JP2864034B2 - 露光方法 - Google Patents
露光方法Info
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- JP2864034B2 JP2864034B2 JP2022269A JP2226990A JP2864034B2 JP 2864034 B2 JP2864034 B2 JP 2864034B2 JP 2022269 A JP2022269 A JP 2022269A JP 2226990 A JP2226990 A JP 2226990A JP 2864034 B2 JP2864034 B2 JP 2864034B2
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- area
- exposure apparatus
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は半導体装置の製造における微細パターン形成
のための露光方法に関する。
のための露光方法に関する。
［従来の技術］ 近年半導体集積回路の進歩、特に高集積化は著しく、
サブミクロパターンを用いる超LSI開発が活発化してき
た。そして、サブミクロンパターンを実現するために、
Ｘ線による露光が注目されている。
サブミクロパターンを用いる超LSI開発が活発化してき
た。そして、サブミクロンパターンを実現するために、
Ｘ線による露光が注目されている。
Ｘ線を露光光源として使用する場合には、Ｘ線に対す
る適当な縮小レンズがないためマスクとウエハを接近さ
せた状態で対向させ等倍露光させる必要がある。このた
めサブミクロンパターンを等倍でマスク上に形成しなけ
ればならず、更にウエハの大口径化も考慮するとウエハ
全面を一括露光するマスクを作製するのは容易ではな
く、ウエハ面を分割し各分割領域毎にマスクとウエハ間
の位置合わせと露光を繰り返す、いわゆるステップアン
ドリピート方式が採用される。
る適当な縮小レンズがないためマスクとウエハを接近さ
せた状態で対向させ等倍露光させる必要がある。このた
めサブミクロンパターンを等倍でマスク上に形成しなけ
ればならず、更にウエハの大口径化も考慮するとウエハ
全面を一括露光するマスクを作製するのは容易ではな
く、ウエハ面を分割し各分割領域毎にマスクとウエハ間
の位置合わせと露光を繰り返す、いわゆるステップアン
ドリピート方式が採用される。
このようなＸ線を露光光源とするステップアンドリピ
ート方式の露光装置（以下Ｘ線ステッパーと呼ぶ）は超
LSIの製造に適した露光装置であるが、その装置コスト
および生産性は満足すべきレベルには到達していない。
ート方式の露光装置（以下Ｘ線ステッパーと呼ぶ）は超
LSIの製造に適した露光装置であるが、その装置コスト
および生産性は満足すべきレベルには到達していない。
一方、現在の半導体集積回路の生産にはUV光（例えば
ｇ線）を露光光源とする縮小投影型ステップアンドリピ
ート方式の露光装置（以下光ステッパーと呼ぶ）が専ら
使用されており、その装置コストおよび生産性は満足す
べきレベルに到達している。
ｇ線）を露光光源とする縮小投影型ステップアンドリピ
ート方式の露光装置（以下光ステッパーと呼ぶ）が専ら
使用されており、その装置コストおよび生産性は満足す
べきレベルに到達している。
半導体集積回路の生産は10〜20回の露光プロセスを繰
り返して行われる。それぞれの露光プロセスは所定の線
幅精度、位置合わせ精度を満足するような露光装置によ
って実行される。今後開発されるサブミクロンパターン
を用いる超LSIにおいても全ての露光プロセスがサブミ
クロンで実行されるのではない。したがって、Ｘ線ステ
ッパーで全ての露光プロセスを実行するのは装置コスト
および生産性の点から最適ではなく、Ｘ線ステッパーと
光ステッパーを使用する露光システムが考えられる。
り返して行われる。それぞれの露光プロセスは所定の線
幅精度、位置合わせ精度を満足するような露光装置によ
って実行される。今後開発されるサブミクロンパターン
を用いる超LSIにおいても全ての露光プロセスがサブミ
クロンで実行されるのではない。したがって、Ｘ線ステ
ッパーで全ての露光プロセスを実行するのは装置コスト
および生産性の点から最適ではなく、Ｘ線ステッパーと
光ステッパーを使用する露光システムが考えられる。
光ステッパーは縮小レンズの制約からその露光領域は
最大でも□15mm程度に限定される。一方Ｘ線ステッパー
は縮小レンズは使用しないが、Ｘ線光源の不平行性やマ
スクの歪み等によってその露光領域は最大で□30mm程度
に限定される。
最大でも□15mm程度に限定される。一方Ｘ線ステッパー
は縮小レンズは使用しないが、Ｘ線光源の不平行性やマ
スクの歪み等によってその露光領域は最大で□30mm程度
に限定される。
例えば、露光領域□15mmの光ステッパーでパターンを
焼き付け、その上に露光領域□30mmのＸ線ステッパーに
よって次のパターンを焼き付ける場合を考える。半導体
装置の大きさは□15mmとする。したがって、光ステッパ
ーの露光領域は半導体１ステップと等しい。
焼き付け、その上に露光領域□30mmのＸ線ステッパーに
よって次のパターンを焼き付ける場合を考える。半導体
装置の大きさは□15mmとする。したがって、光ステッパ
ーの露光領域は半導体１ステップと等しい。
第７図にこれらのパターンを示す。
以下の説明中Ｍはマスクの位置合わせパターン、Ｗは
ウエハの位置合わせパターンを示す。サフィックスは半
導体チップと位置合わせパターンの並び順をあらわして
いる。例えば、W23はウエハの２番目の半導体チップの
３番目の位置合わせパターンであり、M23はそれに対応
するマスクの位置合わせパターンである。
ウエハの位置合わせパターンを示す。サフィックスは半
導体チップと位置合わせパターンの並び順をあらわして
いる。例えば、W23はウエハの２番目の半導体チップの
３番目の位置合わせパターンであり、M23はそれに対応
するマスクの位置合わせパターンである。
第７図（ａ）に示すように光ステッパーによって焼き
付けられたウエハパターンは□15mm単位なのでＸ線ステ
ッパーの露光領域には半導体チップが４個並ぶ。ウエハ
パターンには４組の位置合わせパターン＃１（W11,W1
2）、＃２（W21,W22）、＃３（W31,W32）、＃４（W41,W
42）がある。
付けられたウエハパターンは□15mm単位なのでＸ線ステ
ッパーの露光領域には半導体チップが４個並ぶ。ウエハ
パターンには４組の位置合わせパターン＃１（W11,W1
2）、＃２（W21,W22）、＃３（W31,W32）、＃４（W41,W
42）がある。
一方、第７図（ｂ）はＸ線ステッパー用のマスクパタ
ーンである。ここには同じく４組の位置合わせパターン
＃１（M11,M12）、＃２（M21,M22）、＃３（M31,M3
2）、＃４（M41,M42）がある。Ｘ線ステッパーのみの場
合は１組の位置合わせパターンでよいが、光ステッパー
と併用するには、４組必要である。Ｘ線ステッパーの次
に光ステッパーを使用するケースを考えると１組では足
らないことがわかる。
ーンである。ここには同じく４組の位置合わせパターン
＃１（M11,M12）、＃２（M21,M22）、＃３（M31,M3
2）、＃４（M41,M42）がある。Ｘ線ステッパーのみの場
合は１組の位置合わせパターンでよいが、光ステッパー
と併用するには、４組必要である。Ｘ線ステッパーの次
に光ステッパーを使用するケースを考えると１組では足
らないことがわかる。
Ｘ線ステッパーの露光領域が□30mmであり、光ステッ
パーの露光領域より大きいので□15mmの半導体チップの
それぞれに対しては位置合わせすることはできない。そ
こでＸ線ステッパーの露光領域の代表点として、例えば
マスクの位置合わせパターン（M31,M22）とウエハ位置
合わせパターン（W31,W22）によって位置合わせを行
う。
パーの露光領域より大きいので□15mmの半導体チップの
それぞれに対しては位置合わせすることはできない。そ
こでＸ線ステッパーの露光領域の代表点として、例えば
マスクの位置合わせパターン（M31,M22）とウエハ位置
合わせパターン（W31,W22）によって位置合わせを行
う。
この時のフローチャートを第６図に示す。
STEP1では位置合わせ装置（図示しない）によってマ
スクの位置合わせパターン（M31,M22）とウエハの位置
合わせパターン（W31,W22）の位置合わせを行う。
スクの位置合わせパターン（M31,M22）とウエハの位置
合わせパターン（W31,W22）の位置合わせを行う。
STEP111では両者の位置合せ誤差が所定の値より小さ
いかを判定する。もし所定の値より大きければ位置合わ
せを再度行う。もし小さければ位置合わせを終了する。
いかを判定する。もし所定の値より大きければ位置合わ
せを再度行う。もし小さければ位置合わせを終了する。
このような光ステッパーでパターンを焼き付け、その
上に露光領域のより大きいＸ線ステッパーによって次の
パターンを焼き付ける場合、光ステッパーにより焼き付
けられたウエハパターンの平均的な位置に位置合わせさ
れていた。
上に露光領域のより大きいＸ線ステッパーによって次の
パターンを焼き付ける場合、光ステッパーにより焼き付
けられたウエハパターンの平均的な位置に位置合わせさ
れていた。
［発明が解決しようとする課題］ 前記従来のＸ線ステッパーと光ステッパーを併用する
場合の位置合わせ方法では、露光領域が異なるため、光
ステッパーによって焼き付けられた半導体チップ毎に位
置合わせできなかった。したがって、各々の半導体チッ
プの所望の位置合わせ精度が得られず、半導体チップ毎
の位置合わせ精度も把握できなかった。
場合の位置合わせ方法では、露光領域が異なるため、光
ステッパーによって焼き付けられた半導体チップ毎に位
置合わせできなかった。したがって、各々の半導体チッ
プの所望の位置合わせ精度が得られず、半導体チップ毎
の位置合わせ精度も把握できなかった。
本発明は上記従来技術の欠点に鑑みなされたものであ
って、露光領域の異なるステッパーを併用した場合に、
各半導体チップ毎に所望の位置合わせ精度が得られる露
光方法の提供を目的とする。
って、露光領域の異なるステッパーを併用した場合に、
各半導体チップ毎に所望の位置合わせ精度が得られる露
光方法の提供を目的とする。
［課題を解決するための手段］ 前記目的を達成するため本発明の露光方法では、第１
の露光装置で第１のパターンを焼き付け、第２の露光装
置で第２のパターンを焼き付ける露光方法において、前
記第２の露光装置は前記第１の露光装置よりも大きな露
光領域での露光が可能であり、前記第２の露光装置によ
り露光するときは、前記第１の露光装置と同一の露光領
域毎にまたはその整数倍の露光領域毎にマスクとウエハ
との位置合わせ誤差を測定し、これが第２の露光装置の
露光領域全域で最小となるように調整し、前記測定およ
び調整の結果、位置合わせ誤差が所定の値よりも小さく
ならない場合は、第２の露光領域を小さく制限する。
の露光装置で第１のパターンを焼き付け、第２の露光装
置で第２のパターンを焼き付ける露光方法において、前
記第２の露光装置は前記第１の露光装置よりも大きな露
光領域での露光が可能であり、前記第２の露光装置によ
り露光するときは、前記第１の露光装置と同一の露光領
域毎にまたはその整数倍の露光領域毎にマスクとウエハ
との位置合わせ誤差を測定し、これが第２の露光装置の
露光領域全域で最小となるように調整し、前記測定およ
び調整の結果、位置合わせ誤差が所定の値よりも小さく
ならない場合は、第２の露光領域を小さく制限する。
［作用］ 本発明において、第２の露光装置の露光領域の大きさ
は、例えば、第１の露光装置で露光したウエハと、第２
の露光装置で使用するマスクとの位置関係を測定し、そ
の測定結果に応じて設定する。また、第１の露光装置の
露光領域の整数倍の大きさとなるように第２の露光装置
の露光領域を可変にする。そして、第２の露光装置によ
り露光するときは第１の露光装置と同一の露光領域毎に
またはその整数倍の露光領域毎に位置合わせ誤差を測定
し、これが第２の露光装置の露光領域全域で最小となる
ように調整することにより、第２の露光装置の露光領域
に含まれる全ての半導体装置の位置合わせ誤差を最小に
でき、また各々の半導体装置の位置合わせ精度を把握で
きる。
は、例えば、第１の露光装置で露光したウエハと、第２
の露光装置で使用するマスクとの位置関係を測定し、そ
の測定結果に応じて設定する。また、第１の露光装置の
露光領域の整数倍の大きさとなるように第２の露光装置
の露光領域を可変にする。そして、第２の露光装置によ
り露光するときは第１の露光装置と同一の露光領域毎に
またはその整数倍の露光領域毎に位置合わせ誤差を測定
し、これが第２の露光装置の露光領域全域で最小となる
ように調整することにより、第２の露光装置の露光領域
に含まれる全ての半導体装置の位置合わせ誤差を最小に
でき、また各々の半導体装置の位置合わせ精度を把握で
きる。
［実施例］ 本発明の実施例を第１図のフローチャートに基いて説
明する。本実施例は、露光領域□15mmの光ステッパーで
パターンを焼き付け、その上に露光領域□30mmのＸ線ス
テッパーによって次のパターンを焼き付ける場合の位置
合わせ方法である。また半導体装置の大きさは□15mmと
する。したがって光ステッパーの露光領域は半導体１チ
ップと等しい。
明する。本実施例は、露光領域□15mmの光ステッパーで
パターンを焼き付け、その上に露光領域□30mmのＸ線ス
テッパーによって次のパターンを焼き付ける場合の位置
合わせ方法である。また半導体装置の大きさは□15mmと
する。したがって光ステッパーの露光領域は半導体１チ
ップと等しい。
以下の説明中Ｍはマスクの位置合わせパターン、Ｗは
ウエハの位置合わせパターンを示す。サフィックスは半
導体チップと位置合わせパターンの並び順をあらわして
いる。例えば、W23はウエハの２番目の半導体チップの
３番目の位置合わせパターンであり、M23はそれに対応
するマスクの位置合わせパターンである。
ウエハの位置合わせパターンを示す。サフィックスは半
導体チップと位置合わせパターンの並び順をあらわして
いる。例えば、W23はウエハの２番目の半導体チップの
３番目の位置合わせパターンであり、M23はそれに対応
するマスクの位置合わせパターンである。
STEP1では位置合わせ装置（図示しない）によってマ
スクの位置合わせパターン（M31,M22）とウエハの位置
合わせパターン（W31,W22）の位置合わせを行う。（M3
1,M22）、（W31,W22）は１例であって、それ以外の位置
合わせパターンを使用しても差し支えない。STEP2では
光ステッパーの露光領域毎に即ち半導体チップ１個毎に
位置合わせ誤差を求め、これからＸ線ステッパーの露光
領域全域の位置合わせ誤差を求める。ここでは従来例と
異なり、半導体チップ毎の位置合わせ精度もＸ線ステッ
パーの露光領域全体の位置合わせ精度も把握できる。
スクの位置合わせパターン（M31,M22）とウエハの位置
合わせパターン（W31,W22）の位置合わせを行う。（M3
1,M22）、（W31,W22）は１例であって、それ以外の位置
合わせパターンを使用しても差し支えない。STEP2では
光ステッパーの露光領域毎に即ち半導体チップ１個毎に
位置合わせ誤差を求め、これからＸ線ステッパーの露光
領域全域の位置合わせ誤差を求める。ここでは従来例と
異なり、半導体チップ毎の位置合わせ精度もＸ線ステッ
パーの露光領域全体の位置合わせ精度も把握できる。
この方法については後述する。
STEP3ではこの位置合わせ誤差が予め定めた値より小
さいか判定する。もし小さければ、位置合わせを終了
し、露光を行う。もし大きければ、STEP4により所定の
回数まで上記ステップを繰り返す。この回数は必要な精
度、スループット等により決定する。所定の回数まで繰
り返しても位置合わせ精度が得られないときはSTEP5に
より露光領域を半分にする。
さいか判定する。もし小さければ、位置合わせを終了
し、露光を行う。もし大きければ、STEP4により所定の
回数まで上記ステップを繰り返す。この回数は必要な精
度、スループット等により決定する。所定の回数まで繰
り返しても位置合わせ精度が得られないときはSTEP5に
より露光領域を半分にする。
露光領域を半分にしたときのウエハパターンおよびマ
スクパターンを第２図に示す。
スクパターンを第２図に示す。
STEP6ではSTEP1と同じく位置合わせ装置（図示しな
い）によってマスクの位置合わせパターン（M11,M22）
とウエハの位置合わせパターン（W11,W22）の位置合わ
せを行う（M11,M22）、（W11,W22）は１例であって、そ
れ以外の位置合わせパターンを使用しても差し支えな
い。STEP7では光ステッパーの露光領域毎に即ち半導体
チップ１個毎に位置合わせ誤差を求め、これからＸ線ス
テッパーの露光領域全域の位置合わせ誤差を求める。
い）によってマスクの位置合わせパターン（M11,M22）
とウエハの位置合わせパターン（W11,W22）の位置合わ
せを行う（M11,M22）、（W11,W22）は１例であって、そ
れ以外の位置合わせパターンを使用しても差し支えな
い。STEP7では光ステッパーの露光領域毎に即ち半導体
チップ１個毎に位置合わせ誤差を求め、これからＸ線ス
テッパーの露光領域全域の位置合わせ誤差を求める。
STEP8ではこの位置合わせ誤差が予め定めた値より小
さいか判定する。もし小さければ、位置合わせを終了
し、露光を行う。もし大きければ、STEP9により所定の
回数まで上記のステップを繰り返す。この回数は必要な
精度、スループット等により決定する。所定の回数まで
繰り返しても位置合わせ精度が得られないときはSTEP10
により露光領域を当初の1/4にする。露光領域を1/4にし
たときのウエハパターンおよびマスクパターンを第３図
に示す。
さいか判定する。もし小さければ、位置合わせを終了
し、露光を行う。もし大きければ、STEP9により所定の
回数まで上記のステップを繰り返す。この回数は必要な
精度、スループット等により決定する。所定の回数まで
繰り返しても位置合わせ精度が得られないときはSTEP10
により露光領域を当初の1/4にする。露光領域を1/4にし
たときのウエハパターンおよびマスクパターンを第３図
に示す。
STEP11ではSTEP1と同じく位置合わせ装置（図示しな
い）によってマスクの位置合わせパターン（M11,M12）
とウエハの位置合わせパターン（W11,W12）の位置合わ
せを行う。Ｘ線ステッパーの露光領域も光ステッパーと
即ち半導体チップと同じになっている。したがって、露
光領域の違いによる問題点は消滅する。STEP12ではこの
位置合わせ誤差が予め定めた値より小さいか判定する。
もし小さければ、位置合わせを終了し、露光を行う。も
し大きければ、上記のステップを繰り返す。
い）によってマスクの位置合わせパターン（M11,M12）
とウエハの位置合わせパターン（W11,W12）の位置合わ
せを行う。Ｘ線ステッパーの露光領域も光ステッパーと
即ち半導体チップと同じになっている。したがって、露
光領域の違いによる問題点は消滅する。STEP12ではこの
位置合わせ誤差が予め定めた値より小さいか判定する。
もし小さければ、位置合わせを終了し、露光を行う。も
し大きければ、上記のステップを繰り返す。
上の説明では露光領域を半分、1/4と制限したが、半
分にするステップを省略して直接1/4にしてもよい。そ
れは必要な精度、スループット等により決定する。
分にするステップを省略して直接1/4にしてもよい。そ
れは必要な精度、スループット等により決定する。
第４図により光ステッパーの露光領域毎、即ち半導体
チップ毎の位置合わせ誤差からＸ線ステッパーの露光領
域全域の位置合わせ誤差を求める方法について説明す
る。
チップ毎の位置合わせ誤差からＸ線ステッパーの露光領
域全域の位置合わせ誤差を求める方法について説明す
る。
STEP21では半導体チップ＃１の位置合わせ誤差を測定
し、SETP22では半導体チップ＃１の誤差E1を計算してい
る。
し、SETP22では半導体チップ＃１の誤差E1を計算してい
る。
第５図はこれらの測定および計算のフローチャートで
ある。
ある。
STEP211,212では半導体チップ＃１の左下の位置合わ
せパターンM11とW11により位置合わせ誤差のｘ方向（水
平方向）成分x11とそれと直交するｙ方向成分y11とを測
定する。
せパターンM11とW11により位置合わせ誤差のｘ方向（水
平方向）成分x11とそれと直交するｙ方向成分y11とを測
定する。
STEP213,214では半導体チップ＃１の右上の位置合わ
せパターンM12とW12により位置合わせ誤差のｘ方向（水
平方向）成分x12とそれと直交するｙ方向成分y12とを測
定する。
せパターンM12とW12により位置合わせ誤差のｘ方向（水
平方向）成分x12とそれと直交するｙ方向成分y12とを測
定する。
STEP215では上記各誤差成分の２乗和を計算し、これ
をE1として半導体チップ＃１の位置合わせ誤差とする。
をE1として半導体チップ＃１の位置合わせ誤差とする。
第４図に戻る。
STEP23からSTEP28では半導体チップ＃１と同じように
半導体チップ＃２、＃３、＃４についても位置合わせ誤
差を求める。
半導体チップ＃２、＃３、＃４についても位置合わせ誤
差を求める。
STEP29では半導体チップ毎の位置合わせ誤差E1〜E4の
最大値を求める。これをＥとして半導体チップ４個の領
域即ちＸ線ステッパーの露光領域全域の位置合わせ誤差
とする。
最大値を求める。これをＥとして半導体チップ４個の領
域即ちＸ線ステッパーの露光領域全域の位置合わせ誤差
とする。
［発明の効果］ 以上説明したように、本発明方法を用いることによ
り、露光領域の異なる露光装置を併用しても全ての半導
体装置の位置合わせ誤差を最小にでき、歩留まりが向上
する。また、露光領域の異なる露光装置を併用して最小
線幅、生産性、位置合わせ精度等を最適化した半導体製
造プロセス工程が設定できる。
り、露光領域の異なる露光装置を併用しても全ての半導
体装置の位置合わせ誤差を最小にでき、歩留まりが向上
する。また、露光領域の異なる露光装置を併用して最小
線幅、生産性、位置合わせ精度等を最適化した半導体製
造プロセス工程が設定できる。
第１図は本発明のフローチャート、 第２図（ａ），（ｂ）は各々Ｘ線ステッパーの露光領域
を半分に制限したときのウエハパターンおよびマスクパ
ターンの説明図、 第３図（ａ），（ｂ）は各々Ｘ線ステッパーの露光領域
を1/4に制限したときのウエハパターンおよびマスクパ
ターンの説明図、 第４図はＸ線ステッパーの露光領域全域の位置合わせ誤
差を求める方法のフローチャート、 第５図は半導体チップの位置合わせ誤差を求める方法の
フローチャート、 第６図は光ステッパーとＸ線ステッパーを併用する従来
技術のフローチャート、 第７図（ａ），（ｂ）は各々光ステッパーとＸ線ステッ
パーを併用する従来技術のウエハパターンおよびマスク
パターンの説明図である。 M:マスクの位置合わせパターン、 W:ウエハの位置合わせパターン。
を半分に制限したときのウエハパターンおよびマスクパ
ターンの説明図、 第３図（ａ），（ｂ）は各々Ｘ線ステッパーの露光領域
を1/4に制限したときのウエハパターンおよびマスクパ
ターンの説明図、 第４図はＸ線ステッパーの露光領域全域の位置合わせ誤
差を求める方法のフローチャート、 第５図は半導体チップの位置合わせ誤差を求める方法の
フローチャート、 第６図は光ステッパーとＸ線ステッパーを併用する従来
技術のフローチャート、 第７図（ａ），（ｂ）は各々光ステッパーとＸ線ステッ
パーを併用する従来技術のウエハパターンおよびマスク
パターンの説明図である。 M:マスクの位置合わせパターン、 W:ウエハの位置合わせパターン。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小澤 邦貴 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キ ヤノン株式会社内 (72)発明者 鵜澤 俊一 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キ ヤノン株式会社内 (56)参考文献 特開 昭59−94032（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−191416（ＪＰ，Ａ) 実開 平３−56126（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 21/027 G03F 9/00
Claims (9)
- 【請求項１】第１の露光装置で第１のパターンを焼き付
け、第２の露光装置で第２のパターンを焼き付ける露光
方法において、前記第２の露光装置は前記第１の露光装
置よりも大きな露光領域での露光が可能であり、前記第
２の露光装置により露光するときは、前記第１の露光装
置と同一の露光領域毎にまたはその整数倍の露光領域毎
にマスクとウエハとの位置合わせ誤差を測定し、これが
第２の露光装置の露光領域全域で最小となるように調整
し、前記測定および調整の結果、位置合わせ誤差が所定
の値よりも小さくならない場合は、第２の露光領域を小
さく制限することを特徴とする露光方法。 - 【請求項２】第１の露光装置で露光したウエハと、第２
の露光装置で使用するマスクとの位置関係を測定して、
これに応じて第２の露光装置の露光領域の大きさを設定
することを特徴とする請求項１記載の露光方法。 - 【請求項３】第１の露光装置の露光領域の整数倍の大き
さとなるように第２の露光装置の露光領域を可変にする
ことを特徴とする請求項１記載の露光方法。 - 【請求項４】第１の露光装置の露光領域毎にまたはその
整数倍の露光領域毎に位置合わせ誤差を測定し、これら
のうちの最大値が最も小さくなるように調整することを
特徴とする請求項１記載の露光方法。 - 【請求項５】第１の露光装置の露光領域毎にまたはその
整数倍の露光領域毎に複数のパターンを選択し、各々の
ｘ成分とこれと直交するｙ成分について測定し、これら
の２乗和をもって該露光領域の合わせ誤差とすることを
特徴とする請求項１記載の露光方法。 - 【請求項６】第１の露光装置はステップアンドリピート
方式で順次露光を行うことを特徴とする請求項１記載の
露光方法。 - 【請求項７】第１の露光装置と第２の露光装置が同じ種
類の光源を使用することを特徴とする請求項１記載の露
光方法。 - 【請求項８】第１の露光装置と第２の露光装置が異なる
種類の光源を使用することを特徴とする請求項１記載の
露光方法。 - 【請求項９】第１の露光装置が光ステッパー、第２の露
光装置がＸ線ステッパーであることを特徴とする請求項
８記載の露光方法。
Priority Applications (4)
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|---|---|---|---|
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| DE69123610T DE69123610T2 (de) | 1990-02-02 | 1991-01-31 | Belichtungsverfahren |
| US08/416,503 US5498501A (en) | 1990-02-02 | 1995-04-04 | Exposure method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP2022269A JP2864034B2 (ja) | 1990-02-02 | 1990-02-02 | 露光方法 |
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|---|---|
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Family Applications (1)
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-
1990
- 1990-02-02 JP JP2022269A patent/JP2864034B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03228309A (ja) | 1991-10-09 |
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