JP2867275B2 - 電流検出器 - Google Patents

電流検出器

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JP2867275B2 JP1307738A JP30773889A JP2867275B2 JP 2867275 B2 JP2867275 B2 JP 2867275B2 JP 1307738 A JP1307738 A JP 1307738A JP 30773889 A JP30773889 A JP 30773889A JP 2867275 B2 JP2867275 B2 JP 2867275B2
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Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は,電子機器または電子機械等に使用される電
流検出器に関するもので,特にトロイダル状の強磁性体
コアの一部にギャップを設け,該ギャップ内に感磁素子
を構成した方式の電流検出器の強磁性体のコアの構成に
関するものである。
[従来の技術] 従来,この種の電流検出器(第2図)に於いては,磁
気回路を形成する部分に使用されている強磁性体コア3
には,特に検出電流範囲を広げるために飽和磁速密度の
高い強磁性材料Aまたは検出誤差を小さくするために保
磁力の小さい強磁性材料Bが使用され,ホール素子,ま
たは磁気抵抗効果素子のような感磁素子2を挿入する磁
気ギャップ1を形成し,その磁気ギャップ1に感磁素子
2を挿入して貫通電線5に流れる被測定電流に比例した
磁界が発生する磁気ギャップ1内に挿入した感磁素子2
により,電流の大きさに比例した出力電圧を得ている。
感磁素子2で検出した貫通電線5の電流に比例した出
力電圧は,信号増幅回路によって増幅されて電流の大き
さに比例した出力電圧を得ることにより,貫通電流の大
きさを検出している。
[発明が解決しようとする課題] しかしながら,従来の電流検出器に於いて,磁気回路
を形成する部分に使用されている強磁性体コアのヒステ
リシス特性によりギャップ内に発生する残留磁気はその
まま増幅され検出誤差(ヒステリシス電圧)として出力
される。又,強磁性体コアの飽和磁束密度は直接検出電
流範囲に影響する。この強磁性体コアを構成する強磁性
材料が電流検出器の性能を決定する大きな要因となって
いるが,飽和磁束密度の高い強磁性材料Aは,保磁力も
大きいという欠点がある。
従って,強磁性体Aを使用した電流検出器は第4図
に示すように,検出電流範囲は大きいがヒステリシス電
圧も大きいという特性を持つ。また保磁力の小さな強磁
性材料Bは,第4図に示すようにヒステリシス電圧は
低いが飽和磁束密度が低いために検出電流範囲が小さく
なり,大電流検出器には使用し得なかった。この強磁性
材料の選択により検出電流範囲が大きく検出誤差も大き
い電流検出器(第4図)または検出誤差は小さく検出
電流範囲が小さい電流検出器(第4図 )に制限され,検出電流範囲に応じたヒステリシス電圧
の小さい電流検出器の設計が困難だった。
[課題を解決するための手段] 本発明によれば,従来のかかる欠点を除くため,トロ
イダル状強磁性体コアの磁路の一部にギャップを設け,
該ギャップ内に感磁素子を挿入した電流検出器の強磁性
体コアにおいて,該強磁性体コアのギャップ部分に他の
強磁性材料を挿入することによって,飽和磁束密度,保
磁力の異なる二種類の強磁性材料の直列接続でコアを構
成したことを特徴とする電流検出器が得られる。
[発明の構成] トロイダル状の強磁性体コアの磁路の一部にギャップ
を設け該ギャップ内に感磁素子を挿入構成した電流検出
器の強磁性体コアに於いて,第3図に示すように飽和磁
束密度の高く保磁力の大きな強磁性材料Aで形成するト
ロイダル状の強自省愛コア3のギャップ部分を拡大し,
強磁性体Aの体積を減少させ,コアの残留磁気を減少さ
せることによりヒステリシス電圧を低減させる一方,磁
気ギャップ1の拡大により電流検出器の感度が低下する
のをその拡大したギャップの分に保磁力が小さく飽和磁
束密度の低い強磁性材料Bを挿入することでおさえる。
以上のように方を磁束密度と保磁力の違う二種類のを強
磁性材料を組み合わせて第1図に示すような強磁性体コ
アを構成し,電流検出器のヒステリシス電圧と検出電流
範囲を任意に設計できるようにしたことを特徴とする。
[作用] 第1図のように構成した電流検出器のコアは,強磁性
体コア全体に対する保磁力の大きな強磁性材料Aの割合
が減少したことにより残留磁気が減少し,強磁性材料A
のみでコアを構成した電流検出器よりヒステリシス電圧
を低減している。又,拡大した磁気ギャップ1部分に保
磁力の小さな強磁性材料Bを挿入することで,電流検出
器としての感度の低下を抑えている。検出電流範囲はギ
ャップ1部分の飽和磁束密度の小さい強磁性材料Bの飽
和点で決定されるが,磁気ギャップ1付近の磁束密度は
ギャップに近くなるほど小さく分布しており,強磁性対
コアの平均磁束密度が強磁性材料Bの飽和磁束密度を越
えてもギャップ1部分に薄く挿入されている程,強磁性
材料Bは飽和しない。強磁性材料Bの割合が大きいほど
ヒステリシス電圧は小さくなり,ギャップ部の強磁性材
料Bが薄いほど検出電流範囲が大きくなる。よって第1
図に示すように構成した強磁性対コアを電流検出器に用
いることによって,二つの共磁性材料の飽和磁束密度と
保磁力のかねあいで,A,B両強磁性体の割合によって強磁
性材料Aまたは強磁性材料Bのみを用いた電流検出器の
中間の特性を持つ,任意の電流検出器を設計することが
できる。
[実施例] 実施例について図面を参照して説明すると,第2図は
従来の電流検出器の構成正面図である。トロイダル状の
強磁性体コア3に被測定電流を流す貫通電線5を貫通さ
せ,該貫通電線5の電流によって生じる磁束を強磁性体
コア3のが集束し,該強磁性体コア3の磁気ギャップ1
の空間に磁束を生じさせ,磁気ギャップ1の磁束を感磁
素子2にて磁束の強さを測定するものである。第2図の
電流検出器で,強磁性体コア3に方向性硅素鋼及びパー
マロイのみを使用したときの検出電流範囲とヒステリシ
ス電圧を第4図,に示す。
第3図は本発明の電流検出器の強磁性コア一実施例の
構成である。飽和磁束密度高く,保磁力の大きい強磁性
材料である方向性硅素鋼と,飽和磁束密度が低く,保磁
力の小さい強磁性材料であるパーマロイの直列接続によ
って実施例(第3図(イ),(ロ),(ハ)に示す)の
様な強磁性体コアを構成している。検出電流範囲を広く
するために,方向性硅素鋼によりトロイダル状のコア3
を形成し,その硅素鋼コア3に感磁素子を挿入するため
の磁気ギャップ1に加えてパーマロイ4を挿入するため
のギャップを形成し,硅素鋼コアと同断面積のパーマロ
イ薄板を積層して拡大したギャップ1に挿入する。保磁
力の大きい方向性硅素鋼が,挿入したパーマロイの体積
分だけ減少し,又パーマロイの保磁力は方向性硅素鋼の
1/10以下と小さいためコア全体の残留磁気が減少し,ヒ
ステリシス電圧が減少する。パーマロイ4はギャップの
拡大による電流検出器の感度の低下を抑えている。検出
電流範囲は,飽和磁束密度の小さいパーマロイ4の飽和
点で決定されるが,強磁性体コアのギャップ1付近はコ
ア全体と比較して磁束密度が小さく,ギャップ部のパー
マロイ4が薄いほど方向性硅素鋼に近い検出電流範囲を
得ることができる。第2図の電流検出器の強磁性体コア
に,本実施例の第3図(イ)を使用したときの検出電流
範囲及びヒステリシス電圧を第4図に示す。
[発明の効果] 以上の発明により明らかなように本発明によれば,電
流検出器のトロイダル状の強磁性体コアに於いて,飽和
磁束密度の高い強磁性材料Aで形成された空隙の大きな
強磁性体コアに保磁力の小さい強磁性材料Bを挿入する
ことによって,特に飽和磁束密度の低い強磁性材料Bの
強磁性体コアを使用できない大電流検出器において,任
意の用途及び検出電流範囲に応じたヒステリシス電圧の
小さい電流検出器の提供が可能となった。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例の電流検出器の強磁性体コア
部分,第2図は一般に用いられている電流検出器の構成
を示す構成正面図,第3図は本発明の電流検出器の一実
施例を示す図,第4図(イ)は従来及び本発明の一実施
例の電流検出器の検出電流(入力電流)範囲と出力電圧
との関係を示す図,第4図(ロ)は従来及び本発明の一
実施例の電流検出器の検出電流範囲とヒステリシス電圧
との関係を示す図。 方向性硅素鋼コアを使用した電流検出器。 本発明の実施例(方向性硅素鋼+パーマロイ)コアを
使用した電流検出器。パーマロイコアを使用した電流
検出器。 1……磁気ギャップ,2……感磁素子,3……強磁性材料A
(方向性硅素鋼),4……強磁性材料B(パーマロイ),5
……貫通電線,6……回路部品,7……回路実装基板,8……
外部端子。
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) G01R 15/20 G01R 33/06 - 33/09

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】トロイダル状強磁性体コアの磁路の一部に
    ギャップを設け,該ギャップ内に感磁素子を挿入構成し
    た電流検出器の強磁性体コアにおいて,該強磁性体コア
    のギャップ部分に他の強磁性材料を挿入することによっ
    て,飽和磁束密度,保磁力の異なる二種類の強磁性材料
    の直列接続でコアを構成したことを特徴とする電流検出
    器。
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JP3231213B2 (ja) * 1995-04-04 2001-11-19 松下電器産業株式会社 光センサ装置及びその製造方法
WO2023223428A1 (ja) * 2022-05-17 2023-11-23 三菱電機株式会社 電流センサ

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