JP2862092B2 - 厚膜パターン形成方法 - Google Patents
厚膜パターン形成方法Info
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、液晶表示装置、蛍光表示管ディスプレイパ
ネル、プラズマディスプレイパネル、混成集積回路等の
製造工程における厚膜パターン形成方法に関するもので
ある。
ネル、プラズマディスプレイパネル、混成集積回路等の
製造工程における厚膜パターン形成方法に関するもので
ある。
［従来の技術］ 従来、この種の厚膜パターン形成方法としては、ガラ
スやセラミックス基板上に導体或いは絶縁体用のペース
トをスクリーン印刷によりパターン状に印刷を行った後
にこのペーストを乾燥、焼成する工程を繰り返して厚膜
パターンを形成する方法が知られている。また、最近ガ
ラス等の基板の上にセラミック材料で厚膜パターンを形
成することが種々の分野で行われてきているが、この場
合にも、セラミック材料をバインダー中に分散させてペ
ースト状としたものを用い、前記したのと同様にして、
スクリーン印刷により重ね印刷を行った後に乾燥、焼成
する工程を繰り返すことにより厚膜パターンを形成する
ようにしている。
スやセラミックス基板上に導体或いは絶縁体用のペース
トをスクリーン印刷によりパターン状に印刷を行った後
にこのペーストを乾燥、焼成する工程を繰り返して厚膜
パターンを形成する方法が知られている。また、最近ガ
ラス等の基板の上にセラミック材料で厚膜パターンを形
成することが種々の分野で行われてきているが、この場
合にも、セラミック材料をバインダー中に分散させてペ
ースト状としたものを用い、前記したのと同様にして、
スクリーン印刷により重ね印刷を行った後に乾燥、焼成
する工程を繰り返すことにより厚膜パターンを形成する
ようにしている。
［発明が解決しようとする課題］ 従来のスクリーン印刷によりガラス基板上にセラミッ
ク材料により厚膜パターンを形成する方法においては、
上述のように複数回のスクリーン印刷により重ね刷りを
して所定の厚さにする必要があるが、この方法では例え
ば50〜100μｍの厚膜を得るために５〜10回の重ね塗り
を必要とし、そのたびごとに乾燥工程が入ることとな
り、その結果として極めて生産性が悪く歩留りを低下さ
せるという問題点があった。さらに、ペーストの粘度、
チクソトロピー等によりパターン線幅精度が損なわれる
という問題点もあった。
ク材料により厚膜パターンを形成する方法においては、
上述のように複数回のスクリーン印刷により重ね刷りを
して所定の厚さにする必要があるが、この方法では例え
ば50〜100μｍの厚膜を得るために５〜10回の重ね塗り
を必要とし、そのたびごとに乾燥工程が入ることとな
り、その結果として極めて生産性が悪く歩留りを低下さ
せるという問題点があった。さらに、ペーストの粘度、
チクソトロピー等によりパターン線幅精度が損なわれる
という問題点もあった。
本発明は、このような従来技術の問題点を解消するた
めに創案されたものであり、生産性を改善し歩留りを向
上させ、かつ良好な線幅精度を得ることのできる厚膜パ
ターン形成方法を提供することを目的としている。
めに創案されたものであり、生産性を改善し歩留りを向
上させ、かつ良好な線幅精度を得ることのできる厚膜パ
ターン形成方法を提供することを目的としている。
［課題を解決するための手段］ 上記目的を達成するために、本発明に係る第１の厚膜
パターン形成方法は、ガラス等の基板の上にセラミック
材料で厚膜パターンを形成する方法であって、少なくと
も、所望の厚さになるまでドライフィルムを複数層積層
する工程と、所望のパターンが形成されているマスクを
介して前記積層したドライフィルムを一括してパターン
露光する工程と、未硬化のドライフィルムを現像除去し
て雌型を作製する工程と、該雌型により得られた空間に
セラミック材料を充填する工程と、雌型を消失せしめる
と共にセラミック材料を基板の上に残す工程とを行うこ
とにより前記セラミック材料による目的パターンを得る
ことを特徴とするものである。
パターン形成方法は、ガラス等の基板の上にセラミック
材料で厚膜パターンを形成する方法であって、少なくと
も、所望の厚さになるまでドライフィルムを複数層積層
する工程と、所望のパターンが形成されているマスクを
介して前記積層したドライフィルムを一括してパターン
露光する工程と、未硬化のドライフィルムを現像除去し
て雌型を作製する工程と、該雌型により得られた空間に
セラミック材料を充填する工程と、雌型を消失せしめる
と共にセラミック材料を基板の上に残す工程とを行うこ
とにより前記セラミック材料による目的パターンを得る
ことを特徴とするものである。
また、同様の目的を達成するために、本発明に係る第
２の厚膜パターン形成方法は、ガラス等の基板の上にセ
ラミック材料で厚膜パターンを形成する方法であって、
少なくとも、所望パターンの溝が形成された原版におけ
る当該溝の中に紫外線硬化性樹脂を充填した状態で原版
と基板とを密着させる工程と、紫外線を照射して紫外線
硬化性樹脂を硬化せしめる工程と、原版を紫外線硬化性
樹脂との界面より剥離して基板上に紫外線硬化性樹脂か
らなる雌型を作製する工程と、この雌型内の空間にセラ
ミック材料を充填する工程と、雌型を消失させると共に
セラミック材料の基板の上に残す工程とを行うことによ
り前記セラミック材料による目的パターンを得ることを
特徴とするものである。
２の厚膜パターン形成方法は、ガラス等の基板の上にセ
ラミック材料で厚膜パターンを形成する方法であって、
少なくとも、所望パターンの溝が形成された原版におけ
る当該溝の中に紫外線硬化性樹脂を充填した状態で原版
と基板とを密着させる工程と、紫外線を照射して紫外線
硬化性樹脂を硬化せしめる工程と、原版を紫外線硬化性
樹脂との界面より剥離して基板上に紫外線硬化性樹脂か
らなる雌型を作製する工程と、この雌型内の空間にセラ
ミック材料を充填する工程と、雌型を消失させると共に
セラミック材料の基板の上に残す工程とを行うことによ
り前記セラミック材料による目的パターンを得ることを
特徴とするものである。
［作用］ 図面を用いて本発明の作用を説明する。
第１図（ａ）に示すように、ガラス等の基板１の上に
複数層のドライフィルムを用いてフォトリソグラフィー
により雌型２を形成する。或いは、紫外線硬化性樹脂を
用いて2P法により目的パターン雌型２を形成する。しか
る後、第１図（ｂ）に示すように、雌型２により得られ
た空間にセラミック材料３を充填し、続いて第１図
（ｃ）に示すように、薬品処理或いは焼成等の手段によ
り雌型２を消失せしめてセラミック材料３で構成された
所望のパターンを得る。
複数層のドライフィルムを用いてフォトリソグラフィー
により雌型２を形成する。或いは、紫外線硬化性樹脂を
用いて2P法により目的パターン雌型２を形成する。しか
る後、第１図（ｂ）に示すように、雌型２により得られ
た空間にセラミック材料３を充填し、続いて第１図
（ｃ）に示すように、薬品処理或いは焼成等の手段によ
り雌型２を消失せしめてセラミック材料３で構成された
所望のパターンを得る。
［実施例］ 以下、実施例を挙げて本発明を具体的に説明する。
＜実施例１＞ 第２図（ａ）〜（ｅ）は本発明に係る第１の厚膜パタ
ーン形成方法の工程図であり、それぞれ第２図（ａ）は
基板上にドライフィルムをラミネートする工程、第２図
（ｂ）はパターン露光工程、第２図（ｃ）は現像工程、
第２図（ｄ）はセラミック材料を充填する工程、第２図
（ｅ）は焼成工程を示している。
ーン形成方法の工程図であり、それぞれ第２図（ａ）は
基板上にドライフィルムをラミネートする工程、第２図
（ｂ）はパターン露光工程、第２図（ｃ）は現像工程、
第２図（ｄ）はセラミック材料を充填する工程、第２図
（ｅ）は焼成工程を示している。
以下に順を追って各工程を説明する。まず、第２図
（ａ）に示すように、ガラス基板11の上にドライフィル
ム14（東京応化工業（株）製「AE−250」）を加熱ラミ
ネート法で４層積層し厚みを200μｍとした。その後、
第２図（ｂ）に示すように、超高圧水銀灯を光源とする
平行光プリンターを用い、線幅100μｍ、ピッチ300μｍ
のラインパターンマスク15を介してパターン露光を行っ
た。露光条件は波長365nmで測定した時に、強度200μw/
cm2、照射量72mJ/cm2である。続いて、第２図（ｃ）に
示す現像工程では、無水炭酸ナトリウム1wt％水溶液に
より液温30〜50℃でスプレー現像を行い、現像終了点は
目視にて確認した。以上の工程により線幅200μｍ、ピ
ッチ300μｍ、高さ150μｍの雌型12を得た。そして、続
いて行った第２図（ｄ）のセラミック材料の充填工程で
は、セラミック材料13として、低融点ガラスフリット、
耐熱顔料、充填剤を有機バインダー中に分散させたペー
スト状のものを用い、平板ゴム16を雌型12に接しさせな
がらパターンを斜めに横切るように移動させてペースト
状のセラミック材料13を充填するととともに、雌型12か
らはみ出した余分なものを掻き取るようにした。このよ
うにして得られた基板11はペースト中の有機バインダー
に含まれる溶剤を除去するため80〜120℃で乾燥を行っ
て次の焼成工程へ供した。なお、このペースト充填工程
は、必要ならば複数回繰り返してもよいものである。第
２図（ｅ）に示す焼成工程では、ピーク温度585℃、保
存時間10〜20分の条件で焼成を行い、ドライフィルムで
形成された雌型12を消失せしめるとともに、前記セラミ
ック材料13をガラス基板11上で結着させた。以上の工程
により、線幅100〜200μｍ、ピッチ300μｍ、高さ150μ
ｍのセラミック材料13からなる厚膜パターンを得た。
（ａ）に示すように、ガラス基板11の上にドライフィル
ム14（東京応化工業（株）製「AE−250」）を加熱ラミ
ネート法で４層積層し厚みを200μｍとした。その後、
第２図（ｂ）に示すように、超高圧水銀灯を光源とする
平行光プリンターを用い、線幅100μｍ、ピッチ300μｍ
のラインパターンマスク15を介してパターン露光を行っ
た。露光条件は波長365nmで測定した時に、強度200μw/
cm2、照射量72mJ/cm2である。続いて、第２図（ｃ）に
示す現像工程では、無水炭酸ナトリウム1wt％水溶液に
より液温30〜50℃でスプレー現像を行い、現像終了点は
目視にて確認した。以上の工程により線幅200μｍ、ピ
ッチ300μｍ、高さ150μｍの雌型12を得た。そして、続
いて行った第２図（ｄ）のセラミック材料の充填工程で
は、セラミック材料13として、低融点ガラスフリット、
耐熱顔料、充填剤を有機バインダー中に分散させたペー
スト状のものを用い、平板ゴム16を雌型12に接しさせな
がらパターンを斜めに横切るように移動させてペースト
状のセラミック材料13を充填するととともに、雌型12か
らはみ出した余分なものを掻き取るようにした。このよ
うにして得られた基板11はペースト中の有機バインダー
に含まれる溶剤を除去するため80〜120℃で乾燥を行っ
て次の焼成工程へ供した。なお、このペースト充填工程
は、必要ならば複数回繰り返してもよいものである。第
２図（ｅ）に示す焼成工程では、ピーク温度585℃、保
存時間10〜20分の条件で焼成を行い、ドライフィルムで
形成された雌型12を消失せしめるとともに、前記セラミ
ック材料13をガラス基板11上で結着させた。以上の工程
により、線幅100〜200μｍ、ピッチ300μｍ、高さ150μ
ｍのセラミック材料13からなる厚膜パターンを得た。
＜実施例２＞ 第３図（ａ）〜（ｃ）は本発明に係る第２の厚膜パタ
ーン形成方法の工程図であり、それぞれ第３図（ａ）は
2P（Photopolymerization）法による型取り工程、第３
図（ｂ）はセラミック材料を充填する工程、第３図
（ｃ）は焼成工程をそれぞれ示している。
ーン形成方法の工程図であり、それぞれ第３図（ａ）は
2P（Photopolymerization）法による型取り工程、第３
図（ｂ）はセラミック材料を充填する工程、第３図
（ｃ）は焼成工程をそれぞれ示している。
また、第４図（ａ）〜（ｃ）は上記の2P法を説明する
ための工程図であり、それぞれ第４図（ａ）は紫外線硬
化性樹脂を介しての原版と基板との密着工程、第４図
（ｂ）は紫外線照射工程、第４図（ｃ）は剥離工程を示
すものである。
ための工程図であり、それぞれ第４図（ａ）は紫外線硬
化性樹脂を介しての原版と基板との密着工程、第４図
（ｂ）は紫外線照射工程、第４図（ｃ）は剥離工程を示
すものである。
第４図（ａ）〜（ｃ）の工程において、本実施例で
は、原版27として市販の真鍮板に線幅200μｍ、ピッチ3
00μｍ、深さ150μｍの溝を切削加工したものを用い、
基板21としてガラス板を用いた。これらの原版27と基板
21は第４図（ｂ）に示す紫外線照射工程のため、少なく
とも一方が透明でなければならないものである。次に、
紫外線硬化性樹脂28としては、ヒドロキシエチルアクリ
レート、ヒドロキシエチルメタクリレート、ネオペンチ
ルグリコールジアクリレート、トリメチロールプロパン
トリアクリレート等のアクリル系モノマー、エポキシア
クリレート、ポリエステルアクリレート、ウレタンアク
リレート等のアクリル系オリゴマー或いは前記モノマー
とオリゴマーの混合物等が考えられるが、本実施例では
ヒドロキシピバリン酸エステルネオペンチルグリコール
ジアクリレートを用いた。また、光開始剤としては、市
販試薬の範囲内で広く考えられるが、本実施例では１−
ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンを用いた。紫
外線硬化性樹脂28として前記のモノマー、オリゴマーの
どれを選択するかは本発明を限定するものではないが、
第３図（ｃ）に示した焼成工程にて消失しやすいものが
好ましい。また、前記紫外線硬化性樹脂28が単独で基板
21上に密着しない場合には適宜プライマーを用いるよう
にしてもよいものである。
は、原版27として市販の真鍮板に線幅200μｍ、ピッチ3
00μｍ、深さ150μｍの溝を切削加工したものを用い、
基板21としてガラス板を用いた。これらの原版27と基板
21は第４図（ｂ）に示す紫外線照射工程のため、少なく
とも一方が透明でなければならないものである。次に、
紫外線硬化性樹脂28としては、ヒドロキシエチルアクリ
レート、ヒドロキシエチルメタクリレート、ネオペンチ
ルグリコールジアクリレート、トリメチロールプロパン
トリアクリレート等のアクリル系モノマー、エポキシア
クリレート、ポリエステルアクリレート、ウレタンアク
リレート等のアクリル系オリゴマー或いは前記モノマー
とオリゴマーの混合物等が考えられるが、本実施例では
ヒドロキシピバリン酸エステルネオペンチルグリコール
ジアクリレートを用いた。また、光開始剤としては、市
販試薬の範囲内で広く考えられるが、本実施例では１−
ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンを用いた。紫
外線硬化性樹脂28として前記のモノマー、オリゴマーの
どれを選択するかは本発明を限定するものではないが、
第３図（ｃ）に示した焼成工程にて消失しやすいものが
好ましい。また、前記紫外線硬化性樹脂28が単独で基板
21上に密着しない場合には適宜プライマーを用いるよう
にしてもよいものである。
以下、第４図（ａ）〜（ｃ）の各工程を順に説明す
る。まず、第４図（ａ）に示すように、紫外線硬化性樹
脂28を介してガラス基板21と原版27とを平板プレス或い
はラミネートロールで密着させ、次いで、第４図（ｂ）
に示すように、ガラス基板21側から紫外線を照射して紫
外線硬化性樹脂28を硬化せしめた。なお、紫外線源とし
ては、高圧水銀灯（40w/cm）を用い、約1000mJ/cm2照射
した。しかる後、第４図（ｃ）に示すように、原版27を
紫外線硬化性樹脂28との界面より剥離することにより、
ガラス基板21上に線幅200μｍ、ピッチ300μｍ、高さ15
0μｍの紫外線硬化性樹脂28からなる雌型22を作成し
た。
る。まず、第４図（ａ）に示すように、紫外線硬化性樹
脂28を介してガラス基板21と原版27とを平板プレス或い
はラミネートロールで密着させ、次いで、第４図（ｂ）
に示すように、ガラス基板21側から紫外線を照射して紫
外線硬化性樹脂28を硬化せしめた。なお、紫外線源とし
ては、高圧水銀灯（40w/cm）を用い、約1000mJ/cm2照射
した。しかる後、第４図（ｃ）に示すように、原版27を
紫外線硬化性樹脂28との界面より剥離することにより、
ガラス基板21上に線幅200μｍ、ピッチ300μｍ、高さ15
0μｍの紫外線硬化性樹脂28からなる雌型22を作成し
た。
以上のようにして第３図（ａ）に示す雌型２の形成さ
れた基板21が得られた。続いて、実施例１と同様に、第
３図（ｂ）に示すセラミック材料23を充填する工程、第
３図（ｃ）に示す焼成工程を経て、線幅100μｍ、ピッ
チ300μｍ、高さ150μｍのセラミック材料23による厚膜
パターンを得た。
れた基板21が得られた。続いて、実施例１と同様に、第
３図（ｂ）に示すセラミック材料23を充填する工程、第
３図（ｃ）に示す焼成工程を経て、線幅100μｍ、ピッ
チ300μｍ、高さ150μｍのセラミック材料23による厚膜
パターンを得た。
［発明の効果］ 本発明は、上述のとおり構成されているので次に記載
する効果を奏する。
する効果を奏する。
一回の操作で高さ100μｍ以上のパターンが得られる
ため、これまでのスクリーン印刷による積層等に比べ、
処理時間が短縮されるとともに、位置合わせ等の操作も
一回でよいため、工程の簡略化を図ることができる。
ため、これまでのスクリーン印刷による積層等に比べ、
処理時間が短縮されるとともに、位置合わせ等の操作も
一回でよいため、工程の簡略化を図ることができる。
第１図（ａ）〜（ｃ）は本発明の厚膜パターン形成方法
を説明するための工程図、第２図（ａ）〜（ｅ）は本発
明に係る第１の厚膜パターン形成方法の工程図、第３図
（ａ）〜（ｃ）は本発明に係る第２の厚膜パターン形成
方法の工程図、第４図（ａ）〜（ｃ）は2P法を説明する
ための工程図である。 １……基板、２……雌型、３……セラミック材料、11…
…基板、12……雌型、13……セラミック材料、14……フ
ォトレジスト、15……ラインパターンマスク、16……平
板ゴム、21……基板、22……雌型、23……セラミック材
料、26……平板、27……原版、28……紫外線硬化性樹脂
を説明するための工程図、第２図（ａ）〜（ｅ）は本発
明に係る第１の厚膜パターン形成方法の工程図、第３図
（ａ）〜（ｃ）は本発明に係る第２の厚膜パターン形成
方法の工程図、第４図（ａ）〜（ｃ）は2P法を説明する
ための工程図である。 １……基板、２……雌型、３……セラミック材料、11…
…基板、12……雌型、13……セラミック材料、14……フ
ォトレジスト、15……ラインパターンマスク、16……平
板ゴム、21……基板、22……雌型、23……セラミック材
料、26……平板、27……原版、28……紫外線硬化性樹脂
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 松本 武司 東京都新宿区市谷加賀町１丁目１番１号 大日本印刷株式会社内 (56)参考文献 特開 平１−251534（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−21846（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−198792（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−171806（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−171807（ＪＰ，Ａ) 特開 昭54−69133（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) B28B 1/00 - 1/54 H01J 9/00 - 9/18 G02F 1/133 - 1/347
Claims (2)
- 【請求項１】ガラス等の基板の上にセラミック材料で厚
膜パターンを形成する方法であって、少なくとも、所望
の厚さになるまでドライフィルムを複数層積層する工程
と、所望のパターンが形成されているマスクを介して前
記積層したドライフィルムを一括してパターン露光する
工程と、未硬化のドライフィルムを現像除去して雌型を
作製する工程と、該雌型により得られた空間にセラミッ
ク材料を充填する工程と、雌型を消失せしめると共にセ
ラミック材料を基板の上に残す工程とを行うことにより
前記セラミック材料による目的パターンを得ることを特
徴とする厚膜パターン形成方法。 - 【請求項２】ガラス等の基板の上にセラミック材料で厚
膜パターンを形成する方法であって、少なくとも、所望
パターンの溝が形成された原版における当該溝の中に紫
外線硬化性樹脂を充填した状態で原版と基板とを密着さ
せる工程と、紫外線を照射して紫外線硬化性樹脂を硬化
せしめる工程と、原版を紫外線硬化性樹脂との界面より
剥離して基板上に紫外線硬化性樹脂からなる雌型を作製
する工程と、この雌型内の空間にセラミック材料を充填
する工程と、雌型を消失させると共にセラミック材料を
基板の上に残す工程とを行うことにより前記セラミック
材料による目的パターンを得ることが特徴とする厚膜パ
ターン形成方法。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1543190A JP2862092B2 (ja) | 1990-01-25 | 1990-01-25 | 厚膜パターン形成方法 |
| PCT/JP1991/000080 WO1991011307A1 (en) | 1990-01-25 | 1991-01-25 | Method of and material for forming thick filmy pattern |
| US07/762,008 US5580511A (en) | 1990-01-25 | 1991-01-25 | Method of forming thick film pattern and material for forming thick film pattern |
| EP91902780A EP0464224B1 (en) | 1990-01-25 | 1991-01-25 | Method of and material for forming thick filmy pattern |
| DE69132442T DE69132442T2 (de) | 1990-01-25 | 1991-01-25 | Verfahren und material zum bilden von texturierten dicken filmartigen mustern |
| US08/694,025 US5814267A (en) | 1990-01-25 | 1996-08-08 | Method of forming thick film pattern and material for forming thick film pattern |
| US09/100,974 US6113836A (en) | 1990-01-25 | 1998-06-22 | Method of forming thick film pattern and material for forming thick film pattern |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1543190A JP2862092B2 (ja) | 1990-01-25 | 1990-01-25 | 厚膜パターン形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03219910A JPH03219910A (ja) | 1991-09-27 |
| JP2862092B2 true JP2862092B2 (ja) | 1999-02-24 |
Family
ID=11888599
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1543190A Expired - Fee Related JP2862092B2 (ja) | 1990-01-25 | 1990-01-25 | 厚膜パターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2862092B2 (ja) |
-
1990
- 1990-01-25 JP JP1543190A patent/JP2862092B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03219910A (ja) | 1991-09-27 |
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