JP2886790B2 - インクジェット記録ヘッド及びその製造方法 - Google Patents
インクジェット記録ヘッド及びその製造方法Info
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Description
法に用いるインク吐出用ヘッド、及び、その製造方法に
関する。
口より記録液体の液滴を飛翔させ、紙などの被記録部材
に付着させて記録を行うものである。図1は、インクジ
ェット記録ヘッドの1例の断面図である。インクジェッ
ト記録ヘッド1は、ヒートシンク5の上部全面に配置さ
れたヘッドチップ2と、ヘッドチップ2の上面に開口す
るインク供給口8が形成され、側面をインクマニホルド
6で覆う。ヘッドチップ2とインクマニホルド6は端面
が同一平面上に形成されている。インクマニホルド6は
インク供給管7を備えており、図示していないインクタ
ンクに接続されている。ヒートシンク5及びヘッドチッ
プ2はヒータ基板3とチャネル基板4で構成され、チャ
ネル基板4に形成されたインク供給口8はインク吐出口
9に連通している。
である。図中、3はヒーター基板、4はチャンネル基
板、8はインク供給口、9はインク吐出口、10はヒー
ター、11はビット層、12はビット、13はインク流
路である。なお、ヒーター10に通電するための電極や
保護層等は図面から省略した。
記録ヘッドのインク吐出口表面の物性は、記録液体であ
るインクの吐出安定性に多大の影響を与える。吐出口周
辺にインクが飛散したり流出してインクが留まると、イ
ンク吐出口の表面状態が不均一になる。その結果、イン
クの吐出方向が変化したり、インク滴の飛翔速度や粒径
にばらつきを生じて記録品位を低下させる。また、イン
ク吐出口周辺部の全面が記録インクで覆われると、記録
ヘッドがインク滴吐出不能に陥ることもある。
出口周辺部に表面処理剤の皮膜を形成してインクの付着
を防止することが行われている。この皮膜は、インクジ
ェット記録ヘッドを表面処理剤中に浸漬するか、表面処
理剤をスプレーで塗布するか、蒸着、スパッタリッン
グ、p−CVDなどの方法で形成し、インク吐出口周辺
部の撥液処理を施すことが試みられている。
エチレンに代表されるフッ素系樹脂を用いるか、特開平
1─173316号公報や特開平4─229277号公
報に記載のように、炭化水素ガスを主成分とする雰囲気
中でプラズマ化学気相成長法で形成した硬質カーボン膜
の表面に、テトラフルオロメタンなどのフッ素含有ガス
でプラズマ処理を施し、表面層の水素原子をフッ素原子
で置換して撥水性を有する硬質カーボン膜を得る方法な
どが知られている。
系樹脂のコーティング膜は、超硬合金、ステンレス鋼、
セラミックスなどに比べて柔らかいため、撥水性や撥油
性とともに耐摩耗性や硬度が要求されるコーティングに
は十分に対応することができない。また、フッ素化され
た硬質カーボン膜は、フッ素化による表面エネルギーの
低減に限界があるため、用途によっては撥水性や耐油性
が十分でない場合がある。
板のインク吐出孔の周囲は、インクに対して撥液性が要
求される。なお、インク吐出口の目詰まりを防止するた
めに、吐出口面をゴム製のブレードで拭く機構を組み込
んだプリンターもあったが、ノズル板表面を数多く拭く
とコーティング層が摩耗したり、剥離するなどの問題が
あった。
し、撥水性及び撥油性を有し、機械的強度が高い硬質膜
で被覆したインクジェット記録ヘッド及びその製造方法
を提供しようとするものである。
用することにより、上記の課題の解決を可能にしたもの
である。 (1) インク吐出口表面をアモルファス窒化珪素膜で被覆
したことを特徴とするインクジェット記録ヘッド。
XPS測定による元素組成比N/Siが0.8以上で、
元素組成比O/Siが0.9以下であることを特徴とす
る上記(1) 記載のインクジェット記録ヘッド。 (3) 前記アモルファス窒化珪素膜表面の純水との接触角
が85°以上であることを特徴とする上記(1) 又は(2)
記載のインクジェット記録ヘッド。
出口をアモルファス窒化珪素膜で被覆した後、前記膜を
窒素ガスプラズマで処理することを特徴とするインクジ
ェット記録ヘッドの製造方法。 (5) インクジェット記録ヘッドのインク吐出口表面に、
水素化珪素及び/又はハロゲン化珪素と窒素からなる原
料ガスを用いてアモルファス窒化珪素膜を形成すること
を特徴とする上記(4) 記載のインクジェット記録ヘッド
の製造方法。
ク吐出口をアモルファス窒化珪素膜で被覆し、好ましく
は、前記膜を窒素ガスプラズマで処理することにより、
表面エネルギーを低下させ、インクの付着を防止し、吐
出安定性を確保できるようにした。特に、皮膜最表面の
XPS測定(X線光電子分光法)による元素組成比N/
Siを0.8以上にすることにより、皮膜の硬度及び密
度を高くすることができ、また、元素組成比O/Siを
0.9以下にすることにより、皮膜の密度を高くするこ
とができる。そして、これらの条件により均質で安定な
アモルファスシリコン窒化珪素膜を得ることができる。
特に、元素組成比N/Siを0.9〜1.5の範囲にす
ることにより、皮膜の強度を非常に高くすることがで
き、耐久性を向上させることができる。また、元素組成
比O/Siを0〜0.8の範囲にすることにより、イン
クの付着性をより小さくすることができる。
で形成される。例えば、シリコンをエッチングして回路
を形成し、さらに、ポリイミド当の樹脂で上層部を接着
することにより形成される。
へのアモルファス窒化珪素膜の形成は、水素を添加せず
に、SiH4 、Si2 H6 等の水素化ケイ素及び/又は
SiH3 F、SiH2 F2 、SiHF3 、SiF4 等の
ハロゲン化ケイ素ガスと窒素ガスを原料ガスにしてプラ
ズマCVD法によるグロー放電分解法、スパッタリング
法、イオンプレーティング法、真空蒸着法等により形成
することができる。
る。グロー放電分解法は、直流放電、交流放電のいずれ
を採用してもよく、成膜条件としては、周波数0〜5G
Hz、反応器内圧0.001〜1333Pa(10-5〜
10Torr)、放電電力10〜3000Wであり、ヘ
ッドの温度は30〜300℃の範囲で適宜設定すること
ができる。膜厚は、放電時間の調整により適宜設定する
ことができる。
は、85°以上、好ましくは90〜140°、より好ま
しくは95〜140°の範囲が適している。接触角が8
5°を下回ると、インクが記録ヘッド表面に残留しやす
く、吐出方向の乱れやドットサイズの変動を生じやす
い。
ッドの吐出口表面にアモルファス窒化珪素膜を形成し
た。インクジェット記録ヘッドは400DPI(dot pe
r inch:ドット密度)であり、これに対応するピッチは
63.5μmで、128個のノズルが配列されている。
しながら210℃まで加熱した後、シラン及び窒素の混
合ガスを導入し、グロー放電分解によりヘッドの表面に
膜厚0.5μmのアモルファス窒化珪素膜を形成した。
その際の成膜条件は次のとおりである。 100%シランガス流量:100cm3 /min 100%窒素ガス流量:200cm3 /min 反応器内圧:66.7Pa 放電電力:400W 放電時間:10min 放電周波数:13.56MHz ヘッドの温度:250℃
の表面の純水との接触角が66°であった。また、最表
面の組成比(XPSで測定)は、N/Siが0.7、O
/Siが1.2であった。このインクジェット記録ヘッ
ドに、水60wt%、ジエチレングリコール38wt
%、染料2wt%で構成される水性インクを用いて噴射
テストを行ったところ、吐出の方向の乱れやドットサイ
ズの変動は初期には観測されなかったが、吐出時間を長
くしたときに(例えば、1日)、ドットサイズの変動が
観測された。なお、この水性インクの粘度は3cp、表
面張力は40dyne/cmである。
クジェット記録ヘッドを反応器にセットし、真空排気し
ながら210℃まで加熱した後、シラン及び窒素の混合
ガスを導入し、グロー放電分解によりヘッドの表面に膜
厚0.5μmのアモルファス窒化珪素膜を形成した。そ
の際の成膜条件は次のとおりである。 100%シランガス流量:10cm3 /min 100%窒素ガス流量:200cm3 /min 反応器内圧:66.7Pa 放電電力:400W 放電時間:10min 放電周波数:13.56MHz ヘッドの温度:250℃
ガスを導入し、グロー放電させて表面処理を行った。そ
の際の処理条件は次のとおりである。 100%窒素ガス流量:300cm3 /min 反応器内圧:66.7Pa 放電電力:400W 放電時間:10min
の表面の純水との接触角が120°であった。また、最
表面の組成比(XPSで測定)は、N/Siが1.0、
O/Siが0.7であった。このインクジェット記録ヘ
ッドに、水60wt%、ジエチレングリコール38wt
%、染料2wt%で構成される水性インクを用いて噴射
テストを行ったところ、吐出の方向の乱れやドットサイ
ズの変動は吐出時間を長くしても(1日)観測されなか
った。また、摩耗特性も良好であった。なお、この水性
インクの粘度は3cp、表面張力は40dyne/cm
である。
より、吐出されるインクの方向性、吐出速度、ドットサ
イズが一定であり、長期にわたり高品位な記録を行うこ
とができるようになった。
る。
Claims (5)
- 【請求項1】 インク吐出口表面をアモルファス窒化珪
素膜で被覆したことを特徴とするインクジェット記録ヘ
ッド。 - 【請求項2】 前記アモルファス窒化珪素膜最表面の元
素組成比N/Siが0.8以上、O/Siが0.9以下
であることを特徴とする請求項1記載のインクジェット
記録ヘッド。 - 【請求項3】 前記アモルファス窒化珪素膜表面の純水
との接触角が85°以上であることを特徴とする請求項
1又は2記載のインクジェット記録ヘッド。 - 【請求項4】 インクジェット記録ヘッドのインク吐出
口をアモルファス窒化珪素膜で被覆した後、前記膜を窒
素ガスプラズマで処理することを特徴とするインクジェ
ット記録ヘッドの製造方法。 - 【請求項5】 インクジェット記録ヘッドのインク吐出
口表面に、水素化珪素及び/又はハロゲン化珪素と窒素
からなる原料ガスを用いてアモルファス窒化珪素膜を形
成することを特徴とする請求項4記載のインクジェット
記録ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6314696A JP2886790B2 (ja) | 1994-12-19 | 1994-12-19 | インクジェット記録ヘッド及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6314696A JP2886790B2 (ja) | 1994-12-19 | 1994-12-19 | インクジェット記録ヘッド及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH08169115A JPH08169115A (ja) | 1996-07-02 |
JP2886790B2 true JP2886790B2 (ja) | 1999-04-26 |
Family
ID=18056456
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6314696A Expired - Lifetime JP2886790B2 (ja) | 1994-12-19 | 1994-12-19 | インクジェット記録ヘッド及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2886790B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100649407B1 (ko) * | 1999-06-16 | 2006-11-24 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 잉크젯 헤드의 노즐막힘 방지장치 |
JP7292949B2 (ja) * | 2019-04-24 | 2023-06-19 | キヤノン株式会社 | インプリント用モールド及びその製造方法、及びインプリント方法 |
-
1994
- 1994-12-19 JP JP6314696A patent/JP2886790B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH08169115A (ja) | 1996-07-02 |
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