JPH03228309A - 露光方法 - Google Patents
露光方法Info
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- JPH03228309A JPH03228309A JP2022269A JP2226990A JPH03228309A JP H03228309 A JPH03228309 A JP H03228309A JP 2022269 A JP2022269 A JP 2022269A JP 2226990 A JP2226990 A JP 2226990A JP H03228309 A JPH03228309 A JP H03228309A
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 27
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 41
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 8
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 20
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 241000257465 Echinoidea Species 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は半導体装置の製造における微細パターン形成の
ための露光方法に関する。
ための露光方法に関する。
［従来の技術］
近年半導体集積回路の進歩、特に高集積化は著しく、サ
ブミクロンパターンを用いる超ＬＳＩ開発が活発化して
きた。そして、サブミクロンパターンを実現するために
、Ｘ線による露光が注目されている。
ブミクロンパターンを用いる超ＬＳＩ開発が活発化して
きた。そして、サブミクロンパターンを実現するために
、Ｘ線による露光が注目されている。
Ｘ線を露光光源として使用する場合には、Ｘ線に対する
適当な縮小レンズがないためマスクとウェハを接近させ
た状態で対向させ等倍露光させる必要かある。このため
サブミクロンパターンを等倍でマスク上に形成しなけれ
ばならず、更にウェハの大口径化も考慮するとウェハ全
面を一括露光するマスクを作製するのは容易ではなく、
ウェハ面を分割し各分割領域毎にマスクとウニへ間の位
置合わせと露光を繰り返す、いわゆるステップアンドリ
ピート方式が採用される。
適当な縮小レンズがないためマスクとウェハを接近させ
た状態で対向させ等倍露光させる必要かある。このため
サブミクロンパターンを等倍でマスク上に形成しなけれ
ばならず、更にウェハの大口径化も考慮するとウェハ全
面を一括露光するマスクを作製するのは容易ではなく、
ウェハ面を分割し各分割領域毎にマスクとウニへ間の位
置合わせと露光を繰り返す、いわゆるステップアンドリ
ピート方式が採用される。
このようなＸ線を露光光源とするステップアンドリピー
ト方式の露光装置（以下Ｘ線ステッパーと呼ぶ）は超Ｌ
ＳＩの製造に適した露光装置であるが、その装置コスト
および生産性は満足すべきレベルには到達していない。
ト方式の露光装置（以下Ｘ線ステッパーと呼ぶ）は超Ｌ
ＳＩの製造に適した露光装置であるが、その装置コスト
および生産性は満足すべきレベルには到達していない。
一方、現在の半導体集積回路の生産にはＵＶ光（例えば
ｇ線）を露光光源とする縮小投影型ステップアンドリピ
ート方式の露光装置（以下光ステッパーと呼ぶ）が専ら
使用されており、その装置コストおよび生産性は満足す
べきレベルに到達している。
ｇ線）を露光光源とする縮小投影型ステップアンドリピ
ート方式の露光装置（以下光ステッパーと呼ぶ）が専ら
使用されており、その装置コストおよび生産性は満足す
べきレベルに到達している。
半導体集積回路の生産は１０〜２０回の露光プロセスを
繰り返して行われる。それぞれの露光プロセスは所定の
線幅精度、位置合わせ精度を満足するような露光装置に
よって実行される。今後開発されるサブミクロンパター
ンを用いる超ＬＳＩにおいても全ての露光プロセスがサ
ブミクロンで実行されるのではない、したがって、Ｘ線
ステッパーで全ての露光プロセスを実行するのは装置コ
ストおよび生産性の点から最適ではなく、Ｘ線ステッパ
ーと光ステッパーを併用する露光システムが考えられる
。
繰り返して行われる。それぞれの露光プロセスは所定の
線幅精度、位置合わせ精度を満足するような露光装置に
よって実行される。今後開発されるサブミクロンパター
ンを用いる超ＬＳＩにおいても全ての露光プロセスがサ
ブミクロンで実行されるのではない、したがって、Ｘ線
ステッパーで全ての露光プロセスを実行するのは装置コ
ストおよび生産性の点から最適ではなく、Ｘ線ステッパ
ーと光ステッパーを併用する露光システムが考えられる
。
光ステッパーは縮小レンズの制約からその露光領域は最
大でも０１５０１１１程度に限定される。一方Ｘ線ステ
ッパーは縮小レンズは使用しないが、Ｘ線光源の不平行
性やマスクの歪み等によってその露光領域は最大で０３
０＋ａ＋ａ程度に限定される。
大でも０１５０１１１程度に限定される。一方Ｘ線ステ
ッパーは縮小レンズは使用しないが、Ｘ線光源の不平行
性やマスクの歪み等によってその露光領域は最大で０３
０＋ａ＋ａ程度に限定される。
例えば、露光領域口１５ｍｍの光ステッパーでパターン
を焼き付け、その上に露光領域口３０ｍｍのＸ線ステッ
パーによフて次のパターンを焼き付ける場合を考える。
を焼き付け、その上に露光領域口３０ｍｍのＸ線ステッ
パーによフて次のパターンを焼き付ける場合を考える。
半導体装置の大きさは０１５ｍｍとする。したがって、
光ステッパーの露光領域は半導体１チツプと等しい。
光ステッパーの露光領域は半導体１チツプと等しい。
第７図にこれらのパターンを示す。
以下の説明中Ｍはマスクの位置合わせパターン、Ｗはウ
ェハの位置合わせパターンを示す。サフィックスは半導
体チップと位置合わせパターンの並び順をあられしてい
る。例えば、Ｗ２Ｂはクエへの２番目の半導体チップの
３番目の位置合わせパターンであり、Ｍ２３はそれに対
応するマスクの位置合わせパターンである。
ェハの位置合わせパターンを示す。サフィックスは半導
体チップと位置合わせパターンの並び順をあられしてい
る。例えば、Ｗ２Ｂはクエへの２番目の半導体チップの
３番目の位置合わせパターンであり、Ｍ２３はそれに対
応するマスクの位置合わせパターンである。
第７図（ａ）に示すように光ステッパーによって焼き付
けられたウェハパターンは０１５ｍｍ単位なのでＸ線ス
テッパーの露光領域には半導体チップが４個並ぶ。ウェ
ハパターンには４組の位置合わせパターン＃１ （Ｗｌ
１． Ｗｌ ２）、＃２ （Ｗ２１、Ｗ２２）、＃３
（ＷＢ２．Ｗ３２）、＃４（Ｗ４１．Ｗ４２）がある
。
けられたウェハパターンは０１５ｍｍ単位なのでＸ線ス
テッパーの露光領域には半導体チップが４個並ぶ。ウェ
ハパターンには４組の位置合わせパターン＃１ （Ｗｌ
１． Ｗｌ ２）、＃２ （Ｗ２１、Ｗ２２）、＃３
（ＷＢ２．Ｗ３２）、＃４（Ｗ４１．Ｗ４２）がある
。
方、第７図（ｂ）はＸ線ステッパー用のマスクパターン
である。ここには同じく４組の位置合わせパターン＃１
（Ｍｌ １． Ｍｌ ２）、＃２ （Ｍ２１、Ｍ２２
）、＃３ （ＭＢ２．ＭＢ２）、＃４（Ｍ４１．Ｍ４２
）がある。Ｘ線ステッパーのみの場合は１組の位置合わ
せパターンでよいが、光ステッパーと併用するには、４
組必要である。Ｘ線ステッパーの次に光ステッパーを使
用するケースを考えると１組では足らないことがわかる
。
である。ここには同じく４組の位置合わせパターン＃１
（Ｍｌ １． Ｍｌ ２）、＃２ （Ｍ２１、Ｍ２２
）、＃３ （ＭＢ２．ＭＢ２）、＃４（Ｍ４１．Ｍ４２
）がある。Ｘ線ステッパーのみの場合は１組の位置合わ
せパターンでよいが、光ステッパーと併用するには、４
組必要である。Ｘ線ステッパーの次に光ステッパーを使
用するケースを考えると１組では足らないことがわかる
。
Ｘ線ステッパーの露光領域が口３０ＩＩ１ｍであり、光
ステッパーの露光領域より大きいので口１５ｍｍの半導
体チップのそれぞれに対しては位置合わせすることはで
きない。そこでＸ線ステッパーの露光領域の代表点とし
て、例えばマスクの位置合わせパターン（Ｍ３１．Ｍ２
２）とウェハ位置合わせパターン（ＷＢ２．Ｗ２２）に
よって位置合わせを行う。
ステッパーの露光領域より大きいので口１５ｍｍの半導
体チップのそれぞれに対しては位置合わせすることはで
きない。そこでＸ線ステッパーの露光領域の代表点とし
て、例えばマスクの位置合わせパターン（Ｍ３１．Ｍ２
２）とウェハ位置合わせパターン（ＷＢ２．Ｗ２２）に
よって位置合わせを行う。
この時のフローチャートを第６図に示す。
５ＴＥＰＩでは位置合わせ装置（図示しない）によって
マスクの位置合わせパターン（Ｍ３１゜Ｍ２２）とウェ
ハの位置合わせパターン（ＷＢ２、Ｗ２２）の位置合わ
せを行う。
マスクの位置合わせパターン（Ｍ３１゜Ｍ２２）とウェ
ハの位置合わせパターン（ＷＢ２、Ｗ２２）の位置合わ
せを行う。
５ＴＥＰＩ １１では両者の位置合わせ誤差が所定の値
より小さいかを判定する。もし所定の値より大きければ
位置合わせを再度行う。もし小さければ位置合わせを終
了する。
より小さいかを判定する。もし所定の値より大きければ
位置合わせを再度行う。もし小さければ位置合わせを終
了する。
このように光ステッパーでパターンを焼き付け、その上
に露光領域のより大きいＸ線ステッパーによって次のパ
ターンを焼き付ける場合、光ステッパーにより焼き付け
られたウェハパターンの平均的な位置に位置合わせされ
ていた。
に露光領域のより大きいＸ線ステッパーによって次のパ
ターンを焼き付ける場合、光ステッパーにより焼き付け
られたウェハパターンの平均的な位置に位置合わせされ
ていた。
［発明が解決しようとする課題］
前記従来のＸ線ステッパーと光ステッパーを併用する場
合の位置合わせ方法では、露光領域が異なるため、光ス
テッパーによって焼き付けられた半導体チップ毎に位置
合わせできなかった。したがって、各々の半導体チップ
の所望の位置合わせ精度が得られず、半導体チップ毎の
位置合わせ精度も把握できなかった。
合の位置合わせ方法では、露光領域が異なるため、光ス
テッパーによって焼き付けられた半導体チップ毎に位置
合わせできなかった。したがって、各々の半導体チップ
の所望の位置合わせ精度が得られず、半導体チップ毎の
位置合わせ精度も把握できなかった。
本発明は上記従来技術の欠点に鑑みなされたものであっ
て、露光領域の異なるステッパーを併用した場合に、各
半導体チップ毎に所望の位置合わせ精度が得られる半導
体製造装置の位置合わせ方法の提供を目的とする。
て、露光領域の異なるステッパーを併用した場合に、各
半導体チップ毎に所望の位置合わせ精度が得られる半導
体製造装置の位置合わせ方法の提供を目的とする。
［課題を解決するための手段］
前記目的を達成するため本発明では、第１の露光装置と
これより大きい露光領域をもつ第２の露光装置を併用す
る半導体装置の製造プロセスにおける露光方法において
、第２の露光装置により露光するときは第１の露光装置
と同一の露光領域毎にまたはその整数倍の露光領域毎に
位置合わせ誤差を測定し、これが第２の露光装置の露光
領域全域で最小となるように調整し、これを予め定めた
回数まで繰り返しても、位置合わせ誤差が第２の露光装
置の露光領域全域で所定の値より小さくならないときは
、第２の露光装置の露光領域を順次制限して位置合わせ
誤差が第２の露光装置の露光領域全域で所定の値より小
さくなるように位置合わせしてから、露光する。
これより大きい露光領域をもつ第２の露光装置を併用す
る半導体装置の製造プロセスにおける露光方法において
、第２の露光装置により露光するときは第１の露光装置
と同一の露光領域毎にまたはその整数倍の露光領域毎に
位置合わせ誤差を測定し、これが第２の露光装置の露光
領域全域で最小となるように調整し、これを予め定めた
回数まで繰り返しても、位置合わせ誤差が第２の露光装
置の露光領域全域で所定の値より小さくならないときは
、第２の露光装置の露光領域を順次制限して位置合わせ
誤差が第２の露光装置の露光領域全域で所定の値より小
さくなるように位置合わせしてから、露光する。
［作用コ
第２の露光装置により露光するときは第１の露光装置と
同一の露光領域毎にまたはその整数倍の露光領域毎に位
置合わせ誤差を測定し、これが第２の露光装置の露光領
域全域で最小となるように調整することにより、第２の
露光装置の露光領域に含まれる全ての半導体装置の位置
合わせ誤差を最小にでき、また各々の半導体装置の位置
合わせ精度を把握できる。
同一の露光領域毎にまたはその整数倍の露光領域毎に位
置合わせ誤差を測定し、これが第２の露光装置の露光領
域全域で最小となるように調整することにより、第２の
露光装置の露光領域に含まれる全ての半導体装置の位置
合わせ誤差を最小にでき、また各々の半導体装置の位置
合わせ精度を把握できる。
［実施例］
本発明の実施例を第１図のフローチャートに基いて説明
する。本実施例は、露光領域口１５ｍｍの光ステッパー
でパターンを焼き付け、その上に露光領域０３０ｍａ＋
のＸ線ステッパーによって次のパターンを焼き付ける場
合の位置合わせ方法である。また半導体装置の大きさは
口１５ｍｍとする。
する。本実施例は、露光領域口１５ｍｍの光ステッパー
でパターンを焼き付け、その上に露光領域０３０ｍａ＋
のＸ線ステッパーによって次のパターンを焼き付ける場
合の位置合わせ方法である。また半導体装置の大きさは
口１５ｍｍとする。
したがフて光ステッパーの露光領域は半導体１チツプと
等しい。
等しい。
以下の説明中Ｍはマスクの位置合わせパターン、Ｗはウ
ェハの位置合わせパターンを示す。サフィックスは半導
体チップと位置合わせパターンの並び順をあられしてい
る。例えば、Ｗ２３はウェハの２番目の半導体チップの
３番目の位置合わせパターンであり、Ｍ２３はそれに対
応するマスクの位置合わせパターンである。
ェハの位置合わせパターンを示す。サフィックスは半導
体チップと位置合わせパターンの並び順をあられしてい
る。例えば、Ｗ２３はウェハの２番目の半導体チップの
３番目の位置合わせパターンであり、Ｍ２３はそれに対
応するマスクの位置合わせパターンである。
５ＴＥＰＩでは位置合わせ装置（図示しない）によって
マスクの位置合わせパターン（Ｍ３１゜Ｍｌ２）とウェ
ハの位置合わせパターン（Ｗ３１、Ｗ２２）の位置合わ
せを行う。（Ｍ３１゜Ｍｌ２）、（Ｗ３１．Ｗ２２）は
１例であって、それ以外の位置合わせパターンを使用し
ても差し支えない。５ＴＥＰ２では光ステッパーの露光
領域毎に即ち半導体チップ１個毎に位置合わせ誤差を求
め、これからＸ線ステッパーの露光領域全域の位置合わ
せ誤差を求める。ここでは従来例と異なり、半導体チッ
プ毎の位置合わせ精度もＸ線ステッパーの露光領域全体
の位置合わせ精度も把握できる。
マスクの位置合わせパターン（Ｍ３１゜Ｍｌ２）とウェ
ハの位置合わせパターン（Ｗ３１、Ｗ２２）の位置合わ
せを行う。（Ｍ３１゜Ｍｌ２）、（Ｗ３１．Ｗ２２）は
１例であって、それ以外の位置合わせパターンを使用し
ても差し支えない。５ＴＥＰ２では光ステッパーの露光
領域毎に即ち半導体チップ１個毎に位置合わせ誤差を求
め、これからＸ線ステッパーの露光領域全域の位置合わ
せ誤差を求める。ここでは従来例と異なり、半導体チッ
プ毎の位置合わせ精度もＸ線ステッパーの露光領域全体
の位置合わせ精度も把握できる。
この方法については後述する。
５ＴＥＰ３ではこの位置合わせ誤差が予め定めた値より
小さいか判定する。もし小さければ、位置合わせを終了
し、露光を行う。もし大きければ、５ＴＥＰ４により所
定の回数まで上記ステップを繰り返す。この回数は必要
な精度、スルーブツト等により決定する。所定の回数ま
で繰り返しても位置合わせ精度が得られないときは５Ｔ
ＥＰ５により露光領域を半分にする。
小さいか判定する。もし小さければ、位置合わせを終了
し、露光を行う。もし大きければ、５ＴＥＰ４により所
定の回数まで上記ステップを繰り返す。この回数は必要
な精度、スルーブツト等により決定する。所定の回数ま
で繰り返しても位置合わせ精度が得られないときは５Ｔ
ＥＰ５により露光領域を半分にする。
露光領域を半分にしたときのウェハパターンおよびマス
クパターンを第２図に示す。
クパターンを第２図に示す。
５ＴＥＰ６では５ＴＥＰＩと同じく位置合わせ装置（図
示しない）によってマスクの位置合わせパターン（Ｍｌ
１．Ｍｌ２）とウェハの位置合わせパターン（Ｗｌ
１．Ｗ２２）の位置合わせを行う （Ｍｌ １．
Ｍｌ２） 、 （Ｗｌ １． Ｗ
２２） は １例であって、それ以外の位置合わせ
パターンを使用しても差し支えない。５ＴＥＰ７では光
ステッパーの露光領域毎に即ち半導体チップ１個毎に位
置合わせ誤差を求め、これからＸ線ステッパーの露光領
域全域の位置合わせ誤差を求める。
示しない）によってマスクの位置合わせパターン（Ｍｌ
１．Ｍｌ２）とウェハの位置合わせパターン（Ｗｌ
１．Ｗ２２）の位置合わせを行う （Ｍｌ １．
Ｍｌ２） 、 （Ｗｌ １． Ｗ
２２） は １例であって、それ以外の位置合わせ
パターンを使用しても差し支えない。５ＴＥＰ７では光
ステッパーの露光領域毎に即ち半導体チップ１個毎に位
置合わせ誤差を求め、これからＸ線ステッパーの露光領
域全域の位置合わせ誤差を求める。
５ＴＥＰ８ではこの位置合わせ誤差が予め定めた値より
小さいか判定する。もし小さければ、位置合わせを終了
し、露光を行う。もし大きければ、５ＴＥＰ９により所
定の回数まで上記のステップを繰り返す。この回数は必
要な精度、スルーブツト等により決定する。所定の回数
まで繰り返しても位置合わせ精度か得られないときは５
ＴＥＰＩＯにより露光領域を当初の１／４にする。露光
領域を１／４にしたときのウェハパターンおよびマスク
パターンを第３図に示す。
小さいか判定する。もし小さければ、位置合わせを終了
し、露光を行う。もし大きければ、５ＴＥＰ９により所
定の回数まで上記のステップを繰り返す。この回数は必
要な精度、スルーブツト等により決定する。所定の回数
まで繰り返しても位置合わせ精度か得られないときは５
ＴＥＰＩＯにより露光領域を当初の１／４にする。露光
領域を１／４にしたときのウェハパターンおよびマスク
パターンを第３図に示す。
５ＴＥＰＩ １ては５ＴＥＰＩと同しく位置合わせ装置
（図示しない）によってマスクの位置合わせパターン（
Ｍｌ １．Ｍｌ ２）とウェハの位置合わせパターン（
Ｗｌ １．Ｗｌ ２）の位置合わせを行う、Ｘ線ステッ
パーの露光領域も光ステッパーと即ち半導体チップと同
じになっている。したがって、露光領域の違いによる問
題点は消滅する。
（図示しない）によってマスクの位置合わせパターン（
Ｍｌ １．Ｍｌ ２）とウェハの位置合わせパターン（
Ｗｌ １．Ｗｌ ２）の位置合わせを行う、Ｘ線ステッ
パーの露光領域も光ステッパーと即ち半導体チップと同
じになっている。したがって、露光領域の違いによる問
題点は消滅する。
５ＴＥＰ１２ではこの位置合わせ誤差が予め定めた値よ
り小さいか判定する。もし小さければ、位置合わせを終
了し、露光を行う。もし大きければ、上記のステップを
繰り返す。
り小さいか判定する。もし小さければ、位置合わせを終
了し、露光を行う。もし大きければ、上記のステップを
繰り返す。
上の説明では露光領域を半分、１／４と制限したが、半
分にするステップを省略して直接１／４にしてもよい。
分にするステップを省略して直接１／４にしてもよい。
それは必要な精度、スループット等により決定する。
第４図により光ステ・ンバーの露光領域毎、即ち半導体
チップ毎の位置合わせ誤差からＸ線ステッパーの露光領
域全域の位置合わせ誤差を求める方法について説明する
。
チップ毎の位置合わせ誤差からＸ線ステッパーの露光領
域全域の位置合わせ誤差を求める方法について説明する
。
５ＴＥＰ２１では半導体チップ＃１の位置合わせ誤差を
測定し、５ＴＥＰ２２では半導７体チップ＃１の誤差Ｅ
１を計算している。
測定し、５ＴＥＰ２２では半導７体チップ＃１の誤差Ｅ
１を計算している。
第５図はこれらの測定および計算のフローチャートであ
る。
る。
５ＴＥＰ２１１．２１２では半導体チップ＃１の左下の
位置合わせパターンＭｌｌとＷｌｌにより位置合わせ誤
差のＸ方向（水平方向）成分ｘ１１とそれと直交するｙ
方向成分ｙｔｔとを測定する。
位置合わせパターンＭｌｌとＷｌｌにより位置合わせ誤
差のＸ方向（水平方向）成分ｘ１１とそれと直交するｙ
方向成分ｙｔｔとを測定する。
５ＴＥＰ２１３．２１４では半導体チップ＃１の右上の
位置合わせパターンＭ１２とＷｌ２により位置合わせ誤
差のＸ方向（水平方向）成分Ｘ１２とそれと直交するｙ
方向成分ｙ１２とを測定する。
位置合わせパターンＭ１２とＷｌ２により位置合わせ誤
差のＸ方向（水平方向）成分Ｘ１２とそれと直交するｙ
方向成分ｙ１２とを測定する。
５ＴＥＰ２１５では上記各誤差成分の２乗和を計算し、
これをＥｌとして半導体チップ＃１の位置合わせ誤差と
する。
これをＥｌとして半導体チップ＃１の位置合わせ誤差と
する。
第４図に戻る。
５ＴＥＰ２３から５ＴＥＰ２８では半導体チップ＃１と
同じように半導体チップ＃２、＃３、＃４についても位
置合わせ誤差を求める。
同じように半導体チップ＃２、＃３、＃４についても位
置合わせ誤差を求める。
５ＴＥＰ２９では半導体チップ毎の位置合わせ誤差Ｅ１
〜Ｅ４の最大値を求める。これをＥとして半導体チップ
４個の領域即ちＸ線ステッパーの露光領域全域の位置合
わせ誤差とする。
〜Ｅ４の最大値を求める。これをＥとして半導体チップ
４個の領域即ちＸ線ステッパーの露光領域全域の位置合
わせ誤差とする。
［発明の効果コ
以上説明したように、本発明方法を用いることにより、
露光領域の異なる露光装置を併用しても全ての半導体装
置の位置合わせ誤差を最小にでき、歩留まりが向上する
。また、露光領域の異なる露光装置を併用して最小線幅
、生産性、位置合わせ精度等を最適化した半導体製造プ
ロセス工程が設定できる。
露光領域の異なる露光装置を併用しても全ての半導体装
置の位置合わせ誤差を最小にでき、歩留まりが向上する
。また、露光領域の異なる露光装置を併用して最小線幅
、生産性、位置合わせ精度等を最適化した半導体製造プ
ロセス工程が設定できる。
第１図は本発明のフローチャート、
第２図（ａ）、（ｂ）は各々Ｘ線ステッパーの露光領域
を半分に制限したときのウェハパターンおよびマスクパ
ターンの説明図、 第３図（ａ）、（ｂ）は各々Ｘ線ステッパーの露光領域
を１／４に制限したときのウェハパターンおよびマスク
パターンの説明図、 第４図はＸ線ステッパーの露光ｆＩｉＩ域全域の位置合
わせ誤差を求める方法のフローチャート、第５図は半導
体チップの位置合わせ誤差を求める方法のフローチャー
ト、 第６図は光ステッパーとＸ線ステッパーを併用する従来
技術のフローチャート、 第７図（ａ）、（ｂ）は各々光ステッパーとＸ線ステツ
ノ＜−を併用する従来技術のウェハパターンおよびマス
クパターンの説明図である。 Ｍ・マスクの位置合わせパターン、 Ｗ：ウニへの位置合わせパターン。
を半分に制限したときのウェハパターンおよびマスクパ
ターンの説明図、 第３図（ａ）、（ｂ）は各々Ｘ線ステッパーの露光領域
を１／４に制限したときのウェハパターンおよびマスク
パターンの説明図、 第４図はＸ線ステッパーの露光ｆＩｉＩ域全域の位置合
わせ誤差を求める方法のフローチャート、第５図は半導
体チップの位置合わせ誤差を求める方法のフローチャー
ト、 第６図は光ステッパーとＸ線ステッパーを併用する従来
技術のフローチャート、 第７図（ａ）、（ｂ）は各々光ステッパーとＸ線ステツ
ノ＜−を併用する従来技術のウェハパターンおよびマス
クパターンの説明図である。 Ｍ・マスクの位置合わせパターン、 Ｗ：ウニへの位置合わせパターン。
Claims (8)
- （１）第１の露光装置とこれより大きい露光領域をもつ
第２の露光装置を併用する半導体装置の製造プロセスに
おける露光方法において、第２の露光装置により露光す
るときは、第１の露光装置と同一の露光領域毎にまたは
その整数倍の露光領域毎に位置合わせ誤差を測定し、こ
れが第２の露光装置の露光領域全域で最小となるように
調整し、これを予め定めた回数まで繰り返しても、位置
合わせ誤差が第２の露光装置の露光領域全域で所定の値
より小さくならないときは、第２の露光装置の露光領域
を順次小さく制限して位置合わせ誤差が第２の露光装置
の露光領域全域で所定の値より小さくなるように位置合
わせしてから、露光する露光位置合わせ方法。 - （２）第１の露光装置の露光領域毎にまたはその整数倍
の露光領域毎に位置合わせ誤差を求め、これらの最大値
が最小となるように調整することで第２の露光装置の露
光領域全域で最小になったとする特許請求の範囲第１項
記載の露光位置合わせ方法。 - （３）第１の露光装置の露光領域毎にまたはその整数倍
の露光領域毎に複数の位置合わせパターンを選択し、各
々のｘ成分とこれと直交するｙ成分を求め、これらの２
乗和をもって該露光領域の位置合わせ誤差とする特許請
求の範囲第１項記載の露光位置合わせ方法。 - （４）第１の露光装置と第２の露光装置が同じ種類の光
源を使用することを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載の露光位置合わせ方法。 - （５）第１の露光装置と第２の露光装置が異なる種類の
光源を使用することを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載の露光位置合わせ方法。 - （６）第１の露光装置と同一の位置合わせマークをもつ
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の方法を実
施するための第２の露光装置用のマスク。 - （７）露光領域内の任意の位置の位置合わせ誤差を測定
可能な特許請求の範囲第１項記載の方法を実施するため
の第２の露光装置用の位置合わせ装置。 - （８）第１の露光装置の露光領域の整数倍に制限できる
特許請求の範囲第１項記載の方法を実施するための第２
の露光装置用の露光領域制御装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2022269A JP2864034B2 (ja) | 1990-02-02 | 1990-02-02 | 露光方法 |
| DE69123610T DE69123610T2 (de) | 1990-02-02 | 1991-01-31 | Belichtungsverfahren |
| EP91300758A EP0440470B1 (en) | 1990-02-02 | 1991-01-31 | Exposure method |
| US08/416,503 US5498501A (en) | 1990-02-02 | 1995-04-04 | Exposure method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2022269A JP2864034B2 (ja) | 1990-02-02 | 1990-02-02 | 露光方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03228309A true JPH03228309A (ja) | 1991-10-09 |
| JP2864034B2 JP2864034B2 (ja) | 1999-03-03 |
Family
ID=12078048
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2864034B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR950034471A (ko) * | 1994-03-09 | 1995-12-28 | 오노 시게오 | 위치맞춤방법 |
-
1990
- 1990-02-02 JP JP2022269A patent/JP2864034B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR950034471A (ko) * | 1994-03-09 | 1995-12-28 | 오노 시게오 | 위치맞춤방법 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2864034B2 (ja) | 1999-03-03 |
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