JP2894999B2 - 熱処理システムにおける赤外線パイロメータキャリブレーションの方法及び装置 - Google Patents

熱処理システムにおける赤外線パイロメータキャリブレーションの方法及び装置

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    • G01J5/80Calibration

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の背景】本発明は熱処理システムで使用されるパ
イロメータのキャリブレーションに関する。
【0002】高速熱処理(rapid thermal processing
(RTP))において、基板は1200℃のような高温
に急速に加熱されて、アニーリング、クリーニング、化
学気相堆積、酸化、または窒化のような製造ステップが
実施される。特にサイズがサブミクロンのデバイスの場
合、高い歩留りと処理の信頼性を達成するため、基板の
温度は上記の熱処理ステップ中に厳密に制御されなけれ
ばならない。例えば、デバイス構造では代表的な要求基
準である、均一性が±2Å、厚さが60−80Åの誘電
体層を製造するには、連続的な処理の実行時間(runs)プ
ロセスにおける温度は目標温度から数℃以上変動しては
ならない。このレベルの温度制御を達成するために、基
板の温度はリアルタイム(real time)で、且つ現場(in s
itu)で測定される。
【0003】光学式高温測定はRTPシステムにおいて
基板温度を測定するために利用される技術である。光学
式プローブを使用した光学式パイロメータは基板から放
出される放射光強度をサンプリングし、基板のスペクト
ル放射率と、理想的な黒体放射光と温度の関係とに基づ
いて基板温度を計算する。
【0004】システムを最初にセットする際に、光学式
プローブは加熱された基板からの放射光に晒された場合
に正しい温度の読みを作成するようにキャリブレーショ
ンされなければならない。さらに、反復使用中に、プロ
ーブによって検出される温度は時間によって変化するこ
とがあるかもしれないので、修正動作がとれるようにプ
ローブを再キャリブレーションするか、また少なくとも
生じた変化を検出することが必要である。例えば、基板
が加熱されるにつれ、基板からの放射光をサンプリング
するために使用される光導管が汚れたり、欠けたりし、
サンプリングされた光線をパイロメータに伝達する光コ
ラムに沿った連結が緩んだり、パイロメータの電子部品
が「ドリフト(drift)」したりすることがある。
【0005】パイロメータをキャリブレーションするた
めに通常使用される方法は、チャンバ内で特殊な基板ま
たはウェーハを使用することである。市販されている特
殊な基板は予め測定された既知の放出率を有し、セラミ
ック材料で基板に取付けられた「埋め込まれた(embedde
d)」熱電対を有している。基板が加熱されると、その実
際の温度が熱電対によって表示される。基板の放出率は
既知であるので、基板から実際に放出される放射率は、
予め測定された所定の温度における理想的な黒体による
放射光強度と基板の放射率との掛け算により容易に計算
できる。これがパイロメータの光学式プローブによって
サンプルされる放射光レベルである。パイロメータは調
整され、実際の温度に対応する示度を作成する。
【0006】残念なことには、この方法には欠点があ
る。真の基板温度は熱電対によって測定された温度とは
実際には異なることがある。第1に、埋め込まれた熱電
対とセラミック材料とが存在することにより、熱電対を
有する領域をウェーハの別の部分の温度とは異ならしめ
る。すなわち、基板の温度分布を乱す。第2に、高温
(例えばRTPプロセスでは一般的に見受けられる10
00℃)では、ウェーハと熱電対との接合部が劣化する
傾向があり、4、5回の使用の後、熱電対の示度は信頼
できなくなる。これらの欠点のため、上記のキャリブレ
ーション技法は10から15℃以上のパイロメータの精
度を実際には保証できない。
【0007】さらに、熱電対の付いた基板をチャンバ内
に配置し、熱電対と電気的に接続することに困難があ
る。
【0008】
【発明の概要】一般的に、本発明は一側面では温度プロ
ーブ(例えばパイロメータ)をキャリブレーションする
装置を特徴とするものである。本発明では、発光ダイオ
ードがキャリブレーション機器の空洞内に保持され、開
口部を通して温度プローブの入力端部へ光線を放出する
ようにに配置されている。キャリブレーション機器は予
定の強度を有する光線を放出する。キャリブレーション
機器からの光線から黒体温度を表示する目盛りがある。
【0009】一般的に、本発明は別の側面では温度プロ
ーブをキャリブレーションする方法を特徴とするもので
ある。この方法では、予定強度の安定した光線がキャリ
ブレーション機器から温度プローブの入力端部へと放出
される。この安定した光線が温度T0における黒体から
の放射光をシミュレートする。温度プローブは光線に応
答して温度の読みT1 を作成するために使用される。熱
処理システム内での処理中の温度プローブから修正され
た測定値が作成されるために、T0 とT1 の差が利用さ
れる。
【0010】一般的に、本発明は別の側面では熱処理チ
ャンバ内の温度プローブをキャリブレーションする装置
を特徴とするものである。この装置で、位置合わせツー
ルは安定した強度を有する光源を具備している。光源は
空洞内に保持され、キャリブレーション中に開口部を通
して光線を放出する位置に配置されている。位置合わせ
ツールの第1位置合わせ構造は、チャンバの対応してい
る第1位置合わせ機構と係合する。開口部は、第1位置
合わせ構造と関連のある位置に配置されていて、キャリ
ブレーション中に開口部が温度プローブの入力部と位置
合わせされる。
【0011】本発明の実施態様は下記の特徴を含むこと
ができる。第1位置合わせ構造はピンを含んでもよく、
第1位置合わせ機構はチャンバ内の反射板内のピンホー
ルを含みプローブの入力端部の近傍に位置してもよい。
第1位置合わせ構造はチャンバ内の反射板内のリフトピ
ンホールと嵌合するようにされた突起部を含んでもよ
い。空洞と開口部とはボデー内に配置されてもよく、ボ
デーは位置合わせツールの対応する第2位置合わせ機構
と係合するための第2位置合わせ構造を含んでもよい。
ボデーは空洞から取り外しできてもよい。ボデーは円筒
形であってもよく、第2位置合わせ機構は環状リップを
有する円筒形導管を含んでもよい。位置合わせツールは
ディスクでもよく、第2位置合わせ機構はディスクを貫
通する導管を含んでもよい。
【0012】一般的に、本発明は別の側面では熱処理チ
ャンバ外部での温度プローブのキャリブレーション装置
を特徴とするものである。この装置は空洞と、この空洞
と連通する開口部とを有する位置合わせツールを特徴と
している。位置合わせツールはプローブの入力端部と係
合するような位置合わせ構造を有している。安定した強
度を有する光源が、空洞内に保持され、キャリブレーシ
ョン中に開口部を通して光線を放出する位置に配置され
ている。開口部は、第1位置合わせ構造と関連した一定
の位置に配置されていて、キャリブレーション中に開口
部が温度プローブの入力部と位置合わせされるようにな
っている。
【0013】一般的に、本発明は別の側面では熱処理チ
ャンバ内部での温度プローブのキャリブレーション方法
を特徴とするものである。この方法では、空洞と、この
空洞と連通する開口部とを有する位置合わせツールがチ
ャンバ内に挿入される。位置合わせツールの位置合わせ
構造は、チャンバの位置合わせ機構と係合する。安定し
た強度を有する光線が、空洞から開口部を通してプロー
ブの入力端部内へと放出される。
【0014】一般的に、本発明は別の側面では熱処理チ
ャンバ外部での温度プローブのキャリブレーション方法
を特徴とするものである。この方法では、プローブの入
力端子がチャンバから取り出される。位置合わせツール
の位置合わせ構造がプローブの入力端子と係合する。安
定した強度を有する光線が、空洞から開口部を通して、
プローブの入力端部内へと放出される。
【0015】本発明の利点は、以下の通りである。パイ
ロメータは、埋め込まれた熱電対を有するウエーハを使
用することなく、正確に(例えば、1℃以下の誤差)キ
ャリブレーションされる可能性がある。キャリブレーシ
ョンは、より迅速に、またより少ないエネルギを用い
て、行なわれることができる。キャリブレーションは完
全に標準的に追従されることができる。パイロメータ
は、チャンバから光導管をじ取り出すことなくキャリブ
レーションされることができる。キャリブレーション機
器は持ち運び可能で、丈夫である。
【0016】他の特徴と利点は、以下の説明と請求項に
より明らかになるであろう。
【0017】
【好ましい実施形態の説明】RTPシステム内でのパイ
ロメータをキャリブレーションするために使用されるパ
イロメータキャリブレーションツールの詳細を説明する
前に、先ずキャリブレーションされるパイロメータを含
むRTPシステムについて説明する。図1及び図2を参
照すると、RTPは一般的にディスク形の、直径8イン
チ(200mm)のシリコン基板10を処理するための
処理チャンバ60を含んでいる。基板10は基板支持構
造62によってチャンバ60内に保持され、基板の真上
に位置する加熱素子70(例えば一連のタングステンハ
ロゲンランプ)によって加熱される。加熱素子70は基
板10の約1インチ上方に位置する水冷式クォーツウィ
ンドウ72を通してチャンバ60内に入る放射光を発生
する。基板10の下方にはステンレス鋼製のベース65
上に実装された反射板20が備えられている。反射板2
0はアルミニウム製であり、反射率が高い表面被覆24
(例えば金合金)を有している。基板10の下面と反射
板20の上面とが反射空洞30を形成し、この空洞が基
板をより理想的な黒体に見えるようにする。すなわち、
これが基板の有効放出率を高める。
【0018】ベース65の裏面から反射板20の上面を
貫いて延びる導管35はサファイア光導管40を保持
し、この光導管はパイロメータ50を含む温度プローブ
15の入力プローブとして機能する。光導管40の入力
端部22は反射板20の上面の近傍(例えば上面と同一
面上)に位置し、反射空洞30からの放射光をサンプリ
ングする。サンプリングされた放射光は光導管40を下
り、可撓性のある光ファイバ45を通してパイロメータ
50へと伝わる。光ファイバ45とサファイヤ光導管4
0との結合された端部は、ねじ付きコネクタ42によっ
て互いに光学的に密接状態に保たれる。異なる半径の基
板で放射光をサンプリングするために反射板20内には
複数個の温度プローブ15(例えば8個)が配置されて
いる。
【0019】この実施例では、サファイア光導管40の
直径は約0.05から0.125インチ(例えば0.0
80インチ)であり、パイロメータ50はラクストロン
アキュファイバ モデル 100(Luxtron Accufiber 10
0)である。仮想の黒体を製造するために反射空洞がどの
ように作用するかという説明と伴に、RTPシステムの
より完全な説明は、本明細書に参考文献として参照され
ている1994年12月19日に出願された出願の米国
特許出願シリアルナンバー第08/359,302号に
記載されている。
【0020】パイロメータ50内部で、光ファイバ45
から伝わる放射光はシリコン検出器54(例えばフォト
ダイオード)に入射する前に先ず光ファイバ52を通過
する。検出器54からの信号が制御用電子回路56に入
力され、これが前記信号を温度示度Tout へと変換す
る。そして示度はランプ用の電力制御回路(図示せず)
へ利用される。制御用電子回路56は測定された電流を
出力温度示度Toutへと変換するために使用される参照
用テーブル(図示せず)を含んでいる。測定された出力
信号を理想的な黒体の対応する温度へと移行(map)する
参照用テーブルは、当業者には公知の方法でプランク(P
lanck)の法則から簡単に導出することができる。制御用
電子回路56は更に利得制御端子を含んでおり、これに
よってキャリブレーション中にパイロメータが正確な温
度示度を出力するように、制御用電子回路の利得が調整
され得る。
【0021】図3を参照すると、通常の動作では、一連
のランプなどの加熱素子70が放射光を基板10へと放
射する。このような放射光の一部は(すなわち放射光7
4)は基板によって吸収され、別の部分(すなわち放射
光75)は基板を通りぬけて空洞30内に透過される。
基板は更に放射光76を放出し、その強度は基板の温度
の関数である。典型的に、シリコンウェーハは約1.0
ミクロンより長い波長の放射光を透過する。一方、シリ
コン検出器54は1.5ミクロンまでの波長を有する放
射光に応答する。透過した放射光がシリコン検出器54
に到達し得たとすると、温度示度に誤差を生じる。従っ
て、透過した放射光が検出器54に到達して温度測定に
干渉することを防止するために、ランプから透過した放
射光が検出器に到達することを防止するようにフィルタ
52の通過幅特性が選択される。この実施例では、フィ
ルタ52は例えば1/4 波長スタック(stack)のような
光学スタックでガラス被覆され、これは狭い範囲の波長
(例えば0.89ないし0.93ミクロン)の光線を透
過し、1.0ミクロン以上には極めて高い光反射率を有
している。波長の関数としてのフィルタ52の透過率は
図4の点線52aによって示されている。
【0022】パイロメータをキャリブレーションするた
めには、特殊なキャリブレーション機器が使用される
(図9、図10及び図12を参照)。キャリブレーショ
ン機器は発光ダイオード(LED)などの安定した光源
を含み、これは主としてフィルタ52によって限定され
る狭いスペクトルの放射光を放出する。安定した光源は
所定の温度での黒体をシミュレートする。すなわち、光
源は、予定の温度に加熱された黒体が放出するであろ
う、関係あるスペクトルに関して同じ量の放射光を放出
する。幾つかの実施例を後述するが、そのキャリブレー
ション機器は、各キャリブレーションプロセス中に、既
知で、且つ反復性がある量の放射光がサファイヤの光導
管に入るように、サファイヤ光導管の入力端部と光源を
位置合わせする。
【0023】光源はフィルタ52と「整合(match)」す
るように構成され且つ/又は選択される。すなわち、そ
の最大出力とそのスペクトル範囲はフィルタ52の通過
幅範囲と一致する。図4を参照すると、前述のフィルタ
52とともに使用されるLEDの特性が実線115aで
示されている。LEDは、幅が約0.2ミクロンで最大
強度が約0.89ミクロンの、ほぼガウススペクトル分
布を有している。
【0024】図5を参照すると、既知の温度で黒体をシ
ミュレートするキャリブレーションプローブ100は内
部空洞104を有する一般的に円筒形のボデー102を
含んでいる。円筒形ボデー102の一端は、光線がそこ
を通って空洞104から出ることができる開口部を形成
する小さい管路110を除いて閉鎖されている。空洞1
04内に位置する発光ダイオード(LED)115が管
路110を通して外部へと通過する光線を放出する。
【0025】本実施例では、ボデー102は直径が0.
3745インチ、長さが2.0インチの機械加工された
アルミニウム製円筒管である。ボデー102の底面13
0と空洞104との間に広がっている管路110は直径
が約0.02インチ、長さが約0.02インチであり、
円筒形ボデー102の軸上に中心がある。管路110の
位置するボデー102の端部には、直径が約0.30イ
ンチで、長さが約0.10インチのより狭い円筒形領域
132がある。円筒形ボデー102の円形の外縁部13
4は45°の傾斜が付けてあり、キャリブレーションプ
ローブを後述する位置合わせツールに挿入し易くしてあ
る。
【0026】LED115の光出力は温度の関数として
変化するので、LEDの温度を安定化させる手段も備え
られている。特に、キャリブレーションプローブ100
は50Ω抵抗などの小型加熱抵抗122と、K型熱電対
などの熱電対124とを含んおり、これらはLED11
5に密接して配置してある。抵抗122はLEDを約8
0°Fまで、すなわち予測される周囲温度よりもやや高
い温度まで加熱するために使用される。代わりに、LE
Dを周囲の温度以下に冷却することもできる。しかし、
冷却はより困難でコストがかかる代案である。
【0027】上記の3つの部品(すなわちLED11
5、熱電対124、及び抵抗122)はアゼムコセラミ
ックカスト583(Azemco ceramiccast 583)のなどの
熱伝達セラミック117によって所定位置に固定されて
いる。セラミック117は、ヒータ122からの熱がL
ED115及び熱電対124に効率よく伝達されること
が保証する。セラミック117は更に、空洞104内の
LED115のずれ又は回転により光の強度の変化が生
じないように、管路110に対するLED115の位置
を一定に保持する。
【0028】図6を参照すると、電源120はLED1
15に定電流を供給する。本実施例では、LED115
を通過する電流を安定化させ、もって光出力を安定化さ
せるように当業者には公知の方法で電源120はレーザ
ー・ダイオード(図示せず)を使用している。あるい
は、LED115の光出力をサンプリングするように取
り付けたフォトダイオード(図示せず)を使用してLE
D115の出力電力を安定化させることもできる。その
場合は、LED115からの一定の光出力を得るため
に、フォトダイオードはフィードバック回路を通して電
源120に接続される。熱電対124及びヒーター12
2は比例積分素子(PID)制御装置126に接続され
て、LED115の温度を安定させるフィードバック回
路を形成する。LED115の温度とLED115を導
通する電流の双方を一定に保つことによって、LED1
15は極めて安定した強度の放射光を発する。
【0029】キャリブレーション中位置合わせツール
は、キャリブレーションプローブ100をキャリブレー
ション中の温度プローブの光導管と位置合わせするため
に使用される。この位置合わせツールの2種類の設計例
をここに示す。一方の設計例は現場(in situ)で使用さ
れる。すなわち、光導管をシステムから取り外されるこ
となく、キャリブレーションプローブ100を光導管4
0と位置合わせする。もう一方の設計例はキャリブレー
ションを遠隔的に実施するために使用される。すなわ
ち、光導管40はRTPチャンバから取り外され、位置
合わせツール内に挿入される。
【0030】図7、8A、8B、及び9を参照すると、
現場(in situ)でのキャリブレーション用に使用される
実施例による位置合わせツール149は、反射板の上方
のRTPチャンバ内に嵌合するようになっている。RT
Pチャンバ内に挿入されると、位置合わせツール149
は、キャリブレーションプローブを光導管に対して固定
された位置で保持する。より詳細に述べると、位置合わ
せツール149は個々のキャリブレーションプローブ1
00をそこに挿入できる穴154の配列を有する円形の
ディスク150である。穴154の数は反射板内にある
温度プローブの数と一致する。穴154は、それぞれデ
ィスク150の中心から異なる半径で位置しており、位
置合わせツール149がチャンバ内の所定の位置に挿入
されたとき一致し、反射板20内の導管35の位置と合
うように置かれている。図9Aに最も明解に示すよう
に、各々の子穴154の底部には、より小さい直径の穴
155を設けた環状リップ158がある。穴155は、
キャリブレーションプローブ102の底部のより狭い円
筒状領域132の直径よりもやや大きく、リップ158
の厚さはキャリブレーションプローブ102状のより狭
い円筒状領域132の長さに等しい直径を有する。従っ
て、キャリブレーションプローブ102が穴154に挿
入されると、キャリブレーションプローブはその底面1
30がディスク150の底部と実質的に同一面上に位置
するように(すなわち、キャリブレーション中にRTP
チャンバに据付けられると反射板の近傍のディスク15
0の表面と同一面上に位置するように)リップ158に
載置される。
【0031】本実施例では、位置合わせツール149は
プラスチックまたは例えばデルリン(Delrine)などのナ
イロン製である。それは厚さが約1.0インチ、直径は
約8.9インチである。各々の穴154は内径約0.3
75インチであり、これは円筒形ボデー102の外径よ
りもやや大きいので、キャリブレーションプローブ10
0を容易に穴に挿入することができる。環状リップ15
8の厚さは約0.11インチであり、また0.047イ
ンチだけ内側に突起しているので、環状リップ158に
よって画成されるより小さい穴の内径は約0.328イ
ンチである。
【0032】再び図8を参照すると、3つの突起部15
6がディスク150の下側に位置している。これらの突
起部156は円に沿って互いに等間隔を隔て位置してお
り、その中心はディスク150の中心と一致し、位置合
わせツール149がRTPチャンバ内に挿入されるとR
TPチャンバ内の反射板内に位置するリフトピンホール
と位置合わせされるように置かれる。図9Aに示すよう
に、各突起部156は第1の直径を持つ円筒形の下部1
61と、より大きい第2の直径を持つ円筒形の上部16
5とを有し、もって下部161から上部165へと移行
するポイントで環状段162を形成している。第1の直
径は反射板内の対応するリフトピンホールの直径よりも
やや小さく、第2の直径はリフト・ピンホールの直径よ
りも大きい。環状段162はディスク150の底面から
約0.01から0.04(例えば0.03)インチだけ
離れている。このように、位置合わせツール149がR
TPチャンバ内に挿入されると、下部161は反射板内
の対応するリフトピンホール内に慴動し、環状段162
が反射板の表面から約0.03インチ上方の距離でディ
スク150の底面を保持する。
【0033】ディスク150は更に3つのより大きい穴
152を設け、各々が、対応する1つの突起部156か
ら半径方向内側に短い間隔を隔てて位置する。これらの
穴152は、直径が約0.75インチであって、ユーザ
ーが、位置合わせツールがRTPチャンバ内に挿入され
ている際に反射板のリフトピンホールの位置を確認する
ことができるようにしている。ディスク150の上側に
はハンドル160も設けられていて、これにより技術者
は、ディスクがRTPチャンバ内に挿入される際にディ
スクを持ち上げ操作することができる。
【0034】図10に示すように、キャリブレーション
プローブ100は小穴154内に挿入される。位置合わ
せツールがRTPチャンバ内に完全に組立てられると、
各々の小穴154と、これに挿入されたキャリブレーシ
ョンプローブ100はサファイヤ光導管40の対応する
一つと位置合わせされる。キャリブレーションプローブ
100を8つの穴154の各々に挿入することによっ
て、8個のパイロメータ50は同時にキャリブレーショ
ンされることができる。あるいは、単一のキャリブレー
ションプローブ100が使用され、キャリブレーション
毎に一つの穴から別の穴へ移動させてもよい。
【0035】キャリブレーションプローブ100が位置
合わせツールによって光プローブ上方に位置決めされた
場合、キャリブレーションプローブ100の底部130
と光導管40との間には一般に約0.03インチの隙間
が生ずる。光導管40は図11に2つの位置で示されて
いる。一つの位置はキャリブレーションプローブ100
に近接している上面41′、別の位置はキャリブレーシ
ョンプローブ100から離れている上面41″を有す
る。光は、約90°の拡がり角度αをもって、光線14
0の状態で管路110から出てくる。勿論正確な角度α
は管路110の長さと直径、及び空洞104の内側のL
ED115の位置によって左右される。キャリブレーシ
ョンプローブ100の底部130が表面41′と充分に
近接していて、ビーム140が光導管40に到達する時
点でビーム140の有効範囲が光導管の上面よりも大き
い領域に拡散しないようにすることが望ましい。言い換
えると、光導管40がキャリブレーションプローブ10
0から来る光線のほぼ全てを捕捉するように、キャリブ
レーションプローブ100は光導管40と充分に近接し
ていることが必要である。このような条件が満たされる
と、温度プローブはキャリブレーションプローブ100
の管路と光導管40との距離、及び位置合わせの僅かな
変化には比較的影響されない。これに対して、表面4
0″で示すように、キャリブレーションプローブ100
が光導管40から遠すぎると(例えば本実施例では約
0.1インチ以上)、ビーム140の有効範囲は光導管
40″の直径よりも大きくなり、その結果ビーム140
の一部のみ捕捉することになる。捕捉するビームの割合
は、キャリブレーションプローブ100と反射板との位
置合わせ及び距離の双方に大きく左右される。
【0036】パイロメータ50をキャリブレーションす
るには、ディスク150はハンドル160によって持ち
上げられ、突起部156がリフトピンホール67内に嵌
合するようにチャンバ60内に配置される。キャリブレ
ーションプローブ100を小穴154内に嵌め込まれ、
LED115が起動され、パイロメータ50によってサ
ンプリングされた温度が記録される。キャリブレーショ
ンされていない測定値が、シミュレートすることが分っ
ている黒体温度計器100と比較される。
【0037】これも現場(in situ)でのキャリブレーシ
ョン用に使用される位置合わせツールの別の実施例が図
12に示されている。位置合わせツール200は上述の
キャリブレーションプローブとは設計がやや異なるキャ
リブレーションプローブ180と部分的に一体化されて
いる。この場合は、キャリブレーションプローブ180
は直径が全体に均一な(すなわち図5に示すようなより
狭い円筒状領域132がない)円筒管である。2つの位
置合わせピン185が底面130から外側に突起してい
る。ピン185は光導管40の両側の反射板20の表面
に位置する対応する穴187内へと慴動する。ピン18
5が適合穴187に挿入されると、管路110が光導管
40と位置合わせされる。本実施例では、キャリブレー
ションプローブ180の長さは約1.5インチであり、
直径が0.5インチであり、ピン185は各々長さ0.
30インチ、直径が0.024インチである。
【0038】RTPシステムから取り外した温度プロー
ブをキャリブレーションするために使用される実施例を
図13に示してある。本実施例では、キャリブレーショ
ンプローブが、LED115を実装した空洞191を有
する取付け具190により置き換えられている。取付け
具190も、空洞191の軸に沿って位置合わせされ、
キャリブレーション用に光導管40を受容するようなサ
イズの導管192を備えている。狭い穴197を設けた
壁195が空洞191を導管192から隔離している。
前述の実施例の管路110と同様に穴197は、LED
115からの光線がキャリブレーション中の光導管が位
置している導管192内に通過することを許容する。電
子回路及び温度安定回路を含むキャリブレーションプロ
ーブのその他の部品は上述のとおりである。
【0039】上述の実施例を使用したパイロメータ50
のキャリブレーション方法を図14に示してある。第1
に、黒体温度を正しく読み取るために基準パイロメータ
がキャリブレーションされる(ステップ200)。これ
は、所与の温度に対し正確に既知の黒体放射光スペクト
ルを発生する市販のキャリブレーション済みソースを有
する、例えば国立規格及び技術協会(NIST)といっ
た規格機関の手助けにより実施されることができる。基
準パイロメータはキャリブレーションされ、黒体基準規
格から正確な示度を作成する。
【0040】正確にキャリブレーションされた基準パイ
ロメータを使用して、キャリブレーション機器によって
発生された有効黒体温度Teff が次に測定される(ステ
ップ205)。電子回路、チャンバ104内でのLED
115の位置等の相違により、各キャリブレーションプ
ローブが僅かに異なる黒体温度をシミュレートする可能
性があることに留意されたい。このように、各キャリブ
レーションプローブは個々に測定され、シミュレートす
る温度によりラベル付けされるべきである。例えば、一
方のキャリブレーションプローブ100が843℃をシ
ミュレートし、他方のキャリブレーションプローブが8
52℃をシミュレートする場合もある。
【0041】キャリブレーションプローブには多くの方
法でラベル付けすることができる。シミュレートされた
温度を記入したラベルをプローブに直接貼ってもよい。
あるいは、プローブは部品番号、コード、またはその他
の識別マーカを取付けられてもよい。この場合、部品番
号、コード、または識別マーカは、個別のリストでシミ
ュレートされた温度別に索引付けされる。
【0042】次に未キャリブレーションの温度プローブ
をキャリブレーションするためにキャリブレーション機
器が使用される(ステップ210)。詳しく述べると、
位置合わせツールを使用して、キャリブレーションプロ
ーブが光導管40と位置合わせされ、LED115が起
動され、パイロメータ50によって計測された温度Tm
が読み取られる。
【0043】最後に、Teff 、すなわちキャリブレーシ
ョンプローブによってシミュレートされた黒体温度と等
しい測定温度Tm を作成するようにパイロメータの利得
が調整される(ステップ215)。
【0044】要約すると、基準パイロメータがNIST
の規格に対してキャリブレーションされ、キャリブレー
ションプローブが基準パイロメータに対してキャリブレ
ーションされ、パイロメータがキャリブレーションプロ
ーブに対してキャリブレーションされる。従って、パイ
ロメータのキャリブレーションは規格を起源としている
かもしれない。規格は、正確な黒体温度源であるので、
パイロメータの温度測定も正確である。
【0045】現場(in situ)キャリブレーションの場合
は、粒子汚染、電子回路のドリフトやその他に起因して
チャンバ内の温度プローブがキャリブレーション不能に
いつなったかということを検知するためにもキャリブレ
ーション機器は使用されることができる。キャリブレー
ションプローブからの測定温度Tm をキャリブレーショ
ンプローブの既知の有効温度Teff と比較することがで
きる。Teff −Tm の差が予め測定されたしきい値を超
えた場合は、温度プローブはクリーニングされ、再びキ
ャリブレーションされ、または単に交換されることがで
きる。
【0046】その他の実施例も特許請求の範囲に含まれ
る。例えば、上記の実施例は光源としてLEDを使用し
ているが、適宜の安定化制御回路を備えたレーザー・ダ
イオードのようなその他の適宜の光源を使用されること
ができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】高速熱処理チャンバを示す。
【図2】キャリブレーションプローブを示す。
【図3】温度検出プローブを示す。
【図4】フィルタの透過性と、LEDの基準化された光
強度のグラフであり、双方とも波長の関数である。
【図5】キャリブレーションプローブの断面図である。
【図6】キャリブレーションプローブの回路図である。
【図7】位置合わせツールの上面図である。
【図8A】図7の線Aに沿った位置合わせツールの横断
面図である。
【図8B】図7の線Bに沿った位置合わせツールの横断
面図である。
【図9】キャリブレーションプローブを実装した図8の
位置合わせツールである。
【図10】キャリブレーションプローブからの光ビーム
を示す。
【図11】位置合わせツールを取付けたキャリブレーシ
ョンプローブの別の実施例である。
【図12】キャリブレーション機器の更に別の実施例で
ある。
【図13】キャリブレーション機器を使用するキャリブ
レーション手順のフローチャートである。
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平6−117938(JP,A) 特開 昭63−11823(JP,A) 特開 平8−201178(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) G01J 5/02 G01K 15/00 H01L 21/66

Claims (20)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 熱処理チャンバ内部で温度プローブをキ
    ャリブレーションする装置であって、 (a)位置合せツールであって、空洞と、該空洞に連通
    する開口部とを含み、更に熱処理チャンバの対応する第
    1位置合わせ機構と係合する第1位置合わせ構造を含む
    位置合わせツールと、 (b)光源であって、安定した強度を有し、前記空洞内
    に保持され、キャリブレーション中に前記開口部を通し
    て光線を放出する位置に配置された光源と、を含み、 前記開口部が、前記第1位置合わせ構造に関して、キャ
    リブレーション中に前記開口部が前記プローブの入力部
    と位置合わせされるような位置に配置されている装置。
  2. 【請求項2】 前記第1位置合わせ構造が前記チャンバ
    内の反射板内のピンホールに嵌合するようにされたピン
    であり、前記ピンホールが前記プローブの前記入力端の
    近傍に位置する請求項1に記載の装置。
  3. 【請求項3】 前記第1位置合わせ構造が前記チャンバ
    内の反射板内のリフトピンホールと嵌合するようにされ
    た突起部である請求項1に記載の装置。
  4. 【請求項4】 前記空洞と開口部とがボデー内に位置
    し、該ボデーが前記位置合わせツールの対応する第2位
    置合わせ機構と係合する第2位置合わせ構造を含み、前
    記開口部が、前記第2位置合わせ構造に関して、キャリ
    ブレーション中に前記開口部が前記プローブの入力部と
    位置合わせされるような位置に配置されている請求項1
    に記載の装置。
  5. 【請求項5】 前記ボデーが前記第1空洞から取り外し
    可能であることを特徴とする請求項4に記載の装置。
  6. 【請求項6】 前記ボデーが円筒形であって、前記第2
    位置合わせ機構が環状リップを有する円筒形導管であ
    り、前記第2位置合わせ構造が前記環状リップを捕捉す
    るために前記円筒の底面である請求項5に記載の装置。
  7. 【請求項7】 前記位置合わせツールが円盤であり、前
    記第2位置合わせ機構が前記ディスクを貫通する導管を
    含む請求項6に記載の装置。
  8. 【請求項8】 前記第1位置合わせ構造が前記チャンバ
    内の反射板内の複数個のリフトピンホールと嵌合するよ
    うにされた複数個の突起である請求項7に記載の装置。
  9. 【請求項9】 熱処理チャンバ外部での温度プローブを
    キャリブレーションする装置であって、 (a)空洞と、該空洞に連通する開口部とを含む位置合
    せツールであって、前記プローブの入力端部と係合する
    位置合わせ構造を含む前記位置合わせツールと、 (b)安定した強度を有し、前記空洞内に保持され、キ
    ャリブレーション中に前記開口部を通して光線を放出す
    る位置に配置された光源と、を含み、 前記開口部が、前記位置合わせ構造に対して、キャリブ
    レーション中に前記開口部が前記プローブの入力端部と
    位置合わせされるような位置に配置されている装置。
  10. 【請求項10】 空洞と、該空洞に連通する開口部とを
    有する位置合わせツールを前記チャンバ内に挿入するこ
    と、 前記開口部が前記プローブの入力端部と位置合わせされ
    るように、前記位置合わせツールの位置合わせ構造を前
    記チャンバの位置合わせ機構と係合させることと、及
    び、 安定した強度を有する光線を前記開口部を通して放出す
    ること、を含む熱処理チャンバ内部で温度プローブをキ
    ャリブレーションする方法。
  11. 【請求項11】 前記プローブの入力端部を前記チャン
    バから取り出すこと、前記開口部が前記プローブの入力
    端部と位置合わせされるように、空洞と、該空洞に連通
    する開口部とを有する位置合わせツールの位置合わせ構
    造を前記プローブの前記入力端部と係合させること、及
    び安定した強度を有する光線を前記開口部を通して放出
    すること、を含む熱処理チャンバ外部で温度プローブを
    キャリブレーションする方法。
  12. 【請求項12】 熱処理チャンバ内での温度プローブキ
    ャリブレーション装置であって、 (a)空洞と、該空洞に連通する開口部とを含む、キャ
    リブレーションプローブであって、更に前記空洞内に保
    持され、キャリブレーション中に前記開口部を通して光
    線を放出する位置に配置された安定した強度を有する光
    源を含むキャリブレーションプローブと、 (b)前記キャリブレーションプローブを位置合せする
    ための位置合せツールであって、前記チャンバの対応す
    る第1位置合わせ機構と係合する第1位置合わせ構造を
    含む、前記キャリブレーションプローブを位置合わせす
    るための位置合わせツールと、を含み、 前記開口部が、前記第1位置合わせ構造に関して、キャ
    リブレーション中に前記開口部が前記プローブの入力部
    と位置合わせされるような位置に配置されている装置。
  13. 【請求項13】 前記プローブが、前記位置合わせツー
    ルから取り外し可能である請求項12に記載の装置。
  14. 【請求項14】 前記位置合わせツールが、前記キャリ
    ブレーションプローブと一体形成されている請求項12
    に記載の装置。
  15. 【請求項15】 熱処理チャンバ外部で温度プローブを
    キャリブレーションする装置であって、 (a)空洞と、該空洞に連通する開口部とを含む、キャ
    リブレーションプローブであって、更に前記空洞内に保
    持され、キャリブレーション中に前記開口部を通して光
    線を放出する位置に配置された安定した強度を有する光
    源を含むキャリブレーションプローブと、 (b)前記温度プローブの入力端部と係合する位置合わ
    せ構造を有する前記位置合わせツールと、を含み、 前記開口部が、前記位置合わせ構造に関して、キャリブ
    レーション中に前記開口部が前記温度プローブの入力部
    と位置合わせされるような位置に配置されている装置。
  16. 【請求項16】 熱処理システム内での処理中に基板の
    温度を測定する温度プローブをキャリブレーションする
    装置であって、 空洞と、該空洞に連通する開口部とを含むキャリブレー
    ションツールと、 前記空洞内に保持され、キャリブレーション中に前記開
    口部を通して光線を放出する位置に配置された安定した
    強度を有する光源と、 キャリブレーション中に前記プローブの入力端に前記開
    口部を位置合わせするための位置合わせ機構と、を備え
    た装置。
  17. 【請求項17】 前記光源が発光ダイオード(LED)
    である請求項16に記載の装置。
  18. 【請求項18】 前記LEDの光出力を安定させるため
    のフィードバック回路を更に含む請求項17に記載の装
    置。
  19. 【請求項19】 熱処理システム内での処理中に基板の
    温度を測定する温度プローブをキャリブレーションする
    装置であって、 空洞内に保持され、キャリブレーション中に開口部を通
    して前記温度プローブの入力端部へと光線を放出する位
    置に配置された安定した強度を有する発光ダイーオドを
    含むキャリブレーション機器と、 前記キャリブレーション機器によって放出された前記所
    定強度を有する前記光線がシミュレートする黒体からの
    温度を表示する目盛りと、を備えた装置。
  20. 【請求項20】 熱処理システム内での処理中に基板の
    温度を測定する温度プローブをキャリブレーションする
    方法であって、 温度T0 における黒体からの放射光をシミュレートする
    所定強度を有する光線を放出する発光ダイオードを含む
    キャリブレーション機器を使用することと、 前記キャリブレーション機器が前記所定強度を有する前
    記光線を放出中に、前記光線を前記温度プローブの入力
    端へと照射することと、 前記温度プローブを利用して、前記所定強度を有する前
    記光線に応答して温度の読みT1 を作成することと、 前記熱処理システム内での処理中に前記温度プローブか
    ら修正測定値を作成するために、T0 とT1 の差を利用
    すること、を含む方法。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102029602B1 (ko) * 2018-11-30 2019-10-07 주식회사 이너센서 온도 센서의 보정 방법

Families Citing this family (38)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3375995B2 (ja) * 1992-11-25 2003-02-10 ミネソタ マイニング アンド マニュファクチャリング カンパニー 医療用温度センサ
US5762419A (en) * 1995-07-26 1998-06-09 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for infrared pyrometer calibration in a thermal processing system
GB2303988A (en) * 1995-07-31 1997-03-05 Secr Defence Thermal imaging system with detector array calibration mode
US6179465B1 (en) * 1996-03-28 2001-01-30 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for infrared pyrometer calibration in a thermal processing system using multiple light sources
US6079874A (en) * 1998-02-05 2000-06-27 Applied Materials, Inc. Temperature probes for measuring substrate temperature
US6063196A (en) * 1998-10-30 2000-05-16 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber calibration tool
TW376990U (en) * 1999-02-25 1999-12-11 Ind Tech Res Inst Calibrator for contact and non-contact thermoneter
US6467952B2 (en) * 1999-03-19 2002-10-22 Tokyo Electron Limited Virtual blackbody radiation system and radiation temperature measuring system
US6151446A (en) * 1999-07-06 2000-11-21 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for thermally processing substrates including a processor using multiple detection signals
US6280081B1 (en) 1999-07-09 2001-08-28 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for calibrating temperature measurements and measuring currents
US6308523B1 (en) * 2000-03-20 2001-10-30 Mainstream Engineering Corporation Simplified subcooling or superheated indicator and method for air conditioning and other refrigeration systems
US6630407B2 (en) 2001-03-30 2003-10-07 Lam Research Corporation Plasma etching of organic antireflective coating
US6670278B2 (en) 2001-03-30 2003-12-30 Lam Research Corporation Method of plasma etching of silicon carbide
US7311852B2 (en) * 2001-03-30 2007-12-25 Lam Research Corporation Method of plasma etching low-k dielectric materials
US6746961B2 (en) 2001-06-19 2004-06-08 Lam Research Corporation Plasma etching of dielectric layer with etch profile control
US6987240B2 (en) * 2002-04-18 2006-01-17 Applied Materials, Inc. Thermal flux processing by scanning
US6818864B2 (en) * 2002-08-09 2004-11-16 Asm America, Inc. LED heat lamp arrays for CVD heating
US7704327B2 (en) * 2002-09-30 2010-04-27 Applied Materials, Inc. High temperature anneal with improved substrate support
US6838012B2 (en) 2002-10-31 2005-01-04 Lam Research Corporation Methods for etching dielectric materials
US6835914B2 (en) * 2002-11-05 2004-12-28 Mattson Technology, Inc. Apparatus and method for reducing stray light in substrate processing chambers
US7098141B1 (en) 2003-03-03 2006-08-29 Lam Research Corporation Use of silicon containing gas for CD and profile feature enhancements of gate and shallow trench structures
WO2005092051A2 (en) * 2004-03-22 2005-10-06 Advanced Biophotonics, Inc. Integrated black body and lens cap assembly and methods for calibration of infrared cameras using same
DE102005018124B4 (de) * 2005-04-20 2007-06-28 Barke, Woldemar, Dipl.-Phys. Ing. Verfahren und Vorrichtung zur berührungslosen gleichzeitigen Bestimmung von Temperatur und Emissionsgrad eines Meßobjekts
JP2007042958A (ja) 2005-08-05 2007-02-15 Sumitomo Electric Ind Ltd ウェハプローバ用ウェハ保持体およびそれを搭載したウェハプローバ
KR100681693B1 (ko) * 2005-10-21 2007-02-09 재단법인 포항산업과학연구원 방사온도 계측기용 광학적 외란차단 시스템 및 방법
US7517804B2 (en) * 2006-08-31 2009-04-14 Micron Technologies, Inc. Selective etch chemistries for forming high aspect ratio features and associated structures
TWI547999B (zh) 2007-09-17 2016-09-01 Dsgi公司 微波退火半導體材料的系統及方法
US8452166B2 (en) * 2008-07-01 2013-05-28 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for measuring radiation energy during thermal processing
US9449858B2 (en) * 2010-08-09 2016-09-20 Applied Materials, Inc. Transparent reflector plate for rapid thermal processing chamber
CN102928086B (zh) * 2012-10-29 2015-04-15 中钢集团邢台机械轧辊有限公司 使测温仪快速对准测温孔的对正器
CN102967623B (zh) * 2012-11-06 2015-02-11 上海卫星装备研究所 红外灯阵热流密度标定装置及标定方法
KR101432159B1 (ko) * 2013-02-05 2014-08-20 에이피시스템 주식회사 온도측정 파이로미터의 교정 장치
KR101389003B1 (ko) * 2013-02-05 2014-04-24 에이피시스템 주식회사 온도측정 파이로미터의 교정 장치
TWI624903B (zh) 2013-03-15 2018-05-21 應用材料股份有限公司 在雜訊環境中之現場溫度測量
CN104089703A (zh) * 2014-07-09 2014-10-08 北京智朗芯光科技有限公司 半导体薄膜反应腔辅助温度校准装置
CN104215659A (zh) * 2014-08-20 2014-12-17 上海卫星装备研究所 真空热环境下红外灯单灯辐射特性测试系统
CN108318522A (zh) * 2018-01-09 2018-07-24 北京航天长征飞行器研究所 一种石英灯加热器辐射热场热流分布均匀性测试装置
CN116504685B (zh) * 2023-06-28 2023-09-15 盛吉盛半导体科技(北京)有限公司 一种红外测温探头校准装置

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5434285A (en) * 1977-08-22 1979-03-13 Jeol Ltd Black body furnace for temperature calibration
JPS5599035A (en) * 1979-01-25 1980-07-28 Nippon Steel Corp Method and apparatus for calibrating radiation thermometer
JPS564992A (en) * 1979-06-26 1981-01-19 Olympus Optical Co Ltd Recording and reproducing device
GB2056669B (en) * 1979-07-04 1984-02-29 Spectronix Ltd Calibrating radiation sensors
JPS5649929A (en) * 1979-09-29 1981-05-06 Yokogawa Hokushin Electric Corp Inspecting method for precision of radiation rate correcting circuit of radiation thermometer
JPS5713102A (en) * 1980-06-27 1982-01-23 Komatsu Ltd Production of sintered bearing material with back metal
JPS57131027A (en) * 1981-02-06 1982-08-13 Shisaka Kenkyusho:Kk Black body furnace
GB2101306B (en) * 1981-06-09 1984-08-30 Land Pyrometers Ltd Output level check means for pyrometers
JPS603428A (ja) * 1983-06-20 1985-01-09 Daihatsu Motor Co Ltd 過給式多気筒内燃機関
JPS609903A (ja) * 1983-06-22 1985-01-19 内貴 清一 袋状帯の仕立法
US4544418A (en) * 1984-04-16 1985-10-01 Gibbons James F Process for high temperature surface reactions in semiconductor material
JPS6222036A (ja) * 1985-07-22 1987-01-30 Furukawa Electric Co Ltd:The 光フアイバ放射温度計の校正方法
US4876453A (en) * 1986-02-19 1989-10-24 Hughes Aircraft Company Method and apparatus for calibrating an imaging sensor
US5155336A (en) * 1990-01-19 1992-10-13 Applied Materials, Inc. Rapid thermal heating apparatus and method
US5265957A (en) * 1992-08-11 1993-11-30 Texas Instruments Incorporated Wireless temperature calibration device and method
US5324937A (en) * 1993-01-21 1994-06-28 Hughes Aircraft Company Target for calibrating and testing infrared devices

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102029602B1 (ko) * 2018-11-30 2019-10-07 주식회사 이너센서 온도 센서의 보정 방법

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