応量の３〜４倍のベンゼンの引き
続く添加が必要である。
【００１２】特公昭４３−１０６１３号公報に、１０〜
５０モル％のジメチルホルムアミド、使用リノール酸に
対して１〜１０当量のジメチルホルムアミドも用いてリ
ノール酸クロリドを製造する際に大量の触媒を使用する
ことが記載されている。生じた酸クロリドは蒸留し、か
つ部分的に活性炭の処理によって付加的に精製すべきで
ある。大量の触媒の新たな使用は、意図されない。
５０モル％のジメチルホルムアミド、使用リノール酸に
対して１〜１０当量のジメチルホルムアミドも用いてリ
ノール酸クロリドを製造する際に大量の触媒を使用する
ことが記載されている。生じた酸クロリドは蒸留し、か
つ部分的に活性炭の処理によって付加的に精製すべきで
ある。大量の触媒の新たな使用は、意図されない。
【００１３】カルボン酸とホスゲンとを合成して相応す
る酸クロリドにする場合、周知のように過剰のホスゲン
を粗製酸クロリドから除去する問題がある。
る酸クロリドにする場合、周知のように過剰のホスゲン
を粗製酸クロリドから除去する問題がある。
【００１４】公知技術水準により、ホスゲン含有カルボ
ン酸クロリドから、窒素を用いる多工程ストリッピング
（Ｓｔｒｉｐｐｅｎ）によりかつ／又は簡単な真空の設
置によりホスゲンを遊離させることができる。この工程
は、時間がかかり、かつこの方法の時空収率（Ｒａｕｍ
−Ｚｅｉｔ−Ａｕｓｂｅｕｔｅ）を著しく悪化させる。
ン酸クロリドから、窒素を用いる多工程ストリッピング
（Ｓｔｒｉｐｐｅｎ）によりかつ／又は簡単な真空の設
置によりホスゲンを遊離させることができる。この工程
は、時間がかかり、かつこの方法の時空収率（Ｒａｕｍ
−Ｚｅｉｔ−Ａｕｓｂｅｕｔｅ）を著しく悪化させる。
【００１５】西独特許（ＤＥ−Ａ）第２９５０１５５号
明細書中では、過剰のホスゲンは、蒸留された酸クロリ
ドの最初の部分と共に留出させている。この方法は、こ
こでも観察される時空収率の悪化と共に付加的に器械的
かつ分析的な出費を必要とする。
明細書中では、過剰のホスゲンは、蒸留された酸クロリ
ドの最初の部分と共に留出させている。この方法は、こ
こでも観察される時空収率の悪化と共に付加的に器械的
かつ分析的な出費を必要とする。
【００１６】西独特許（ＤＥ−Ａ）第２２４０８８３号
明細書から、蒸留の前に希反応液を氷水で短時間洗浄す
る後処理が公知である。カルボン酸クロリドの加水分解
されやすさを考慮すると、この方法は工業的規模には問
題がある。
明細書から、蒸留の前に希反応液を氷水で短時間洗浄す
る後処理が公知である。カルボン酸クロリドの加水分解
されやすさを考慮すると、この方法は工業的規模には問
題がある。
【００１７】特公昭４３−１０６１３号公報から公知の
方法でも、過剰のホスゲンは粗製酸クロリドの蒸留によ
る後処理によって除去せねばならない。
方法でも、過剰のホスゲンは粗製酸クロリドの蒸留によ
る後処理によって除去せねばならない。
【００１８】西独特許（ＤＥ−Ａ）第３８３６９６７号
明細書から、高級カルボン酸クロリドの製法が公知であ
り、ここでは、Ｎ，Ｎ−ジアルキルホルムアミドの１０
０％がホスゲンで付加された。この方法では甚大なホス
ゲン損失が生じる。
明細書から、高級カルボン酸クロリドの製法が公知であ
り、ここでは、Ｎ，Ｎ−ジアルキルホルムアミドの１０
０％がホスゲンで付加された。この方法では甚大なホス
ゲン損失が生じる。
【００１９】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、前記
欠点を解消するカルボン酸クロリドの製法を発明するこ
とであった。
欠点を解消するカルボン酸クロリドの製法を発明するこ
とであった。
【００２０】
【課題を解決するための手段】従って、ホスゲン及び一
般式ＩＶ：
般式ＩＶ：
【００２１】
【化４】
【００２２】［式中Ｒ1及びＲ2は、互いに独立してＣ1
〜Ｃ3−アルキルを表わすか、又はＲ1及びＲ2は一緒に
なって、Ｃ1−〜Ｃ3−アルキル基又はＣＨＯを有する酸
素原子又は窒素原子によって場合により中断されていて
よいＣ4−又はＣ5−アルキレン鎖を表わす］のＮ，Ｎ−
ジ置換ホルムアミドからの触媒付加生成物の存在下に、
一般式ＩＩ：
〜Ｃ3−アルキルを表わすか、又はＲ1及びＲ2は一緒に
なって、Ｃ1−〜Ｃ3−アルキル基又はＣＨＯを有する酸
素原子又は窒素原子によって場合により中断されていて
よいＣ4−又はＣ5−アルキレン鎖を表わす］のＮ，Ｎ−
ジ置換ホルムアミドからの触媒付加生成物の存在下に、
一般式ＩＩ：
【００２３】
【化５】
【００２４】［式中Ｒは、Ｃ1−〜Ｃ30−アルキル、Ｃ2
−〜Ｃ30−アルケニル及びＣ2−〜Ｃ30−アルキニルを
表わす］のカルボン酸及びホスゲンＣＯＣｌ2（ＩＩ
Ｉ）から、一般式Ｉ：
−〜Ｃ30−アルケニル及びＣ2−〜Ｃ30−アルキニルを
表わす］のカルボン酸及びホスゲンＣＯＣｌ2（ＩＩ
Ｉ）から、一般式Ｉ：
【００２５】
【化６】
【００２６】［式中、Ｒは前記のものを表す］のカルボ
ン酸クロリドを製造し、その際反応生成物Ｉを相分離に
より得ることよりなる、カルボン酸クロリドの新規の改
良された製法において、２０〜７０モル％のホルムアミ
ド（ＩＶ）にホスゲンを付加させて使用する。
ン酸クロリドを製造し、その際反応生成物Ｉを相分離に
より得ることよりなる、カルボン酸クロリドの新規の改
良された製法において、２０〜７０モル％のホルムアミ
ド（ＩＶ）にホスゲンを付加させて使用する。
【００２７】カルボン酸クロリド（Ｉ）は次の方法によ
り得られる： ａ） 不連続的に：カルボン酸（ＩＩ）及びホスゲンと
式（ＩＶ）のＮ，Ｎ−ジアルキルホルムアミドとの付加
生成物からなる装入された反応混合物に、液体又は気体
のホスゲンをカルボン酸（ＩＩ）と当量で添加する。そ
の場合、ホスゲン導入のための必要時間は短時間に制限
でき、その際ホスゲンは実際に定量的に利用しつくされ
る。引き続いて１〜２時間静置させ、相を分離させる。
り得られる： ａ） 不連続的に：カルボン酸（ＩＩ）及びホスゲンと
式（ＩＶ）のＮ，Ｎ−ジアルキルホルムアミドとの付加
生成物からなる装入された反応混合物に、液体又は気体
のホスゲンをカルボン酸（ＩＩ）と当量で添加する。そ
の場合、ホスゲン導入のための必要時間は短時間に制限
でき、その際ホスゲンは実際に定量的に利用しつくされ
る。引き続いて１〜２時間静置させ、相を分離させる。
【００２８】ｂ） 有利に連続的に：反応器としては、
例えば撹拌釜、撹拌釜カスケード又は向流で操作される
反応塔が好適である。
例えば撹拌釜、撹拌釜カスケード又は向流で操作される
反応塔が好適である。
【００２９】撹拌釜使用の際には、カルボン酸（ＩＩ）
及びホスゲンと式（ＩＶ）のＮ，Ｎ−ジ置換ホルムアミ
ドとの付加生成物を装入し、かつ液体又は気体状のホス
ゲンを添加する。カルボン酸（ＩＩ）と当量のホスゲン
の１部を導入後に、同時にカルボン酸（ＩＩ）及びホス
ゲンとＮ，Ｎ−ジ置換ホルムアミドとの付加生成物並び
に実質的に導入されたカルボン酸（ＩＩ）と当モル量の
ホスゲンを導入し始める。
及びホスゲンと式（ＩＶ）のＮ，Ｎ−ジ置換ホルムアミ
ドとの付加生成物を装入し、かつ液体又は気体状のホス
ゲンを添加する。カルボン酸（ＩＩ）と当量のホスゲン
の１部を導入後に、同時にカルボン酸（ＩＩ）及びホス
ゲンとＮ，Ｎ−ジ置換ホルムアミドとの付加生成物並び
に実質的に導入されたカルボン酸（ＩＩ）と当モル量の
ホスゲンを導入し始める。
【００３０】導入された反応成分に相当する量の反応容
量の１部をスタンド（Ｓｔａｎｄｈａｌｔｕｎｇ）を介
して釜からとり出し分離容器中に導入する。この分離容
器から有価生成物（Ｉ）を上部相として連続的に取り出
し、ホスゲンとＮ，Ｎ−ジ置換ホルムアミドとの付加生
成物を下部相として連続的に反応器中へもどすことがで
きる。しかしながら連続工程の間の触媒の付加度をでき
るだけ一定に保つため、反応排ガスに随伴されたホスゲ
ンを付加的に導入されたホスゲンにより平衡化させるこ
とが有意義である。
量の１部をスタンド（Ｓｔａｎｄｈａｌｔｕｎｇ）を介
して釜からとり出し分離容器中に導入する。この分離容
器から有価生成物（Ｉ）を上部相として連続的に取り出
し、ホスゲンとＮ，Ｎ−ジ置換ホルムアミドとの付加生
成物を下部相として連続的に反応器中へもどすことがで
きる。しかしながら連続工程の間の触媒の付加度をでき
るだけ一定に保つため、反応排ガスに随伴されたホスゲ
ンを付加的に導入されたホスゲンにより平衡化させるこ
とが有意義である。
【００３１】カルボン酸（ＩＩ）及びホスゲン（ＩＩ
Ｉ）とＮ，Ｎ−ジ置換ホルムアミド（ＩＶ）との付加生
成物の不連続的及び有利な連続的な反応のための温度
は、２０〜１００℃、有利に３０〜８０℃、特に有利に
４０〜７０℃である。
Ｉ）とＮ，Ｎ−ジ置換ホルムアミド（ＩＶ）との付加生
成物の不連続的及び有利な連続的な反応のための温度
は、２０〜１００℃、有利に３０〜８０℃、特に有利に
４０〜７０℃である。
【００３２】この反応では、使用カルボン酸に対して５
〜２００モル％、有利に１０〜１００モル％、特に１０
〜３０モル％のホスゲンとＮ，Ｎ−ジ置換ホルムアミド
との付加生成物を使用する。
〜２００モル％、有利に１０〜１００モル％、特に１０
〜３０モル％のホスゲンとＮ，Ｎ−ジ置換ホルムアミド
との付加生成物を使用する。
【００３３】触媒の付加度は２０〜７０モル％、有利に
３０〜６０モル％、特に４０〜５０モル％である。
３０〜６０モル％、特に４０〜５０モル％である。
【００３４】触媒の付加度は、連続的に、比重、粘度、
伝導率又は分離器中で沈降する重い相のクロリド含有率
の測定により決定することができる。
伝導率又は分離器中で沈降する重い相のクロリド含有率
の測定により決定することができる。
【００３５】相分離は、−１５〜４０℃、有利に−１０
〜３０℃、特に−５〜２０℃の温度で行なう。
〜３０℃、特に−５〜２０℃の温度で行なう。
【００３６】使用ホスゲン量（ＩＩＩ）は実質的にはカ
ルボン酸(ＩＩ)と当モルである。
ルボン酸(ＩＩ)と当モルである。
【００３７】反応排ガスは、二酸化炭素及び塩化水素と
共にホスゲンを微量（１．０〜１．５％）含有するの
で、ホスゲンの凝縮は必要でない。排ガスは直接に排ガ
ス洗浄器に導入することができる。従って排ガスの冷却
のために、生じた有価生成物をできるだけ完全に凝縮す
るような温度のみが必要である。
共にホスゲンを微量（１．０〜１．５％）含有するの
で、ホスゲンの凝縮は必要でない。排ガスは直接に排ガ
ス洗浄器に導入することができる。従って排ガスの冷却
のために、生じた有価生成物をできるだけ完全に凝縮す
るような温度のみが必要である。
【００３８】より良好な相分離又は固体酸の反応のため
に、反応混合物に、この反応条件下で、不活性溶剤、例
えば飽和脂肪族炭化水素、エーテル、アセトニトリル、
ベンゼン、トルエン又はシクロヘキサンを添加すること
ができる。
に、反応混合物に、この反応条件下で、不活性溶剤、例
えば飽和脂肪族炭化水素、エーテル、アセトニトリル、
ベンゼン、トルエン又はシクロヘキサンを添加すること
ができる。
【００３９】カルボン酸クロリドはより高い収率及びよ
り高い純度で得られる。これは、しばしば更に精製せず
に更に使用することができる。幾つかの場合にはより高
純度の生成物を得るために簡単な蒸留が必要である。こ
の反応後にカルボン酸クロリドはホスゲン不含で生じ、
粗製酸クロリドの脱ホスゲン化のためのすべての処置は
なくなる。
り高い純度で得られる。これは、しばしば更に精製せず
に更に使用することができる。幾つかの場合にはより高
純度の生成物を得るために簡単な蒸留が必要である。こ
の反応後にカルボン酸クロリドはホスゲン不含で生じ、
粗製酸クロリドの脱ホスゲン化のためのすべての処置は
なくなる。
【００４０】本発明による脂肪族カルボン酸からの酸ク
ロリドの製法は、特にモノカルボン酸に、即ち一般式：
ＲＣＯＸ［式中、Ｒは脂肪族炭化水素基を表し、Ｘは塩
素を表す］を有する化合物の製造に適している。脂肪族
基は、直鎖又は分枝鎖で、飽和、オレフィン性又はアセ
チレン性の不飽和であってよい。炭素原子１〜３０、特
に１〜２０個を有する脂肪族カルボン酸が特に有利であ
る。
ロリドの製法は、特にモノカルボン酸に、即ち一般式：
ＲＣＯＸ［式中、Ｒは脂肪族炭化水素基を表し、Ｘは塩
素を表す］を有する化合物の製造に適している。脂肪族
基は、直鎖又は分枝鎖で、飽和、オレフィン性又はアセ
チレン性の不飽和であってよい。炭素原子１〜３０、特
に１〜２０個を有する脂肪族カルボン酸が特に有利であ
る。
【００４１】Ｎ，Ｎ−ジ置換ホルムアミドとしては、ジ
メチル−、エチル−メチル−、メチル−ｎ−プロピル
−、メチル−イソ−プロピル−、ジエチル−、エチル−
ｎ−プロピル、エチル−イソプロピル−、ジ−ｎ−プロ
ピル−、ｎ−プロピル−イソ−プロピル−及びジ−イソ
−プロピル−ホルムアミド、有利にジメチル−及びジエ
チルホルムアミド、特に有利にジメチルホルムアミドが
好適である。
メチル−、エチル−メチル−、メチル−ｎ−プロピル
−、メチル−イソ−プロピル−、ジエチル−、エチル−
ｎ−プロピル、エチル−イソプロピル−、ジ−ｎ−プロ
ピル−、ｎ−プロピル−イソ−プロピル−及びジ−イソ
−プロピル−ホルムアミド、有利にジメチル−及びジエ
チルホルムアミド、特に有利にジメチルホルムアミドが
好適である。
【００４２】
【実施例】例１〜８（連続的ホスゲン化）３５０ｍｌ反
応器（ＨＲ）中に、４０〜７０℃で、カルボン酸１．０
モル／ｈ、付加度５０〜６０％のホスゲンとＮ，Ｎ−ジ
置換ホルムアミドとの付加生成物０．２モル／ｈ並びに
ホスゲン１．０モル／ｈを導入する。２０℃まで冷却さ
れた排ガス（淡水）を、未反応のホスゲンの加水分解の
ために、直接に洗浄器に通す。 ４０〜６５℃における
第２反応器（ＮＲ）中での後反応後に酸クロリド相及び
触媒相を相分離器中で室温で分離させ、引き続き酸クロ
リドの組成並びに触媒の付加度を測定する。すべての搬
出物はホスゲン不含であった。
応器（ＨＲ）中に、４０〜７０℃で、カルボン酸１．０
モル／ｈ、付加度５０〜６０％のホスゲンとＮ，Ｎ−ジ
置換ホルムアミドとの付加生成物０．２モル／ｈ並びに
ホスゲン１．０モル／ｈを導入する。２０℃まで冷却さ
れた排ガス（淡水）を、未反応のホスゲンの加水分解の
ために、直接に洗浄器に通す。 ４０〜６５℃における
第２反応器（ＮＲ）中での後反応後に酸クロリド相及び
触媒相を相分離器中で室温で分離させ、引き続き酸クロ
リドの組成並びに触媒の付加度を測定する。すべての搬
出物はホスゲン不含であった。
【００４３】結果を第１表にまとめる。
【００４４】
【表１】
【００４５】比較例９〜１４（ＤＥ−Ａ−３８３６９８
７による不連続的ホスゲン化）１ｌ−反応器中にカルボ
ン酸２モル及びＮ，Ｎ−ジ置換ホルムアミド０．４モル
を装入し、かつ５０〜７０℃で２時間の間にホスゲン２
３８ｇ（２．４モル）を通気する。２０℃まで冷却され
た排ガス（淡水）を直接に洗浄器に通し、そこで未反応
ホスゲンを加水分解する。
７による不連続的ホスゲン化）１ｌ−反応器中にカルボ
ン酸２モル及びＮ，Ｎ−ジ置換ホルムアミド０．４モル
を装入し、かつ５０〜７０℃で２時間の間にホスゲン２
３８ｇ（２．４モル）を通気する。２０℃まで冷却され
た排ガス（淡水）を直接に洗浄器に通し、そこで未反応
ホスゲンを加水分解する。
【００４６】ホスゲン添加終了後に、３０分間後撹拌
し、バッチを室温まで冷却し、かつ相分離のために分離
漏斗に移す。２５℃で３０分後に搬出物を酸クロリドと
触媒相に分離する。すべての搬出物はホスゲン不含で生
じる。
し、バッチを室温まで冷却し、かつ相分離のために分離
漏斗に移す。２５℃で３０分後に搬出物を酸クロリドと
触媒相に分離する。すべての搬出物はホスゲン不含で生
じる。
【００４７】結果を第２表にまとめる。
【００４８】
【表２】
【００４９】例１５〜２１（触媒−もどし導入）３５０
ｍｌ反応器（ＨＲ）中に、４０〜７０℃で、カルボン酸
１〜２モル／ｈを、付加度５０〜６０％のホスゲンと
Ｎ，Ｎ−ジ置換ホルムアミドとからの付加生成物２０モ
ル％並びにホスゲンと共に導入し、酸クロリドへの変換
率と共に、ホスゲン損失を排ガスによって平衡化させ
る。排ガスを食塩水冷却により−２０℃まで冷却する。
ｍｌ反応器（ＨＲ）中に、４０〜７０℃で、カルボン酸
１〜２モル／ｈを、付加度５０〜６０％のホスゲンと
Ｎ，Ｎ−ジ置換ホルムアミドとからの付加生成物２０モ
ル％並びにホスゲンと共に導入し、酸クロリドへの変換
率と共に、ホスゲン損失を排ガスによって平衡化させ
る。排ガスを食塩水冷却により−２０℃まで冷却する。
【００５０】第２反応器（ＮＲ）中での４０〜６５℃で
の後反応後に、酸クロリド相と触媒相とを室温で相分離
器中で分離する。触媒を酸クロリド液とともに搬出され
たＮ，Ｎ−ジ置換ホルムアミドの補充後にもどし導入す
る。搬出物は常にホスゲン不含である。
の後反応後に、酸クロリド相と触媒相とを室温で相分離
器中で分離する。触媒を酸クロリド液とともに搬出され
たＮ，Ｎ−ジ置換ホルムアミドの補充後にもどし導入す
る。搬出物は常にホスゲン不含である。
【００５１】結果を第３表にまとめる。
【００５２】
【表３】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 レオポルト フプファー ドイツ連邦共和国 フリーデルスハイム ヴァルタースヘーエ ３ (72)発明者 ヴォルフガング フランツィシュカ ドイツ連邦共和国 フランケンタール フローメルスハイマー シュトラーセ 36 (72)発明者 ヴォルフガング シュヴァルツ ドイツ連邦共和国 オッテルシュタット フランケンシュトラーセ 24 (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) C07C 53/42 B01J 31/02 102 C07C 51/60 C07B 61/00 300 ＥＰＡＴ（ＱＵＥＳＴＥＬ) ＷＰＩ（ＤＩＡＬＯＧ)
Claims (1)
- 【請求項１】 ホスゲン及び一般式ＩＶ： 【化１】 ［式中Ｒ1及びＲ2は、互いに独立してＣ1〜Ｃ3−アルキ
ルを表わすか、又はＲ1及びＲ2は一緒になって、Ｃ1−
〜Ｃ3−アルキル基又はＣＨＯを有する酸素原子又は窒
素原子によって中断されていてもよいＣ4−又はＣ5−ア
ルキレン鎖となり、それによりＮと一緒に環を構成す
る］のＮ，Ｎ−ジ置換ホルムアミドからの触媒付加生成
物の存在下に、一般式ＩＩ： 【化２】 ［式中Ｒは、Ｃ1−〜Ｃ30−アルキル、Ｃ2−〜Ｃ30−ア
ルケニル及びＣ2−〜Ｃ30−アルキニルを表わす］のカ
ルボン酸及びホスゲンＣＯＣｌ2（ＩＩＩ）から、一般
式Ｉ： 【化３】 ［式中、Ｒは前記のものを表す］のカルボン酸クロリド
を製造し、その際反応生成物Ｉを相分離により得る方法
において、２０〜７０モル％のホルムアミド（ＩＶ）に
ホスゲンを付加させて使用することを特徴とする、カル
ボン酸クロリドの製法。
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