JP2904191B2 - Ｘ線回折顕微方法およびｘ線回折顕微装置 - Google Patents
Ｘ線回折顕微方法およびｘ線回折顕微装置Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、結晶光学的評価に
用いられるＸ線回折顕微方法およびＸ線回折顕微装置に
関する。
用いられるＸ線回折顕微方法およびＸ線回折顕微装置に
関する。
【０００２】ここでいうＸ線回折顕微とは、試料からの
回折Ｘ線を原子核乾板などに記録し、試料と写真との間
に１対１の対応をつけ、回折Ｘ線の強度及び方向の場所
的変化を観察することをいう（応用物理、３６−２、８
８、１９６７）。
回折Ｘ線を原子核乾板などに記録し、試料と写真との間
に１対１の対応をつけ、回折Ｘ線の強度及び方向の場所
的変化を観察することをいう（応用物理、３６−２、８
８、１９６７）。
【０００３】
【従来の技術】Ｘ線回折顕微装置は、格子歪（不整）を
回折位置のずれ、反射率の変化として検出するもので、
その代表的なものにラング・カメラがある。ラング・カ
メラは、試料の広い領域からの回折像を得ることがで
き、その回折像から格子歪の結晶内分布に関する情報を
知ることができるため有力な結晶評価手段である。特
に、大面積である材料を取り扱う現在の半導体工業の分
野においては、迅速でかつ非破壊で材料試験を行う必要
から、他の試験装置に比較して、非常に有力な試験、評
価手段である。
回折位置のずれ、反射率の変化として検出するもので、
その代表的なものにラング・カメラがある。ラング・カ
メラは、試料の広い領域からの回折像を得ることがで
き、その回折像から格子歪の結晶内分布に関する情報を
知ることができるため有力な結晶評価手段である。特
に、大面積である材料を取り扱う現在の半導体工業の分
野においては、迅速でかつ非破壊で材料試験を行う必要
から、他の試験装置に比較して、非常に有力な試験、評
価手段である。
【０００４】図２は、従来のＸ線回折顕微装置（ラング
・カメラ）の構成を示す図で、（ａ）は上面図、（ｂ）
は側面図である。
・カメラ）の構成を示す図で、（ａ）は上面図、（ｂ）
は側面図である。
【０００５】このラング・カメラは、点状焦点としての
Ｘ線源１と、このＸ線源１と試料結晶４の間に配され、
Ｘ線源１から出射された発散Ｘ線ビーム２の水平方向の
ビーム幅を制限するスリット３と、試料結晶４の結晶面
における回折Ｘ線ビーム１３が照射される写真乾板６
と、この写真乾板６と試料結晶４の間に配され、試料結
晶４を透過した透過Ｘ線ビーム１２を遮断するとともに
回折Ｘ線ビーム１３のみを通過するスリット５とを有
し、試料結晶４の結晶面における回折Ｘ線が写真乾板６
に記録されるようになっている。
Ｘ線源１と、このＸ線源１と試料結晶４の間に配され、
Ｘ線源１から出射された発散Ｘ線ビーム２の水平方向の
ビーム幅を制限するスリット３と、試料結晶４の結晶面
における回折Ｘ線ビーム１３が照射される写真乾板６
と、この写真乾板６と試料結晶４の間に配され、試料結
晶４を透過した透過Ｘ線ビーム１２を遮断するとともに
回折Ｘ線ビーム１３のみを通過するスリット５とを有
し、試料結晶４の結晶面における回折Ｘ線が写真乾板６
に記録されるようになっている。
【０００６】試料結晶４は、試料回転台１５上に載せら
れた試料水平走査台９に取り付けられるようになってお
り、試料回転台１５により試料結晶４に対するＸ線ビー
ム２の入射角度を調節でき、試料水平走査台９により一
定の入射角度で試料結晶４を移動できるようになってい
る。さらに、スリット５および検出器１０が取り付けら
れた検出器回転台１４が設けられており、スリット５を
通過した回折Ｘ線ビーム１３を検出器１０にて検出でき
るようになっている。試料水平走査台９上には写真乾板
６が固定される写真乾板ホルダ７も取り付けられてい
る。
れた試料水平走査台９に取り付けられるようになってお
り、試料回転台１５により試料結晶４に対するＸ線ビー
ム２の入射角度を調節でき、試料水平走査台９により一
定の入射角度で試料結晶４を移動できるようになってい
る。さらに、スリット５および検出器１０が取り付けら
れた検出器回転台１４が設けられており、スリット５を
通過した回折Ｘ線ビーム１３を検出器１０にて検出でき
るようになっている。試料水平走査台９上には写真乾板
６が固定される写真乾板ホルダ７も取り付けられてい
る。
【０００７】上記のように構成されるラング・カメラで
は、まず、検出器回転台１４を回転して検出器１０を回
折Ｘ線ビーム１３がくる方向にセットする。そして、試
料回転台１５を回転して、Ｘ線源１より発生した発散Ｘ
線ビーム２の試料結晶４に対する入射角度を矢印で図示
した如く、例えばＸ線としてモリブデンのＫα1線を使
用した場合にＫα1線だけが試料結晶４で回折を起こす
ような角度θBに調節する。このとき、試料結晶全面か
らの回折を得るためには、Ｘ線源１と試料結晶４との距
離Ｌは、Ｘ線ビーム２の鉛直方向の発散角度をαラジア
ン、試料結晶の鉛直方向の長さをｌとすると、Ｌ＞ｌ／
（２ｔａｎ（α／２））の条件を満たすようにする必要
がある。
は、まず、検出器回転台１４を回転して検出器１０を回
折Ｘ線ビーム１３がくる方向にセットする。そして、試
料回転台１５を回転して、Ｘ線源１より発生した発散Ｘ
線ビーム２の試料結晶４に対する入射角度を矢印で図示
した如く、例えばＸ線としてモリブデンのＫα1線を使
用した場合にＫα1線だけが試料結晶４で回折を起こす
ような角度θBに調節する。このとき、試料結晶全面か
らの回折を得るためには、Ｘ線源１と試料結晶４との距
離Ｌは、Ｘ線ビーム２の鉛直方向の発散角度をαラジア
ン、試料結晶の鉛直方向の長さをｌとすると、Ｌ＞ｌ／
（２ｔａｎ（α／２））の条件を満たすようにする必要
がある。
【０００８】次に、試料結晶４を透過した透過Ｘ線ビー
ム１２をスリット５で切り、回折Ｘ線ビーム１３だけを
それに垂直に置いた写真乾板ホルダ７に固定された写真
乾板６に照射させる。この状態では、スリット３を通過
した発散Ｘ線ビーム２は試料結晶４内の領域Ａ、Ｂ、Ｃ
で示したウェーブ・ファンと呼ばれる領域に広がってい
る。この回折条件を保ちながら、試料結晶４と写真乾板
ホルダ７を載せた試料水平走査台９を試料結晶４の表面
に平行に往復運動させて、試料結晶の広い領域の回折Ｘ
線像を写真乾板６に記録する。ここで、試料結晶４が完
全結晶である場合は、平行移動してＸ線入射位置を変え
ても回折Ｘ線の強度は変わらないので、写真乾板６に記
録される回折Ｘ線像は一定強度のものとなる。転位など
の格子歪（格子不整）がある場合には、その箇所の回折
Ｘ線の強度が変化し、写真乾板６に記録される回折Ｘ線
像は格子歪（格子不整）があった部分の強度が異なる状
態となる。このようにして、Ｘ線回折により試料結晶４
の格子歪を検出する方法をラング回折顕微法（ラング・
トポグラフィ）と呼んでいる。
ム１２をスリット５で切り、回折Ｘ線ビーム１３だけを
それに垂直に置いた写真乾板ホルダ７に固定された写真
乾板６に照射させる。この状態では、スリット３を通過
した発散Ｘ線ビーム２は試料結晶４内の領域Ａ、Ｂ、Ｃ
で示したウェーブ・ファンと呼ばれる領域に広がってい
る。この回折条件を保ちながら、試料結晶４と写真乾板
ホルダ７を載せた試料水平走査台９を試料結晶４の表面
に平行に往復運動させて、試料結晶の広い領域の回折Ｘ
線像を写真乾板６に記録する。ここで、試料結晶４が完
全結晶である場合は、平行移動してＸ線入射位置を変え
ても回折Ｘ線の強度は変わらないので、写真乾板６に記
録される回折Ｘ線像は一定強度のものとなる。転位など
の格子歪（格子不整）がある場合には、その箇所の回折
Ｘ線の強度が変化し、写真乾板６に記録される回折Ｘ線
像は格子歪（格子不整）があった部分の強度が異なる状
態となる。このようにして、Ｘ線回折により試料結晶４
の格子歪を検出する方法をラング回折顕微法（ラング・
トポグラフィ）と呼んでいる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来の回折顕微装置においては、大きな試料結晶を測
定する場合、図２で示した距離Ｌを大きくとらなければ
ならず、装置が非常に大きくなるという問題がある。
た従来の回折顕微装置においては、大きな試料結晶を測
定する場合、図２で示した距離Ｌを大きくとらなければ
ならず、装置が非常に大きくなるという問題がある。
【００１０】本発明の目的は、上記問題を解決し、距離
Ｌを大きくすることなく大きな試料結晶の試験を行うこ
とができるＸ線回折顕微方法およびＸ線回折顕微装置を
提供することにある。
Ｌを大きくすることなく大きな試料結晶の試験を行うこ
とができるＸ線回折顕微方法およびＸ線回折顕微装置を
提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明のＸ線回折顕微方法は、点状焦点としてのＸ
線源から発生した発散Ｘ線ビームをスリットを通して試
料結晶の結晶面に照射し、前記試料結晶を移動して写真
乾板に試料結晶の結晶面全面に対応した回折Ｘ線の強度
分布を記録するＸ線回折顕微方法において、前記Ｘ線源
として複数のＸ線源を用い、スリットを通過した前記複
数のＸ線源からの発散Ｘ線ビームを前記試料結晶の結晶
面上で連続するようにし、該ビームによって前記試料結
晶の結晶面全面を走査することを特徴とする。
め、本発明のＸ線回折顕微方法は、点状焦点としてのＸ
線源から発生した発散Ｘ線ビームをスリットを通して試
料結晶の結晶面に照射し、前記試料結晶を移動して写真
乾板に試料結晶の結晶面全面に対応した回折Ｘ線の強度
分布を記録するＸ線回折顕微方法において、前記Ｘ線源
として複数のＸ線源を用い、スリットを通過した前記複
数のＸ線源からの発散Ｘ線ビームを前記試料結晶の結晶
面上で連続するようにし、該ビームによって前記試料結
晶の結晶面全面を走査することを特徴とする。
【００１２】上記の場合、前記複数のＸ線源からの発散
Ｘ線ビームのそれぞれに対して、試料結晶の結晶面にお
ける入射角をブラッグ角となるように調節してもよい。
Ｘ線ビームのそれぞれに対して、試料結晶の結晶面にお
ける入射角をブラッグ角となるように調節してもよい。
【００１３】本発明のＸ線回折顕微装置は、点状焦点と
してのＸ線源と、試料結晶の結晶面における回折Ｘ線を
記録するための写真乾板とを備え、前記Ｘ線源から発生
する発散Ｘ線ビームを水平方向のビーム幅を制限するス
リットを通して前記試料結晶の結晶面に照射し、前記試
料結晶と前記写真乾板を連動して水平方向に移動して写
真乾板に試料結晶の結晶面全面に対応した回折Ｘ線の強
度分布を記録するＸ線回折顕微装置において、前記Ｘ線
源として、鉛直方向に並べて配置された複数のＸ線源を
備え、スリットを通過した前記複数のＸ線源からの発散
Ｘ線ビームが前記試料結晶の結晶面上で鉛直方向に連続
していることを特徴とする。
してのＸ線源と、試料結晶の結晶面における回折Ｘ線を
記録するための写真乾板とを備え、前記Ｘ線源から発生
する発散Ｘ線ビームを水平方向のビーム幅を制限するス
リットを通して前記試料結晶の結晶面に照射し、前記試
料結晶と前記写真乾板を連動して水平方向に移動して写
真乾板に試料結晶の結晶面全面に対応した回折Ｘ線の強
度分布を記録するＸ線回折顕微装置において、前記Ｘ線
源として、鉛直方向に並べて配置された複数のＸ線源を
備え、スリットを通過した前記複数のＸ線源からの発散
Ｘ線ビームが前記試料結晶の結晶面上で鉛直方向に連続
していることを特徴とする。
【００１４】上記の場合、前記複数のＸ線源およびスリ
ットが取り付けられ、スリットを通過する複数のＸ線源
からの発散Ｘ線ビームが回転中心を通るよう構成された
第１の回転手段と、前記試料結晶の結晶面における回折
Ｘ線を検出する検出手段と、前記検出手段が取り付けら
れた、回転中心が前記第１の回転手段の回転中心と同じ
第２の回転手段と、をさらに有し、前記第２の回転手段
は検出手段の位置を鉛直方向に調節可能に構成され、前
記複数のＸ線源からの発散Ｘ線ビームのそれぞれに対し
て試料結晶の結晶面における回折Ｘ線を前記検出手段に
より検出することとしてもよい。この場合、前記第１の
回転手段は回転中心が同じ複数の回転手段よりなり、各
回転手段毎にＸ線源が設けられていてもよい。
ットが取り付けられ、スリットを通過する複数のＸ線源
からの発散Ｘ線ビームが回転中心を通るよう構成された
第１の回転手段と、前記試料結晶の結晶面における回折
Ｘ線を検出する検出手段と、前記検出手段が取り付けら
れた、回転中心が前記第１の回転手段の回転中心と同じ
第２の回転手段と、をさらに有し、前記第２の回転手段
は検出手段の位置を鉛直方向に調節可能に構成され、前
記複数のＸ線源からの発散Ｘ線ビームのそれぞれに対し
て試料結晶の結晶面における回折Ｘ線を前記検出手段に
より検出することとしてもよい。この場合、前記第１の
回転手段は回転中心が同じ複数の回転手段よりなり、各
回転手段毎にＸ線源が設けられていてもよい。
【００１５】（作用）上記のとおりの本発明において
は、複数のＸ線源を用い、スリットを通過したこれらＸ
線源からの発散Ｘ線ビームを試料結晶の結晶面上で連続
するようにしているので、結晶面上を走査するビームの
長さをＸ線源が１つであった従来のものより長くとるこ
とができる。例えば、発散角の同じＸ線源を用いた場合
には、結晶面上を走査するビームの長さは従来のものの
２倍となる。したがって、Ｘ線源と試料結晶との距離を
従来のものよりも、走査するビームの長さが長くなった
分短くとることができる。
は、複数のＸ線源を用い、スリットを通過したこれらＸ
線源からの発散Ｘ線ビームを試料結晶の結晶面上で連続
するようにしているので、結晶面上を走査するビームの
長さをＸ線源が１つであった従来のものより長くとるこ
とができる。例えば、発散角の同じＸ線源を用いた場合
には、結晶面上を走査するビームの長さは従来のものの
２倍となる。したがって、Ｘ線源と試料結晶との距離を
従来のものよりも、走査するビームの長さが長くなった
分短くとることができる。
【００１６】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施形態について
図面を参照して説明する。
図面を参照して説明する。
【００１７】図１は、本発明のＸ線回折顕微装置の一実
施形態を示す図で、（ａ）は上面図、（ｂ）は側面図で
ある。このＸ線回折顕微装置は、点状焦点としてＸ線源
１の他にＸ線源１８を備えた構成となっている。図１
中、図２に示した装置と同じ構成には同じ符号を用い、
ここではその詳細な説明は省略する。
施形態を示す図で、（ａ）は上面図、（ｂ）は側面図で
ある。このＸ線回折顕微装置は、点状焦点としてＸ線源
１の他にＸ線源１８を備えた構成となっている。図１
中、図２に示した装置と同じ構成には同じ符号を用い、
ここではその詳細な説明は省略する。
【００１８】本実施形態では、試料回転台１５の中心Ａ
を回転中心として回転できる機構を備えたＸ線源回転台
１６，１７にＸ線源１，１８が取り付けられ、Ｘ線源
１，１８が鉛直方向に並べられた構成となっている。検
出器１０が取り付けられた検出器回転台１４は検出器１
０の位置を鉛直方向に調節可能に構成されており、Ｘ線
源１，１８からの発散Ｘ線ビームのそれぞれに対して試
料結晶の結晶面における回折Ｘ線を検出することができ
る。
を回転中心として回転できる機構を備えたＸ線源回転台
１６，１７にＸ線源１，１８が取り付けられ、Ｘ線源
１，１８が鉛直方向に並べられた構成となっている。検
出器１０が取り付けられた検出器回転台１４は検出器１
０の位置を鉛直方向に調節可能に構成されており、Ｘ線
源１，１８からの発散Ｘ線ビームのそれぞれに対して試
料結晶の結晶面における回折Ｘ線を検出することができ
る。
【００１９】スリット３は１つでもよいが、ここでは、
各Ｘ線源１，１８毎に設けられているものとし、それぞ
れＸ線源回転台１６，１７に取り付けられ、スリットを
通過する各Ｘ線源からの発散Ｘ線ビームが回転中心Ａを
通るよう構成されている。また、Ｘ線源回転台１６，１
７はＸ線源１，１８の回転中心Ａからの距離、高さを調
節できるような機構も備えており、スリットを通過した
各Ｘ線源からの発散Ｘ線ビームが試料結晶４の結晶面上
で連続するように調整できる。ここでは、図１（ｂ）に
示すように、スリットを通過した各Ｘ線源からの発散Ｘ
線ビームが試料結晶４の結晶面上で鉛直方向に連続する
ように予め設定されているものとする。
各Ｘ線源１，１８毎に設けられているものとし、それぞ
れＸ線源回転台１６，１７に取り付けられ、スリットを
通過する各Ｘ線源からの発散Ｘ線ビームが回転中心Ａを
通るよう構成されている。また、Ｘ線源回転台１６，１
７はＸ線源１，１８の回転中心Ａからの距離、高さを調
節できるような機構も備えており、スリットを通過した
各Ｘ線源からの発散Ｘ線ビームが試料結晶４の結晶面上
で連続するように調整できる。ここでは、図１（ｂ）に
示すように、スリットを通過した各Ｘ線源からの発散Ｘ
線ビームが試料結晶４の結晶面上で鉛直方向に連続する
ように予め設定されているものとする。
【００２０】以下、このＸ線回折顕微装置の測定手順に
ついて説明する。
ついて説明する。
【００２１】まず、検出器回転台１４に取り付けられた
検出器１０を、Ｘ線源１から発した発散Ｘ線ビーム２に
よる試料結晶４の結晶面の回折Ｘ線を検出できる位置に
移動する。そして、検出器１０をその入射光軸が試料結
晶４の結晶面に対してブラッグ角θBとなるような角度
に固定する。次いで、Ｘ線源回転台１６に取り付けられ
ているＸ線源１を、試料結晶４のブラッグ角θBの近傍
で試料回転台１５の中心Ａを回転中心として微小角度回
転させ、そのときの回折Ｘ線を検出器１０にて検出し、
そのピーク位置にＸ線源１を固定する。
検出器１０を、Ｘ線源１から発した発散Ｘ線ビーム２に
よる試料結晶４の結晶面の回折Ｘ線を検出できる位置に
移動する。そして、検出器１０をその入射光軸が試料結
晶４の結晶面に対してブラッグ角θBとなるような角度
に固定する。次いで、Ｘ線源回転台１６に取り付けられ
ているＸ線源１を、試料結晶４のブラッグ角θBの近傍
で試料回転台１５の中心Ａを回転中心として微小角度回
転させ、そのときの回折Ｘ線を検出器１０にて検出し、
そのピーク位置にＸ線源１を固定する。
【００２２】次いで、検出器１０をＸ線源１８から発し
た発散Ｘ線ビーム２による試料結晶４の結晶面の回折Ｘ
線を検出できる位置（Ｄの位置）に移動し、その入射光
軸が試料結晶４の結晶面に対してブラッグ角θBとなる
ような角度に固定する。そして、Ｘ線源回転台１７に取
り付けられているＸ線源１８を上記Ｘ線源１の場合と同
様にしてブラッグ角θBの近傍で微小回転することによ
り回析Ｘ線を検出し、そのピーク位置で固定する。
た発散Ｘ線ビーム２による試料結晶４の結晶面の回折Ｘ
線を検出できる位置（Ｄの位置）に移動し、その入射光
軸が試料結晶４の結晶面に対してブラッグ角θBとなる
ような角度に固定する。そして、Ｘ線源回転台１７に取
り付けられているＸ線源１８を上記Ｘ線源１の場合と同
様にしてブラッグ角θBの近傍で微小回転することによ
り回析Ｘ線を検出し、そのピーク位置で固定する。
【００２３】上記のようにして検出器１０とＸ線源１，
１８の配置が決定された後、前述の従来の技術で述べた
ラング回折顕微法のように、結晶水平試料台９を試料結
晶４の表面に水平往復運動させて、試料結晶４と写真乾
板６を連動して移動し、試料結晶４全全面に対応した回
折Ｘ線分布（回折顕微像）を写真乾板６に記録する。
１８の配置が決定された後、前述の従来の技術で述べた
ラング回折顕微法のように、結晶水平試料台９を試料結
晶４の表面に水平往復運動させて、試料結晶４と写真乾
板６を連動して移動し、試料結晶４全全面に対応した回
折Ｘ線分布（回折顕微像）を写真乾板６に記録する。
【００２４】（実験例）本実施形態で得られた結果の一
例として、試料結晶に入射するＸ線としてモリブデンの
Ｋα1線（波長０．０７０９３ｎｍ）を使用し、直径２
０ｃｍのシリコン単結晶基板試料に対して、図１に示し
た装置により回折顕微写真を撮影したところ、試料結晶
全体からの良好な回折顕微写真を得られた。このときの
各Ｘ線源と試料結晶との距離は１ｍであった。
例として、試料結晶に入射するＸ線としてモリブデンの
Ｋα1線（波長０．０７０９３ｎｍ）を使用し、直径２
０ｃｍのシリコン単結晶基板試料に対して、図１に示し
た装置により回折顕微写真を撮影したところ、試料結晶
全体からの良好な回折顕微写真を得られた。このときの
各Ｘ線源と試料結晶との距離は１ｍであった。
【００２５】（比較例）図２に示した従来のラング・カ
メラで上記実験例と同じ条件で直径２０ｃｍのシリコン
単結晶基板試料に対して回折顕微写真を撮影したとこ
ろ、試料結晶とＸ線源の距離を２ｍまで離さないと、試
料全体からの良好な回折顕微写真は得られなかった。
メラで上記実験例と同じ条件で直径２０ｃｍのシリコン
単結晶基板試料に対して回折顕微写真を撮影したとこ
ろ、試料結晶とＸ線源の距離を２ｍまで離さないと、試
料全体からの良好な回折顕微写真は得られなかった。
【００２６】上述の実験例と比較例の結果から分かるよ
うに、本形態の装置では、Ｘ線源と試料結晶との距離を
従来のものより短くとることができ、試料結晶の大型化
に伴う回折顕微装置の大型化を避けつつ、試料結晶の広
い領域からの良好な回折顕微写真を得られる。
うに、本形態の装置では、Ｘ線源と試料結晶との距離を
従来のものより短くとることができ、試料結晶の大型化
に伴う回折顕微装置の大型化を避けつつ、試料結晶の広
い領域からの良好な回折顕微写真を得られる。
【００２７】なお、本実施形態では、２つのＸ線源を使
用したものについて説明したが、これに限定されるもの
ではなく、Ｘ線源の個数は試料結晶の大きさに応じて３
個以上にしてもよい。
用したものについて説明したが、これに限定されるもの
ではなく、Ｘ線源の個数は試料結晶の大きさに応じて３
個以上にしてもよい。
【００２８】また、各Ｘ線源は、それぞれの光軸が平行
となるように固定されるのであれば、１つのＸ線源回転
台に取り付けることも可能である。この場合、検出器を
用いたＸ線源の角度調節はいずれかのＸ線源に対しての
み行えばよいことになる。
となるように固定されるのであれば、１つのＸ線源回転
台に取り付けることも可能である。この場合、検出器を
用いたＸ線源の角度調節はいずれかのＸ線源に対しての
み行えばよいことになる。
【００２９】
【発明の効果】以上説明したように構成される本発明に
よれば、従来のものと比べて、走査するビームの長さが
長くなった分、Ｘ線源と試料結晶との距離を短くするこ
とができるので、大きな試料結晶を測定する場合の装置
の大型化を防止することができ、このことによる大口径
材料の試験、評価等に与える効果、その経済的効果は大
きい。
よれば、従来のものと比べて、走査するビームの長さが
長くなった分、Ｘ線源と試料結晶との距離を短くするこ
とができるので、大きな試料結晶を測定する場合の装置
の大型化を防止することができ、このことによる大口径
材料の試験、評価等に与える効果、その経済的効果は大
きい。
【図１】本発明のＸ線回折顕微装置の一実施形態を示す
図で、（ａ）は上面図、（ｂ）は側面図である。
図で、（ａ）は上面図、（ｂ）は側面図である。
【図２】従来のＸ線回折顕微装置（ラング・カメラ）の
構成を示す図で、（ａ）は上面図、（ｂ）は側面図であ
る。
構成を示す図で、（ａ）は上面図、（ｂ）は側面図であ
る。
１，１８ Ｘ線源 ２ 発散Ｘ線ビーム ３，５ スリット ４ 試料結晶 ６ 写真乾板 ７ 写真乾板ホルダ ９ 試料水平走査台 １０ 検出器 １２ 透過Ｘ線ビーム １３ 回折Ｘ線ビーム １４ 検出器回転台 １５ 試料回転台 １６，１７ Ｘ線源回転台
Claims (5)
- 【請求項１】 点状焦点としてのＸ線源から発生した発
散Ｘ線ビームをスリットを通して試料結晶の結晶面に照
射し、前記試料結晶を移動して写真乾板に試料結晶の結
晶面全面に対応した回折Ｘ線の強度分布を記録するＸ線
回折顕微方法において、 前記Ｘ線源として複数のＸ線源を用い、スリットを通過
した前記複数のＸ線源からの発散Ｘ線ビームを前記試料
結晶の結晶面上で連続するようにし、該ビームによって
前記試料結晶の結晶面全面を走査することを特徴とする
Ｘ線回折顕微方法。 - 【請求項２】 請求項１に記載のＸ線回折顕微方法にお
いて、 前記複数のＸ線源からの発散Ｘ線ビームのそれぞれに対
して、試料結晶の結晶面における入射角をブラッグ角と
なるように調節することを特徴とするＸ線回折顕微方
法。 - 【請求項３】 点状焦点としてのＸ線源と、試料結晶の
結晶面における回折Ｘ線を記録するための写真乾板とを
備え、前記Ｘ線源から発生する発散Ｘ線ビームを水平方
向のビーム幅を制限するスリットを通して前記試料結晶
の結晶面に照射し、前記試料結晶と前記写真乾板を連動
して水平方向に移動して写真乾板に試料結晶の結晶面全
面に対応した回折Ｘ線の強度分布を記録するＸ線回折顕
微装置において、 前記Ｘ線源として、鉛直方向に並べて配置された複数の
Ｘ線源を備え、スリットを通過した前記複数のＸ線源か
らの発散Ｘ線ビームが前記試料結晶の結晶面上で鉛直方
向に連続していることを特徴とするＸ線回折顕微装置。 - 【請求項４】 請求項３に記載のＸ線回折顕微装置にお
いて、 前記複数のＸ線源およびスリットが取り付けられ、スリ
ットを通過する複数のＸ線源からの発散Ｘ線ビームが回
転中心を通るよう構成された第１の回転手段と、 前記試料結晶の結晶面における回折Ｘ線を検出する検出
手段と、 前記検出手段が取り付けられた、回転中心が前記第１の
回転手段の回転中心と同じ第２の回転手段と、をさらに
有し、 前記第２の回転手段は検出手段の位置を鉛直方向に調節
可能に構成され、前記複数のＸ線源からの発散Ｘ線ビー
ムのそれぞれに対して試料結晶の結晶面における回折Ｘ
線を前記検出手段により検出することを特徴とするＸ線
回折顕微装置。 - 【請求項５】 請求項４に記載のＸ線回折顕微装置にお
いて、 前記第１の回転手段は回転中心が同じ複数の回転手段よ
りなり、各回転手段毎にＸ線源が設けられていることを
特徴とするＸ線回折顕微装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9166089A JP2904191B2 (ja) | 1997-06-23 | 1997-06-23 | Ｘ線回折顕微方法およびｘ線回折顕微装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9166089A JP2904191B2 (ja) | 1997-06-23 | 1997-06-23 | Ｘ線回折顕微方法およびｘ線回折顕微装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1114562A JPH1114562A (ja) | 1999-01-22 |
| JP2904191B2 true JP2904191B2 (ja) | 1999-06-14 |
Family
ID=15824796
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9166089A Expired - Lifetime JP2904191B2 (ja) | 1997-06-23 | 1997-06-23 | Ｘ線回折顕微方法およびｘ線回折顕微装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2904191B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5031215B2 (ja) * | 2004-09-21 | 2012-09-19 | ジョルダン バレー アプライド ラディエイション リミテッド | 多機能ｘ線分析システム |
| JP2009025234A (ja) * | 2007-07-23 | 2009-02-05 | Rigaku Corp | 硬組織の評価方法 |
| JP2009085767A (ja) * | 2007-09-28 | 2009-04-23 | Niigata Univ | 回折法によるひずみ測定装置及び測定方法 |
| US8243878B2 (en) | 2010-01-07 | 2012-08-14 | Jordan Valley Semiconductors Ltd. | High-resolution X-ray diffraction measurement with enhanced sensitivity |
| US9726624B2 (en) | 2014-06-18 | 2017-08-08 | Bruker Jv Israel Ltd. | Using multiple sources/detectors for high-throughput X-ray topography measurement |
-
1997
- 1997-06-23 JP JP9166089A patent/JP2904191B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH1114562A (ja) | 1999-01-22 |
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