JP2877351B2 - 高純度ジルコニウム材およびその製造方法 - Google Patents
高純度ジルコニウム材およびその製造方法Info
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Description
【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） 本発明は高純度ジルコニウム材およびその製造方法に
関し、さらに詳しくは沸騰水型原子炉の燃料被膜管とし
て用いられるジルコニウムライナー管の内面に用いる高
純度ジルコニウム材およびその製造方法に関する。
関し、さらに詳しくは沸騰水型原子炉の燃料被膜管とし
て用いられるジルコニウムライナー管の内面に用いる高
純度ジルコニウム材およびその製造方法に関する。
（従来の技術） 現在、ジルコニウムおよびその合金は主に原子力燃料
として多く利用されている。その中でも特に沸騰水型原
子炉の燃料被膜管にはジルコニウム合金の一つであるジ
ルカロイ−２が使用されているが、改良型沸騰水型原子
炉（Ａ−BWP）への転換に対応して、高性能の燃料被膜
管の開発が行われている。Ａ−BWRにおける燃料は、燃
焼度が上昇しさらに高い経済性を得るために負荷追従運
転が行われる予定である。その際、最も問題となると考
えられることがペレット・クラッド・相互作用である。
つまり、高燃焼度および燃焼度の急激な変化によって核
燃料（ペレット）に“膨れ”あるいは“反り”などの変
形が生じ、燃料被膜管（クラッド）と接触して負荷を与
えることにより燃料被膜管の破壊を促進する可能性が考
えられる。
として多く利用されている。その中でも特に沸騰水型原
子炉の燃料被膜管にはジルコニウム合金の一つであるジ
ルカロイ−２が使用されているが、改良型沸騰水型原子
炉（Ａ−BWP）への転換に対応して、高性能の燃料被膜
管の開発が行われている。Ａ−BWRにおける燃料は、燃
焼度が上昇しさらに高い経済性を得るために負荷追従運
転が行われる予定である。その際、最も問題となると考
えられることがペレット・クラッド・相互作用である。
つまり、高燃焼度および燃焼度の急激な変化によって核
燃料（ペレット）に“膨れ”あるいは“反り”などの変
形が生じ、燃料被膜管（クラッド）と接触して負荷を与
えることにより燃料被膜管の破壊を促進する可能性が考
えられる。
上述した対策の一つに燃料被膜管としてジルコニウム
ライナー管が開発されている。これはジルカロイ−２製
管の内面にジルカロイ−２より硬度の小さい純ジルコニ
ウムをライニングし、ペレットによる負荷をクッション
効果により吸収するものである。このクッション効果は
ジルコニウムライナー層が柔らかいほど大きい。したが
ってジルコニウムの純度が高い程、その効果は大であ
り、現在市販されている原子炉級スポンジジルコニウム
では酸素の不純物が多く、その効果は低い。また鉄，ク
ロム，ニッケル，スズなどの重金属ではジルコニウム中
の溶解度が小さく、析出物として存在しやすい。析出物
周辺では化学的に活性であり、化学的に攻撃されやす
く、特に粒界上の析出物はジルコニウムに応力が加わっ
た場合、応力集中部となりクラックの起点となる。これ
に対してスポンジジルコニウムをさらに精製した高純度
ジルコニウム材によりライナー層を形成した場合には最
もクッション効果が大きく、被膜管を健全に保つことが
可能であることが既に明らかにされている。したがっ
て、今後高性能燃料被膜管として高純度ジルコニウム材
をライニングしたジルコニウムライナー管が使用される
と考えられ、その需要も相当大きいと予想される。
ライナー管が開発されている。これはジルカロイ−２製
管の内面にジルカロイ−２より硬度の小さい純ジルコニ
ウムをライニングし、ペレットによる負荷をクッション
効果により吸収するものである。このクッション効果は
ジルコニウムライナー層が柔らかいほど大きい。したが
ってジルコニウムの純度が高い程、その効果は大であ
り、現在市販されている原子炉級スポンジジルコニウム
では酸素の不純物が多く、その効果は低い。また鉄，ク
ロム，ニッケル，スズなどの重金属ではジルコニウム中
の溶解度が小さく、析出物として存在しやすい。析出物
周辺では化学的に活性であり、化学的に攻撃されやす
く、特に粒界上の析出物はジルコニウムに応力が加わっ
た場合、応力集中部となりクラックの起点となる。これ
に対してスポンジジルコニウムをさらに精製した高純度
ジルコニウム材によりライナー層を形成した場合には最
もクッション効果が大きく、被膜管を健全に保つことが
可能であることが既に明らかにされている。したがっ
て、今後高性能燃料被膜管として高純度ジルコニウム材
をライニングしたジルコニウムライナー管が使用される
と考えられ、その需要も相当大きいと予想される。
現在、高純度ジルコニウム材はスポンジジルコニウム
またはジルコニウム合金を原料として通常ハロゲン化物
分解法、特にヨウ化物分解法と称される精製方法により
製造されている。ヨウ化物分解法は化学輸送法の一種で
あり、ジルコニウム（Zr）を始めチタン（Ti），ハフニ
ウム（Hf）などの活性金属の精製に使用される方法であ
る。精製は次式（１），（２）の反応を利用して行われ
る。
またはジルコニウム合金を原料として通常ハロゲン化物
分解法、特にヨウ化物分解法と称される精製方法により
製造されている。ヨウ化物分解法は化学輸送法の一種で
あり、ジルコニウム（Zr）を始めチタン（Ti），ハフニ
ウム（Hf）などの活性金属の精製に使用される方法であ
る。精製は次式（１），（２）の反応を利用して行われ
る。
Zr＋2I2→ZrI4 −（１） （200〜500℃） ZrI4→Zr＋2I2 −（２） （1100〜1500℃） すなわちジルコニウムZr（融点1857℃）はヨウ素I
2（融点114℃，沸点185℃）と200〜500℃の温度で激し
く反応しZrI4（昇華性固体）を生成する（（１）式）。
さらにZrI4は1100〜1500℃の高温で前記（２）式に示す
ようにジルコニウムとヨウ素に分解する。
2（融点114℃，沸点185℃）と200〜500℃の温度で激し
く反応しZrI4（昇華性固体）を生成する（（１）式）。
さらにZrI4は1100〜1500℃の高温で前記（２）式に示す
ようにジルコニウムとヨウ素に分解する。
一方、高純度ジルコニウム材の原料は工業的にはスポ
ンジジルコニウムが使用されている。スポンジジルコニ
ウムは、まず鉱石から粗製の四塩化ジルコニウムZrCl4
として、ハフニウムHfを分離して精製酸化ジルコニウム
ZrO2とする。さらに酸化ジルコニウムを塩化して四塩化
ジルコニウムとし、精製して不純物を除く。精製された
四塩化ジルコニウムは、マグネシウムで還元し（クロー
ル法）、あるいはナトリウムで還元し（フンター法）ス
ポンジジルコニウムとなる。以上のような複雑な過程に
よりジルコニウムの精製が行われるため、スポンジジル
コニウム自体高価なものとなる。また一方、今後高純度
ジルコニウム材の需要はジルコニウムライナー管の普及
によりさらに伸びることが予想され、高純度ジルコニウ
ム材をさらに安価に製造する必要がある。そのためには
高純度ジルコニウム材の製造過程をさらに詳細に検討
し、製造コストを下げることは必要であるが、前述のよ
うに原料であるスポンジジルコニウムの値段が高く、そ
の高純度ジルコニウム材の製造コストに占める割合は大
きい。したがって高純度ジルコニウム材の製造コストを
大幅に低下させるには、原料自体を検討する必要があ
る。
ンジジルコニウムが使用されている。スポンジジルコニ
ウムは、まず鉱石から粗製の四塩化ジルコニウムZrCl4
として、ハフニウムHfを分離して精製酸化ジルコニウム
ZrO2とする。さらに酸化ジルコニウムを塩化して四塩化
ジルコニウムとし、精製して不純物を除く。精製された
四塩化ジルコニウムは、マグネシウムで還元し（クロー
ル法）、あるいはナトリウムで還元し（フンター法）ス
ポンジジルコニウムとなる。以上のような複雑な過程に
よりジルコニウムの精製が行われるため、スポンジジル
コニウム自体高価なものとなる。また一方、今後高純度
ジルコニウム材の需要はジルコニウムライナー管の普及
によりさらに伸びることが予想され、高純度ジルコニウ
ム材をさらに安価に製造する必要がある。そのためには
高純度ジルコニウム材の製造過程をさらに詳細に検討
し、製造コストを下げることは必要であるが、前述のよ
うに原料であるスポンジジルコニウムの値段が高く、そ
の高純度ジルコニウム材の製造コストに占める割合は大
きい。したがって高純度ジルコニウム材の製造コストを
大幅に低下させるには、原料自体を検討する必要があ
る。
ところで、ジルコニウムは熱中性子の吸収断面積が金
属中最も小さく、しかも機械的性質、耐食性に優れてい
るため、ジルカロイ−２あるいはジルカロイ−４などの
ジルコニウム合金が原子炉内構造材料として用いられて
いる。これらの合金中には以下の第１表に示すようにジ
ルコニウムに微量の鉄，ニッケル，クロム，スズなどの
重金属を含んでいる。
属中最も小さく、しかも機械的性質、耐食性に優れてい
るため、ジルカロイ−２あるいはジルカロイ−４などの
ジルコニウム合金が原子炉内構造材料として用いられて
いる。これらの合金中には以下の第１表に示すようにジ
ルコニウムに微量の鉄，ニッケル，クロム，スズなどの
重金属を含んでいる。
これらジルコニウム合金製原子炉内構造部品の製造過
程において大量のスクラップが発生する。また本来、我
国はジルコニウム資源に乏しく、スクラップを再利用す
ることは資源の有効利用の点からも重要な意味を持って
いる。特にこれらスクラップを高純度ジルコニウム材の
原料として利用できれば安価で、しかも高純度ジルコニ
ウム材の原料の安定な供給源となり得る。
程において大量のスクラップが発生する。また本来、我
国はジルコニウム資源に乏しく、スクラップを再利用す
ることは資源の有効利用の点からも重要な意味を持って
いる。特にこれらスクラップを高純度ジルコニウム材の
原料として利用できれば安価で、しかも高純度ジルコニ
ウム材の原料の安定な供給源となり得る。
（発明が解決しようとする課題） 以上の方法により原料にスポンジジルコニウムを用い
て得られた高純度ジルコニウム材はスポンジジルコニウ
ムの製造過程が複雑多岐にわたるため、原料であるスポ
ンジジルコニウムの値段が高く、高純度ジルコニウム材
の製造コストに占める割合が大きくなりコスト高となっ
ている。また本来我国はジルコニウム資源に乏しく、そ
の安定供給も重要な課題である。
て得られた高純度ジルコニウム材はスポンジジルコニウ
ムの製造過程が複雑多岐にわたるため、原料であるスポ
ンジジルコニウムの値段が高く、高純度ジルコニウム材
の製造コストに占める割合が大きくなりコスト高となっ
ている。また本来我国はジルコニウム資源に乏しく、そ
の安定供給も重要な課題である。
特開昭63−28836号公報等では原料にジルコニウム合
金を用いてコストの低減を図ってはいるものの、まだそ
の純度は十分とは言えず、なお一層の高純度化が要求さ
れている。
金を用いてコストの低減を図ってはいるものの、まだそ
の純度は十分とは言えず、なお一層の高純度化が要求さ
れている。
上記問題点を鑑みて、本発明では高純度ジルコニウム
材およびジルコニウム合金を原料として高純度ジルコニ
ウム材を製造する方法を提供することを目的とするもの
である。
材およびジルコニウム合金を原料として高純度ジルコニ
ウム材を製造する方法を提供することを目的とするもの
である。
（課題を解決するための手段および作用） 本発明は、酸素含有量20ppm以下；鉄，ニッケル，ク
ロム，スズの各重金属元素の含有量が各々20ppm以下；
である溶解して得られたことを特徴とする高純度ジルコ
ニウム材であり、さらには酸素含有量20ppm以下；鉄，
ニッケル，クロム，スズの各重金属元素の含有量が各々
20ppm以下；である高純度ジルコニウム材の製造方法に
おいて、少なくとも （ａ）水素気流中で加熱・冷却を繰り返す （ｂ）ハロゲン化物分解法を用いる （ｃ）電子線（EB）溶解する という手段を具備する高純度ジルコニウム材の製造方法
である。
ロム，スズの各重金属元素の含有量が各々20ppm以下；
である溶解して得られたことを特徴とする高純度ジルコ
ニウム材であり、さらには酸素含有量20ppm以下；鉄，
ニッケル，クロム，スズの各重金属元素の含有量が各々
20ppm以下；である高純度ジルコニウム材の製造方法に
おいて、少なくとも （ａ）水素気流中で加熱・冷却を繰り返す （ｂ）ハロゲン化物分解法を用いる （ｃ）電子線（EB）溶解する という手段を具備する高純度ジルコニウム材の製造方法
である。
つまり、本発明においては高純度ジルコニウム材を精
製する際にジルコニウム合金（ジルカロイ−２あるいは
ジルカロイ−４など）を原料として用い、従来のハロゲ
ン化物分解法およびEB溶解では除去しにくかったスズを
水素気流中で加熱・冷却を１回ないし数回繰り返すこと
により除去した後、なおジルコニウム中に残存する重金
属およびジルコニウムの硬度に影響を及ぼす酸素を除去
するためにハロゲン化物分解法およびEB溶解を用いるも
のである。また、ここで水素気流中で加熱・冷却を繰り
返すのは、金属ジルコニウムはこの温度範囲では水素化
物を形成せず、これを急冷するとジルコニウムは水素化
物を形成し、熱膨脹率の変化により割れを生じ新しい断
面が露出される。充分に冷却後再び昇温する。この操作
を繰り返すことにより、金属ジルコニウムの水素化物は
次第に微細な粒子となり、表面積が増加する。それに伴
って、ジルコニウム粒子の表面に存在するスズの除去が
さらに容易となるためである。
製する際にジルコニウム合金（ジルカロイ−２あるいは
ジルカロイ−４など）を原料として用い、従来のハロゲ
ン化物分解法およびEB溶解では除去しにくかったスズを
水素気流中で加熱・冷却を１回ないし数回繰り返すこと
により除去した後、なおジルコニウム中に残存する重金
属およびジルコニウムの硬度に影響を及ぼす酸素を除去
するためにハロゲン化物分解法およびEB溶解を用いるも
のである。また、ここで水素気流中で加熱・冷却を繰り
返すのは、金属ジルコニウムはこの温度範囲では水素化
物を形成せず、これを急冷するとジルコニウムは水素化
物を形成し、熱膨脹率の変化により割れを生じ新しい断
面が露出される。充分に冷却後再び昇温する。この操作
を繰り返すことにより、金属ジルコニウムの水素化物は
次第に微細な粒子となり、表面積が増加する。それに伴
って、ジルコニウム粒子の表面に存在するスズの除去が
さらに容易となるためである。
ここで酸素含有量を20ppmを超える場合には精製した
ジルコニウムのクッション効果が落ちてしまうため本発
明の主旨からはずれる。
ジルコニウムのクッション効果が落ちてしまうため本発
明の主旨からはずれる。
一方、鉄，ニッケル，クロム，スズの各重金属元素の
含有量が１種類でも20ppmを超える場合においては、ジ
ルコニウムに応力が加わった場合に応力集中部となりク
ラックの起点となるため好ましくない。
含有量が１種類でも20ppmを超える場合においては、ジ
ルコニウムに応力が加わった場合に応力集中部となりク
ラックの起点となるため好ましくない。
（実施例） 以下、図面を参照して本発明の実施例を説明する。
第１図は本発明の第１の実施例の第１の不純物除去手
段であるスズ除去装置の概略を示す図である。
段であるスズ除去装置の概略を示す図である。
約1.2kgのジルカロイ−２粒状スクラップ（１）をス
ズ除去装置（２）中に封入し、ヒータ（３）により約90
0℃とした後、水素ガス（４）を矢印方向に流す。これ
を２時間継続した後、ヒータ（３）を切り、ジルカロイ
−２粒状スクラップ（１）を急令する。この操作を１回
ないし数回繰り返し実行し、ジルカロイ−２粒状スクラ
ップ（１）中からスズを除去した後、ヨウ化物分解法
（ハロゲン化物分解法の一つでハロゲンとしてヨウ素を
用いるもの）を用いた。
ズ除去装置（２）中に封入し、ヒータ（３）により約90
0℃とした後、水素ガス（４）を矢印方向に流す。これ
を２時間継続した後、ヒータ（３）を切り、ジルカロイ
−２粒状スクラップ（１）を急令する。この操作を１回
ないし数回繰り返し実行し、ジルカロイ−２粒状スクラ
ップ（１）中からスズを除去した後、ヨウ化物分解法
（ハロゲン化物分解法の一つでハロゲンとしてヨウ素を
用いるもの）を用いた。
第２図は本発明の第１の実施例の第２の不純物除去手
段であるヨウ化物分解法を行う装置の概略を示す図であ
る。
段であるヨウ化物分解法を行う装置の概略を示す図であ
る。
1.0kgの上記処理したジルカロイ−２粒状スクラップ
（５）と20gのヨウ素（６）を反応容器（７）内に封入
し、この反応容器（７）全体を外部から加熱して250℃
に保持した。その後、直径約2mmのジルコニウムフィラ
メント（８）に電源（９）よりリード線（10a,10b）さ
らに給電治具（11a,11b）を通して通電してこれを1400
℃に加熱して従来の技術で説明した反応（（１）式およ
び（２）式）により、純ジルコニウムをフィラメント
（８）上に析出させた。これを150時間継続したとこ
ろ、平均直径28mmの純ジルコニウムを得た。
（５）と20gのヨウ素（６）を反応容器（７）内に封入
し、この反応容器（７）全体を外部から加熱して250℃
に保持した。その後、直径約2mmのジルコニウムフィラ
メント（８）に電源（９）よりリード線（10a,10b）さ
らに給電治具（11a,11b）を通して通電してこれを1400
℃に加熱して従来の技術で説明した反応（（１）式およ
び（２）式）により、純ジルコニウムをフィラメント
（８）上に析出させた。これを150時間継続したとこ
ろ、平均直径28mmの純ジルコニウムを得た。
この純ジルコニウムを本発明の第１の実施例の第３の
不純物除去手段であるEB溶解を用いて真空度5.0×10-5t
orr以下で実行した結果、平均直径30mmの高純度ジルコ
ニウムのインゴットを得た。
不純物除去手段であるEB溶解を用いて真空度5.0×10-5t
orr以下で実行した結果、平均直径30mmの高純度ジルコ
ニウムのインゴットを得た。
次に、本発明の第２の実施例を示す。第３図は本発明
の第２の実施例の第１の不純物除去手段であるスズ除去
装置の概略を示す図である。なお、以下において本発明
の第１の実施例と同一の名称については第１の実施例と
同一の番号を用いることとし、説明も省略することとす
る。
の第２の実施例の第１の不純物除去手段であるスズ除去
装置の概略を示す図である。なお、以下において本発明
の第１の実施例と同一の名称については第１の実施例と
同一の番号を用いることとし、説明も省略することとす
る。
約1.2kgのジルカロイ−４粒状スクラップ（12）をス
ズ除去装置（２）中に封入し、ヒータ（３）により約90
0℃とした後、水素ガス（４）を矢印方向に流す。これ
を２時間継続した後、ヒータ（３）を切り、ジルカロイ
−４粒状スクラップ（12）を急令する。この操作を１回
ないし数回繰り返し実行し、ジルカロイ−４粒状スクラ
ップ（12）中からスズを除去し、ヨウ化物分解法を用い
た。
ズ除去装置（２）中に封入し、ヒータ（３）により約90
0℃とした後、水素ガス（４）を矢印方向に流す。これ
を２時間継続した後、ヒータ（３）を切り、ジルカロイ
−４粒状スクラップ（12）を急令する。この操作を１回
ないし数回繰り返し実行し、ジルカロイ−４粒状スクラ
ップ（12）中からスズを除去し、ヨウ化物分解法を用い
た。
第４図は本発明の第２の実施例の第２の不純物除去手
段であるヨウ化物分解法を行う装置の概略を示す図であ
る。
段であるヨウ化物分解法を行う装置の概略を示す図であ
る。
1.0kgの上記処理したジルカロイ−４粒状スクラップ
（13）と20gのヨウ素（６）を反応容器（７）内に封入
し、この反応容器（７）全体を外部から加熱して250℃
に保持した。その後、直径約2mmのジルコニウムフィラ
メント（８）に電源（９）よりリード線（10a,10b）さ
らに給電治具（11a,11b）を通して通電してこれを1400
℃に加熱して従来の技術で説明した反応により、純ジル
コニウムをフィラメント（８）上に析出させた。これを
150時間継続したところ、平均直径28mmの縦ジルコニウ
ムを得た。
（13）と20gのヨウ素（６）を反応容器（７）内に封入
し、この反応容器（７）全体を外部から加熱して250℃
に保持した。その後、直径約2mmのジルコニウムフィラ
メント（８）に電源（９）よりリード線（10a,10b）さ
らに給電治具（11a,11b）を通して通電してこれを1400
℃に加熱して従来の技術で説明した反応により、純ジル
コニウムをフィラメント（８）上に析出させた。これを
150時間継続したところ、平均直径28mmの縦ジルコニウ
ムを得た。
この純ジルコニウムを本発明の第２の実施例の第３の
不純物除去手段であるEB溶解を用いて真空度5.0×10-5t
orr以下で実行した結果、平均直径30mmの高純度ジルコ
ニウムのインゴットを得た。
不純物除去手段であるEB溶解を用いて真空度5.0×10-5t
orr以下で実行した結果、平均直径30mmの高純度ジルコ
ニウムのインゴットを得た。
このジルカロイ−２およびジルカロイ−４を原料とし
て製造した高純度ジルコニウム材の分析結果を第２表に
示す。第２表には従来の方法によりスポンジジルコニウ
ムを原料として製造した高純度ジルコニウム材およびジ
ルコニウム合金（ジルカロイ−２）を用いてヨウ化物分
解法のみを用いて製造した高純度ジルコニウム材の分析
結果も一緒に示す。
て製造した高純度ジルコニウム材の分析結果を第２表に
示す。第２表には従来の方法によりスポンジジルコニウ
ムを原料として製造した高純度ジルコニウム材およびジ
ルコニウム合金（ジルカロイ−２）を用いてヨウ化物分
解法のみを用いて製造した高純度ジルコニウム材の分析
結果も一緒に示す。
第２表より明らかなように、本発明による高純度ジル
コニウム材は従来の方法により製造したジルコニウム材
より酸素含有量が３分の１以下；鉄，クロム，ニッケ
ル，スズの各重金属元素の含有量がそれぞれ半分以下と
不純物量が大きく減少し、従来の方法により製造したジ
ルコニウム材より高い純度を有していることがわかる。
コニウム材は従来の方法により製造したジルコニウム材
より酸素含有量が３分の１以下；鉄，クロム，ニッケ
ル，スズの各重金属元素の含有量がそれぞれ半分以下と
不純物量が大きく減少し、従来の方法により製造したジ
ルコニウム材より高い純度を有していることがわかる。
［発明の効果］ 以上、詳述したように、本発明の製造方法により得ら
れる高純度ジルコニウム材は、原料として安価なジルコ
ニウム合金を用いることにより製造コストが大幅に低減
し、しかも従来品よりも高い純度の高純度ジルコニウム
材が製造可能であり、またそのままならば廃棄されるべ
きスクラップを用いることにより本来ジルコニウム資源
に乏しい我国においてジルコニウムの安定供給源と成り
得り、資源の有効利用にも大いに役立つ。
れる高純度ジルコニウム材は、原料として安価なジルコ
ニウム合金を用いることにより製造コストが大幅に低減
し、しかも従来品よりも高い純度の高純度ジルコニウム
材が製造可能であり、またそのままならば廃棄されるべ
きスクラップを用いることにより本来ジルコニウム資源
に乏しい我国においてジルコニウムの安定供給源と成り
得り、資源の有効利用にも大いに役立つ。
第１図は本発明の第１の実施例の第１の不純物除去手段
であるスズ除去装置の概略図、第２図は本発明の第１の
実施例の第２の不純物除去手段であるヨウ化物分解法を
行う装置の概略図、第３図は本発明の第２の実施例の第
１の不純物除去手段であるスズ除去装置の概略図、第４
図は本発明の第２の実施例の第２の不純物除去手段であ
るヨウ化物分解法を行う装置の概略図である。 １……ジルカロイ−２粒状スクラップ ２……スズ除去装置 ３……ヒータ ４……水素ガス（H2） ５……スズ除去後のジルカロイ−２粒状スクラップ ６……ヨウ素（I2） ７……反応容器 ８……ジルコニウムフィラメント ９……電源 10a,10b……リード線 11a,11b……給電治具 12……ジルカロイ−４粒状スクラップ 13……スズ除去後のジルカロイ−４粒状スクラップ
であるスズ除去装置の概略図、第２図は本発明の第１の
実施例の第２の不純物除去手段であるヨウ化物分解法を
行う装置の概略図、第３図は本発明の第２の実施例の第
１の不純物除去手段であるスズ除去装置の概略図、第４
図は本発明の第２の実施例の第２の不純物除去手段であ
るヨウ化物分解法を行う装置の概略図である。 １……ジルカロイ−２粒状スクラップ ２……スズ除去装置 ３……ヒータ ４……水素ガス（H2） ５……スズ除去後のジルカロイ−２粒状スクラップ ６……ヨウ素（I2） ７……反応容器 ８……ジルコニウムフィラメント ９……電源 10a,10b……リード線 11a,11b……給電治具 12……ジルカロイ−４粒状スクラップ 13……スズ除去後のジルカロイ−４粒状スクラップ
Claims (3)
- 【請求項１】酸素含有量20ppm以下；鉄，ニッケル，ク
ロム，スズの各重金属元素の含有量が各々20ppm以下；
である溶解して得られたことを特徴とする高純度ジルコ
ニウム材。 - 【請求項２】酸素含有量20ppm以下；鉄，ニッケル，ク
ロム，スズの各重金属元素の含有量が各々20ppm以下；
である高純度ジルコニウム材の製造方法において、その
原料となるジルコニウム合金に少なくとも （ａ）水素気流中で加熱・冷却を繰り返す （ｂ）ハロゲン化物分解法を用いる （ｃ）電子線（EB）を溶解する という手段を具備することを特徴とする高純度ジルコニ
ウム材の製造方法。 - 【請求項３】高純度ジルコニウムを製造する際に、ジル
カロイ−２あるいはジルカロイ−４からなるジルコニウ
ム合金のスクラップを原料として用いることを特徴とす
る請求項２記載の高純度ジルコニウム材の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1131508A JP2877351B2 (ja) | 1989-05-26 | 1989-05-26 | 高純度ジルコニウム材およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1131508A JP2877351B2 (ja) | 1989-05-26 | 1989-05-26 | 高純度ジルコニウム材およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02310331A JPH02310331A (ja) | 1990-12-26 |
| JP2877351B2 true JP2877351B2 (ja) | 1999-03-31 |
Family
ID=15059672
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1131508A Expired - Lifetime JP2877351B2 (ja) | 1989-05-26 | 1989-05-26 | 高純度ジルコニウム材およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2877351B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1743949B1 (en) * | 2000-10-02 | 2012-02-15 | JX Nippon Mining & Metals Corporation | High-purity zirconium or hafnium metal for sputter targets and thin film applications |
| WO2010110064A1 (ja) * | 2009-03-23 | 2010-09-30 | 日鉱金属株式会社 | ジルコニウムるつぼ |
-
1989
- 1989-05-26 JP JP1131508A patent/JP2877351B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02310331A (ja) | 1990-12-26 |
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