JP2868966B2 - 超電導線材の製造方法 - Google Patents

超電導線材の製造方法

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JP2868966B2 JP5053747A JP5374793A JP2868966B2 JP 2868966 B2 JP2868966 B2 JP 2868966B2 JP 5053747 A JP5053747 A JP 5053747A JP 5374793 A JP5374793 A JP 5374793A JP 2868966 B2 JP2868966 B2 JP 2868966B2
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  • Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、複合ビレットを用いた
超電導線材の製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】電力損失無しに大電流を流したり、強磁
界を発生できる超電導の応用分野として、(1)発電
機、送電ケーブル、エネルギー貯蔵などの電力システム
の超電導化による省エネルギー開発、(2)核融合、M
HD発電などの新エネルギー開発、(3)高エネルギー
加速器、磁気浮上列車、電磁推進船、磁気分離、医療用
MRIなど高磁界を利用した新技術の開発、などがあ
る。このような超電導応用技術の発展のためには優れた
超電導線材技術の開発が必要不可欠であり、これまで
に、8および9T以下の磁界下ではNbTi系合金線材
が、又、それ以上の高磁界下ではNb3SnおよびV3
a系化合物線材が開発されている。これらの超電導線材
はその安定化のために、Cu等の抵抗率の小さな金属マ
トリックス中に数10μm以下の径の超電導フィラメン
トが多数埋設され、しかもその超電導フィラメントは捻
られた構造を持っている。こうした超電導線材は極細多
芯線と呼ばれている。
【0003】極細多芯線の実用化は加工性の良好な合金
系材料に始まった。以下、NbTi線の製造方法につい
て簡単に述べる。詳細は、例えば、刊行物{超電導工学
(改訂版)、オーム社(1988)P.74および材料
科学誌、20(1983)P.80}に示されている。
即ち、NbTi合金を丸棒状に冷間加工する。この丸棒
をCuチューブ中に挿入し断面減少加工することで単芯
線を得る。この単芯線を適当な長さに裁断し、Cuの容
器中に多数充填する。容器中の空気を排除し、蓋を溶接
して密封し複合ビレットを製造する。その後、押出し加
工と断面減少加工を繰り返すことで複合線を得る。尚、
大電流容量化するためには、得られた多数の複合線をC
uチューブ中に充填して断面減少加工すればよい。一般
に、NbTi合金線の臨界電流密度は強加工(断面減少
率104以上)と時効処理(熱処理温度350〜450
℃)の組み合わせにより大幅に増大するので、通常、多
重時効・冷間加工処理が施され、さらにツイスト加工す
ることで極細多芯線が得られている。
【0004】次に化合物系材料の製造方法について説明
する。化合物系の超電導材料は合金系材料に比べ、臨界
温度(Tc)、上部臨界磁界(Bc2)共にかなり高いと
いう優れた特徴がある反面、極めて脆いという欠点を有
している。従って、化合物系超電導材料自身は加工性を
持たないため、この極細多芯線を得るための製造方法に
関して、さまざまのアイデアが出されてきた。現在、工
業的に確立されている製造方法は固相反応を利用したも
ので、主な方法として、例えば、刊行物{超電導工学
(改訂版)、オーム社(1988)P.74および材料
科学誌、20(1983)P.82}に示されている、
ブロンズ法、チューブ法、内部拡散法、外部拡散法等が
ある。これらの方法において、Nbの代わりにV、Sn
の代わりにGaで置き換えればNb3SnとV3Gaとが
定性的に同等であるので、以下、Nb3Snを例にし、
典型的な内部拡散法について簡単に説明する。
【0005】即ち、Nb棒をCuチューブに挿入し、あ
る径まで断面減少加工をする。この単芯線を適当な長さ
に裁断し、Cuの容器中に多数充填する。但し、中央部
にはCu棒および多数のCu線を配置しておく。容器中
の空気を排除し、蓋を溶接して密封し複合ビレットを得
る。これを押出し加工した後、中心のCu部に機械的に
孔を空ける。この中空部にSnを挿入し、外側に、Ta
やNbのチューブ、更にその外側にCuのチューブを被
覆し、断面減少加工する。尚、大電流容量化するために
は、得られた複合線を多数Cuチューブ中に充填して断
面減少加工すればよい。最終径でツイスト加工した後、
熱処理を施す。この熱処理により、Snは周囲のCu中
に拡散してCuをCu−Sn合金に変え、更に、Nbフ
ィラメントと反応し、この表面層もしくは全てがNb3
Snに変わり、Nb3Sn系極細多芯線が得られる。こ
のように合金系、化合物系とも極細多芯線の製造方法は
工業的にも確立されつつあり、最近ではNb3Sn系化
合物に第3元素を添加することにより、17T以上の高
磁界マグネットも実用化されている。
【0006】しかしながら、これらの製造方法にも欠点
はある。線材作製上、最も重要な工程はCu容器中に多
数のCu、Cu/NbTi、または、Cu/Nb単芯線
を充填し、複合ビレットを製造する部分である。この工
程により、極細多芯線の形状がほぼ決定するため、この
工程の仕上がりの善し悪しが、線材の超電導特性を左右
すると言っても過言ではない。しかしながら、これまで
説明してきた従来の方法では、適当な長さに裁断された
数十から多い場合では千数百本のCu、Cu/NbT
i、または、Cu/Nb単芯線を多数の人手によりCu
容器に挿入することで複合ビレットを製造していた。こ
のため単芯線の直線性等の加工精度を満たすために多く
の人手と時間を要し、製造コストの増大につながってい
た。さらに、従来の方法では単芯線の充填密度には限界
があった。
【0007】また、今後、超電導線のさらなる高性能化
の需要に答えるためには、線材の多芯化、超電導フィラ
メントの細線化等は重要課題である。このためには複合
ビレットの製造においてCu容器中に充填する単芯線の
本数を増やすか、あるいは、複合化のプロセスを多数回
繰り返すことが必要となる。したがって、加工性の良さ
が望まれ、上記方法では限界があった。さらに、多芯化
は極細多芯線中の超電導フィラメント間の距離がこれま
で以上に短くなることを意味する。このため、超電導フ
ィラメント間の一部または大部分に物理的結合および近
接効果による超電導的結合を生じ交流損失が高くなり特
性を劣化させてしまう。従って、複合ビレットの製造に
おいてCu容器中に単芯線を充填する方法以外の簡便な
方法が採用できれば、製造方法の簡便化、コストの低減
ばかりでなく、超電導特性の向上が計れる。
【0008】そこで、特公昭54―22758号公報
に、改善された複合ビレットの製造方法が示されてい
る。即ち、縦方向に複数本の孔を開けた銅ブロックの複
数個を積み重ねたものに超電導材料棒を挿入した後、銅
ブロックの両端に銀蓋を当て、銅ブロック積層円周部を
真空中で電子ビーム溶接して押しだし用ビレットを製造
する。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来法では、真空中での多数回の電子ビーム溶接が必要で
あり、製造工程が複雑になり製造コストが増大するこ
と、さらに、各銅ブロック同士の接触面が溶接時の融け
込み深さ(2mm)しかなく、その後の断面減少加工時
に断線が頻繁におこるという課題があった。
【0010】
【0011】本発明は、かかる課題を解決するためにな
されたもので、加工性が向上して歩留まりが良くなり、
さらに製造時間の短縮と製造コストの低減が達成できる
超電導線材の製造方法を得ることを目的とするものであ
る。
【0012】
【0013】また、容易な超電導線材の製造方法を得る
ことができる。
【0014】
【0015】
【0016】
【課題を解決するための手段】本発明の超電導線材の製
造方法は、Cu基金属板に孔を空ける工程、この各金属
板の各孔が重なるように、複数枚の上記孔の開いたCu
基金属板を支持容器に積層して積層体を得る工程、この
積層体の孔に熱処理により超電導体となる材料を充填す
る工程、上記支持容器内を排気密封して複合ビレットを
得る工程、上記複合ビレットを熱間加圧処理して支持容
器、積層体および充填材同士を密着させる工程、その後
に押出し加工する工程並びにその後に断面減少加工し、
熱処理して超電導体を得る工程を施すものである。
【0017】本発明の別の発明の超電導線材の製造方法
は、Cu基金属板に孔を空ける工程、この各金属板の各
孔が重なるように、複数枚の上記孔の開いたCu基金属
板を支持容器に積層して積層体を得る工程、この積層体
の孔に超電導体を充填する工程、上記支持容器内を排気
密封して複合ビレットを得る工程、上記複合ビレットを
熱間加圧処理して支持容器、積層体および充填材同士を
密着させる工程、その後に押出し加工する工程並びにそ
の後に断面減少加工する工程を施すものである。
【0018】また、本発明において、熱間加圧処理する
工程の後、熱処理する前に、上記Cu基金属板とは化学
的に反応せず、上記支持容器を化学的に除去する工程を
施すものである。また、上記支持容器がFeまたはNi
製であり、上記複合ビレットを塩酸に浸漬することによ
り支持容器を除去する。
【0019】
【0020】
【作用】本発明において、複合ビレットの製造が容易に
なり、しかも、複合ビレットの製造方法の変更および熱
間加圧処理を施すこと以外の線材化プロセスはそのまま
踏襲することで超電導線材を得ることが可能であり、従
来の装置を利用できると共に、製造時間の短縮および製
造コストの低減が達成できる。また、複合ビレットを熱
間加圧処理することにより支持体、積層体および充填材
(超電導体または熱処理により超電導体となる材料)同
士が密着するので、その後の断面減少加工時の断線が防
止できる。さらに、従来は六角棒の形状により詰め方が
限定されていたのに対し、本発明では自由に孔が開けら
れるので、複合ビレット設計の自由度が大幅に向上する
ため、最適設計した複合ビレットを加工することによ
り、また、複合ビレットは加工による断面形状の変化が
抑えられることにより従来よりも超電導特性の向上した
超電導線材が製造可能になった。
【0021】また、複合ビレットを例えば熱間等方性加
圧処理等の熱間加圧処理することにより、支持容器、積
層体および充填材同士の密着性を向上させることになる
ので、その後のビレットの断面減少加工時の加工性がさ
らに向上する。即ち、複合ビレットの断面減少加工時の
加工度が大きく取れ、さらに製造時間の短縮が図られる
と共に、加工時の断線を防止することができて歩留まり
が良くなり、製造コストがさらに低減できる。
【0022】また、支持容器分を除去するので、線材の
電流密度が増し特性が向上し、しかも化学的に支持容器
分を除去するのでプロセスが簡便化でき、製造時間の短
縮化と製造コストの低減が達成できる。
【0023】
【0024】
【実施例】
実施例1.NbTi合金を直径5.9mmの丸棒状に冷
間加工する。この丸棒を337本作製しておく。次に、
直径159.8mm、厚さ5mmの無酸素銅の円盤上の
直径154mm以下の領域に存在する3角格子(格子間
距離:7.8mm)の格子点に直径6.0mmの孔を3
37個、NCボール盤により穿孔する。図1は、本発明
の一実施例に係わる孔を開けたCu基金属板である無酸
素銅の円盤の平面図であり、図において、1はCu基金
属板、2は孔である。この円盤を60枚作製し、孔の位
置が合うように、外径180mm、内径160mmの無
酸素銅の容器(支持容器)中に積層して積層体を得、そ
の孔に上述のNbTi棒を挿入して充填する。図2は、
本発明の一実施例に係わる積層体にNbTi棒を充填す
る状態を支持容器の一部を切り欠いて示す斜視図であ
り、3はNbTi棒、4は支持容器である。最後に内部
を真空引きして蓋を溶接することで本発明の一実施例に
係わる複合ビレットを製造した。なお、60枚重ねられ
た無酸素銅円盤へのNbTi棒の挿入は容易であった。
なお、上記複合ビレットを用いて従来の方法でNbTi
超電導線材を製造することができる。
【0025】比較例1.NbTi合金を直径5.0m
m、長さ330mmの丸棒状に冷間加工する。この丸棒
を73本作製しておく。次に、直径73mm、厚さ30
mmの無酸素銅に直径5.5mmの孔を73個穿孔す
る。この円盤を11個作製し、孔の位置が合うように積
層して、その孔に上述のNbTi棒を挿入した。この複
合銅ブロックの両端に無酸素銅の上板および底板を当
て、この積層円周部を真空中で電子ビーム溶接し、直径
73mm、全長400mmの複合ビレットを作製した。
その後、複合ビレットを熱間で押し出し加工した後、断
面減少加工し、直径0.52mmのNbTi超電導線材
を製造した。
【0026】比較例2.NbTi合金を丸棒状に冷間加
工する。この丸棒をCuチューブ中に挿入し断面減少加
工することで、1辺4.5mmの6角形の断面を持つ単
芯線(NbTiの占積率:53.7%)を得る。この単
芯線を313本作製しておく。次に、このCu/NbT
i単芯線を外径180mm、内径156mmの無酸素銅
の容器中に、313本細密充填し、更に充填密度を高め
るために、隙間に無酸素銅の細線を充填した。次に、内
部を真空引きして蓋を溶接した。
【0027】実施例2.直径159.8mm、厚さ5m
mの無酸素銅の円盤上の直径79mm以上154mm以
下の領域に存在する3角格子(格子間距離:7.8m
m)の格子点に直径6.0mmの孔を246個、NCボ
ール盤により穿孔した。図3は、本発明の他の実施例に
係わる孔を開けたCu基金属板である無酸素銅の円盤の
平面図である。実施例1と同様に、この円盤を60枚、
孔の位置が合うように、外径180mm、内径160m
mの無酸素銅の容器中に挿入した。次に、直径5.9m
mのNb棒をその孔に246本充填し、最後に内部を真
空引きして蓋を溶接することで複合ビレットを製造し
た。なお、無酸素銅円盤へのNb棒の挿入は容易であっ
た。上記のようにして得られた複合ビレットを50mm
の径に押出し加工し、両端を切断した。この外周部を切
削し、中央の銅の部分に19mmの径の孔をドリルで空
け、そこに18.8mmのSn棒を挿入して、9.8m
mまで引抜き加工を行なった。表面を洗浄した後に、こ
の外側に外径11mm、内径10mmのSnの拡散バリ
ヤとなるTaチューブ、更にその外側に外径16mm、
内径11.2mmの安定化のための無酸素銅チューブを
かぶせ、最終0.2mmの径まで引き抜き加工を行なっ
た。加工性は極めて良好であった。得られた線材を窒素
ガス雰囲気中、600〜750℃で30〜200時間熱
処理を行なった。得られた線材の仕様を表1に示す。
【0028】
【表1】
【0029】比較例3.外径180mm、内径156m
mの無酸素銅の容器中に、1辺4.5mmの6角形の断
面の無酸素銅の棒を中央部に91本、同じ寸法の銅被覆
Nb単芯線(Nbの占積率:53.7%)をその周囲に
222本細密充填し、更に充填密度を高めるために、隙
間に無酸素銅の細線を充填した。次に、内部を真空引き
して蓋を溶接した。上記のようにして得られた複合ビレ
ットを50mmの径に押出し加工し、両端を切断した。
この外周部を切削し、中央の銅の部分に19mmの径の
孔をドリルで空け、そこに18.8mmのSn棒を挿入
して、9.8mmまで引抜き加工を行なった。その後、
実施例2と同様のプロセスで、最終0.2mmの径の超
電導線材を製造した。得られた線材の仕様を表1に示
す。
【0030】実施例3.直径159.8mm、厚さ5m
mの無酸素銅の円盤上の直径79mm以上151mm以
下の領域に同心円上に直径6.0mmの孔を232個
(平均間隔:8.6mm)、NCボール盤により穿孔す
る。図4は、本発明のさらに他の実施例に係わる孔を開
けたCu基金属板である無酸素銅の円盤の平面図であ
る。この円盤を60枚、孔の位置が合うように、外径1
80mm、内径160mmの無酸素銅の容器中に挿入し
た。次に、直径5.9mmのNb棒を上述の孔に充填
し、最後に内部を真空引きして蓋を溶接することで複合
ビレットを製造した。なお、無酸素銅円盤へのNb棒の
挿入は容易であった。この複合ビレットを実施例2と同
様なプロセスにより加工を行い、最終線径0.2mmの
Nb3Sn超電導線材を製造した。得られた線材の仕様
を表1に示すように、従来よりも更にNb3Snフィラ
メントの平均間隔の大きな線材が得られた。
【0031】実施例4.実施例3と同様に、直径15
9.8mm、厚さ5mmの無酸素銅の円盤上に直径6.
0mmの孔を232個、NCボール盤により穿孔し、こ
の円盤を60枚、孔の位置が合うように、外径180m
m、内径160mmの無酸素銅の容器中に挿入した。次
に、直径5.9mmのNb棒を上述の孔に充填し、最後
に内部を真空引きして蓋を溶接することで複合ビレット
を製造した。その後、この複合ビレットに圧力2ton
/cm2、温度600℃の条件で、2時間、HIP(熱
間等方性加圧)処理を施した。この処理によりビレット
の外径は179mmとなり、全長は約1mm減少した。
この複合ビレットを実施例2および3と同様なプロセス
により加工を行い、最終線径0.2mmのNb3Sn超
電導線材を製造した。
【0032】実施例5.実施例3および4と同様に、直
径159.8mm、厚さ5mmの無酸素銅の円盤上に直
径6.0mmの孔を232個、NCボール盤により穿孔
し、この円盤を60枚、孔の位置が合うように、外径1
80mm、内径160mmの純鉄製の容器中に挿入し
た。次に、直径5.9mmのNb棒を上述の孔に充填
し、最後に内部を真空引きして蓋を溶接することで複合
ビレットを製造した。その後、この複合ビレットに実施
例4と同様に、HIP(熱間等方性加圧)処理を施した
後、実施例2、3および4と同様に、50mmの計に押
し出し加工した。次に、このビレットを1規定の塩酸中
に浸漬し、外周の純鉄製容器部分を溶解した。純鉄の溶
解は極めて容易であった。その後、実施例2、3および
4と同様に、中央の銅の部分に孔を開け、Sn棒を挿入
して、引き抜き加工を行った後、外側にTaチューブ、
無酸素銅チューブをかぶせ、最終線径0.2mmまで引
き抜き加工を行い、得られた線材に熱処理加工を施すこ
とでNb3Sn超電導線材を製造した。得られた線材の
仕様は表1の実施例3とほぼ同様であった。
【0033】上記実施例に示したように、複合ビレット
を製造する方法として、従来の単芯線を無酸素銅容器中
に多数挿入する方法に代えて、NbまたはNbTi棒を
無酸素銅容器中に組み立てられた複数枚の無酸素銅円盤
(積層体)の孔に挿入するプロセスを採用することで、
従来必要であった、銅被覆NbまたはNbTi単芯線を
製造するプロセスと、充填密度を高めるために、隙間に
無酸素銅の細線を充填するプロセスとを省略することが
できプロセスが大幅に簡便化できた。これにより、製造
時間の短縮化が図られ、製造コストの低減も達成でき
た。
【0034】さらに、排気密封された複合ビレットに例
えばHIP処理等の熱間加圧処理を施すことは、処理に
よるビレットサイズの変化から解るように、無酸素銅容
器、無酸素銅円盤(積層体)および充填されたNb棒同
士の密着性を向上させることになるので、その後のビレ
ットの断面減少加工時の加工性がさらに向上する。即
ち、複合ビレットの断面減少加工時の加工度が大きくと
れ、さらに製造時間の短縮が図られると共に、加工時の
断線率がほぼ零にまで向上するので歩留まりが向上し、
製造コストがさらに低減できた。
【0035】また、実施例2、3および4で示したよう
に、線材の電流密度を増す為に行う押し出し加工後の複
合ビレットの両端部分の切断工程、外周部の切削工程の
代わりに、Cu基金属板とは化学的に反応せず、上記支
持容器を化学的に除去できれば、プロセスが簡略化で
き、さらに製造時間の短縮が図られ、製造コストの低減
も達成できる。そこで、支持容器として純鉄を用いて複
合ビレットを製造し、それを押し出し加工後、塩酸に浸
漬すると、積層体の無酸素銅円盤を損なうことなく、純
鉄容器部分を溶解することができた。
【0036】また、本発明に係わる複合ビレット内のC
u基マトリックス中にNbまたはNbTiフィラメント
が丸棒状に埋設しているため、後述するが、上記複合ビ
レットを用いて超電導線材を製造した場合、断面減少加
工によってもフィラメントの断面形状変化を最小限に抑
えることができ、従来のような断面減少加工によるフィ
ラメントの変形が防止され、したがって、従来と同じフ
ィラメント占積率でも、生成される超電導フィラメント
の有効間隔が広がり、交流損失の低減というメリットも
生じた。
【0037】また、この方法では無酸素銅円盤に空ける
孔の形状、分布状態を自由に設定できるため、複合ビレ
ットの設計の自由度が大きく向上し、後述するが、本発
明に係わる複合ビレットを用いて超電導線材を製造した
場合、断面形状を最適設計することにより、生成される
超電導のフィラメントの有効間隔を広げることが可能と
なり、交流損失の低減というメリットも生じた。
【0038】上記実施例と比較例を比較すると、本発明
に係わる複合ビレットを用いても従来のビレットと同様
な加工を施すことで超電導線が得られることがわかる。
図5および図6は各々実施例2および比較例3により得
られたNb3Sn超電導線の一部断面図であり、図にお
いて、5はCuマトリックス、6はNb3Snフィラメ
ントである。上図より、従来の比較例3の場合では、断
面減少加工によりフィラメントが大きな変形を受けてい
るのに対し、実施例2の場合、加工によるフィラメント
の断面形状変化が最小限に抑えられていることがわか
る。
【0039】一般に、超電導線材の線径を細くしていく
と超電導フィラメント間の距離が非常に短くなるだけで
なく、上述したように加工によりフィラメントの断面形
状に変形を生じる。このため超電導フィラメント間の一
部または大部分に物理的結合および近接効果による超電
導的結合を生じ、電気的特性から求められる有効フィラ
メント径は実際のフィラメント径より大きくなり、交流
損失が大きくなるという問題点も生じる。表2に得られ
た超電導線材の平均フィラメント径および間隔と有効フ
ィラメント径の実測値を示す。
【0040】
【表2】
【0041】表2に示されるように、有効フィラメント
径は、従来の方法による比較例3の値に対し、実施例2
では58%、実施例3では42%にそれぞれ細くするこ
とができた。これは、実施例2の場合、図5に示したよ
うに、複合ビレット内のCu基マトリックス中にNbフ
ィラメントが丸棒状に埋設されているため、加工による
断面形状の変化が最小限に抑えられたことによる。ま
た、実施例3ではビレット構成を最適設計したことによ
る。即ち、臨界電流が大きく取れ、かつ交流損失の低減
が計れるように、適宜孔を空けるのである。このため比
較例に対し実施例では大幅な交流損失の低減が達成され
た。また、得られた3種類の超電導線材の4.2Kにお
ける臨界電流の磁界依存性を測定した結果、有意差は認
められなかった。
【0042】なお、本発明において、Cu基金属、Nb
ないしV基金属及びSnないしGa基金属のうち少なく
とも1つに、Ti、In、Ge、Si、Al、Ta、H
f、Zr、W、Moで代表される元素、あるいは、その
うち少なくとも1種類以上の元素が含まれている合金を
添加することでJcを向上させる事は可能で、本発明は
こうした元素添加を妨げるものではない。
【0043】本発明に係わるCu基金属板として、純C
u並びにCuとSn、Ga、Ti、In、Ge、Siお
よびAlの内の少なくとも一種とから成るCu基合金が
用いられる。
【0044】本発明に係わるCu基金属板に充填され、
熱処理により超電導体となる材料および超電導体とし
て、純Nb、純V、並びにNbまたはVとTi、Ta、
Hf、Zr、W、Moの内の少なくとも一種とから成る
NbまたはV基金属材が用いられる。
【0045】さらに、本発明において、Cu基金属容器
および円盤の形状、Cu基金属円盤に挿入するNbまた
はV基金属材の本数、形状等は特に限定されるものでは
ない。
【0046】また、本発明において、Cu基金属板への
穿孔はNCボール盤により行ったが、Cu基金属板の厚
みを1mm程度に薄くし、パンチ抜きによる穿孔も可能
であるが、上記板の孔開け加工にとって、Cu基金属板
の厚みが、孔の径の3倍以下であるのが望ましい。
【0047】本発明に係わる支持容器として、純Cu、
CuとSn、Ga、Ti、In、Ge、SiおよびAl
の内の少なくとも一種とから成るCu基合金、並びにス
テンレススチールやカーボンのようなCuの融点以下で
Cuと殆ど反応しない材料の金型が用いられる。さら
に、支持容器として、上記加工を損なうことの無い延性
を有し、しかもCu基金属板は反応せずに化学的に除
去できようなものを選べば、押し出し加工後の複合ビ
レットの両端部分の切断工程、外周部の切削工程の代わ
りに、支持容器を化学的に容易に除去することができ、
プロセスが簡略化でき、さらに製造時間の短縮が図ら
れ、製造コストの低減も達成できる。そこで、支持容器
としては、例えばFeおよびNi等のCuよりイオン化
傾向の大きい金属が用いられ、酸処理により除去され
る。
【0048】本発明により製造した複合ビレットに断面
減少加工を施した複合体(単モジュール材)を製造し、
この単モジュール材を多数本、Cu基金属に挿入後、断
面減少加工、熱処理することで多モジュール線を製造で
きる。このプロセスを繰り返すことで超極細多芯超電導
線材を製造することが可能である。
【0049】また、本発明において、本発明により製造
した複合ビレットを用いたNb3Sn超電導線材の製造
方法として内部拡散法による場合のみを示したが、従来
行われているその他の方法によっても、Nb3Sn超電
導線材を製造できることはいうまでもない。
【0050】
【0051】
【発明の効果】本発明は、Cu基金属板に孔を空ける工
程、この各金属板の各孔が重なるように、複数枚の上記
孔の開いたCu基金属板を支持容器に積層して積層体を
得る工程、この積層体の孔に熱処理により超電導体とな
る材料を充填する工程、上記支持容器内を排気密封して
複合ビレットを得る工程、上記複合ビレットを熱間加圧
処理して支持容器、積層体および充填材同士を密着させ
る工程、その後に押出し加工する工程並びにその後に
面減少加工し、熱処理して超電導体を得る工程を施すこ
とにより、また、Cu基金属板に孔を空ける工程、この
各金属板の各孔が重なるように、複数枚の上記孔の開い
たCu基金属板を支持容器に積層して積層体を得る工
程、この積層体の孔に超電導体を充填する工程、上記支
持容器内を排気密封して複合ビレットを得る工程、上記
複合ビレットを熱間加圧処理して支持容器、積層体およ
び充填材同士を密着させる工程、その後に押出し加工す
る工程並びにその後に断面減少加工する工程を施すこと
により、加工性が向上して歩留まりが良くなり、さらに
製造時間の短縮と製造コストの低減が達成できる超電導
線材の製造方法を得ることができる。
【0052】また、熱間加圧処理する工程の後、熱処理
する前に、上記Cu基金属板とは化学的に反応せず、上
記支持容器を化学的に除去する工程を施すことにより、
さらに製造時間の短縮と製造コストの低減が達成でき、
さらに超電導特性の向上した超電導線材の製造方法を得
ることができる。また、上記支持容器がFeまたはNi
製であり、上記複合ビレットを塩酸に浸漬することによ
り支持容器を除去することができる。
【0053】
【図面の簡単な説明】
【図1】 実施例1の孔を開けたCu基金属板の平面図
である。
【図2】 実施例1の積層体にNbTi棒を充填した状
態を支持容器の一部を切り欠いて示す斜視図である。
【図3】 実施例2の孔を開けたCu基金属板の平面図
である。
【図4】 実施例3の孔を開けたCu基金属板の平面図
である。
【図5】 実施例2により得られたNb3Sn超電導線
の一部断面図である。
【図6】 比較例3により得られたNb3Sn超電導線
の一部断面図である。
【符号の説明】
1 Cu基金属板、 2 孔、 3 NbTi
棒、 4 支持容器、5 Cuマトリックス、 6
Nb3Snフィラメント。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 内川 英興 尼崎市塚口本町8丁目1番1号 三菱電 機株式会社 材料デバイス研究所内 (72)発明者 宮下 章志 尼崎市塚口本町8丁目1番1号 三菱電 機株式会社 材料デバイス研究所内 (72)発明者 樋熊 弘子 尼崎市塚口本町8丁目1番1号 三菱電 機株式会社 材料デバイス研究所内 (56)参考文献 特開 昭49−1193(JP,A) 特開 昭64−27130(JP,A) 特開 昭48−75190(JP,A) 特開 昭63−292527(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) H01B 13/00 563 H01B 12/10 H01B 19/00 B21F

Claims (4)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 Cu基金属板に孔を空ける工程、この各
    金属板の各孔が重なるように、複数枚の上記孔の開いた
    Cu基金属板を支持容器に積層して積層体を得る工程、
    この積層体の孔に熱処理により超電導体となる材料を充
    填する工程、上記支持容器内を排気密封して複合ビレッ
    トを得る工程、上記複合ビレットを熱間加圧処理して支
    持容器、積層体および充填材同士を密着させる工程、そ
    の後に押出し加工する工程並びにその後に断面減少加工
    し、熱処理して超電導体を得る工程を施す超電導線材の
    製造方法。
  2. 【請求項2】 Cu基金属板に孔を空ける工程、この各
    金属板の各孔が重なるように、複数枚の上記孔の開いた
    Cu基金属板を支持容器に積層して積層体を得る工程、
    この積層体の孔に超電導体を充填する工程、上記支持容
    器内を排気密封して複合ビレットを得る工程、上記複合
    ビレットを熱間加圧処理して支持容器、積層体および充
    填材同士を密着させる工程、その後に押出し加工する工
    程並びにその後に断面減少加工する工程を施す超電導線
    材の製造方法。
  3. 【請求項3】 特許請求の範囲第1項に記載のものにお
    いて、熱間加圧処理する工程の後、熱処理する前に、上
    記Cu基金属板とは化学的に反応せず、上記支持容器を
    化学的に除去する工程を施すことを特徴とする超電導線
    材の製造方法。
  4. 【請求項4】 特許請求の範囲第3項に記載のものにお
    いて、上記支持容器がFeまたはNi製であり、上記複
    合ビレットを塩酸に浸漬することにより支持容器を除去
    することを特徴とする超電導線材の製造方法。
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