WO2023223428A1

WO2023223428A1 - 電流センサ

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Publication number: WO2023223428A1
Application number: PCT/JP2022/020541
Authority: WO
Inventors: 和式井上; 宗樹中田
Original assignee: 三菱電機株式会社
Priority date: 2022-05-17
Filing date: 2022-05-17
Publication date: 2023-11-23

Abstract

電流センサ（１００）は、電流線（８）と、磁気コア（１）と、主基板（５）とを有している。磁気コア（１）において、ギャップ（２）が設けられている。主基板（５）は、ギャップ（２）に配置されている。磁気コア（１）は、第１面（１１）と、第２面（２１）とを有している。第２面（２１）は、第１面（１１）に対面している。ギャップ（２）は、第１面（１１）と第２面（２１）との間に形成されている。磁気コア（１）とギャップ（２）とは、電流線（８）を取り囲んでいる。主基板（５）において、第１素子（３）が設けられている。第１素子（３）は、電流線（８）に流れる電流によって生じる磁束を検出する。第１面（１１）から第２面（２１）に向かう方向に見て、第１素子（３）は、第１面（１１）および第２面（２１）の各々と重なっている。主基板（５）は、透光性の材料によって構成されている。

Description

電流センサ

　本開示は、電流センサに関する。

　電流線に流れる大電流を測定するための安価な電流センサとして、変流器（カレントトランス。ＣＴ：Ｃｕｒｒｅｎｔ　Ｔｒａｎｓｆｏｒｍｅｒ）方式を用いた電流センサがある。ＣＴ方式を用いた電流センサによれば、磁気コアに検出コイル（２次電流線）が巻き付けられている。磁気コアは、電流線（１次電流線）を取り囲んでいる。電流線を流れる電流に起因して、磁気コア内において磁束変化が生じる。これによって検出コイルにおいて誘導電圧が生じる。誘導電圧を測定することによって、電流センサは、電流線を流れる電流の電流値を測定する。しかしながら、検出コイルが磁気コアに直接巻き付けられている場合、電流線に大電流が流された際に、電流センサは、磁気コアにおける磁気飽和の影響を直接的に受けやすい。このため、電流センサにおける電流値の測定誤差が大きくなる。そこで、磁気コアの一部にギャップを設け、ギャップ内に配置されたコイルパターン等の素子を用いて、ギャップにおける漏れ磁束に起因する誘導電圧を測定する電流センサが考案されている。このような電流センサの一例として、特開２０１０－４８７５５号公報（特許文献１）には、主基板と、コイルパターンとを有している電流センサが開示されている。

特開２０１０－４８７５５号公報

　上記電流センサでは、ギャップを形成する磁気コアの面の内、コイルパターンと対面する磁気コアの面と、コイルパターンとの間で位置合わせが行われる。しかしながら、主基板に対してコイルパターンの反対側にある磁気コアの面とコイルパターンとの間の位置合わせを行うことが困難である。このため、ギャップを形成する面と、コイルパターンとの間で位置ずれが生じることがある。位置ずれが生じた場合、電流センサの検出感度が低下するおそれがある。

　本開示は、上記に鑑みてなされたものであり、その目的は、検出感度の高い電流センサを提供することである。

　本開示に係る電流センサは、電流線と、磁気コアと、主基板とを備えている。磁気コアにおいて、ギャップが設けられている。主基板は、ギャップに配置されている。磁気コアは、第１面と、第２面とを有している。第２面は、第１面に対面している。ギャップは、第１面と第２面との間に形成されている。磁気コアとギャップとは、電流線を取り囲んでいる。主基板において、第１素子が設けられている。第１素子は、電流線に流れる電流によって生じる磁束を検出する。第１面から第２面に向かう方向に見て、第１素子は、第１面および第２面の各々と重なっている。主基板は、透光性の材料によって構成されている。

　本開示に係る電流センサによれば、主基板は透光性の材料によって構成されている。このため、主基板に対して第１素子の反対側にある磁気コアの面と第１素子との間の位置合わせを行うことができる。これによって、検出感度の高い電流センサを提供することができる。

実施の形態１に係る電流センサの構成を概略的に示す斜視模式図である。実施の形態１に係る磁気コアおよび電流線の各々の構成を概略的に示す正面模式図である。実施の形態１に係る電流センサの構成を概略的に示す断面模式図である。実施の形態１に係る電流センサの構成を概略的に示す第１平面模式図である。実施の形態１に係る電流センサの構成を概略的に示す第２平面模式図である。実施の形態１に係る基板構造体の構成を概略的に示す拡大平面模式図である。図６のＶＩＩ－ＶＩＩ線に沿う拡大断面模式図である。実施の形態１に係る電流センサの製造方法を概略的に示すフロー図である。実施の形態１に係る基板構造体作製工程を概略的に示す拡大断面模式図である。実施の形態１に係る組立工程を概略的に示す断面模式図である。実施の形態１に係る電流センサの電流線に電流が流れている状態を概略的に示す断面模式図である。実施の形態１の変形例に係る電流センサの構成を概略的に示す断面模式図である。実施の形態２に係る電流センサの構成を概略的に示す拡大平面模式図である。実施の形態３に係る電流センサの構成を概略的に示す斜視模式図である。実施の形態３に係る電流センサの構成を概略的に示す平面模式図である。図１５のＸＶＩ－ＸＶＩ線に沿う断面模式図である。実施の形態４に係る電流センサの構成を概略的に示す断面模式図である。実施の形態５に係る電流センサの構成を概略的に示す断面模式図である。実施の形態５に係る基板構造体の構成を概略的に示す拡大平面模式図である。実施の形態５に係る基板構造体における第１素子と第２素子との間の位置関係を概略的に示す拡大平面模式図である。図１９のＸＸＩ－ＸＸＩ線に沿う拡大断面模式図である。図１９のＸＸＩＩ－ＸＸＩＩ線に沿う拡大断面模式図である。実施の形態６に係る電流センサの構成を概略的に示す拡大断面模式図である。実施の形態４に係る電流センサにおける電流線に電流が流れている状態を概略的に示す拡大断面模式図である。実施の形態６に係る電流センサにおける電流線に電流が流れている状態を概略的に示す拡大断面模式図である。実施の形態６の第１変形例に係る電流センサの構成を概略的に示す拡大断面模式図である。実施の形態６の第２変形例に係る電流センサの構成を概略的に示す拡大断面模式図である。実施の形態６の第３変形例に係る電流センサの構成を概略的に示す拡大断面模式図である。実施の形態６の第４変形例に係る電流センサの構成を概略的に示す拡大断面模式図である。実施の形態７に係る電流センサの構成を概略的に示す斜視模式図である。実施の形態７に係る磁気コアおよび電流線の各々の構成を概略的に示す正面模式図である。実施の形態７に係る電流センサの構成を概略的に示す断面模式図である。実施の形態７に係る電流センサの構成を概略的に示す第１平面模式図である。実施の形態７に係る電流センサの構成を概略的に示す第２平面模式図である。実施の形態７に係る基板構造体の構成を概略的に示す拡大平面模式図である。図３５のＸＸＸＶＩ－ＸＸＸＶＩ線に沿う拡大断面模式図である。図３５のＸＸＸＶＩＩ－ＸＸＸＶＩＩ線に沿う拡大断面模式図である。実施の形態７に係る電流センサの電流線に電流が流れている際の基板構造体の状態を概略的に示す拡大平面模式図である。実施の形態８に係る基板構造体の構成を概略的に示す拡大平面模式図である。実施の形態８に係る基板構造体における第１コイルパターン部と第２コイルパターン部との間の位置関係を概略的に示す平面模式図である。図３９のＸＸＸＸＩ－ＸＸＸＸＩ線に沿う拡大断面模式図である。図３９のＸＸＸＸＩＩ－ＸＸＸＸＩＩ線に沿う拡大断面模式図である。実施の形態８に係る電流センサの構成を概略的に示す拡大断面模式図である。実施の形態９に係る電流センサの構成を概略的に示す拡大断面模式図である。実施の形態９に係る第２素子の構成を概略的に示す平面模式図である。

　以下に本開示の実施の形態について、図面を参照して説明する。本開示は以下の説明に限定されるものではなく、磁気コアの形状、第１素子および接続配線の形状、主基板における第１素子、接続配線および測定回路の配設位置等は、一例であってこれらに限定されるものではない。また、図面に示されている各構成要素の大きさ（縦横比）、数（巻線の巻数）、位置関係（上下左右）および範囲等は、わかりやすくするために、実際の大きさ、数、位置関係および範囲等を正確に表していない場合がある。したがって、本開示は、必ずしも図面に示されている各構成要素の大きさ、数、位置関係および範囲等に限定されるものではない。

　なお、本開示の全ての図面において、同一部分や実質的に同一の機能を有する部分の構成要素には、原則として同一の符号を付している。また、本開示の図面は電流センサの主構成である電流検出部を示したものであり、本開示の全ての図面において、実際の用途に応じて実装される部材およびパッケージ筐体等は省略されている。

　実施の形態１．
　（電流センサの構成）
　図１から図５を参照して、実施の形態１に係る電流センサ１００の構成について説明する。

　図１に示されるように、電流センサ１００は、磁気コア１と、基板構造体２００と、電流線８と、基板固定部８０とを主に有している。電流線８は、電流の流路としての機能を有している。以下、電流線８に流される電流を被測定電流とも称する。磁気コア１は、被測定電流によって生じる磁束を増幅させる。基板構造体２００は、被測定電流によって生じる磁束に基づいて、被測定電流の電流値または被測定電流の電力量を計測する。基板固定部８０は、基板構造体２００を固定している。

　磁気コア１は、たとえば第１コア部１０と、第２コア部２０とによって構成されている。第１コア部１０は、第２コア部２０上にある。第１コア部１０と第２コア部２０とは、基板固定部８０および基板構造体２００を挟んでいる。

　電流線８は、第１コア部１０と第２コア部２０との間にある。電流線８は、第１コア部１０および第２コア部２０の各々から離間している。電流線８の延在する方向は、前後方向Ｙとされる。

　基板構造体２００は、主基板５と、第１絶縁膜４１と、第３絶縁膜４３と、第１素子３と、測定回路５０と、接続配線７とを有している。第１絶縁膜４１は、主基板５上に設けられている。第３絶縁膜４３は、第１絶縁膜４１上に設けられている。基板構造体２００の内部において、第１素子３と、接続配線７と、測定回路５０とが設けられている。

　第１素子３は、電流線８に流れる電流によって生じる磁束を検出する。具体的には、第１素子３に囲まれた空間における磁束密度の時間変化によって、誘導起電力が電圧信号として第１素子３に生じる。接続配線７は、第１素子３に接続されている。測定回路５０は、接続配線７に接続されている。測定回路５０は、接続配線７を介して第１素子３に接続されている。測定回路５０は、第１素子３から送られた信号を処理する。具体的には、接続配線７を介して第１素子３から測定回路５０へ、電圧信号が送られる。測定回路５０は、電圧信号に基づいて、被測定電流の電流値または被測定電流の電力量を計測する。

　接続配線７は、第１配線部７１と、第２配線部７２とを有している。第２配線部７２は、第１配線部７１から離間している。第１配線部７１および第２配線部７２の各々は、第１素子３と測定回路５０とを電気的に接続している。

　図２に示されるように、磁気コア１において、ギャップ２が設けられている。ギャップ２は、第１コア部１０と第２コア部２０との間に形成されている。磁気コア１とギャップ２とは、電流線８を取り囲んでいる。別の観点から言えば、磁気コア１とギャップ２によって構成される環状領域は、電流線８を取り囲んでいる。第１コア部１０から第２コア部２０に向かう方向に平行な方向は、上下方向Ｚとされる。上下方向Ｚは、前後方向Ｙに垂直な方向である。第１コア部１０から第２コア部２０に向かう方向は、第１方向１０１とされる。第２コア部２０から第１コア部１０に向かう方向は、第２方向１０２とされる。

　第１コア部１０は、第１コア部材１２と、第１凸部１３と、第２凸部１４とによって構成されている。第１コア部材１２の形状は、たとえば直方体状である。第１コア部材１２の延在する方向は、左右方向Ｘとされる。左右方向Ｘは、上下方向Ｚおよび前後方向Ｙの各々に垂直な方向である。

　第１凸部１３は、第１コア部材１２に連なっている。第１凸部１３は、第１コア部材１２から第１方向１０１に延びている。第２凸部１４は、第１コア部材１２に連なっている。第２凸部１４は、第１凸部１３から離間している。第２凸部１４は、第１コア部材１２から第１方向１０１に延びている。

　第２コア部２０は、第２コア部材２２と、第３凸部２３と、第４凸部２４とを有している。第２コア部材２２の形状は、たとえば直方体状である。第２コア部材２２の延在する方向は、第１コア部材１２の延在する方向と実質的に平行であってもよい。

　第３凸部２３は、第２コア部材２２に連なっている。第３凸部２３は、第２コア部材２２から第２方向１０２に延びている。第３凸部２３は、第１凸部１３と対面している。第３凸部２３は、第１凸部１３から離間している。第４凸部２４は、第２コア部材２２に連なっている。第４凸部２４は、第３凸部２３から離間している。第４凸部２４は、第２コア部材２２から第２方向１０２に延びている。第４凸部２４は、第２凸部１４に接している。

　第１コア部１０は、第１面１１と、第１外周面９１と、第１接着面１５と、第２外周面９２とを有している。第１面１１および第１外周面９１の各々は、第１凸部１３によって形成されている。第１面１１は、第２コア部２０に対面している。第１面１１は、たとえば上下方向Ｚに垂直な方向に沿って延在している。第１外周面９１は、第１面１１に連なっている。第１外周面９１は、たとえば上下方向Ｚに沿って延在している。

　第１接着面１５および第２外周面９２の各々は、第２凸部１４によって形成されている。第１接着面１５において、第１コア部１０と第２コア部２０とは接している。第１接着面１５は、たとえば上下方向Ｚに垂直な方向に沿って延在している。上下方向Ｚにおいて、第１接着面１５は、第１面１１に対して第１方向１０１側にある。第２外周面９２は、第１接着面１５に連なっている。第２外周面９２は、たとえば上下方向Ｚに沿って延在している。

　第２コア部２０は、第２面２１と、第３外周面９３と、第２接着面２５と、第４外周面９４とを有している。第２面２１および第３外周面９３の各々は、第３凸部２３によって形成されている。第２面２１は、第１面１１に対面している。第１面１１から第２面２１に向かう方向は、第１方向１０１である。第２面２１から第１面１１に向かう方向は、第２方向１０２である。第２面２１は、たとえば上下方向Ｚに垂直な方向に沿って延在している。第１面１１と第２面２１との間において、ギャップ２が形成されている。第３外周面９３は、第２面２１に連なっている。第３外周面９３は、たとえば上下方向Ｚに沿って延在している。

　第２接着面２５および第４外周面９４の各々は、第４凸部２４によって形成されている。第２接着面２５において、第１コア部１０と第２コア部２０とは接している。第２接着面２５は、たとえば上下方向Ｚに垂直な方向に沿って延在している。上下方向Ｚにおいて、第２接着面２５は、第２面２１に対して第２方向１０２側にある。第４外周面９４は、第２接着面２５に連なっている。第４外周面９４は、たとえば上下方向Ｚに沿って延在している。

　第１接着面１５と第２接着面２５との間において、第１コア部１０と第２コア部２０とは、図示されていない接着剤によって接着されていてもよい。具体的には、第１接着面１５と第２接着面２５とが互いに接しつつ、第１接着面１５と第２接着面２５との間の微少な隙間に接着剤が入り込むことによって、第１コア部１０と第２コア部２０とが接着されていてもよい。言い換えれば、第１接着面１５と第２接着面２５との間に接着剤が設けられていてもよい。接着剤は、たとえば樹脂系接着剤である。

　第１コア部１０および第２コア部２０の各々は、酸化鉄（Ｆｅ₂Ｏ₃）系材料等の軟磁性体材料によって構成されている。具体的には、第１コア部１０および第２コア部２０の各々は、たとえばスピネル型のマンガン亜鉛（ＭｎＺｎ）フェライトによって構成されている。第１コア部１０および第２コア部２０の各々は、互いに同じ材料によって構成されていることが好ましい。磁気コア１の比透磁率（μｒ）は、たとえば１０以上５０００以下である。磁気コア１の比透磁率は、好ましくは１００以上である。磁気コア１の飽和磁束密度（Ｂｓ）は、たとえば０．４Ｔ以上０．６Ｔ以下である。

　図３は、上下方向Ｚおよび左右方向Ｘの各々に平行であり且つ第１素子３に交差する断面を示す断面模式図である。図３に示されるように、基板固定部８０は、第１基板固定部材８１と、第２基板固定部材８２とを有している。第１基板固定部材８１は、第１面１１と第２面２１との間にある。言い換えれば、第１基板固定部材８１は、ギャップ２（図２参照）に配置されている。第１基板固定部材８１は、第１面１１に接していてもよい。上下方向Ｚに垂直な方向において、第１基板固定部材８１は、第１面１１の外縁に沿っている。言い換えれば、上下方向Ｚに垂直な方向において、第１基板固定部材８１は、第１外周面９１に沿っている。上下方向Ｚに垂直な方向において、第１基板固定部材８１は、第１面１１の外縁の内側にあってもよい。言い換えれば、上下方向Ｚに垂直な方向において、第１基板固定部材８１は、第１外周面９１の内側にあってもよい。

　第２基板固定部材８２は、第１基板固定部材８１と第２面２１との間にある。言い換えれば、第２基板固定部材８２は、ギャップ２（図２参照）に配置されている。第２基板固定部材８２は、第２面２１に接していてもよい。第２基板固定部材８２は、第１基板固定部材８１に対面している。上下方向Ｚに垂直な方向において、第２基板固定部材８２は、第２面２１の外縁に沿っている。言い換えれば、上下方向Ｚに垂直な方向において、第２基板固定部材８２は、第３外周面９３に沿っている。上下方向Ｚに垂直な方向において、第２基板固定部材８２は、第２面２１の外縁の内側にあってもよい。言い換えれば、上下方向Ｚに垂直な方向において、第２基板固定部材８２は、第３外周面９３の内側にあってもよい。

　第１基板固定部材８１および第２基板固定部材８２の各々は、非磁性体材料によって構成されている。第１基板固定部材８１および第２基板固定部材８２の各々は、透光性を有していてもよい。具体的には、第１基板固定部材８１および第２基板固定部材８２の各々は、ガラスまたはプラスチック等の透光性材料によって構成されていてもよい。第１基板固定部材８１および第２基板固定部材８２の各々は透明であってもよい。

　図３に示されるように、上下方向Ｚにおいて、基板構造体２００は、第１基板固定部材８１と第２基板固定部材８２との間にある。言い換えれば、基板構造体２００は、ギャップ２（図２参照）に配置されている。別の観点から言えば、主基板５は、ギャップ２に配置されている。主基板５は、第２基板固定部材８２に接している。主基板５は、第１主面５１と、第２主面５２とを有している。第１主面５１は、主基板５の表面である。第２主面５２は、第１主面５１の反対側にある。第２主面５２は、主基板５の裏面である。第２主面５２において、主基板５は、第２基板固定部材８２に接している。主基板５は、上下方向Ｚに垂直な方向に延在している。

　主基板５は、透光性の材料によって構成されている。主基板５は、たとえばガラスによって構成されている。具体的には、主基板５は、アルカリ金属元素を含まないガラスによって構成されている。より具体的には、主基板５は、たとえば非晶質の無アルカリガラスまたはホウ珪酸ガラスによって構成されている。主基板５は透明であってもよい。

　主基板５において、第１素子３が設けられている。具体的には、主基板５の第１主面５１上において、第１素子３が設けられている。第１素子３は、第１主面５１に接している。第１素子３は、第１基板固定部材８１と第２基板固定部材８２との間にある。第１素子３は、第１面１１と第２面２１との間にある。第１素子３は、ギャップ２（図２参照）にある。

　主基板５において、測定回路５０が設けられている。具体的には、主基板５の第１主面５１上において、測定回路５０が設けられている。測定回路５０は、第１主面５１に接している。第１配線部７１は、第１素子３に接している。上下方向Ｚにおいて、第１配線部７１は、第１素子３と第１基板固定部材８１との間にある。

　第１絶縁膜４１は、第１主面５１、第１素子３、測定回路５０および第１配線部７１の各々に接している。第１素子３は、主基板５と第１絶縁膜４１との間にある。測定回路５０は、主基板５と第１絶縁膜４１との間にある。上下方向Ｚにおいて、第１絶縁膜４１は、主基板５と第１基板固定部材８１との間にある。第１絶縁膜４１は、透光性の材料によって構成されている。第１絶縁膜４１は、透明であってもよい。

　第３絶縁膜４３は、第１絶縁膜４１に対して主基板５の反対側にある。別の観点から言えば、第１絶縁膜４１は、主基板５と第３絶縁膜４３との間にある。第３絶縁膜４３は、第１絶縁膜４１、第１配線部７１および第１基板固定部材８１の各々に接している。上下方向Ｚにおいて、第３絶縁膜４３は、第１絶縁膜４１と第１基板固定部材８１との間にある。第３絶縁膜４３は、透光性の材料によって構成されている。第３絶縁膜４３は、透明であってもよい。第３絶縁膜４３は、たとえば第１絶縁膜４１と同じ材料によって構成されている。

　図４は、第１方向１０１に見た電流センサ１００の構成を示す第１平面模式図である。説明の便宜のため、図４において、第１絶縁膜４１、第３絶縁膜４３および基板固定部８０の各々は図示されていない。図５は、第１方向１０１に見た電流センサ１００の構成を概略的に示す第２平面模式図である。説明の便宜のため、図５において、第１コア部１０、基板固定部８０、第１絶縁膜４１および第３絶縁膜４３の各々は図示されていない。

　図４および図５に示されるように、第１素子３は、たとえばコイルパターンである。第１方向１０１に見て、第１素子３は、スパイラル状に設けられている。具体的には、第１方向１０１に見て、第１素子３の形状は、同一平面上に形成されている渦巻き形状である。図４および図５の各々において、斜線が付されている部分は、第１素子３を示している。第１方向１０１に見て、第１素子３は、第１コア部１０の第１面１１および第２コア部２０の第２面２１の各々に重なっている。第１方向１０１に見て、第１素子３は、第１面１１および第２面２１の各々の外縁の内側にあることが好ましい。別の観点から言えば、第１方向１０１に見て、第１素子３は、第１外周面９１および第３外周面９３の各々の内側にあることが好ましい。第１方向１０１に見て、第１素子３の中心は、第１面１１および第２面２１の各々の中心と実質的に一致していることが好ましい。

　図４および図５に示されるように、第１方向１０１に見て、測定回路５０は、第１面１１および第２面２１の各々の外側にある。別の観点から言えば、第１方向１０１に見て、測定回路５０は、ギャップ２（図２参照）の外側にある。第１方向１０１に見て、測定回路５０は、第１外周面９１および第３外周面９３の各々の外側にある。

　図４および図５に示されるように、主基板５は、検出領域８５と、外周領域８６とを有している。検出領域８５は、第１方向１０１に見て第２面２１の外縁の内側にある主基板５の領域である。外周領域８６は、検出領域８５に連なっている。外周領域８６は、第１方向１０１に見て第２面２１の外側にある主基板５の領域である。第１方向１０１に見て、第１素子３は、検出領域８５内にある。第１方向１０１に見て、測定回路５０は、外周領域８６内にある。

　左右方向Ｘにおいて、主基板５の端部は、第１外周面９１よりも第２外周面９２側に位置していてもよい。左右方向Ｘにおいて、主基板５の端部は、第３外周面９３よりも第４外周面９４側に位置していてもよい。

　（基板構造体の構成）
　次に、図６および図７を参照して、実施の形態１に係る基板構造体２００の構成について説明する。なお、説明の便宜のため、図６において、第１絶縁膜４１および第３絶縁膜４３の各々は図示されていない。

　図６に示されるように、第１素子３は、第１コイルパターン部１７と、第１外周端部１９と、第１内周端部１８とを有している。第１方向１０１に見て、第１コイルパターン部１７は、スパイラル状に設けられている。具体的には、第１方向１０１に見て、第１コイルパターン部１７の形状は、同一平面上に形成されている渦巻き形状である。第１外周端部１９は、第１コイルパターン部１７に連なっている。第１内周端部１８は、第１コイルパターン部１７に連なっている。第１内周端部１８は、第１コイルパターン部１７に取り囲まれている。

　第１素子３は、たとえば銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、Ｃｕを主成分とする合金またはＡｌを主成分とする合金によって構成されている。なお、本明細書において、主成分とは、合金に含まれる元素の内、最も重量が大きい元素を意味している。第１素子３は、磁束を吸収しないように、常磁性または非磁性の材料によって構成されていることが好ましい。第１素子３は、電気抵抗の低い導電材料によって構成されていることが好ましい。第１素子３の比抵抗値は、たとえば５μΩ・ｃｍ以下である。

　図６に示されるように、第１方向１０１に見て、第１配線部７１の一部は、第１素子３と重なっている。第１配線部７１は、第１素子３の第１内周端部１８に接続されている。第１方向１０１に見て、第１配線部７１は、第１素子３と交差している。具体的には、第１配線部７１は、第１素子３の上方において、第１内周端部１８から、主基板５の外周領域８６に向かって延びている。

　第１配線部７１は、たとえば導電性を有し且つ透光性を有している材料によって構成されている。具体的には、第１配線部７１は、たとえば多結晶酸化インジウムスズ（ＩＴＯ：Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅ）によって構成されている。言い換えれば、第１配線部７１は、たとえば酸化インジウム（Ｉｎ₂Ｏ₃）と酸化スズ（ＳｎＯ₂）とによって構成されている。第１配線部７１において、第１配線部７１全体の重量に対するＩｎ₂Ｏ₃の重量の比率は、たとえば９０％である。第１配線部７１において、第１配線部７１全体の重量に対するＳｎＯ₂の重量の比率は、たとえば１０％である。第１配線部７１の比抵抗値は、たとえば２００μΩ・ｃｍである。第１配線部７１の可視光に対する透光性は、たとえば８０％以上である。

　第２配線部７２は、第１素子３の第１外周端部１９に連なっている。第２配線部７２は、たとえば第１素子３と同じ材料によって構成されている。

　図７は、上下方向Ｚおよび左右方向Ｘに平行であり且つ第１素子３と交差する断面を示す拡大断面模式図である。図７に示されるように、上下方向Ｚにおける主基板５の厚みは、厚みＨとされる。厚みＨは、たとえば０．６ｍｍである。厚みＨは、たとえば０．１ｍｍ以上であってもよいし、０．３ｍｍ以上であってもよいし、０．４ｍｍ以上であってもよい。厚みＨの上限は、ウエハプロセス上の制約または電流センサ１００の寸法上の制約に基づいて、適宜設定される。具体的には、厚みＨの上限は、たとえば２ｍｍ以下である。上下方向Ｚにおける第１素子３の厚みは、たとえば２００ｎｍである。

　第１配線部７１は、第１接続部材１１２と、第１配線部材１１１とを有している。第１接続部材１１２は、第１絶縁膜４１および第１素子３の第１内周端部１８の各々に接している。上下方向Ｚにおける第１接続部材１１２の厚みは、たとえば２００ｎｍである。第１配線部材１１１は、第１接続部材１１２に連なっている。第１接続部材１１２は、第１配線部材１１１と第１内周端部１８との間にある。上下方向Ｚにおける第１配線部材１１１の厚みは、たとえば１００ｎｍである。第２配線部７２は、主基板５の第１主面５１上に設けられている。

　第１絶縁膜４１は、第１素子３を保護している。第１絶縁膜４１は、たとえば酸化シリコン（ＳｉＯ₂）または窒化シリコン（Ｓｉ₃Ｎ₄）によって構成されている。第１素子３を保護するという点において、第１絶縁膜４１は、緻密性および被覆性能の高いＳｉ₃Ｎ₄によって構成されていることが好ましい。第１絶縁膜４１は、ＳｉＯ₂膜とＳｉ₃Ｎ₄膜との積層構造を有していてもよい。上下方向Ｚにおける第１絶縁膜４１の厚みは、たとえば４００ｎｍである。

　図７に示されるように、第１絶縁膜４１は、第１内周面１４１を有している。第１内周面１４１において、第１絶縁膜４１は、第１接続部材１１２に接している。第１内周面１４１は、第１接続部材１１２を取り囲んでいる。第１内周面１４１に囲まれた空間において、第１素子３の第１内周端部１８は、第１絶縁膜４１から露出している。言い換えれば、第１内周面１４１は、コンタクトホールを形成している。

　第３絶縁膜４３は、第１配線部７１を保護している。第３絶縁膜４３は、たとえば第１絶縁膜４１と同じ材料によって構成されている。上下方向Ｚにおける第３絶縁膜４３の厚みは、たとえば４００ｎｍである。

　（電流センサの製造方法）
　次に、図８から図１０を参照して、電流センサ１００の製造方法について説明する。

　図８に示されるように、実施の形態１に係る電流センサ１００の製造方法は、基板構造体作製工程（Ｓ１０）と、組立工程（Ｓ２０）とを主に有している。

　まず、基板構造体作製工程（Ｓ１０）が実施される。図９は、主基板５上に第１素子３および第１絶縁膜４１の各々が形成されている状態を示す断面模式図である。図９に示される断面模式図は、図７に示される断面模式図に対応している。主基板５が洗浄される。スパッタリング法を用いて、主基板５の第１主面５１上に第１導電膜が形成される。第１導電膜は、たとえばＣｕによって構成されている。スパッタリング法において、たとえばアルゴン（Ａｒ）ガスが用いられる。上下方向Ｚにおける第１導電膜の厚みは、たとえば２００ｎｍとされる。第１導電膜の比抵抗値は、たとえば２．２μΩ・ｃｍとされる。

　写真製版技術を用いて、第１導電膜上にフォトレジストパターンが形成される。フォトレジストパターンは、第１導電膜をエッチングする際のマスクとしての機能を有している。たとえばイオンビームエッチング（ＩＢＥ：Ｉｏｎ　Ｂｅａｍ　Ｅｔｃｈｉｎｇ）法を用いて、第１導電膜がエッチングされる。フォトレジストパターンが除去される。以上のように、第１導電膜がエッチングされることによって、主基板５の第１主面５１上に、第１素子３および第２配線部７２の各々が形成される。

　化学気相蒸着（ＣＶＤ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法を用いて、第１素子３、第２配線部７２および主基板５の第１主面５１の各々の上に、第１絶縁膜４１が形成される。次に、第１絶縁膜４１がエッチングされる。第１絶縁膜４１のエッチングにおいて、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ：Ｒｅａｃｔｉｖｅ　Ｉｏｎ　Ｅｔｃｈｉｎｇ）法が用いられる。ＲＩＥ法におけるエッチングガスとして、たとえばフッ素（Ｆ）、六フッ化硫黄（ＳＦ₆）または四フッ化炭素（ＣＦ₄）等を含むガスが用いられる。これによって、第１内周面１４１が形成される。図９に示されるように、第１内周面１４１は、コンタクトホール９９を形成している。コンタクトホール９９において、第１素子３の第１内周端部１８が露出している。

　スパッタリング法を用いて、第１素子３の第１内周端部１８および第１絶縁膜４１の各々の上に、第２導電膜が形成される。第２導電膜を形成するスパッタリング法においては、たとえばＡｒおよび水素原子（Ｈ）を含むガスが用いられる。具体的には、水素（Ｈ₂）ガスまたは水蒸気（Ｈ₂Ｏ）とＡｒとを混合したガスが、スパッタリング法に用いられる。第２導電膜は、たとえば非晶質状態のＩＴＯによって構成されている。言い換えれば、第２導電膜は、アモルファスＩＴＯによって構成されている。

　次に、第２導電膜がエッチングされる。第２導電膜のエッチングにおいて、たとえばウエットエッチング法が用いられる。ウエットエッチング法における薬液として、シュウ酸溶液が用いられる。シュウ酸溶液は弱酸性である。このため、シュウ酸溶液は、ＣｕおよびＣｕを主成分とする合金をエッチングしない。これによって、第１絶縁膜４１においてピンホール等が形成されている場合においても、第１素子３がエッチングされることを抑制することができる。この結果、電流センサ１００の不良の発生を抑制することができる。

　主基板５、第１素子３、第１絶縁膜４１および第２導電膜は熱処理される。熱処理における第２導電膜の温度は、たとえば１５０℃以上２００℃以下とされる。熱処理における雰囲気は、たとえば大気、真空、Ａｒガスまたは窒素（Ｎ₂）ガスによって満たされる。熱処理によって、第２導電膜を構成しているアモルファスＩＴＯは多結晶化する。これによって、第１配線部７１が形成される。

　ＣＶＤ法を用いて、第１絶縁膜４１および第１配線部７１の各々の上に、第３絶縁膜４３が形成される。第１絶縁膜４１、第３絶縁膜４３および第１配線部７１の各々が透光性を有する材料によって構成されているため、第１絶縁膜４１、第３絶縁膜４３および第１配線部７１を介して第１素子３の形状を良好に視認することができる。

　以上のようにして、図６および図７に示される基板構造体２００が作製される。なお、基板構造体作製工程（Ｓ１０）は、上記の工程の他に、測定回路５０を作製する工程を有していてもよい。主基板５がアルカリ金属元素を含まないガラスによって構成されている場合、アルカリイオンによる半導体材料の汚染を抑制することができる。このため、第１素子３の形成と同時に、半導体材料を含む測定回路５０の形成を行うことができる。

　次に、組立工程（Ｓ２０）が実施される。図１０は、実施の形態１に係る組立工程における第１コア部１０上に第２基板固定部材８２と基板構造体２００とが配置された状態を示す断面模式図である。図１０に示される断面模式図は、図３に示される断面模式図に対応している。

　図１０に示されるように、第２コア部２０の第２面２１上に、第２基板固定部材８２が配置される。第２基板固定部材８２上に、基板構造体２００が配置される。具体的には、第１方向１０１に見て、第１素子３の中心が第２面２１の中心と一致するように、基板構造体２００が配置される。

　第１基板固定部材８１が、基板構造体２００上に配置される。第２コア部２０および第１基板固定部材８１上に、第１コア部１０が配置される。第１接着面１５および第２接着面２５の少なくとも一方において、接着剤が塗布される。第１コア部１０の第１接着面１５は、第２コア部２０の第２接着面２５に接する。第１コア部１０の第１面１１は、第１基板固定部材８１に接する。接着剤によって、第１コア部１０と第２コア部２０とが接着される。用途に応じてパッケージ筐体（図示せず）等が取り付けられる。第１コア部１０と第２コア部２０との間において、電流線８が配置される。以上のようにして、図１から図５に示される電流センサ１００が作製される。

　次に、実施の形態１に係る電流センサ１００の作用効果について説明する。
　図１１は、電流線８に電流が流された際に生じる磁束を模式的に視覚化して示す断面模式図である。図１１に示される断面模式図は、図３に示される断面模式図に対応している。図１１に示されるように、電流線８に被測定電流が流されることによって、磁気コア１内に磁束信号１０８が生じる。本明細書において、第１矢印１０８は、磁束信号１０８を模式的に視覚化して示している。磁束信号１０８の方向は、被測定電流の流れる方向に見て、時計回りの方向である。磁束信号１０８の磁束密度は、被測定電流の電流値に比例する。

　ギャップ２において、磁束信号１０８は磁気コア１から漏れ出す。これによって、漏れ磁束１０９が生じる。本明細書において、第２矢印１０９は、漏れ磁束１０９の流れを模式的に視覚化して示している。漏れ磁束１０９の方向は、たとえば上下方向Ｚに沿う方向である。第１素子３は、漏れ磁束１０９を取り囲む。別の観点から言えば、漏れ磁束１０９は、第１素子３に囲まれた空間を貫通する。言い換えれば、漏れ磁束１０９は、第１素子３と鎖交する。

　第１素子３において、電圧信号が生じる。具体的には、漏れ磁束１０９の磁束密度の時間変化によって、第１素子３において誘導起電力が生じる。言い換えれば、第１素子３に囲まれた空間における磁束密度の時間変化によって、第１素子３において誘導起電力が生じる。第１素子３において生じる誘導起電力の大きさは、漏れ磁束１０９の磁束密度の時間変化の大きさに比例する。測定回路５０は、第１素子３において生じた電圧信号に基づいて、被測定電流の電流値または被測定電流の電力量を測定する。以上のようにして、電流センサ１００は、被測定電流の電流値または被測定電流の電力量を測定する。

　磁気コア１の第１面１１および第２面２１の各々と、第１素子３との間で位置ずれが生じている場合、位置ずれが生じていない場合と比較して、第１素子３に生じる誘導起電力が小さくなる。このため、電流センサ１００の検出精度および検出感度が変化することがある。言い換えれば、電流センサ１００の検出精度および検出感度のばらつきが生じることがある。これによって、電流センサ１００の信頼性が低下するおそれがある。

　実施の形態１に係る電流センサ１００によれば、主基板５は透光性材料によって構成されている。このため、組立工程（Ｓ２０）において、主基板５を通して、磁気コアの第１面１１および第２面２１の各々の外縁と、第１素子３とを同時に視認することができる。これによって、第１面１１および第２面２１の各々と第１素子３との正確な位置合わせを容易に行うことができる。この結果、電流センサ１００の検出感度を向上することができる。さらに、電流センサ１００の検出精度を向上することができる。これによって、電流センサ１００の信頼性を向上することができる。

　実施の形態１に係る電流センサ１００によれば、主基板５において、測定回路５０が設けられている。このため、第１素子３と測定回路５０とを接続するための構成要素を削減することができる。これによって、電流センサ１００の検出精度および検出感度における外部ノイズによる影響を抑制することができる。

　また、測定回路５０を設けるための主基板５以外の基板を削減することができる。これによって、電流センサ１００のサイズおよびコストの各々を低減することができる。

　主基板５が変形しやすい場合、組立時または使用時に主基板５に負荷される力によって、主基板５が変形することがある。具体的には、組立時に主基板５に負荷される応力、電流測定時に第１素子３に生じる熱による熱応力、実使用時の電流センサ１００の姿勢によって変化する重力、使用環境における道路の交通状況による振動、またはその他の振動源による振動等によって、主基板５が変形することがある。これによって、第１素子３が、磁気コア１の第１面１１および第２面２１の各々に対して傾くおそれがある。この場合、第１素子３が、第１面１１および第２面２１の各々に対して傾いていない場合と比較して、第１素子３を貫通する漏れ磁束１０９の磁束密度が低下する。このため、電流センサ１００の信頼性が低下するおそれがある。

　実施の形態１に係る電流センサ１００によれば、主基板５は、ガラスによって構成されている。ガラスは、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ₃）、アルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）および窒化ホウ素（ＢＮ）などのファインセラミックスと同程度に固く変形しにくい。このため、主基板５の変形を抑制することができる。この結果、電流センサ１００の信頼性の低下を抑制することができる。

　また、ガラスは、ＢａＴｉＯ₃、Ａｌ₂Ｏ₃およびＢＮ等のファインセラミックスよりも低コストで製造できる。これによって、電流センサ１００のコストを低減することができる。

　通常、ウエハプロセス等の電流センサ１００の製造工程において、主基板５に応力が加えられる。また、電流センサ１００の実使用環境下において、主基板５に外力が加えられる。実施の形態１に係る電流センサ１００によれば、主基板５はガラスによって構成されている。このため、上下方向Ｚにおける主基板５の厚みＨが０．３ｍｍ以上である場合、電流センサ１００の製造工程および電流センサ１００の実使用環境下の各々において、主基板５の変形を十分に抑制することができる。また、上下方向Ｚにおける主基板５の厚みＨが０．４ｍｍ以上である場合、電流センサ１００の製造工程および電流センサ１００の実使用環境下の各々において、主基板５の変形をより効果的に抑制することができる。

　通常、ガラスエポキシ等によって構成されているプリント基板上に、コイルパターンを形成する場合、スクリーン印刷、フレキソ印刷、インクジェット印刷等の印刷法が用いられる。印刷法を用いた場合、コイルパターンの細線化およびコイルパターンの狭ピッチ化が困難になる。

　実施の形態１に係る電流センサ１００によれば、主基板５は、ガラスによって構成されている。ガラスは、プリント基板よりも高い耐熱性を有している。このため、第１素子３等の形成において、写真製版工程をベースとした半導体製造工程（ウエハプロセス）を用いることができる。これによって、印刷法を用いて第１素子３を形成する場合と比較して、第１素子３の微細化が可能になる。言い換えれば、第１素子３の第１コイルパターン部１７の巻き数を増加し、且つ第１コイルパターン部１７の形状および位置の各々の精度を向上することができる。この結果、電流センサ１００の検出精度および検出感度を向上することができる。

　上下方向Ｚに垂直な方向において、第１面１１および第２面２１の各々の外側に位置する漏れ磁束１０９は、外部環境の影響を受けやすい。このため、第１素子３が、第１面１１および第２面２１の各々の外側に位置する漏れ磁束１０９を検出する場合、電流センサ１００の信頼性が低下するおそれがある。実施の形態１に係る電流センサ１００によれば、第１方向１０１に見て、第１素子３は、第１面１１および第２面２１の各々の外縁の内側にある。このため、電流センサ１００の信頼性の低下を抑制することができる。

　（実施の形態１の変形例）
　なお、上記において、実施の形態１に係る電流センサ１００の構成について説明したが、本開示は上記構成に限定されない。具体的には、たとえば電流センサ１００は、基板固定部８０を有していなくてもよい。図１２を参照して、実施の形態１の変形例に係る電流センサ１００の構成について説明する。図１２に示される断面模式図は、図３に示される断面模式図に対応している。

　図１２に示されるように、基板構造体２００は、磁気コア１に直接挟み込まれていてもよい。別の観点から言えば、磁気コア１の第１面１１および第２面２１の各々において、基板構造体２００は磁気コア１に接していてもよい。主基板５の第２主面５２は、第２面２１に接していてもよい。第１面１１において、第３絶縁膜４３は、磁気コア１に接していてもよい。この場合、上下方向Ｚにおける第１面１１と第２面２１との間の距離を小さくすることができる。これによって、漏れ磁束１０９（図１１参照）の拡散を抑制することができる。言い換えれば、上下方向Ｚに垂直な方向において、第１面１１および第２面２１の各々の外側に散逸する漏れ磁束１０９の量を低減することができる。この結果、電流センサ１００の信頼性を向上することができる。

　主基板５は、たとえば石英ガラス、結晶化ガラスまたは非晶質のソーダライムガラス、によって構成されていてもよい。主基板５は、たとえばアクリルまたはプラスチック等によって構成されていてもよい。主基板５は、主基板５の外周領域８６において、図示されていない固定部材によって固定されていてもよい。

　磁気コア１は、一つの部品によって構成されていてもよい。言い換えれば、第１コア部１０と第２コア部２０とは、互いに連なっている一つの部品であってもよい。

　磁気コア１の第１コア部１０および第２コア部２０の各々は、ガーネット型フェライトによって構成されていてもよい。磁気コア１は、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）およびニッケル（Ｎｉ）のいずれか１種類以上の強磁性元素を含む金属材料によって構成されていてもよい。

　第１基板固定部材８１および第２基板固定部材８２の各々は、たとえば主基板５と同じ材料によって構成されていてもよい。第１基板固定部材８１および第２基板固定部材８２の各々は、たとえばＢａＴｉＯ₃、Ａｌ₂Ｏ₃またはＢＮ等のファインセラミックスによって構成されていてもよい。

　第１素子３は、たとえば、添加元素を含むＣｕ合金によって構成されていてもよい。添加元素は、たとえばチタン（Ｔｉ）、バナジウム（Ｖ）、クロム（Ｃｒ）、マンガン（Ｍｎ）およびモリブデン（Ｍｏ）からなる群から選択される少なくとも一つ以上の金属元素である。Ｃｕ合金における添加元素の量は、０．１原子パーセント以上２０原子パーセント未満であることが好ましい。この場合は、第１素子３の比抵抗値は、５μΩ・ｃｍ未満とすることができる。また、第１素子３と主基板５との間の密着性を向上することができる。さらに、第１素子３における耐食性および耐酸化性を向上することができる。第１素子３は、ホール素子または磁気抵抗（ＭＲ）素子であってもよい。

　第１素子３および第１絶縁膜４１の各々と主基板５との間において、下地膜が設けられていてもよい。下地膜は、たとえばＳｉＯ₂またはＳｉ₃Ｎ₄によって構成されている。これによって、主基板５と第１素子３との間の密着性を向上することができる。下地膜は、たとえばスパッタリング法またはＣＶＤ法を用いて形成される。

　第１素子３は、酸素原子を含んでいてもよい。これによって、主基板５と第１素子３との間の密着性を向上することができる。基板構造体作製工程（Ｓ１０）の第１導電膜を形成するスパッタリング法において、Ａｒと酸素（Ｏ₂）との混合ガスを用いることによって、酸素原子を含む第１素子３を形成することができる。この場合、混合ガスの圧力に対するＯ₂ガスの分圧の比率は、０．１％以上５％未満であることが好ましい。混合ガスの圧力に対するＯ₂ガスの分圧の比率が０．１％未満である場合、主基板５と第１素子３との間の密着性が充分に向上しないことがある。混合ガスの圧力に対するＯ₂ガスの分圧の比率が５％以上である場合、第１素子３の比抵抗値が増大するおそれがある。

　主基板５の直径が６インチ以上である場合、または主基板５の一辺が１５０ｃｍを超える場合においては、ＩＢＥ法を用いて第１導電膜の全面を均一にエッチングすることが困難になる。このため、上記のように主基板５のサイズが大きい場合、薬液浸漬または薬液スプレー噴射等のウエットエッチング法を用いることが好ましい。薬液として、硝酸第２セリウムアンモニウム（ＣＡＮ）系薬液、または過酸化水素（Ｈ₂Ｏ₂）系薬液を用いることが好ましい。

　第１絶縁膜４１および第３絶縁膜４３の各々は、スピンオングラス（ＳＯＧ：Ｓｐｉｎ　Ｏｎ　Ｇｌａｓｓ）法を用いて形成されてもよい。第１絶縁膜４１および第３絶縁膜４３の各々は、エポキシ系樹脂またはアクリル系樹脂によって構成されていてもよい。この場合、第１絶縁膜４１および第３絶縁膜４３の各々は、たとえば塗布法を用いて形成される。

　基板構造体２００は、第３絶縁膜４３を有していなくてもよい。別の観点から言えば、第１配線部７１は露出していてもよい。多結晶ＩＴＯは、高い化学的安定性を有している。具体的には、多結晶ＩＴＯは、王水系薬液以外のほとんどの酸薬液に溶けることはない程の高い薬液耐性を有している。このため、第１配線部７１が露出している場合においても、第１配線部７１における不良の発生を抑制することができる。

　第１配線部７１は、透光性を有しない材料によって構成されていてもよい。具体的には、第１配線部７１は、たとえばＣｕ、Ａｌ、Ｃｕ合金またはＡｌ合金によって構成されていてもよい。

　実施の形態２．
　次に、図１３を参照して、実施の形態２に係る電流センサ１００の構成について説明する。実施の形態２に係る電流センサ１００の構成は、主に、電流センサ１００が第１アライメントマーク６１と第２アライメントマーク６２と第３アライメントマーク６３とを有している点において、実施の形態１に係る電流センサ１００の構成と異なっており、その他の点については、実施の形態１に係る電流センサ１００の構成と実質的に同一である。以下、実施の形態１に係る電流センサ１００の構成と異なる点を中心に説明する。

　（電流センサの構成）
　図１３は、電流センサ１００における第１素子３の周辺を拡大した拡大平面模式図である。説明の便宜のため、図１３において、第１コア部１０、基板固定部８０、第１絶縁膜４１および第３絶縁膜４３の各々は図示されていない。図１３において、斜線が付されている部分は、第１素子３を示している。図１３に示されるように、基板構造体２００は、第１アライメントマーク６１と、第２アライメントマーク６２とをさらに有していてもよい。電流センサ１００は、第３アライメントマーク６３をさらに有していてもよい。第１アライメントマーク６１、第２アライメントマーク６２および第３アライメントマーク６３の各々は、主基板５と、磁気コア１とを位置合わせするために用いられる。

　主基板５において、第１アライメントマーク６１が設けられている。第１方向１０１に見て、第１アライメントマーク６１の形状は、たとえば十字状である。第１アライメントマーク６１は、主基板５の検出領域８５の角にある。第１アライメントマーク６１は、第２面２１に位置合わせされている。具体的には、第１方向１０１に見て、第１アライメントマーク６１は、第２コア部２０の第２面２１の角にある。言い換えれば、第１方向１０１に見て、第１アライメントマーク６１は、第２コア部２０の第３外周面９３と重なっている。第１アライメントマーク６１は、第１コア部１０の第１面１１（図３および図４参照）に位置合わせされていてもよい。別の観点から言えば、第１アライメントマーク６１は、第１面１１および第２面２１の少なくとも一方と位置合わせされている。第１アライメントマーク６１は、たとえば第１素子３と同じ材料によって構成されている。

　主基板５において、第２アライメントマーク６２が設けられている。第１方向１０１に見て、第２アライメントマーク６２は、主基板５の検出領域８５の内側にある。第１方向１０１に見て、第２アライメントマーク６２は、たとえば検出領域８５の中心にある。第２アライメントマーク６２は、第１素子３に取り囲まれている。第１方向１０１に見て、第２アライメントマーク６２は、第２面２１に重なっている。第１方向１０１に見て、第２アライメントマーク６２の形状は、たとえば長方形である。第２アライメントマーク６２は、たとえば第１素子３と同じ材料によって構成されている。

　第２面２１において、第３アライメントマーク６３が設けられていてもよい。第２アライメントマーク６２は、第３アライメントマーク６３に位置合わせされている。具体的には、第１方向１０１に見て、第３アライメントマーク６３は、第２アライメントマーク６２を取り囲んでいる。第１方向１０１に見て、第３アライメントマーク６３は、第１素子３に取り囲まれている。第１方向１０１に見て、第３アライメントマーク６３の形状は、たとえば環状である。

　（電流センサの製造方法）
　次に、実施の形態２に係る電流センサ１００の製造方法について説明する。

　基板構造体作製工程（Ｓ１０）において、第１アライメントマーク６１および第２アライメントマーク６２の各々は、第１素子３と同時に形成される。具体的には、基板構造体作製工程（Ｓ１０）において、第１導電膜をエッチングすることによって、第１アライメントマーク６１および第２アライメントマーク６２の各々が形成される。

　次に、実施の形態２に係る電流センサ１００の作用効果について説明する。
　実施の形態２に係る電流センサ１００によれば、主基板５において、第１アライメントマーク６１が形成されている。第１アライメントマーク６１は、第１面１１および第２面２１の少なくとも一方と位置合わせされる。このため、組立工程（Ｓ２０）において、主基板５と、第１面１１および第２面２１の少なくとも一方との位置合わせをより正確に行うことができる。これによって、第１素子３と、第１面１１および第２面２１の少なくとも一方との位置合わせをより正確に行うことができる。

　実施の形態２に係る電流センサ１００によれば、主基板５において、第２アライメントマーク６２が形成されている。第２面２１において第３アライメントマーク６３が形成されている。第２アライメントマーク６２は、第３アライメントマーク６３に位置合わせされる。このため、組立工程（Ｓ２０）において、第２アライメントマーク６２と第３アライメントマーク６３とを位置合わせすることによって、主基板５と第２面２１とをより正確に位置合わせすることができる。これによって、第１素子３と第２面２１との位置合わせをより正確に行うことができる。

　（実施の形態２の変形例）
　なお、上記においては、第２面２１において、第３アライメントマーク６３が設けられている構成について説明したが、本開示は、上記構成に限定されない。具体的には、たとえば第２基板固定部材８２において、第３アライメントマーク６３が設けられていてもよい。第１方向１０１に見て、第２基板固定部材８２と第２面２１とは、位置合わせされていてもよい。これによって、第２基板固定部材８２が透光性を有していない場合においても、第２アライメントマーク６２と第３アライメントマーク６３との位置合わせを行うことができる。この結果、第１素子３と第２面２１との位置合わせをより正確に行うことができる。

　磁気コア１が一つの部品によって構成されている場合、第１面１１、第２面２１および第１素子３の各々を斜めから視認しつつ、第１面１１および第２面２１の各々と第１素子３との位置合わせが行われる。このように斜めから視認しつつ位置合わせが行われる場合であっても、主基板５または磁気コア１に形成されたアライメントマークを用いることによって、第１面１１および第２面２１の各々と第１素子３との間における位置ずれを抑制することができる。

　実施の形態３．
　次に、図１４から図１６を参照して、実施の形態３に係る電流センサ１００の構成について説明する。実施の形態３に係る電流センサ１００は、主に、フレキシブルプリント回路９を有している点において、実施の形態２に係る電流センサ１００の構成と異なっており、その他の点については、実施の形態２に係る電流センサ１００の構成と実質的に同一である。以下、実施の形態２に係る電流センサ１００の構成と異なる点を中心に説明する。

　なお、説明の便宜のため、図１４において、第１絶縁膜４１、第３絶縁膜４３、測定回路５０および基板固定部８０の各々は図示されていない。図１６に示される断面模式図は、図３に示される断面模式図に対応している。

　（電流センサの構成）
　図１４、図１５および図１６に示されるように、基板構造体２００は、フレキシブルプリント回路９を有していてもよい。フレキシブルプリント回路９は、主基板５に接している。具体的には、フレキシブルプリント回路９は、主基板５の外周領域８６において、主基板５に接している。第１素子３とフレキシブルプリント回路９とは、接続配線７によって電気的に接続されている。フレキシブルプリント回路９において、図示されていない測定回路５０が設けられていてもよい。フレキシブルプリント回路９は変形可能である。

　実施の形態３に係る電流センサ１００は、フレキシブルプリント回路９を有している。フレキシブルプリント回路９において、測定回路５０が設けられている。このため、第１方向１０１に見た主基板５のサイズを低減することができる。この結果、主基板５に力が加わった場合における主基板５の変形を抑制することができる。

　また、フレキシブルプリント回路９は変形可能である。このため、フレキシブルプリント回路９に力が負荷された際に、フレキシブルプリント回路９から主基板５への力の伝達を抑制することができる。これによって、主基板５の変形を抑制することができる。

　実施の形態３に係る電流センサ１００によれば、第１方向１０１に見た主基板５のサイズを低減することができる。このため、主基板５の厚みＨ（図７参照）が薄い場合であっても、主基板５の変形を十分に抑制することができる。具体的には、厚みＨは、たとえば０．３ｍｍ未満であってもよい。このため、上下方向Ｚにおける磁気コア１の第１面１１と第２面２１との間の距離を短くすることができる。これによって、漏れ磁束１０９における第１素子３の外側への拡散を抑制することができる。この結果、電流センサ１００の検出精度および検出感度をより効果的に向上することができる。

　主基板５がガラスによって構成されている場合、主基板５上に第１素子３を形成した後に、フッ素酸（ＨＦ）系薬液を用いたウエットエッチング法によって、主基板５をエッチングすることができる。これによって、主基板５の厚みＨが０．１ｍｍ程度となるように薄板化加工をすることができる。

　（実施の形態３の変形例）
　なお、上記において、実施の形態３に係る電流センサ１００の構成について説明したが、本開示は上記構成に限定されない。基板構造体２００は、図示されていないプリント基板をさらに有していてもよい。プリント基板は、フレキシブルプリント回路９を介して主基板５に接続されていてもよい。プリント基板において、測定回路５０が設けられていてもよい。測定回路５０は、フレキシブルプリント回路９と接続配線７とを介して第１素子３に接続されていてもよい。

　実施の形態４．
　次に、図１７を参照して、実施の形態４に係る電流センサ１００の構成について説明する。実施の形態４に係る電流センサ１００は、主に、基板構造体２００が補助基板６を有している点において、実施の形態２に係る電流センサ１００の構成と異なっており、その他の点については、実施の形態２に係る電流センサ１００の構成と実質的に同一である。以下、実施の形態２に係る電流センサ１００の構成と異なる点を中心に説明する。なお、図１７に示される断面模式図は、図３に示される断面模式図に対応している。

　（電流センサの構成）
　図１７に示されるように、基板構造体２００は、補助基板６と、接着部８３とをさらに有している。補助基板６は、磁気コア１の第１面１１と第２面２１との間にある。言い換えれば、補助基板６は、ギャップ２（図２参照）にある。補助基板６は、第１素子３を保護している。

　補助基板６は、第３絶縁膜４３上に設けられている。補助基板６は、第１素子３を覆っている。左右方向Ｘにおいて、補助基板６の端部は、第１外周面９１よりも電流線８側に位置していてもよい。左右方向Ｘにおいて、補助基板６の端部は、第３外周面９３よりも電流線８側に位置していてもよい。

　主基板５は、露出領域８７を有していてもよい。露出領域８７は、補助基板６に覆われていない主基板５の領域である。別の観点から言えば、上下方向Ｚに垂直な方向において、露出領域８７は、補助基板６の外側にある。露出領域８７において、図示されていないフレキシブルプリント回路９または集積回路部品等の外部実装基板が、主基板５に取り付けられていてもよい。

　補助基板６は、透光性の材料によって構成されている。補助基板６は、透明であってもよい。補助基板６は、たとえば主基板５と同じ材料によって構成されている。補助基板６は、第３主面５３と、第４主面５４とを有している。第３主面５３は、主基板５の第１主面５１に対面している。第３主面５３において、補助基板６は、第３絶縁膜４３に接している。第４主面５４は、第３主面５３の反対側にある。第４主面５４において、補助基板６は、第１基板固定部材８１に接している。

　接着部８３は、主基板５と補助基板６とを接着している。具体的には、接着部８３は、主基板５の第１主面５１と、補助基板６の第３主面５３とを接着している。接着部８３は、たとえば熱硬化型の樹脂によって構成されている。接着部８３は、たとえば紫外線硬化型の樹脂によって構成されていてもよい。

　次に、実施の形態４に係る電流センサ１００の作用効果について説明する。
　実施の形態４に係る電流センサ１００は、補助基板６を有している。補助基板６は、第１素子３を覆っている。このため、主基板５に応力または外力が負荷された場合において、主基板５と補助基板６とが一体となることによって、主基板５の変形および振動を抑制することができる。これによって、磁気コア１の第１面１１および第２面２１の各々と、第１素子３との間の位置ずれをより効果的に抑制することができる。この結果、電流センサ１００の検出感度および検出精度をより向上することができる。

　実施の形態５．
　次に、図１８から図２２を参照して、実施の形態５に係る電流センサ１００の構成について説明する。実施の形態５に係る電流センサ１００の構成は、主に、補助基板６において第２素子４が設けられている点において、実施の形態４に係る電流センサ１００の構成と異なっており、その他の点については、実施の形態４に係る電流センサ１００の構成と実質的に同一である。以下、実施の形態４に係る電流センサ１００の構成と異なる点を中心に説明する。

　なお、図１８に示される断面模式図は、図１７に示される断面模式図に対応している。説明の便宜のため、図１９において、補助基板６、第１絶縁膜４１および第２絶縁膜４２の各々は図示されていない。図２０において、第１絶縁膜４１、第２絶縁膜４２、第１導電材７５および第２導電材７６の各々は図示されていない。図２１に示される拡大断面模式図は、図７に示される拡大断面模式図に対応している。図２２に示される断面は、上下方向Ｚおよび左右方向Ｘの各々に平行であり且つ第１配線部７１および第２配線部７２の各々と交差する断面である。

　（電流センサの構成）
　図１８に示されるように、基板構造体２００は、第２素子４と、第２絶縁膜４２と、第１導電材７５とをさらに有している。補助基板６において、第２素子４が設けられている。具体的には、補助基板６の第３主面５３において、第２素子４が設けられている。第２素子４は、第１素子３に対面している。第２素子４は、電流線８に流れる電流によって生じる磁束を検出する。具体的には、第２素子４に囲まれた空間における磁束密度の時間変化によって、誘導起電力が電圧信号として第２素子４に生じる。第２素子４は、たとえばコイルパターンである。第２素子４は、たとえば第１素子３と同じ材料によって構成されている。

　補助基板６において、第２絶縁膜４２が設けられている。第２絶縁膜４２は、第２素子４を保護している。上下方向Ｚにおいて、第２絶縁膜４２は、補助基板６と第１絶縁膜４１との間にある。第２絶縁膜４２は、第３主面５３、第２素子４および第１絶縁膜４１の各々に接している。第２素子４は、補助基板６と、第２絶縁膜４２との間にある。第２絶縁膜４２は、たとえば第１絶縁膜４１と同じ材料によって構成されている。上下方向Ｚにおける第２絶縁膜４２の厚みは、たとえば４００ｎｍである。

　第１導電材７５は、第１素子３、第２素子４、第１絶縁膜４１および第２絶縁膜４２の各々に接している。第１導電材７５は、第１素子３と第２素子４とを電気的に接続している。

　図１９に示されるように、第１方向１０１に見て、第２素子４は、第１素子３に重なっている。第１方向１０１に見て、第２素子４は、主基板５の検出領域８５内にある。別の観点から言えば、第１方向１０１に見て、第２素子４は、第１面１１（図１８参照）および第２面２１（図１８参照）の各々に重なっている。第１方向１０１に見て、接着部８３は、主基板５の外周領域８６内にある。

　図２０は、補助基板６の位置をずらした状態を示す拡大平面模式図である。図２０に示される矢印は、矢印の根元にある基板構造体２００の部分が、矢印の先端の位置に配置されることを示している。

　図１９および図２０に示されるように、基板構造体２００は、第４アライメントマーク６４と、第５アライメントマーク６５とをさらに有している。第４アライメントマーク６４および第５アライメントマーク６５の各々は、主基板５と補助基板６とを位置合わせするために用いられる。主基板５において、第４アライメントマーク６４が設けられている。補助基板６において、第５アライメントマーク６５が設けられている。第１方向１０１に見て、第５アライメントマーク６５は、第４アライメントマーク６４に位置合わせされている。

　第２素子４は、第３コイルパターン部３７と、第３外周端部３９と、第３内周端部３８とを有している。第１方向１０１に見て、第３コイルパターン部３７は、スパイラル状に設けられている。具体的には、第１方向１０１に見て、第３コイルパターン部３７の形状は、同一平面上に形成されている渦巻き形状である。第１方向１０１に見て、第３コイルパターン部３７の巻き方向は、第１コイルパターン部１７の巻き方向と反対である。具体的には、第１方向１０１に見て、第１コイルパターン部１７は、たとえば中心から外側に向かって時計回りのスパイラル状である。第１方向１０１に見て、第３コイルパターン部３７は、たとえば中心から外側に向かって反時計回りのスパイラル状である。

　第３外周端部３９は、第３コイルパターン部３７に連なっている。第１方向１０１に見て、第３外周端部３９は、第１配線部７１に重なっている。第３外周端部３９は、第１配線部７１と電気的に接続されている。第３内周端部３８は、第３コイルパターン部３７に連なっている。第３内周端部３８は、第３コイルパターン部３７に取り囲まれている。第１方向１０１に見て、第３内周端部３８は、第１内周端部１８に重なっている。第３内周端部３８は、第１内周端部１８と電気的に接続されている。

　第１素子３と第２素子４とは、電気的に直列に接続されている。具体的には、第１素子３および第２素子４の各々において生じた誘導電流が同じ方向に流れるように、第１素子３と第２素子４とは接続されている。より具体的には、第１素子３および第２素子４の各々において生じた誘導電流は、たとえば第２配線部７２から第１配線部７１に向かう方向に流れる。

　図１９および図２１に示されるように、第１導電材７５は、第１素子３の第１内周端部１８と、第２素子４の第３内周端部３８とを電気的に接続している。第１導電材７５は、第１内周端部１８、第３内周端部３８、第１絶縁膜４１および第２絶縁膜４２の各々に接している。

　第２絶縁膜４２は、第２内周面１４２を有している。第１内周面１４１および第２内周面１４２の各々は、第１導電材７５を取り囲んでいる。第２内周面１４２に囲まれた空間において、第２素子４の第３内周端部３８は、第２絶縁膜４２から露出している。言い換えれば、第２内周面１４２は、コンタクトホールを形成している。

　図１９および図２２に示されるように、基板構造体２００は、第２導電材７６をさらに有している。第２導電材７６は、第２素子４の第３外周端部３９と、第１配線部７１とを電気的に接続している。主基板５の第１主面５１において、第１配線部７１は設けられている。第１配線部７１は、たとえば第１素子３と同じ材料によって構成されている。

　第１絶縁膜４１は、第３内周面１４３を有している。第３内周面１４３は、第２導電材７６を取り囲んでいる。第３内周面１４３に囲まれた空間において、第１配線部７１は、第１絶縁膜４１から露出している。言い換えれば、第３内周面１４３は、コンタクトホールを形成している。

　第２絶縁膜４２は、第４内周面１４４を有している。第４内周面１４４は、第２導電材７６を取り囲んでいる。第４内周面１４４に囲まれた空間において、第３外周端部３９は、第２絶縁膜４２から露出している。言い換えれば、第４内周面１４４は、コンタクトホールを形成している。

　（電流センサの製造方法）
　次に、実施の形態５に係る電流センサ１００の製造方法について説明する。

　基板構造体作製工程（Ｓ１０）において、第１配線部７１は、第１素子３と同時に形成される。第２素子４は、第１素子３と実質的に同一の工程によって形成される。具体的には、たとえば写真製版工程およびエッチング法を用いて、補助基板６の第３主面５３において、第２素子４が形成される。第２絶縁膜４２は、第１絶縁膜４１と実質的に同一の工程によって形成される。具体的には、たとえばＣＶＤ法を用いて、補助基板６の第３主面５３において、第２絶縁膜４２が形成される。第１絶縁膜４１の第１内周面１４１に囲まれた空間に第１導電材７５が配置される。第１絶縁膜４１の第３内周面１４３に囲まれた空間に第２導電材７６が配置される。

　印刷法を用いて、主基板５の第１主面５１上に接着部８３を形成する。補助基板６が主基板５上に配置される。接着部８３が熱硬化型の樹脂である場合、接着部８３が１００℃以上１５０℃以下の温度で加熱される。接着部８３が紫外線型の樹脂である場合、接着部８３に対して紫外線が照射される。これによって、主基板５と補助基板６とは接着される。以上のようにして、基板構造体２００が形成される。

　次に、実施の形態５に係る電流センサ１００の作用効果について説明する。
　実施の形態５に係る電流センサ１００によれば、補助基板６において、第２素子４が設けられている。第１方向１０１に見て、第２素子４は、第１面１１および第２面２１の各々と重なっている。第１素子３と第２素子４とは、電気的に直列に接続されている。このため、基板構造体２００におけるコイルパターンの巻き数を増加させることができる。これによって、電流センサ１００の検出精度および検出感度をより効果的に向上することができる。

　（実施の形態５の変形例）
　なお、上記において、実施の形態５に係る電流センサ１００の構成について説明したが、本開示は上記構成に限定されない。具体的には、接着部８３は、主基板５と第２絶縁膜４２とを接着していてもよい。接着部８３は、第１絶縁膜４１と補助基板６とを接着していてもよい。接着部８３は、第１絶縁膜４１と第２絶縁膜４２とを接着していてもよい。第２素子４は、ホール素子または磁気抵抗（ＭＲ）素子であってもよい。

　実施の形態６．
　次に、図２３を参照して、実施の形態６に係る電流センサ１００の構成について説明する。実施の形態６に係る電流センサ１００は、主に、磁性体６０を有している点において、実施の形態４に係る電流センサ１００の構成と異なっており、その他の点については、実施の形態４に係る電流センサ１００の構成と実質的に同一である。以下、実施の形態４に係る電流センサ１００の構成と異なる点を中心に説明する。

　（電流センサの構成）
　図２３は、実施の形態６に係る電流センサ１００における第１素子３の周辺を拡大した拡大断面模式図である。図２３に示される断面は、上下方向Ｚおよび左右方向Ｘの各々に平行であり且つ第１素子３と交差する断面である。図２３に示されるように、電流センサ１００は、磁性体６０をさらに有していてもよい。磁性体６０は、第１磁性体部７８と、第２磁性体部７９とを有している。

　第１磁性体部７８は、第１基板固定部材８１と磁気コア１の第１面１１との間にある。第１磁性体部７８は、第１面１１と第１素子３との間にある。第１磁性体部７８は、第１基板固定部材８１および第１面１１の各々に接している。第１磁性体部７８は、たとえば図示されていない接着剤によって、第１面１１に接着されている。

　上下方向Ｚに垂直な方向において、第１磁性体部７８は、第１面１１および第２面２１の各々の外縁の内側にある。言い換えれば、上下方向Ｚに垂直な方向において、第１磁性体部７８は、磁気コア１の第１外周面９１および第３外周面９３の各々の外縁の内側にある。上下方向Ｚに垂直な方向において、第１磁性体部７８は、第１素子３に囲まれた領域の内側にあることが好ましい。

　第１磁性体部７８は、たとえば第１平板部材１６１と、アライメントマーク部材１６３とによって構成されている。アライメントマーク部材１６３は、第１平板部材１６１から離間している。アライメントマーク部材１６３は、主基板５と、磁気コア１とを位置合わせするために用いられる。アライメントマーク部材１６３は、第３アライメントマーク６３（図１３参照）を形成していてもよい。上下方向Ｚにおける第１磁性体部７８の厚みは、たとえば１μｍ以上であることが好ましい。

　第２磁性体部７９は、第２基板固定部材８２と磁気コア１の第２面２１との間にある。第２磁性体部７９は、第２面２１と第１素子３との間にある。別の観点から言えば、磁性体６０は、第１面１１と第１素子３との間および第２面２１と第１素子３との間の少なくとも一方にある。第２磁性体部７９は、第２面２１および第２基板固定部材８２の各々に接している。第２磁性体部７９は、たとえば図示されていない接着剤によって、第２面２１に接着されている。

　上下方向Ｚに垂直な方向において、第２磁性体部７９は、第１面１１および第２面２１の各々の外縁の内側にある。言い換えれば、上下方向Ｚに垂直な方向において、第２磁性体部７９は、磁気コア１の第１外周面９１および第３外周面９３の各々の外縁の内側にある。上下方向Ｚに垂直な方向において、第２磁性体部７９は、第１素子３に囲まれた領域の内側にあることが好ましい。

　第２磁性体部７９は、第２平板部材１６２と、アライメントマーク部材１６３とによって構成されている。アライメントマーク部材１６３は、第２平板部材１６２から離間している。上下方向Ｚにおける第２磁性体部７９の厚みは、たとえば１μｍ以上であることが好ましい。

　磁性体６０の飽和磁束密度は、磁気コア１の飽和磁束密度よりも高い。磁性体６０の比透磁率は、磁気コア１の比透磁率よりも高いことが好ましい。磁性体６０は、たとえばＦｅ、ＣｏおよびＮｉからなる群から選択される少なくとも一つ以上の金属元素によって構成されていてもよい。磁性体６０は、たとえばＦｅ、ＣｏおよびＮｉからなる群から選択される少なくとも一つ以上の金属元素を主成分とする合金によって構成されていてもよい。具体的には、磁性体６０は、たとえばＦｅ―Ｓｉ（珪素）合金（珪素鋼）、Ｆｅ－Ａｌ－Ｓｉ合金（通称センダスト（商標））、Ｎｉ－Ｆｅ合金（通称パーマロイ）、Ｎｉ―Ｆｅ―Ｍｏ合金（通称スーパーマロイ）、Ｆｅ―Ｃｏ―Ｖ合金（通称パーメンジュール）等の多結晶合金材料によって構成されていてもよい。磁性体６０は、たとえばＦｅ―Ｓｉ―Ｂ（ホウ素）合金、Ｆｅ－Ｃｏ－Ｓｉ―Ｂ合金、Ｆｅ―Ｚｒ（ジルコニウム）合金、Ｆｅ－Ｃｏ－Ｚｒ合金、Ｃｏ－Ｚｒ―Ｎｂ（ニオブ）合金等のアモルファス軟磁性材料によって構成されていてもよい。

　磁性体６０は、たとえばＦｅ－Ａｌ―Ｓｉ合金によって構成されている。磁性体６０におけるＡｌの添加量は、たとえば４原子パーセント以上６原子パーセント以下である。磁性体６０におけるＳｉの添加量は、たとえば８原子パーセント以上１０原子パーセント以下である。磁性体６０の飽和磁束密度は、たとえば１．０Ｔ以上１．３Ｔ以下である。磁性体６０の比透磁率は、たとえば５０００以上１００００以下である。

　（電流センサの製造方法）
　次に、実施の形態６に係る電流センサ１００の製造方法について説明する。磁性体６０は、たとえばＦｅ－Ａｌ－Ｓｉ合金のインゴットまたはＦｅ－Ａｌ－Ｓｉ合金の薄帯から切り出されることによって形成される。Ｆｅ－Ａｌ－Ｓｉ合金のインゴットは、たとえば溶解法または焼結法等を用いて作製される。Ｆｅ－Ａｌ－Ｓｉ合金の薄帯は、たとえば急冷法等を用いて作製される。上下方向Ｚにおける磁性体６０の厚みが２０μｍ未満である場合は、スパッタリング法や蒸着法等の真空成膜法を用いて、第１面１１および第２面２１の各々に磁性体６０が形成されていてもよい。

　急冷法または真空成膜法を用いて磁性体６０が形成された場合、磁性体６０は、アモルファス状態の合金によって形成される。アモルファス状態の磁性合金は、結晶構造に由来する結晶磁気異方性エネルギーがほとんど無い。このため、急冷法または真空成膜法を用いて磁性体６０が形成された場合、磁性体６０の比透磁率を向上することができる。

　次に、実施の形態６に係る電流センサ１００の作用効果について説明する。
　図２４に示されるように、実施の形態４に係る電流センサ１００によれば、漏れ磁束１０９の一部は、磁気コア１の外側に拡散する。具体的には、上下方向Ｚに垂直な方向において、漏れ磁束１０９の一部は、磁気コア１の第１面１１および第２面２１の各々の外側を通る。別の観点から言えば、漏れ磁束１０９の一部は、第１素子３の外側を通る。

　実施の形態６に係る電流センサ１００は、磁性体６０を有している。磁性体６０は、第１面１１と第１素子３との間および第２面２１と第１素子３との間の少なくとも一方にある。磁性体６０の飽和磁束密度は、磁気コア１の飽和磁束密度よりも高い。このため、図２５に示されるように、磁束信号１０８は、磁性体６０に向かって集中する。漏れ磁束１０９は、第１磁性体部７８と第２磁性体部７９との間において生じる。このため、第１素子３に囲まれた空間を貫通する漏れ磁束１０９の磁束密度を高めることができる。これによって、磁束の時間変化に対する第１素子３の感度をより効果的に高めることができる。この結果、電流センサ１００の検出精度および検出感度を向上することができる。

　実施の形態６に係る電流センサ１００によれば、磁性体６０の比透磁率は、磁気コア１の比透磁率よりも高い。このため、磁束信号１０８を磁性体６０に高効率で集めることができる。言い換えれば、磁性体６０内を通る磁束の磁束密度の低下を抑制することができる。このため、漏れ磁束１０９の磁束密度の低下を抑制することができる。これによって、電流センサ１００の検出精度および検出感度を向上することができる。

　（実施の形態６の変形例）
　なお、上記において、実施の形態６に係る電流センサ１００の構成について説明したが、本開示は上記構成に限定されない。図２６から図２９を参照して実施の形態６の変形例に係る電流センサ１００の構成について説明する。なお、図２６から図２９の各々に示される拡大断面模式図は、図２３に示される拡大断面模式図に対応している。説明の便宜のため、図２７および図２９の各々において、第１基板固定部材８１および第２基板固定部材８２の各々は、破線によって示されている。説明の便宜のため、図２８において基板構造体２００は、破線によって示されている。

　まず、実施の形態６の第１変形例に係る電流センサ１００の構成について説明する。図２６に示されるように、第１磁性体部７８と第２磁性体部７９との間に基板構造体２００が挟み込まれていてもよい。言い換えれば、磁性体６０は、基板構造体２００を固定していてもよい。第４主面５４において、第１磁性体部７８は、補助基板６に接していてもよい。第２主面５２において、第２磁性体部７９は、主基板５に接していてもよい。

　次に、実施の形態６の第２変形例に係る電流センサ１００の構成について説明する。図２７に示されるように、補助基板６の第４主面５４において、第１磁性体部７８が設けられていてもよい。主基板５の第２主面５２において、第２磁性体部７９が設けられていてもよい。

　主基板５の第２主面５２および補助基板６の第４主面５４の各々において、図示されていない絶縁膜が形成されていてもよい。絶縁膜は、第１磁性体部７８および第２磁性体部７９の各々を覆っている。絶縁膜は、第１磁性体部７８および第２磁性体部７９の各々を保護している。絶縁膜は、透過性を有している。絶縁膜は、たとえばＳｉＯ₂またはＳｉ₃Ｎ₄によって構成されている。

　次に、実施の形態６の第２変形例に係る電流センサ１００の製造方法について説明する。スパッタリング法を用いて、主基板５の第２主面５２においてＦｅ－Ａｌ－Ｓｉ合金膜が形成される。Ｆｅ－Ａｌ－Ｓｉ合金膜がエッチングされることによって、第２磁性体部７９が形成される。Ｆｅ－Ａｌ－Ｓｉ合金膜のエッチングにおいては、たとえば塩化第二鉄（ＦｅＣｌ₃）を含む薬液を用いた浸漬ウエットエッチング法が用いられる。同様の工程を用いて、補助基板６の第４主面５４において、第１磁性体部７８が形成される。

　次に、実施の形態６の第２変形例に係る電流センサ１００の作用効果について説明する。実施の形態６の第２変形例に係る電流センサ１００によれば、上下方向Ｚにおける第１磁性体部７８と第２磁性体部７９との間の距離を短くすることができる。この結果、第１磁性体部７８と第２磁性体部７９との間における漏れ磁束１０９の拡散をより効果的に抑制することができる。これによって、磁束の時間変化に対する第１素子３の感度をより効果的に高めることができる。

　次に、実施の形態６の第３変形例に係る電流センサ１００の構成について説明する。図２８に示されるように、第１基板固定部材８１において、第１磁性体部７８が設けられていてもよい。第１磁性体部７８は、第１基板固定部材８１と第２基板固定部材８２の間にあってもよい。第２基板固定部材８２において、第２磁性体部７９が設けられていてもよい。第２磁性体部７９は、第１基板固定部材８１と第２基板固定部材８２の間にあってもよい。

　次に、実施の形態６の第４変形例に係る電流センサ１００の構成について説明する。図２９に示されるように、第１磁性体部７８および第２磁性体部７９の各々は、複数の島状パターンによって構成されていてもよい。具体的には、第１磁性体部７８および第２磁性体部７９の各々は、複数の個片部１６４によって構成されていてもよい。複数の個片部１６４の各々は、互いに離間している。実施の形態６の第２変形例に係る電流センサ１００と同様に、主基板５の第２主面５２および補助基板６の第４主面５４の各々において、図示されていない絶縁膜が形成されていてもよい。

　次に、実施の形態６の第４変形例に係る電流センサ１００の作用効果について説明する。磁性体６０が磁気コア１から離間している場合、上下方向Ｚにおける磁性体６０の両端面において生じる表面磁極に起因して、磁性体６０内において反磁界が生じる。これによって、磁性体６０が十分に磁化されないことがある。この結果、磁性体６０による漏れ磁束１０９を集中させる効果が十分に得られないおそれがある。通常、反磁界の影響の大きさは、磁性体６０の形状に依存する。具体的には、上下方向Ｚにおける磁性体６０の厚みに対する磁性体６０の両端面の表面積の比率が大きくなるにつれて、反磁界の影響は大きくなる。

　実施の形態６の第４変形例に係る電流センサ１００によれば、第１磁性体部７８および第２磁性体部７９の各々は、複数の島状パターンによって構成されている。このため、上下方向Ｚにおける磁性体６０の厚みに対する磁性体６０の両端面の表面積の比率を小さくすることができる。これによって、より効果的に漏れ磁束１０９を第１素子３が囲まれた空間に集中させることができる。この結果、電流センサ１００の検出精度および検出感度を向上することができる。

　なお、上記においては、実施の形態６に係る電流センサ１００および実施の形態６の第１から第４変形例に係る電流センサ１００の各々は、第１面１１と第１素子３との間および第２面２１と第１素子３との間の各々において、磁性体６０を有している構成について説明した。しかしながら、本開示は上記構成に限定されない。具体的には、電流センサ１００は、第１面１１と第１素子３との間および第２面２１と第１素子３との間のいずれか一方のみにおいて、磁性体６０を有していてもよい。言い換えれば、電流センサ１００は、第１磁性体部７８および第２磁性体部７９のいずれか一方のみを有していてもよい。

　磁性体６０の材質によっては、ウエットエッチングにおける選択的エッチングが困難な場合がある。具体的には、ウエットエッチング法を用いて第１素子３を形成する際に、磁性体６０がエッチングされるおそれがある。この場合、第１素子３を形成する際に、ドライエッチングを用いることが好ましい。

　実施の形態７．
　次に、図３０から図３４を参照して、実施の形態７に係る電流センサ１００の構成について説明する。実施の形態７に係る電流センサ１００は、主に、磁気コア１のギャップ２が第１ギャップ部１７１と第２ギャップ部１７２とを有している点において、実施の形態１に係る電流センサ１００の構成と異なっており、その他の点については、実施の形態１に係る電流センサ１００の構成と実質的に同一である。以下、実施の形態１に係る電流センサ１００の構成と異なる点を中心に説明する。

　なお、説明の便宜のため、図３０においては、基板固定部８０、第１絶縁膜４１および第３絶縁膜４３の各々は図示されていない。図３２に示される断面模式図は、図３に示される断面模式図に対応している。説明の便宜のため、図３３において、基板固定部８０、第１絶縁膜４１および第３絶縁膜４３の各々は図示されていない。説明の便宜のため、図３４において、第１コア部１０、基板固定部８０、第１絶縁膜４１および第３絶縁膜４３の各々は図示されていない。

　図３０に示されるように、第１コア部１０は、第２コア部２０から離間している。上下方向Ｚにおいて、主基板５は、第１コア部１０と第２コア部２０との間にある。ギャップ２は、第１ギャップ部１７１と、第２ギャップ部１７２とを有している。第２ギャップ部１７２は、第１ギャップ部１７１から離間している。第１素子３は、第１素子部３１と、第２素子部３２とを有している。第１素子部３１は、第１ギャップ部１７１にある。第２素子部３２は、第１素子部３１から離間している。第２素子部３２は、第２ギャップ部１７２にある。

　接続配線７は、第３配線部７３を有している。第３配線部７３は、第１配線部７１および第２配線部７２の各々から離間している。第３配線部７３は、第１素子部３１と第２素子部３２とを電気的に接続している。第１配線部７１は、第２素子部３２と、測定回路５０とを電気的に接続している。第２配線部７２は、第１素子部３１と、測定回路５０とを電気的に接続している。第２配線部７２は、たとえばＩＴＯによって構成されていてもよい。第３配線部７３は、たとえば第１配線部７１および第２配線部７２のいずれかと同じ材料によって構成されていてもよい。

　図３１に示されるように、第１ギャップ部１７１および第２ギャップ部１７２の各々は、第１コア部１０と第２コア部２０との間に形成されている。磁気コア１と第１ギャップ部１７１と第２ギャップ部１７２とによって構成される環状領域は、電流線８を取り囲んでいる。

　第１面１１は、第１部分９５と、第２部分９６とを有している。第１部分９５は、第１コア部１０の第１凸部１３によって形成されている。第１部分９５は、第１外周面９１に連なっている。第２部分９６は、第１コア部１０の第２凸部１４によって形成されている。第２部分９６は、第２外周面９２に連なっている。第２部分９６は、第１部分９５から離間している。第２部分９６は、第１部分９５と実質的に平行であってもよい。第１部分９５と第２部分９６とは、実質的に同一平面上にあってもよい。

　第２面２１は、第３部分９７と、第４部分９８とを有している。第３部分９７は、第２コア部２０の第３凸部２３によって形成されている。第３部分９７は、第３外周面９３に連なっている。第３部分９７は、第１部分９５に対面している。第１部分９５から第３部分９７に向かう方向は、第１方向１０１である。第３部分９７は、第１部分９５と実質的に平行であってもよい。

　第４部分９８は、第２コア部２０の第４凸部２４によって形成されている。第４部分９８は、第４外周面９４に連なっている。第４部分９８は、第３部分９７から離間している。第４部分９８は、第２部分９６に対面している。第２部分９６から第４部分９８に向かう方向は、第１方向１０１である。第４部分９８は、第２部分９６と実質的に平行であってもよい。第４部分９８は、第３部分９７と実質的に平行であってもよい。第３部分９７と第４部分９８とは、実質的に同一平面上にあってもよい。

　第１ギャップ部１７１は、第１部分９５と、第３部分９７との間に形成されている。第２ギャップ部１７２は、第２部分９６と、第４部分９８との間に形成されている。

　図３２に示されるように、第１基板固定部材８１は、第１部材１８１と、第２部材１８２とを有している。第１部材１８１は、第１面１１の第１部分９５と、第２面２１の第３部分９７との間にある。言い換えれば、第１部材１８１は、第１ギャップ部１７１（図３１参照）にある。第１部材１８１は、第１部分９５および第３絶縁膜４３の各々に接している。

　上下方向Ｚに垂直な方向において、第１部材１８１は、第１部分９５の外縁に沿っている。言い換えれば、上下方向Ｚに垂直な方向において、第１部材１８１は、第１外周面９１に沿っている。上下方向Ｚに垂直な方向において、第１部材１８１は、第１部分９５の内側にあってもよい。言い換えれば、上下方向Ｚに垂直な方向において、第１部材１８１は、第１外周面９１の内側にあってもよい。

　第２部材１８２は、第１部材１８１から離間している。第２部材１８２は、第１面１１の第２部分９６と、第２面２１の第４部分９８との間にある。言い換えれば、第２部材１８２は、第２ギャップ部１７２（図３１参照）にある。第２部材１８２は、第２部分９６および第３絶縁膜４３の各々に接している。

　上下方向Ｚに垂直な方向において、第２部材１８２は、第２部分９６の外縁に沿っている。言い換えれば、上下方向Ｚに垂直な方向において、第２部材１８２は、第２外周面９２に沿っている。上下方向Ｚに垂直な方向において、第２部材１８２は、第２部分９６の内側にあってもよい。言い換えれば、上下方向Ｚに垂直な方向において、第２部材１８２は、第２外周面９２の内側にあってもよい。

　第２基板固定部材８２は、第３部材１８３と、第４部材１８４とを有している。第３部材１８３は、第１面１１の第１部分９５と、第２面２１の第３部分９７との間にある。言い換えれば、第３部材１８３は、第１ギャップ部１７１（図３１参照）にある。第３部材１８３は、第３部分９７および主基板５の各々に接している。

　上下方向Ｚに垂直な方向において、第３部材１８３は、第３部分９７の外縁に沿っている。言い換えれば、上下方向Ｚに垂直な方向において、第３部材１８３は、第３外周面９３に沿っている。上下方向Ｚに垂直な方向において、第３部材１８３は、第３部分９７の内側にあってもよい。言い換えれば、上下方向Ｚに垂直な方向において、第３部材１８３は、第３外周面９３の内側にあってもよい。

　第４部材１８４は、第３部材１８３から離間している。第４部材１８４は、第１面１１の第２部分９６と、第２面２１の第４部分９８との間にある。言い換えれば、第４部材１８４は、第２ギャップ部１７２（図３１参照）にある。第４部材１８４は、第４部分９８および主基板５の各々に接している。

　上下方向Ｚに垂直な方向において、第４部材１８４は、第４部分９８の外縁に沿っている。言い換えれば、上下方向Ｚに垂直な方向において、第４部材１８４は、第４外周面９４に沿っている。上下方向Ｚに垂直な方向において、第４部材１８４は、第４部分９８の内側にあってもよい。言い換えれば、上下方向Ｚに垂直な方向において、第４部材１８４は、第４外周面９４の内側にあってもよい。

　主基板５において、第１素子３の第１素子部３１および第２素子部３２の各々が設けられている。第１素子部３１は、第１面１１の第１部分９５と、第２面２１の第３部分９７との間にある。言い換えれば、第１素子部３１は、第１ギャップ部１７１（図３１参照）にある。第２素子部３２は、第１面１１の第２部分９６と、第２面２１の第４部分９８との間にある。言い換えれば、第２素子部３２は、第２ギャップ部１７２（図３１参照）にある。上下方向Ｚにおいて、電流線８は、主基板５と第２コア部２０との間にある。

　図３３および図３４に示されるように、第１方向１０１に見て、第１素子部３１は、スパイラル状に設けられている。具体的には、第１方向１０１に見て、第１素子部３１の形状は、同一平面上に形成されている渦巻き形状である。第１方向１０１に見て、第１素子部３１は、第１面１１の第１部分９５および第２面２１の第３部分９７の各々と重なっている。言い換えれば、第１部分９５から第３部分９７に向かう方向に見て、第１素子部３１は、第１面１１の第１部分９５および第２面２１の第３部分９７の各々と重なっている。

　第１方向１０１に見て、第１素子部３１は、第１部分９５および第３部分９７の各々の外縁の内側にあることが好ましい。別の観点から言えば、第１方向１０１に見て、第１素子部３１は、第１外周面９１および第３外周面９３の各々の内側にあることが好ましい。第１方向１０１に見て、第１素子部３１の中心は、第１部分９５および第３部分９７の各々の中心と実質的に一致していることが好ましい。

　図３３および図３４に示されるように、第１方向１０１に見て、第２素子部３２は、スパイラル状に設けられている。具体的には、第１方向１０１に見て、第２素子部３２の形状は、同一平面上に形成されている渦巻き形状である。第１方向１０１に見て、第２素子部３２は、第１面１１の第２部分９６および第２面２１の第４部分９８の各々と重なっている。言い換えれば、第２部分９６から第４部分９８に向かう方向に見て、第２素子部３２は、第１面１１の第２部分９６および第２面２１の第４部分９８の各々と重なっている。

　第１方向１０１に見て、第２素子部３２は、第２部分９６および第４部分９８の各々の外縁の内側にあることが好ましい。別の観点から言えば、第１方向１０１に見て、第２素子部３２は、第２外周面９２および第４外周面９４の各々の内側にあることが好ましい。第１方向１０１に見て、第２素子部３２の中心は、第２部分９６および第４部分９８の各々の中心と実質的に一致していることが好ましい。

　図３３および図３４に示されるように、検出領域８５は、第１検出部８８と、第２検出部８９とを有している。第１検出部８８は、第１方向１０１に見て、第２面２１の第３部分９７の外縁の内側にある主基板５の領域である。第１方向１０１に見て、第１素子部３１は、第１検出部８８内にある。第２検出部８９は、第１方向１０１に見て、第２面２１の第４部分９８の外縁の内側にある主基板５の領域である。第２検出部８９は、第１検出部８８から離間している。第１方向１０１に見て、第２素子部３２は、第２検出部８９にある。

　図３３に示されるように、第１方向１０１に見て、第１コア部１０は主基板５の外縁の内側にあってもよい。図３４に示されるように、第１方向１０１に見て、第２コア部２０は、主基板５の外縁の内側にあってもよい。

　（基板構造体の構成）
　次に、図３５から図３７を参照して、実施の形態７に係る基板構造体２００の構成について説明する。なお、説明の便宜のため、図３５において、第１絶縁膜４１および第３絶縁膜４３の各々は図示されていない。図３５において、斜線が付されている部分は、第１素子３を示している。図３６に示される断面は、上下方向Ｚおよび左右方向Ｘの各々に平行であり且つ第１配線部７１および第２配線部７２の各々と交差する断面である。図３７に示される断面は、上下方向Ｚおよび左右方向Ｘの各々に平行であり且つ第３配線部７３と交差する断面である。

　図３５に示されるように、第１素子部３１は、第５コイルパターン部５７と、第５外周端部５９と、第５内周端部５８とを有している。第１方向１０１に見て、第５コイルパターン部５７は、スパイラル状に設けられている。具体的には、第１方向１０１に見て、第５コイルパターン部５７の形状は、同一平面上に形成されている渦巻き形状である。第１方向１０１に見て、第５コイルパターン部５７は、たとえば中心から外側に向かって時計回りのスパイラル状である。第５外周端部５９は、第５コイルパターン部５７に連なっている。第５内周端部５８は、第５コイルパターン部５７に連なっている。第５内周端部５８は、第５コイルパターン部５７に取り囲まれている。

　第２素子部３２は、第６コイルパターン部６７と、第６外周端部６９と、第６内周端部６８とを有している。第１方向１０１に見て、第６コイルパターン部６７は、スパイラル状に設けられている。具体的には、第１方向１０１に見て、第６コイルパターン部６７の形状は、同一平面上に形成されている渦巻き形状である。第１方向１０１に見て、第６コイルパターン部６７の巻き方向は、第５コイルパターン部５７の巻き方向と同じである。具体的には、第１方向１０１に見て、第６コイルパターン部６７は、たとえば中心から外側に向かって時計回りのスパイラル状である。第６外周端部６９は、第６コイルパターン部６７に連なっている。第６内周端部６８は、第６コイルパターン部６７に連なっている。第６内周端部６８は、第６コイルパターン部６７に取り囲まれている。

　第１方向１０１に見て、第１配線部７１の一部は、第２素子部３２と重なっている。第１方向１０１に見て、第２配線部７２の一部は、第１素子部３１と重なっている。第１方向１０１に見て、第３配線部７３は、第１素子部３１および第２素子部３２の各々と交差している。

　第１素子部３１と第２素子部３２とは、電気的に直列に接続されている。具体的には、第１素子部３１および第２素子部３２の各々において生じた誘導電流が同じ方向に流れるように、第１素子部３１と第２素子部３２とは接続されている。より具体的には、第１素子部３１および第２素子部３２の各々において生じた誘導電流は、たとえば第２配線部７２から第１配線部７１に向かう方向に流れる。

　図３６に示されるように、第２配線部７２は、第２配線部材１２１と、第２接続部材１２２とを有している。第２配線部材１２１は、第１絶縁膜４１および第３絶縁膜４３の各々に接している。第２接続部材１２２は、第２配線部材１２１に連なっている。第２接続部材１２２は、第１素子部３１の第５外周端部５９および第１絶縁膜４１の各々に接している。第２接続部材１２２は、第２配線部材１２１と第５外周端部５９との間にある。

　第１配線部７１の第１接続部材１１２は、第２素子部３２の第６外周端部６９および第１絶縁膜４１の各々に接している。第１接続部材１１２は、第１配線部材１１１と第６外周端部６９との間にある。

　第１絶縁膜４１は、第５内周面１４５と、第６内周面１４６とを有している。第５内周面１４５は、第１接続部材１１２を取り囲んでいる。第５内周面１４５に囲まれた空間において、第２素子部３２の第６外周端部６９は、第１絶縁膜４１から露出している。言い換えれば、第５内周面１４５は、コンタクトホールを形成している。

　第６内周面１４６は、第２接続部材１２２を取り囲んでいる。第６内周面１４６に囲まれた空間において、第１素子部３１の第５外周端部５９は、第１絶縁膜４１から露出している。言い換えれば、第６内周面１４６は、コンタクトホールを形成している。

　図３７に示されるように、第３配線部７３は、第３配線部材１３１と、第３接続部材１３２と、第４接続部材１３３とを有している。第３配線部材１３１は、第１絶縁膜４１および第３絶縁膜４３の各々に接している。第３接続部材１３２は、第３配線部材１３１に連なっている。第３接続部材１３２は、第１素子部３１の第５内周端部５８および第１絶縁膜４１の各々に接している。第３接続部材１３２は、第３配線部材１３１と第５内周端部５８との間にある。

　第４接続部材１３３は、第３配線部材１３１に連なっている。第４接続部材１３３は、第２素子部３２の第６内周端部６８および第１絶縁膜４１の各々に接している。第４接続部材１３３は、第３接続部材１３２から離間している。第４接続部材１３３は、第３配線部材１３１と第６内周端部６８との間にある。

　第１絶縁膜４１は、第７内周面１４７と、第８内周面１４８とを有している。第７内周面１４７は、第３接続部材１３２を取り囲んでいる。第７内周面１４７に囲まれた空間において、第１素子部３１の第５内周端部５８は、第１絶縁膜４１から露出している。言い換えれば、第７内周面１４７は、コンタクトホールを形成している。

　第８内周面１４８は、第４接続部材１３３を取り囲んでいる。第８内周面１４８に囲まれた空間において、第２素子部３２の第６内周端部６８は、第１絶縁膜４１から露出している。言い換えれば、第８内周面１４８は、コンタクトホールを形成している。

　次に、図３８を参照して、実施の形態７に係る電流センサ１００の作用効果について説明する。なお、図３８において、斜線が付されている部分は、第１素子３を示している。

　図３８に示されるように、第１検出部８８および第２検出部８９において、漏れ磁束１０９が生じる。第１検出部８８における漏れ磁束１０９の方向は、第２検出部８９における漏れ磁束１０９の方向と反対である。具体的には、第１検出部８８における漏れ磁束１０９の方向は、たとえば第１方向１０１である。第２検出部８９における漏れ磁束１０９の方向は、たとえば第２方向１０２である。第１方向１０１に見て、第１素子部３１に生じる誘導電流の流れる方向は、たとえば反時計回りである。第２素子部３２において生じる誘導電流の流れる方向は、たとえば時計回りである。なお、図３８において、矢印は、基板構造体２００における誘導電流の流れる方向を模式的に視覚化して示している。

　第１素子部３１の第５内周端部５８と、第２素子部３２の第６内周端部６８とは接続されている。このため、第１素子部３１に生じる誘導電流と、第２素子部３２において生じる誘導電流とは、第２配線部７２から第１配線部７１に向かう方向に流れる。これによって、第１素子部３１において生じた誘導起電力と、第２素子部３２において生じた誘導起電力とは足し合わされる。足し合わされた誘導起電力が、電圧信号として測定回路５０に送られる。別の観点から言えば、第１素子３における磁束密度の時間変化に対する感度を向上することができる。この結果、電流センサ１００の検出精度および検出感度をより効果的に向上することができる。

　実施の形態８．
　次に、図３９から図４３を参照して、実施の形態８に係る電流センサ１００の構成について説明する。実施の形態８に係る電流センサ１００の構成は、主に、第１素子３が第２コイルパターン部２７を有している点において、実施の形態１に係る電流センサ１００の構成と異なっており、その他の点については、実施の形態１に係る電流センサ１００の構成と実質的に同一である。以下、実施の形態１に係る電流センサ１００の構成と異なる点を中心に説明する。

　なお、図４０は、第２コイルパターン部２７、第２内周端部２８および第２外周端部２９の位置をずらした状態を示す平面模式図である。図４０に示される矢印は、矢印の根元にある第２コイルパターン部２７、第２内周端部２８および第２外周端部２９の各々の部分が、矢印の先端の位置に配置されることを示している。図３９および図４０の各々において、斜線が付されている部分は、第１コイルパターン部１７、第１内周端部１８および第１外周端部１９を示している。

　図３９および図４０に示されるように、第１素子３は、第２コイルパターン部２７と、第２内周端部２８と、第２外周端部２９とをさらに有している。第１方向１０１に見て、第２コイルパターン部２７は、スパイラル状に設けられている。具体的には、第１方向１０１に見て、第２コイルパターン部２７の形状は、同一平面上に形成されている渦巻き形状である。第１方向１０１に見て、第２コイルパターン部２７の巻き方向は、第１コイルパターン部１７の巻き方向と反対である。第１方向１０１に見て、第２コイルパターン部２７は、たとえば中心から外側に向かって反時計回りのスパイラル状である。

　第１方向１０１に見て、第２コイルパターン部２７は、第１コイルパターン部１７と重なっていない部分を有している。第１方向１０１に見て、第２コイルパターン部２７全体の面積に対する第１コイルパターン部１７と重なっていない第２コイルパターン部２７の部分の面積の比率は、たとえば９０％以上である。

　第２外周端部２９は、第２コイルパターン部２７に連なっている。第１方向１０１に見て、第２外周端部２９は、第１配線部７１に重なっている。第２外周端部２９は、第１配線部７１と電気的に接続されている。第２内周端部２８は、第２コイルパターン部２７に連なっている。第２内周端部２８は、第２コイルパターン部２７に取り囲まれている。第１方向１０１に見て、第２内周端部２８は、第１内周端部１８に重なっている。第２内周端部２８は、第１内周端部１８と電気的に接続されている。

　図３９および図４１に示されるように、第１素子３は、第１接続部２６を有している。第１接続部２６は、第１コイルパターン部１７と、第２コイルパターン部２７とを電気的に直列に接続している。第１接続部２６は、第２内周端部２８に連なっている。第１接続部２６は、第１内周端部１８、第１絶縁膜４１の各々に接している。第１接続部２６は、第１内周端部１８と第２内周端部２８との間にある。第１接続部２６は、第１内周面１４１に取り囲まれている。

　第２コイルパターン部２７は、第１絶縁膜４１および第３絶縁膜４３の各々に接している。第１コイルパターン部１７と第２コイルパターン部２７との間に、第１絶縁膜４１はある。別の観点から言えば、第１絶縁膜４１は、第１コイルパターン部１７と第２コイルパターン部２７とを隔てている。第３絶縁膜４３上において、第４絶縁膜４４が設けられている。第４絶縁膜４４は、たとえば第１絶縁膜４１と同じ材料によって構成されている。

　図４２に示されるように、第１絶縁膜４１は、第９内周面１４９を有している。第９内周面１４９は、第２接続部材１２２を取り囲んでいる。第９内周面１４９に囲まれた空間において、第１素子３の第１外周端部１９は、第１絶縁膜４１から露出している。言い換えれば、第９内周面１４９は、コンタクトホールを形成している。

　第３絶縁膜４３は、第１０内周面１５０と、第１１内周面１５１とを有している。第１０内周面１５０は、第２接続部材１２２を取り囲んでいる。第１０内周面１５０に囲まれた空間において、第２配線部材１２１は、第３絶縁膜４３から露出している。言い換えれば、第１０内周面１５０は、コンタクトホールを形成している。

　第１１内周面１５１は、第１接続部材１１２を取り囲んでいる。第１１内周面１５１に囲まれた空間において、第１素子３の第２外周端部２９は、第３絶縁膜４３から露出している。言い換えれば、第１１内周面１５１は、コンタクトホールを形成している。第４絶縁膜４４は、第１配線部７１および第２配線部７２の各々を覆っている。

　図４３は、実施の形態８に係る電流センサ１００の第１素子３の周辺を拡大した拡大断面模式図である。図４３に示される断面は、上下方向Ｚおよび左右方向Ｘの各々に平行であり且つ第１コイルパターン部１７および第２コイルパターン部２７の各々と交差する断面である。図４３に示されるように、第２コイルパターン部２７は、第１コイルパターン部１７と、第１面１１との間にある。第１コイルパターン部１７は、第２コイルパターン部２７と第２面２１との間にある。

　第２コイルパターン部２７、第２内周端部２８および第２外周端部２９の各々は、たとえば写真製版工程を用いて形成される。主基板５がガラスによって構成されているため、写真製版工程を用いて、第２コイルパターン部２７、第２内周端部２８および第２外周端部２９を容易に形成することができる。

　次に、実施の形態８に係る電流センサ１００の作用効果について説明する。
　実施の形態８に係る電流センサ１００によれば、第１絶縁膜４１は、第１コイルパターン部１７と第２コイルパターン部２７とを隔てている。第１方向１０１に見て、第２コイルパターン部２７は、第１コイルパターン部１７と重なっていない部分を有している。このため、第１コイルパターン部１７と重なっている第２コイルパターン部２７の部分と比較して、第１コイルパターン部１７と重なっていない第２コイルパターン部２７の部分は、第１コイルパターン部１７からの距離が大きい。このため、第１コイルパターン部１７と第２コイルパターン部２７の間の絶縁性を向上することができる。これによって、電流センサ１００の不良率を低減することができる。

　なお、上記において、第１素子３が第１コイルパターン部１７と第２コイルパターン部２７との２層構造を有している構成について説明した。しかしながら、本開示は上記構成に限定されない。具体的には、たとえば第１素子３は、３層以上の多層コイルパターンを有していてもよい。実施の形態２から実施の形態７の各々に係る電流センサ１００の第１素子３が、多層コイルパターンを有していてもよい。

　実施の形態９．
　次に、図４４および図４５を参照して、実施の形態９に係る電流センサ１００の構成について説明する。実施の形態９に係る電流センサ１００は、主に、第２素子４が、第４コイルパターン部４７を有している点において、実施の形態５に係る電流センサ１００の構成と異なっており、その他の点については、実施の形態５に係る電流センサ１００の構成と実質的に同一である。以下、実施の形態５に係る電流センサ１００の構成と異なる点を中心に説明する。

　図４４は、実施の形態９に係る電流センサ１００の第１素子３の周辺を拡大した拡大断面模式図である。図４４に示される断面は、上下方向Ｚおよび左右方向Ｘの各々に平行であり且つ第１素子３および第２素子４の各々と交差する断面である。図４４に示されるように、基板構造体２００は、第５絶縁膜４５を有している。第５絶縁膜４５は、第２絶縁膜４２および第３絶縁膜４３の各々に接している。第２素子４は、第４コイルパターン部４７と、第４内周端部４８と、第２接続部４６とを有している。

　第４コイルパターン部４７は、第３コイルパターン部３７と、第２面２１との間にある。第４コイルパターン部４７は、第２絶縁膜４２および第５絶縁膜４５の各々に接している。第３コイルパターン部３７と第４コイルパターン部４７との間に、第２絶縁膜４２はある。別の観点から言えば、第２絶縁膜４２は、第３コイルパターン部３７と第４コイルパターン部４７とを隔てている。第５絶縁膜４５は、第４コイルパターン部４７を覆っている。第１素子３の構成は、実施の形態８に係る電流センサ１００の第１素子３の構成と実質的に同一である。

　図４５は、第１方向１０１に見た第２素子４の構成を概略的に示す平面模式図である。図４５において、斜線が付されている部分は、第４コイルパターン部４７、第４外周端部４９および第４内周端部４８を示している。

　図４４および図４５に示されるように、第２接続部４６は、第３コイルパターン部３７と第４コイルパターン部４７とを電気的に直列に接続している。第２接続部４６は、第４内周端部４８に連なっている。第２接続部４６は、第３内周端部３８に接している。

　第２素子４は、第４外周端部４９を有している。第４外周端部４９は、第４コイルパターン部４７に連なっている。第４内周端部４８は、第４コイルパターン部４７に連なっている。第１方向１０１に見て、第４コイルパターン部４７は、第３コイルパターン部３７と重なっていない部分を有している。第１方向１０１に見て、第４コイルパターン部４７全体の面積に対する第３コイルパターン部３７と重なっていない第４コイルパターン部４７の部分の面積の比率は、たとえば９０％以上である。

　次に、実施の形態９に係る電流センサ１００の作用効果について説明する。
　実施の形態９に係る電流センサ１００によれば、第２絶縁膜４２は、第３コイルパターン部３７と第４コイルパターン部４７とを隔てている。第１方向１０１に見て、第４コイルパターン部４７は、第３コイルパターン部３７と重なっていない部分を有している。このため、第３コイルパターン部３７と重なっている第４コイルパターン部４７の部分と比較して、第３コイルパターン部３７と重なっていない第４コイルパターン部４７の部分は、第３コイルパターン部３７からの距離が大きい。このため、第３コイルパターン部３７と第４コイルパターン部４７の間の絶縁性を向上することができる。これによって、電流センサ１００の不良率を低減することができる。

　今回開示された実施の形態および実施例はすべての点で例示であって、制限的なものではないと考えられるべきである。本開示の範囲は上記した説明ではなくて請求の範囲によって示され、請求の範囲と均等の意味、および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。

　１　磁気コア、２　ギャップ、３　第１素子、４　第２素子、５　主基板、６　補助基板、７　接続配線、８　電流線、９　フレキシブルプリント回路、１０　第１コア部、１１　第１面、１２　第１コア部材、１３　第１凸部、１４　第２凸部、１５　第１接着面、１７　第１コイルパターン部、１８　第１内周端部、１９　第１外周端部、２０　第２コア部、２１　第２面、２２　第２コア部材、２３　第３凸部、２４　第４凸部、２５　第２接着面、２６　第１接続部、２７　第２コイルパターン部、２８　第２内周端部、２９　第２外周端部、３１　第１素子部、３２　第２素子部、３７　第３コイルパターン部、３８　第３内周端部、３９　第３外周端部、４１　第１絶縁膜、４２　第２絶縁膜、４３　第３絶縁膜、４４　第４絶縁膜、４５　第５絶縁膜、４６　第２接続部、４７　第４コイルパターン部、４８　第４内周端部、４９　第４外周端部、５０　測定回路、５１　第１主面、５２　第２主面、５３　第３主面、５４　第４主面、５７　第５コイルパターン部、５８　第５内周端部、５９　第５外周端部、６０　磁性体、６１　第１アライメントマーク、６２　第２アライメントマーク、６３　第３アライメントマーク、６４　第４アライメントマーク、６５　第５アライメントマーク、６７　第６コイルパターン部、６８　第６内周端部、６９　第６外周端部、７１　第１配線部、７２　第２配線部、７３　第３配線部、７５　第１導電材、７６　第２導電材、７８　第１磁性体部、７９　第２磁性体部、８０　基板固定部、８１　第１基板固定部材、８２　第２基板固定部材、８３　接着部、８５　検出領域、８６　外周領域、８７　露出領域、８８　第１検出部、８９　第２検出部、９１　第１外周面、９２　第２外周面、９３　第３外周面、９４　第４外周面、９５　第１部分、９６　第２部分、９７　第３部分、９８　第４部分、９９　コンタクトホール、１００　電流センサ、１０１　第１方向、１０２　第２方向、１０８　磁束信号（第１矢印）、１０９　漏れ磁束（第２矢印）、１１１　第１配線部材、１１２　第１接続部材、１２１　第２配線部材、１２２　第２接続部材、１３１　第３配線部材、１３２　第３接続部材、１３３　第４接続部材、１４１　第１内周面、１４２　第２内周面、１４３　第３内周面、１４４　第４内周面、１４５　第５内周面、１４６　第６内周面、１４７　第７内周面、１４８　第８内周面、１４９　第９内周面、１５０　第１０内周面、１５１　第１１内周面、１６１　第１平板部材、１６２　第２平板部材、１６３　アライメントマーク部材、１６４　個片部、１７１　第１ギャップ部、１７２　第２ギャップ部、１８１　第１部材、１８２　第２部材、１８３　第３部材、１８４　第４部材、２００　基板構造体、Ｈ　厚み、Ｘ　左右方向、Ｙ　前後方向、Ｚ　上下方向。

Claims

　電流線と、
　ギャップが設けられている磁気コアと、
　前記ギャップに配置されている主基板とを備え、
　前記磁気コアは、第１面と、前記第１面に対面する第２面とを有しており、
　前記ギャップは、前記第１面と前記第２面との間に形成されており、
　前記磁気コアと前記ギャップとは、前記電流線を取り囲んでおり、
　前記主基板において、前記電流線に流れる電流によって生じる磁束を検出する第１素子が設けられており、
　前記第１面から前記第２面に向かう方向に見て、前記第１素子は、前記第１面および前記第２面の各々と重なっており、
　前記主基板は、透光性の材料によって構成されている、電流センサ。
　前記主基板において、前記第１素子から送られた信号を処理する測定回路がさらに設けられており、
　前記第１面から前記第２面に向かう方向に見て、前記測定回路は、前記ギャップの外側にある、請求項１に記載の電流センサ。
　前記主基板において、前記第１面および前記第２面の少なくとも一方と位置合わせされているアライメントマークがさらに設けられている、請求項１または請求項２に記載の電流センサ。
　前記第１面と前記第１素子との間および前記第２面と前記第１素子との間の少なくとも一方にある磁性体をさらに備え、
　前記磁性体の飽和磁束密度は、前記磁気コアの飽和磁束密度よりも高い、請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の電流センサ。
　前記磁性体の比透磁率は、前記磁気コアの比透磁率よりも高い、請求項４に記載の電流センサ。
　前記第１素子は、
　　第１コイルパターン部と、
　　前記第１コイルパターン部と前記第１面との間にある第２コイルパターン部と、
　　前記第１コイルパターン部と前記第２コイルパターン部とを電気的に直列に接続している第１接続部とを有しており、
　前記主基板において、前記第１コイルパターン部と前記第２コイルパターン部とを隔てている第１絶縁膜が設けられており、
　前記第１面から前記第２面に向かう方向に見て、前記第２コイルパターン部は、前記第１コイルパターン部と重なっていない部分を有している、請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の電流センサ。
　前記第１素子を覆っている補助基板をさらに備え、
　前記補助基板は、透光性の材料によって構成されている、請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の電流センサ。
　前記補助基板において、前記電流線に流れる電流によって生じる磁束を検出する第２素子が設けられており、
　前記第１面から前記第２面に向かう方向に見て、前記第２素子は、前記第１面および前記第２面の各々と重なっており、
　前記第１素子と前記第２素子とは、電気的に直列に接続されている、請求項７に記載の電流センサ。
　前記第２素子は、
　　第３コイルパターン部と、
　　前記第３コイルパターン部と前記第２面との間にある第４コイルパターン部と、
　　前記第３コイルパターン部と前記第４コイルパターン部とを電気的に直列に接続している第２接続部とを有しており、
　前記補助基板において、前記第３コイルパターン部と前記第４コイルパターン部とを隔てている第２絶縁膜が設けられており、
　前記第１面から前記第２面に向かう方向に見て、前記第４コイルパターン部は、前記第３コイルパターン部と重なっていない部分を有している、請求項８に記載の電流センサ。
　前記第１面は、第１部分と、前記第１部分から離間している第２部分とを有し、
　前記第２面は、前記第１部分に対面する第３部分と、前記第２部分に対面し且つ前記第３部分から離間している第４部分とを有し、
　前記ギャップは、前記第１部分と前記第３部分との間に形成されている第１ギャップ部と、前記第２部分と前記第４部分との間に形成されている第２ギャップ部とを有し、
　前記第１素子は、第１素子部と、前記第１素子部と電気的に直列に接続されている第２素子部とを有し、
　前記第１部分から前記第３部分に向かう方向に見て、前記第１素子部は、前記第１部分および前記第３部分の各々と重なっており、
　前記第２部分から前記第４部分に向かう方向に見て、前記第２素子部は、前記第２部分および前記第４部分の各々と重なっている、請求項１から請求項９のいずれか１項に記載の電流センサ。