JP2861581B2

JP2861581B2 - 磁気検出方法及びその装置

Info

Publication number: JP2861581B2
Application number: JP4024098A
Authority: JP
Inventors: 静吾安藤; 泰大松藤
Original assignee: Nippon Kokan Ltd
Current assignee: JFE Engineering Corp
Priority date: 1991-06-04
Filing date: 1992-02-10
Publication date: 1999-02-24
Anticipated expiration: 2014-02-24
Also published as: JPH085610A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、鋼板等の磁性材料で形
成された被検体に磁化器で磁界を交差させ、磁気的異常
部に起因する漏洩磁束を磁気センサで検出する磁気検出
方法及び磁気検出装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】磁気検出装置は、磁気を利用して、被検
体としての薄鋼帯の内部あるいは表面に存在する疵，介
在物等の磁気的異常部を検出する。磁束を検出する磁気
センサをリニア状に配設した磁気センサ群か内部に組込
まれた磁気検出装置は、走行中の薄鋼帯の全幅に存在す
る欠陥を連続的に検出できることが報告されている（実
開昭６３−１０７８４９号公報）。

【０００３】図４４，図４５は上述した走行中の薄鋼帯
の欠陥を連続的に検出する磁気検出装置をそれぞれ異な
る方向から見た断面模式図である。また、図４６はこの
磁気検出装置が支持装置に組込まれた状態を示す側面図
である。

【０００４】図４６において、建屋の床に据付けられフ
レーム１１内に水平アーム１２が一対のばね部材１３
ａ，１３ｂによって支持されている。したがって、水平
アーム１２は上下に移動可能である。水平アーム１２の
中央に磁気検出装置の固定軸２が固定されている。ま
た、フレーム１１の両側には薄鋼帯１０を磁気検出装置
の中空ロール１の外周面に導くための一対のガイドロー
ル１４ａ，１４ｂが設けられている。

【０００５】図４４，図４５において、非磁性材料で形
成された中空ロール１の中心軸に固定軸２の一端が貫通
されている。この固定軸２の他端は前記水平アーム１２
に固定されている。そして、固定軸２は中空ロール１の
中心軸に位置するように一対のころがり軸受３ａ，３ｂ
でもって中空ロール１の両端の内周面に支持されてい
る。したがって、この中空ロール１は固定軸２を回転中
心軸として自由に回転する。

【０００６】中空ロール１内に、略Ｕ字断面形状を有し
た磁化鉄心４ｃが、その各磁極４ａ，４ｂが中空ロール
１の内周面に近接する姿勢で、支持部材５を介して固定
軸２に固定されている。この磁化鉄心４ｃに磁化コイル
６が巻装されている。したがって、この磁化鉄心４ｃと
磁化コイル６とで磁化器４を構成する。磁化鉄心４ｃの
磁極４ａ，４ｂの間に複数の磁気センサ７ａを軸方向に
リニア状に配列してなる磁気センサ群７がやはり固定軸
２に固定されている。

【０００７】磁化コイル６に励磁電流を供給するための
電源ケーブル８および磁気センサ群７の各磁気センサ７
ａの出力信号を取出すための信号ケーブル９は固定軸２
内を経由して外部へ導出されている。したがって、磁化
器４および磁気センサ群７の位置は固定され、中空ロー
ル１が磁化器４および磁気センサ群７の外周を微小間隙
を有して回転する。

【０００８】このような構成の磁気検出装置の中空ロー
ル１の外周面を例えば矢印ａ方向に走行状態の薄鋼帯１
０の一方面に所定圧力でもって押し当てると、固定軸２
は水平アーム１２に固定されているので、中空ロール１
が矢印ｂ方向に回転する。

【０００９】このような磁気検出装置において、磁化コ
イル６に励磁電流を供給すると、磁化鉄心４ｃの各磁極
４ａ，４ｂと走行中の薄鋼帯１０とで閉じた磁路が形成
される。そして、薄鋼帯１０の内部あるいは表面に欠陥
が存在すると、薄鋼帯１０内の磁路が乱れ、漏洩磁束が
生じる。この漏洩磁束が磁気センサ群７を構成する該当
欠陥位置に対向する磁気センサ７ａで検出され、この磁
気センサ７ａから該当欠陥に対応する信号が出力され
る。

【００１０】検出された信号はその信号レベルが薄鋼帯
１０内部または表面の欠陥の大きさと対応するので、出
力信号の信号レベルを測定することによって薄鋼帯１０
の内部または表面に存在する欠陥の幅方向の発生位置と
その規模が把握できる。

【００１１】このような磁気検出装置おいて、各磁気セ
ンサ７ａは、各磁極４ａ，４ｂの中央位置に配設されて
いる。この中央位置に配設する理由は次の通りである。

【００１２】すなわち、図４７は、図４４，図４５の磁
気検出装置の要部を模式的に描いた図である。全く欠陥
が存在しない薄鋼帯１０を静止させた状態で各磁極４
ａ，４ｂに対向配置されている。そして、磁化コイル６
が直流励磁される。すると、磁極４ａ，４ｂ近傍に磁界
が発生する。この磁界は、図示するように、各磁極４
ａ，４ｂ位置で最大，最小を示すサイン波形状の垂直磁
界分布特性Ｄと、各磁極４ａ，４ｂの中心位置で最大値
を示す山形形状の水平磁界分布特性Ｆとを有する。した
がって、この垂直磁界分布特性Ｄが０レベルラインを横
切る磁極４ａ，４ｂの磁極間距離Ｗの中央位置に、磁気
感応方向が垂直方向に設定された垂直型の磁気センサ７
ａが配設されれば、前記磁界の影響が除去可能である。

【００１３】また、磁極４ａ，４ｂの磁極間距離Ｗの中
央位置に、磁気感応方向が水平方向に設定された水平型
の磁気センサを配設して、この水平型の磁気センサの出
力信号を微分すれば、磁極間の中心位置近傍において
は、この出力信号波形は前記垂直磁界分布特性Ｄに近似
する。よって、微分後の出力信号は前記中央位置で０レ
ベルラインを横切る。よって、垂直型の磁気センサ７ａ
と同様に、前記磁界の影響を除去できる。

【００１４】但し、水平型の磁気センサを採用するより
は垂直型の磁気センサを採用する方が好ましい。すなわ
ち、上述したように、垂直型の磁気センサのような微分
波形類似の出力を得る方が、磁気的異常部の検出に便利
であると一般的に言れる。水平型の磁気センサでもっ
て、これと同じ出力を得るためには、水平型の磁気セン
サの出力を一旦微分回路で処理する必要があるので、装
置全体が複雑化する。また、水平型の磁気センサにおけ
る磁気的異常部に起因する信号成分の周波数ｆ_Sと雑音
成分の周波数ｆ_Nとの比（ｆ_S／ｆ_N）_Hは、垂直型の
磁気センサにおける比（ｆ_S／ｆ_N）_Vに比較して小さ
い。

【００１５】したがって、垂直型の磁気センサを採用し
た方が、出力信号に含まれる雑音の除去がより容易にな
る。したがって、実際の装置の簡素化を図るためには、
垂直型の磁気センサの方が好ましいのである。しかし、
垂直型の磁気センサでなければ、磁気的異常部を検出す
ることができないことではない。

【００１６】なお、図４８に示すように、たとえ磁気セ
ンサ７ａが磁極４ａ，４ｂの磁極間の中央位置に存在し
ない場合であっても、前記磁界の影響を排除できる。す
なわち、その磁気センサ７ａの設置位置における磁界分
布特性Ｄ，Ｆ上の各磁気センサの出力電圧値Ｖov，Ｖoh
を予め求めておく。そして、図４９に示すように、バイ
アス電圧発生器１６から出力される固定バイアス電圧を
前記電圧Ｖov，Ｖohに調整する。減算器１５でもって、
磁気センサ７ａの出力信号から前記電圧Ｖov（Ｖoh）を
減算する。

【００１７】したがって、以下の説明においては、垂直
型の磁気センサを磁極間の中央位置に設置した場合につ
いて論ずる。

【００１８】ところで、図４７に示す垂直磁界分布特性
Ｄは、全く欠陥が存在しない薄鋼帯１０を磁極４ａ，４
ｂに対して静止させた状態における特性である。しか
し、実際の磁気検出装置において、薄鋼帯１０は速度Ｖ
で一方方向へ移動している。このとき薄鋼帯１０は磁極
４ａによって磁化され、この励磁磁界内を移動する被検
体である薄鋼帯１０の速度効果により、見掛上、磁束分
布が被検体の移動方向に偏奇する。すなわち、導体であ
る被検体が磁界内で移動している場合には、被検体に渦
電流が発生する。この渦電流により生起される磁界の作
用により、結果として磁束分布が偏奇すると推定され
る。

【００１９】その結果、垂直磁界分布特性Ｄが０ライン
を横切る位置が必ずしも、磁極間の中央位置とは限ら
ず、図４７の垂直磁界分布特性Ｅに示すように、走行方
向側に平行移動する。

【００２０】よって、薄鋼帯１０が走行状態において
は、磁極４ａ，４ｂの磁極間の中央位置（Ｘ＝０）が移
動後の垂直磁界分布特性Ｅにおける０レベル位置になら
ない。したがって、中央位置には浮遊磁束が存在する。

【００２１】なお、浮遊磁束とは、被検体における磁気
的異常部に起因して発生する漏洩磁束とは別に、被検体
周囲で検出される磁束である。そして、この浮遊磁束は
主としてバルクとしての被検体や、磁化器の磁化鉄心部
材から周囲に放出される。したがって、この浮遊磁束は
図４７に示す各磁界分布特性に対応した分布特性を有す
る。

【００２２】当然、この浮遊磁束は薄鋼帯１０の移動速
度Ｖの増加に伴って変化する。また、浮遊磁束は磁化器
４の励磁電流Ｉの増加に伴ってさらに変化する。図５０
は、欠陥が存在しない薄鋼帯１０の移動速度Ｖを０ｍ／
分から1200ｍ／分まで変化させた場合における中心位置
（Ｘ＝０）に配設された垂直型の磁気センサ７ａの出力
電圧の各相対値を示す実測図である。なお、図５０中の
各特性は磁化コイル６の励磁電流Ｉを0.25Ａ，0.50Ａ，
0.75Ａと順番に変化させた場合の特性である。この実測
図からも理解できるように、浮遊磁束は移動速度Ｖ及び
励磁電流Ｉの増加に伴って増加する。

【００２３】また、磁気センサ７ａが検出できる磁束の
強度に一定の範囲が存在し、一定以上の強い磁束を検出
すると出力信号が飽和する。図５１は、上述した欠陥が
存在しない薄鋼帯１０の移動速度Ｖと磁気センサ７ａの
出力電圧の各相対値を示す実測図である。この実測図で
も理解できるように、励磁電流Ｉが 0.2Ａの条件下にお
いては、薄鋼帯１０の移動速度Ｖが 600ｍ／分程度で浮
遊磁束に起因する出力信号は飽和する。

【００２４】一方、各磁気センサ７ａには欠陥に起因す
る漏洩磁束に対する高い検出感度が要求されることも多
い。例えば微小欠陥からの漏洩磁束が数１０mm Gauss程
度の非常に小さな値である。したがって、各磁気センサ
７ａの磁気検出感度を大幅に上昇させる必要がある。

【００２５】図５２は、例えば１ガウスで１Ｖの高い検
出感度を有する磁気センサ７ａにおいて、この磁気セン
サ７ａに交差する磁束の強度を変化させた場合における
磁気センサ７ａの出力電圧値を示す実測図である。この
実測図でも理解できるように、磁気センサ７ａの検出感
度を上昇させると、交差磁束が６ガウス程度で出力電圧
値が飽和してしまう。

【００２６】この磁気センサ７ａの出力信号が飽和する
現象は、薄鋼帯１０の移動速度Ｖが上昇するとより顕著
になる。図５３は、直径が0.6mm の人工欠陥が形成され
た薄鋼帯１０に対する欠陥検出を行った場合の磁気セン
サ７ａの出力と励磁電流Ｉとの関係を示す実測図であ
る。すなわち、この実測図によると、薄鋼帯１０の移動
速度Ｖを高くして、かつ磁化器４の励磁電流Ｉを増加さ
せて、欠陥の検出感度を上昇させようとすると、磁気セ
ンサ７ａの出力は、励磁電流Ｉが一定電流以上になる
と、飽和するのみならず、低下する。

【００２７】このように、小規模の欠陥を検出するため
に磁気センサ７ａの感度を上昇させる必要がある。しか
し、全く欠陥が存在しない場合における浮遊磁束の強度
は前記小規模欠陥に起因する漏洩磁束の強度に比較して
格段に大きい。したがって、磁気センサ７ａの検出感度
を上昇させると、出力信号が浮遊磁束でもって飽和して
しまう。その結果、小規模な欠陥を精度良く検出できな
い問題がある。

【００２８】このような問題は実開昭６３−１０７８４
９号公報のように中空ロールを使用しているものだけに
見られる特殊な現象ではない。特に浮遊磁束に起因する
欠陥検出精度低下は、磁化器を用いて磁気的異常部を検
出するいわゆる磁気検出技術において一般に見られる現
象である。

【００２９】また、被検体としての薄鋼帯１０の磁化特
性も移動速度Ｖに応じて変化する。すなわち、薄鋼帯１
０の移動速度Ｖが高くなると、速度効果により、薄鋼帯
１０の磁化力が低下する。その結果、同一の欠陥規模で
あったとしても、薄鋼帯１０の移動速度Ｖが変化すれ
ば、異なる規模の欠陥として検出される。

【００３０】本発明はこのような事情に鑑みてなされた
ものであり、被検体の健全部から生じる浮遊磁束を相殺
するための補償コイルを設けることによって、被検体の
磁気的異常部に起因して生じる漏洩磁束を検出する磁気
センサの出力信号に含まれる浮遊磁束に起因する低周波
信号成分を除去でき、磁気センサの出力信号のＳ／Ｎを
上昇でき、磁気的異常部の検出感度と検出精度を大幅に
向上できる磁気検出方法および磁気検出装置を提供する
ことを目的とする。

【００３１】さらに、上述した目的に加えて、たとえ被
検体の移動速度が変化したとしても、常に安定した一定
の検出感度を維持できる磁気検出装置を提供することを
目的とする。

【００３２】

【課題を解決するための手段】上記課題を解消するため
に本発明の磁気検出方法においては、磁界内を移動する
被検体の磁気的異常部に起因して生じる漏洩磁束を磁気
センサにより検出し、この磁気センサの出力信号に含ま
れる低周波信号成分をローパスフィルタで抽出し、抽出
された低周波信号成分を増幅して補償コイルに印加し、
この補償コイルで生起される磁束によって、前記磁気セ
ンサに交差する浮遊磁束を相殺するようにしている。

【００３３】また、本発明は、磁界内を移動する被検体
の磁気的異常部に起因して生じる漏洩磁束を磁気センサ
で検出する磁気検出装置において、磁気センサの出力信
号に含まれる低周波信号成分を抽出するローパスフィル
タと、このローパスフィルタにて抽出された低周波信号
成分を増幅する増幅器と、この増幅器の出力信号にて励
磁され、磁気センサに交差する浮遊磁束を相殺する磁束
を生起する補償コイルとを備えている。

【００３４】さらに、別の発明の磁気検出装置において
は、上記発明におけるローパスフィルタと増幅器との間
に積分器を介挿し、ローパスフィルタにて抽出された低
周波信号成分を積分して、その積分された低周波信号成
分を増幅器で増幅するようにしている。

【００３５】さらに、別の発明の磁気検出装置において
は、磁気センサの出力信号に含まれる磁気的異常部に起
因して生じる信号を抽出するための例えばハイパスフィ
ルタ等の特定信号抽出フィルタと、この特定信号抽出フ
ィルタの出力信号を増幅して欠陥信号として出力する出
力増幅器と、磁気センサの近傍位置に設けられ、磁界の
被検体の表面に平行な成分を検出する磁気センサとを備
え、この磁気センサの出力信号で出力増幅器の増幅率を
制御するようにしている。

【００３６】さらに、別の発明の磁気検出装置において
は、磁気センサの近傍位置に磁界の被検体の表面に平行
な成分を検出する磁気センサを設け、この磁気センサの
出力信号で磁化器によって生起される磁界強度を制御す
るようにしている。

【００３７】さらに、別の発明の磁気検出装置において
は、磁気センサの出力信号に含まれる低周波信号成分を
抽出するローパスフィルタと、このローパスフィルタに
て抽出された低周波信号成分を増幅する増幅器と、この
増幅器の出力信号にて励磁され、磁気センサに交差する
浮遊磁束を相殺する磁束を生起する補償コイルと、磁気
センサの出力信号に含まれる磁気的異常部に起因して生
じる信号を抽出するためのハイパスフィルタと、このハ
イパスフィルタの出力信号を増幅して欠陥信号として出
力する出力増幅器と、磁気センサの近傍位置に設けら
れ、磁界の被検体の表面に平行な成分を検出する磁気セ
ンサとを備え、この磁気センサの出力信号で出力増幅器
の増幅率を制御するようにしている。

【００３８】さらに、別の発明の磁気検出装置において
は、磁気センサの出力信号に含まれる低周波信号成分を
抽出するローパスフィルタと、このローパスフィルタに
て抽出された低周波信号成分を増幅する増幅器と、この
増幅器の出力信号にて励磁され、磁気センサに交差する
浮遊磁束を相殺する磁束を生起する補償コイルと、磁気
センサの出力信号に含まれる磁気的異常部に起因して生
じる信号を抽出するためのハイパスフィルタと、このハ
イパスフィルタの出力信号を増幅して欠陥信号として出
力する出力増幅器と、前記磁気センサの近傍位置に設け
られ、磁界の被検体の表面に平行な成分を検出する磁気
センサとを備え、この磁気センサの出力信号で磁化器に
よって生起される磁界強度を制御するようにしている。

【００３９】さらに、別の発明の磁気検出装置において
は、磁気センサの出力信号に含まれる低周波信号成分を
抽出するローパスフィルタと、このローパスフィルタに
て抽出された低周波信号成分を増幅する増幅器と、この
増幅器の出力信号にて励磁され、磁気センサに交差する
浮遊磁束を相殺する磁束を生起する補償コイルと、磁気
センサの出力信号に含まれる磁気的異常部に起因して生
じる信号を抽出するためのハイパスフィルタと、このハ
イパスフィルタの出力信号を増幅して欠陥信号として出
力する出力増幅器とを備え、磁気センサの出力信号で出
力増幅器の増幅率を制御するようにしている。

【００４０】さらに、別の発明の磁気検出装置において
は、磁気センサの出力信号に含まれる低周波信号成分を
抽出するローパスフィルタと、このローパスフィルタに
て抽出された低周波信号成分を増幅する増幅器と、この
増幅器の出力信号にて励磁され、磁気センサに交差する
浮遊磁束を相殺する磁束を生起する補償コイルと、磁気
センサの出力信号に含まれる磁気的異常部に起因して生
じる信号を抽出するためのハイパスフィルタと、このハ
イパスフィルタの出力信号を増幅して欠陥信号として出
力する出力増幅器とを備え、前記磁気センサの出力信号
で磁化器によって生起される磁界強度を制御するように
している。

【００４１】

【００４２】

【００４３】

【作用】本発明の磁気検出方法および磁気測定装置にお
いては、磁界内を移動する被検体の磁気的異常部に起因
して生じる漏洩磁束を検知する磁気センサの出力信号に
含まれる低周波信号成分はローパスフィルタで抽出され
る。抽出された低周波信号成分は増幅されて補償コイル
に印加される。そして、この補償コイルで生起される磁
束によって、磁気センサに交差する浮遊磁束が相殺され
る。

【００４４】一般に被検体の健全部においても生じる浮
遊磁束の時間変化（周波数）は、磁界内を移動する被検
体の磁気的異常部に起因する漏洩磁束の周波数に比較し
て格段に低い。したがって、ローパスフィルタでもって
磁気センサの出力信号に含まれる浮遊磁束の信号成分が
抽出できる。そして、この低周波信号成分を例えば逆極
性にして補償コイルに印加すれば、補償コイルによって
浮遊磁束を打消す方向の磁束が生起される。その結果、
磁気センサに交差する浮遊磁束は補償コイルにて生起さ
れる磁束によって相殺される。よって、磁気センサの出
力信号から浮遊磁束に起因する信号成分が除去される。

【００４５】さらに、ローパスフィルタと増幅器との間
に積分器を挿入することによって、磁気センサに交差す
る浮遊磁束を相殺する時に相殺できない微小な差分が生
じても、その差分が積分されて増大して帰還されるの
で、完全な相殺効果を実現することができる。

【００４６】また、本発明の磁気検出装置においては、
磁気センサの出力信号に含まれる磁気的異常部に起因し
て生じる信号がハイパスフィルタで抽出される。出力増
幅器はこのハイパスフィルタの出力信号を増幅して欠陥
信号として出力する。さらに、磁気センサの近傍位置
に、磁束のうち被検体の表面に平行な成分を検出する例
えば水平型の磁気センサが配設されている。そして、こ
の水平型磁気センサの出力信号で出力増幅器の増幅率が
制御される。

【００４７】磁化器に対向して配設された被検体に生じ
る磁界特性においては、図４７に示すように、垂直磁界
分布特性Ｄはサイン波形状を有しているが、水平磁界分
布特性Ｆは山型形状を有している。水平型の磁気センサ
でもって被検体内および被検体を貫通した磁界の強度が
測定される。この磁界の強度は前述したように被検体の
移動速度に対応して変化する。さらに、被検体の厚みや
種類（例えば、被検体が鋼帯の場合には炭素成分）等の
変化による磁化力の変動に対しても磁界強度の水平成分
が変化する。

【００４８】よって、水平型の磁気センサでもって移動
速度変化に起因する磁界の変化量を検出して、出力増幅
器の増幅度を制御すれば、出力増幅器から速度補正され
た正しい信号レベルを有した欠陥信号が出力される。

【００４９】さらに、水平型の磁気センサでもって移動
速度変化に起因する磁界の変化量を検出して、この変化
量でもって磁化器によって生起される磁界強度を制御す
れば、磁気センサにて検出される漏洩磁束の感度が常に
一定値に維持される。よって、速度補正された正しい信
号レベルを有した欠陥信号が得られる。

【００５０】また、磁気的異常部を検出する磁気センサ
の出力信号でもってハイパスフィルタの出力段に取付け
られ出力増幅器の増幅率を制御することも可能である。

【００５１】同様に、磁気的異常部を検出する磁気セン
サの出力信号でもって磁化器によって生起される磁界強
度を制御することも可能である。

【００５２】さらに、別の発明においては、被検体表面
に垂直な磁束成分を検出する垂直型の磁気センサと被検
体表面に平行な磁束成分を検出する水平型の磁気センサ
とのいずれか一方の磁気センサのみを用いる。そして、
この磁気センサの出力信号から、補償コイルにて生起す
る磁束を制御する信号を取出すとともに、出力増幅器の
増幅率を制御したり磁化電源を制御する制御信号を取出
すことが可能である。

【００５３】

【実施例】以下本発明の実施例を図面を用いて説明す
る。

【００５４】図１は本発明の一実施例の磁気検出方法を
適用した磁気検出装置を示すブロック図である。

【００５５】磁化器１００は一対の磁極が被検体として
の薄鋼帯１０１に対向するように配設されている。この
磁化器１００は薄鋼帯１０１に交差する磁束を生起す
る。磁化器１００の励磁コイル１０２には磁化電源１０
３から励磁電流Ｉが供給される。薄鋼帯１０１の上側
で、かつ磁化器１００の一対の磁極の中間位置に、薄鋼
帯１０１の内部または表面の磁気的異常部に起因して生
じる漏洩磁束を検出する垂直型の磁気センサ１０４が配
設されている。この磁気センサ１０４の出力信号は磁気
検出回路１０５でこの磁気センサ１０４に交差する磁束
の強度に対応した出力信号１０６に変換される。出力信
号１０６はローパスフィルタ１０７および特定信号抽出
フィルタとしてのハイパスフィルタ１０８へ入力され
る。

【００５６】ローパスフィルタ１０７は出力信号１０６
に含まれる低周波信号成分を抽出する。このローパスフ
ィルタ１０７にて抽出された低周波信号成分は増幅器１
１０へ送出される。増幅器１１０は低週波信号成分を増
幅して、磁気センサ１０４の外周面を囲むように巻装さ
れた補償コイル１１１に印加する。

【００５７】一方、薄鋼帯１０１の移動速度Ｖは速度検
出器１１２で検出されて、遮断周波数制御回路１１３へ
入力される。遮断周波数制御回路１１３は入力された移
動速度Ｖに対応して前記ハイパスフィルタ１０８の遮断
周波数を変更する。ハイパスフィルタ１０８は磁気検出
回路１０５の出力信号１０６に含まれる低周波信号成分
を除去して欠陥信号１１４として出力端子１１５から出
力する。

【００５８】このように構成された磁気検出装置におい
て、例えば磁気的異常部が全く存在しない薄鋼帯１０１
が図１の矢印方向に移動すると、垂直型の磁気センサ１
０４の設置位置（Ｘ＝０）における磁束は０ではなく、
図４７の垂直磁界分布特性Ｅに示すように、移動速度Ｖ
に対応した浮遊磁束の値となる。したがって、磁気セン
サ１０４の出力信号１０６はこの浮遊磁束に起因する移
動速度Ｖに対応したほぼ一定レベルの低周波信号とな
る。そして、移動状態の薄鋼帯１０１に例えば欠陥等の
磁気的異常部が存在すると、この磁気的異常部に起因す
る漏洩磁束が磁気センサ１０４によって検出され、前記
浮遊磁束の低周波数成分に、磁気的異常部に起因する高
周波成分が重畳される。

【００５９】ローパスフィルタ１０７でこの低周波信号
成分が抽出され、この抽出された低周波信号成分は増幅
器１１０で所定のレベルに増幅された後、補償コイル１
１１に印加される。この補償コイル１１１は励磁される
と前記浮遊磁束を打ち消す極性の磁束を発生する。その
結果、磁気センサ１０４に交差する合成された磁束は打
ち消されて零に近ずく。よって、磁気センサ１０４の出
力信号１０６に含まれる低周波信号成分は低減される。

【００６０】すなわち、補償コイル１１１，磁気センサ
１０４，ローパスフィルタ１０７，増幅器１１０は一種
の閉帰還ループを構成する。よって、たとえ薄鋼帯１０
１の移動速度Ｖが変化して、出力信号１０６に含まれる
低周波信号成分の信号レベルが変化したとしても、閉帰
還ループはこの低周波信号成分を打消す方向に動作す
る。なお、出力信号１０６に含まれる磁気的異常部に起
因する欠陥信号の周波数は低周波信号成分の周波数に比
較して格段に高い。よって、欠陥信号は、ローパスフィ
ルタ１０７で除外され、閉帰還ループに負帰還されるこ
とはない。

【００６１】さらに、磁気センサ１０４の出力信号１０
６からハイパスフィルタ１０８を用いて欠陥信号１１４
を抽出しているので、欠陥信号１１４に含まれる浮遊磁
束の影響をさらに徹底して除去できる。また、薄鋼帯１
０の移動速度Ｖが変化すると、同一規模の磁気的異常部
であっても磁気センサ１０４の出力信号１０６に含まれ
る欠陥信号の周波数成分が変化するので、遮断周波数制
御回路１１３でもってハイパスフィルタ１０８の遮断周
波数ｆc を移動速度Ｖに応じて変化させている。よっ
て、より正確に欠陥等の磁気的異常部の規模を検出でき
る。

【００６２】このように、磁気センサ１０４の出力信号
１０６から磁気的異常部に起因する欠陥信号のみを効率
的に取出すことが可能である。

【００６３】図２，図３，図４は図１に示す磁気検出装
置を工場における検査ラインに組込んだ状態を示す断面
図である。図４４，図４５，図４６に示す磁気検出装置
と同一部分には同一符号が付されている。したがって、
重複する部分の詳細説明は省略されている。

【００６４】この実施例においては、被検体としての薄
鋼帯１０を挟んで上下にそれぞれ中空ロール１，１ａが
配設されている。図４において、フレーム１１内に２本
の水平アーム１２，１２ａがそれぞればね部材１３ａ，
１３ｂ，１３ｃ，１３ｄによって支持されている。した
がって、各水平アーム１２，１２ａは上下に移動可能で
ある。各水平アーム１２，１２ａの中央に磁気検出装置
の固定軸２，２ａが固定されている。また、フレーム１
１の両側には薄鋼帯１０を磁気検出装置における各中空
ロール１，１ａの間に導くための一対のガイドロール１
４ａ，１４ｂが設けられている。

【００６５】図２，図３おいて、非磁性材料で形成され
た下側中空ロール１の中心軸に固定軸２の一端が貫通さ
れている。固定軸２は中空ロール１の中心軸に位置する
ように一対のころがり軸受でもって回転自在に支持され
ている。したがって、この中空ロール１は固定軸２を回
転中心軸として自由に回転する。

【００６６】この中空ロール１内において、磁化器４の
磁化コイル６が巻装された磁気鉄心４ｃが、その各磁極
４ａ，４ｂが中空ロール１の内周面に近接する姿勢で、
支持部材５を介して固定軸２に固定されている。

【００６７】一方、下側中空ロール１を挟んで薄鋼帯１
０の上側に配設された上側中空ロール１ａは固定軸２ａ
に対して回転自在に設けられ、薄鋼帯１０が矢印ａ方向
に走行すると、矢印ｃ方向に回転する。そして、この中
空ロール１ａの固定軸２ａに支持棒２１ａを介して磁気
センサ群７が下側中空ロール１内に収納された磁化器４
の磁極４ａ，４ｂに対向するように固定されている。磁
気センサ郡７はリニア状に配列され複数の磁気センサ７
ａで構成されている。各磁気センサ７ａの信号ケーブル
は固定軸２ａを介して外部に導き出されている。

【００６８】また、この磁気センサ群７を囲むようによ
うに補償コイル２２が巻装されている。この補償コイル
２２へ励磁電流を供給する信号線も前記固定軸２ａを介
して供給される。さらに、薄鋼帯１０の走行方向にこの
薄鋼帯１０の移動速度Ｖを検出するための例えば回転計
からなる速度検出器２３が取付けられている。

【００６９】図５，図６は本発明の他の実施例の磁気検
出装置を示す断面図である。この実施例装置は１個の中
空ロール１のみで構成されている。すなわち、図２，図
３に示す各磁気センサ７ａおよび補償コイル２２が下側
中空ロール１内の磁化器４の磁極４ａ，４ｂの中間位置
に配設されている。このように１個の中空ロール１のみ
で構成すれば、装置全体を小型化できる。

【００７０】図７は本発明の他の実施例の磁気検出装置
を示すブロック図である。図１の実施例と同一部分には
同一符号が付してある。したがって重複する部分の詳細
説明が省略されている。

【００７１】この実施例装置においては、磁気センサ１
０４のみが薄鋼帯１０１の上側に配設されている。そし
て、補償コイル１１１が薄鋼帯１０１の下側に配設され
た磁化器１０２の磁極間に配設されている。その他の各
回路構成は図１の実施例と同じである。

【００７２】図８，図９は図７の実施例装置を実際の工
場における検査ラインに組込んだ状態を示す断面図であ
る。この実施例においては、上側中空ロール１ａ内の固
定軸２ａに固定された支持棒２１ａに各磁気センサ７ａ
が取付けられている。一方、下側中空ロール１内の磁化
器４の磁極４ａ，４ｂ間の中央位置には補償コイル２２
が設けられている。この補償コイル２２は支持棒２１に
て固定軸２に固定されている。

【００７３】図１０は発明のさらに別の実施例の磁気検
出装置を示すブロック図である。図１の実施例と同一部
分には同一符号が付してある。したがって、重複する部
分の詳細説明が省略されている。

【００７４】この実施例装置においては、図７の実施例
装置とは逆に、補償コイル１１１のみが薄鋼帯１０１の
上側に配設されている。そして、磁気センサ１０４は薄
鋼帯１０１の下側に配設された磁化器１０２の磁極間に
配設されている。その他の各回路構成は図１の実施例と
同じである。

【００７５】図１１，図１２は図１０の実施例装置を実
際の工場における検査ラインに組込んだ状態を示す断面
図である。この実施例においては、上側中空ロール１ａ
内の固定軸２ａに固定された支持棒２１ａに補償コイル
２２が取付けられている。一方、下側中空ロール１内の
磁化器４の磁極４ａ，４ｂ間の中央位置に各磁気センサ
７ａが設けられている。この各磁気センサ７ａは支持棒
２１にて固定軸２に固定されている。

【００７６】次に、前述した図１乃至図１２の各実施例
装置において使用される磁気センサおよび補償コイルの
具体的構成を図１３（ａ），（ｂ）を用いて説明する。

【００７７】図１３（ａ）は薄鋼帯１０に直角方向の磁
束を検出する垂直型磁気センサ７ａであり、図１３
（ｂ）は薄鋼帯１０に平行方向の磁束を検出する水平型
磁気センサ７ｂである。各磁気センサ７ａ，７ｂは同一
構成であり、配設方向が異なるのみである。すなわち、
磁気センサ群７を構成する各磁気センサ７ａ，７ｂは強
磁性体材料で形成された棒状コアに検出コイルを巻装し
てなる過飽和型の磁気センサである。

【００７８】なお、磁気センサ７ａ，７ｂとして、上述
した高い検出感度を有する過飽和型の磁気センサが最良
であるが、ＭＲ素子，ホール素子，磁気ダイオード等の
公知の磁気検出素子を用いることも可能である。

【００７９】このリニア状に配列された多数の磁気セン
サ７ａ，７ｂからなる磁気センサ群７を囲むように例え
ばパーマロイのような強磁性体で形成されたシールド筒
２４の外周面に前述した補償コイル２２が巻装されてい
る。

【００８０】そして、図１３（ａ）に示す垂直型磁気セ
ンサ７ａにおいては、補償コイル２２の高さＨは、磁気
センサ群７全体を覆うように、各磁気センサ７ａの長さ
Ｌより長く設定されている（Ｈ＞Ｌ）。なお、シールド
筒２４は、各磁気センサ７ａがこの磁気センサ７ａの直
下の磁束のみを効率よく検出するために、磁気検出にお
ける指向性を向上させる目的で設けられている。

【００８１】なお、水平型磁気センサ７ｂにおいては、
上述したような補償コイル２２の垂直型磁気センサ７ａ
に対するような寸法制限（（Ｈ＞Ｌ）は存在しない。し
かし、補償コイル２２の大きさは、基本的に、水平型磁
気センサ７ｂを取囲む大きさであればよい。

【００８２】また、磁気センサ郡７の外周面に絶縁物を
介して補償コイル２２が巻装されてもよい。さらに、磁
気センサ郡７の周囲にモールド材を配設して、このモー
ルド材の外周面に補償コイル２２が巻装されてもよい。

【００８３】さらに、実施例のように磁気センサが多数
の磁気センサ７ａからなる磁気センサ群７で構成されて
いた場合は、この磁気センサ群７を一つの補償コイル２
２で囲むのが好ましい。しかし、各磁気センサ７ａ毎に
補償コイルを個別に設けてもよい。当然、磁気センサ群
が１個の磁気センサのみで構成されていた場合には、こ
の１個の磁気センサを一つの補償コイルで囲めばよい。

【００８４】図１３（ｃ）は図１３（ａ）で示す垂直型
磁気センサ７ａおよび補償コイル２２が組込まれた図２
の実施例装置の要部を取出して示す拡大図である。磁気
センサ群７を構成する各磁気センサ７ａは磁極４ａ，４
ｂ間を結ぶ線に平行する線の中心（Ｘ＝０）に、薄鋼帯
１０に直交する姿勢で配設されている。したがって、こ
の各磁気センサ７ａは欠陥に起因する漏洩磁束のうちの
薄鋼帯１０の表面に直交する垂直成分を検出する。

【００８５】図１４は図２〜図４および図５，図６に示
す磁気検出装置における下側中空ロール１内に収納され
た磁化器４を除いた電気的構成を示すブロック図であ
る。

【００８６】薄鋼帯１０の幅方向にｎ個の磁気センサ７
ａが配列されており、このｎ個の磁気センサ７ａからな
る磁気センサ群７を囲むように補償コイル２２が巻装さ
れている。補償コイル２２の一端は接地されており、他
端はスイッチ２５を介して増幅器２６の出力端子に接続
されている。

【００８７】各磁気センサ７ａは各磁気検出回路２７に
接続され、この各磁気検出回路２７からそれぞれ各磁気
センサ７ａに交差する磁束に比例する出力信号ｄが出力
される。各磁気検出回路２７から出力されたｎ個の出力
信号ｄはそれぞれハイパスフィルタ２８へ入力される。
各ハイパスフィルタ２８は、それぞれ、例えば２０Hzか
ら３ｋHzまでの間に含まれる複数の遮断周波数ｆc を有
しており、遮断周波数切換制御回路２９からの切換制御
信号に応じて一つの遮断周波数ｆc を選択する。

【００８８】遮断周波数制御回路２９には前記速度検出
器２３から出力された移動速度Ｖが入力されており、入
力された移動速度Ｖに対応した切換制御信号を出力す
る。その結果、薄鋼帯１０の移動速度Ｖが増加すると、
各ハイパスフィルタ２８の遮断周波数ｆc が上昇する。
したがって、各ハイパスフィルタ２８は移動速度Ｖに対
応した遮断周波数ｆc でもって各出力信号ｄに含まれる
欠陥に起因する漏洩磁束に対応する欠陥信号ｅを抽出す
る。

【００８９】各ハイパスフィルタ２８にて抽出された欠
陥信号ｅはマルチプレクサ回路３０へ入力される。マル
チプレクサ回路３０は一定周期で各欠陥信号ｅを順番に
選択して、例えばＣＲＴ表示装置からなる表示器３１に
表示する。

【００９０】また、各磁気検出回路２７から出力された
ｎ個の出力信号ｄは平均化回路３２へ入力される。この
平均化回路３２はｎ個の出力信号ｄを平均して、平均出
力信号ｄ1 として出力する。平均化回路３２から出力さ
れた平均出力信号ｄ1 は次のローパスフィルタ３３へ入
力される。ローパスフィルタ３３の遮断周波数ｆccは例
えば１Hz等の非常に低い値に設定されている。そしてロ
ーパスフィルタ３３の出力端子には母材の例えば材質や
厚さにおける健全部や、磁気センサの位置（例えばＸ方
向の位置）のずれ、または、薄鋼帯１０が走行すること
によって生じる浮遊磁束強度に対応する低周波信号成分
ｇを抽出する。

【００９１】ローパスフィルタ３３で抽出された低周波
信号成分ｇは増幅器２６へ入力される。増幅器２６は入
力された低周波信号成分ｇを一定の増幅率でもって増幅
して、スイッチ２５を介して補償コイル２２へ印加す
る。

【００９２】補償コイル２２においては、前記浮遊磁束
の磁界の極性とは逆の極性の磁界を発生するようにコイ
ルに供給する電流の極性が設定されている。したがっ
て、補償コイル２２に増幅器２６から励磁電流を印加す
ると、浮遊磁束を打消す方向の磁束が発生する。その結
果、各磁気センサ７ａに交差する垂直方向の磁束は相殺
されて大幅に低減する。

【００９３】なお、各磁気センサ７ａから各磁気検出回
路２７への信号路に端子Ｓが設けられている。この端子
Ｓには、必要に応じて、図４９に示すバイアス電圧発生
回路１６と減算器１５からなる固定バイアス回路が介挿
される。すなわち、各磁気センサ７ａの設置位置が磁化
器４の磁極４ａ，４ｂの中心位置（Ｘ＝０）からずれた
場合に、そのずれ量を固定バイアス電圧Ｖｏｖを印加
（減算）することによって電気的に補正することも可能
である。

【００９４】図１５は本発明のさらに別の実施例装置の
要部を取出して示すブロック図である。図１４の実施例
と同一部分には同一符号が付してある。よって重複する
部分の詳細説明は省略されている。

【００９５】この実施例装置においては、薄鋼帯１０の
幅方向に例えば100 〜200 個の磁気センサ７ａが配設さ
れている。そして、各磁気センサ７ａは例えば１０個づ
づブロック化され、ｍ個のブロック３４に分割されてい
る。各ブロック３４毎に先頭の磁気センサ７ａの磁気検
出回路２７の出力信号ｄ1 が順番に抽出されて平均化回
路３２ａへ入力している。よって、平均化回路３２ａは
ｍ個の出力信号ｄ1 を平均して、ローパスフィルタ３３
へ送出する。

【００９６】このような構成であれば、平均化回路３２
ａは図１４の実施例装置における平均化回路３２に比較
して、回路構成が簡素化される。

【００９７】次に、上述した補償コイル２２が組込まれ
た図１４，図１５に示す磁気検出装置における長所を実
際に測定されたデータを用いて説明する。

【００９８】実施例装置によれば、欠陥が全く存在しな
い薄鋼帯１０を走行させることに起因する浮遊磁束は結
果的に各磁気センサ７ａに交差しない。その結果、各磁
気センサ７ａの出力信号ｄに低周波信号成分ｇが含まれ
ないので、たとえ各磁気センサ７ａの検出感度を上昇さ
せたとしても出力信号ｄが飽和することはない。よっ
て、各磁気センサ７ａの検出感度を容易に上昇できる。

【００９９】次に、発明者は上述した効果を確認するた
めに図１４の回路において、スイッチ２５を投入して補
償コイル２２に低周波信号成分ｇに対応する低周波信号
を帰還させた場合（帰還あり）と、スイッチ２５を開放
した場合（帰還なし）とにおいて、実際の薄鋼帯１０を
用いて種々の比較試験を行った。試験結果は図１６乃至
図２０に示されている。

【０１００】まず最初に、欠陥が全く存在しない薄鋼帯
１０を静止した状態で（Ｖ＝０）、磁化器４の磁化コイ
ル６の磁化電流Ｉを 0.4Ａに設定した条件で、各磁気セ
ンサ７ａの水平方向の位置Ｘを磁極４ａ，４ｂの中心位
置（Ｘ＝０）に対して−３mmから＋８mmまで移動させた
場合におけるハイパスフィルタ２８に入力する手前の出
力信号ｄの信号レベルを測定した。図１６は測定された
各信号レベルを相対出力として表示した実測図である。

【０１０１】この実測結果でも理解できるように、スイ
ッチ２５を投入して、補償コイル２２に図４７に示す垂
直磁界分布特性Ｄに対応する浮遊磁束を打消す方向の磁
束を発生させると、各磁気センサ７ａの−３ｍｍから＋
３ｍｍまで広い位置範囲内において、各磁気センサ７ａ
の設置位置変化に係わらず、各磁気センサ７ａの出力信
号レベルを略零の一定値に制御することが可能である。
すなわち、従来装置においては各磁気センサ７ａを正確
に磁極４ａ，４ｂの中心位置に設定する必要があるが、
実施例装置においては、磁気センサ７ａの設置位置を正
確に中心位置（Ｘ＝０）に設定していなくても、前述し
た中心位置（Ｘ＝０）から±３ｍｍの範囲であれば、出
力信号ｄに含まれる垂直磁界分布特性Ｄに起因する浮遊
磁界の影響を除去できる。

【０１０２】なお、この図１６において、帰還のない場
合の特性を示す線はＸ＝０、相対出力０の点に関して略
対称であり、帰還のある場合の特性を示す線はＸ＝０を
通るＸ軸に垂直な直線に関して略対称であるが、理解を
容易にするために部分的にしか描いていない。この点
は、後述する図１７においても同様である。

【０１０３】したがって、図４９に示した固定バイアス
回路を端子Ｓに接続しなかったとしても、垂直磁界分布
特性Ｄに対応する浮遊磁界の影響を十分排除できる。

【０１０４】次に、予め基準となる直径0.3 mm及び0.2m
m の２種類の標準欠陥が形成された薄鋼帯１０を一定速
度（Ｖ＝200 ｍ／分）で走行させた状態において、スイ
ッチ２５を投入した条件（帰還あり）で、各磁気センサ
７ａを走行方向に８mmまで順番に移動させた場合におけ
る各磁気センサ７ａの出力信号ｄの信号レベルを測定し
た。図１７は各信号レベルを相対出力として表示した実
測図である。また、図１８は同一条件でスイッチ２５を
開放した場合（帰還なし）における実測図である。

【０１０５】薄鋼帯１０を走行させると前述したように
浮遊磁束が生じる。そして、図１８の従来装置の測定結
果によると、この浮遊磁束の影響を大きく受けて、各磁
気センサ７ａの位置を中心から３mm程度移動させると標
準欠陥の信号レベルは極端に変動する。しかし、図１７
の実施例装置の測定結果によると、磁気センサ７ａの位
置Ｘが中心位置から５mm程度ずれても、検出された標準
欠陥の信号レベルはほとんと変化しないことが確認でき
た。

【０１０６】次に、前述した直径0.3mm 及び0.2mm の２
種類の標準欠陥を有する薄鋼帯１０の走行速度Ｖを 200
ｍ／分から1200ｍ／分まで変化させた場合におけるスイ
ッチ２５を投入した場合と開放した場合における各出力
信号ｄを測定した。図１９は測定された各信号レベルの
相対出力を示す実測図である。

【０１０７】この実測図でも理解できるように、「帰還
あり」で示された実施例装置によれば、たとえ移動速度
Ｖが大きく変化してもほぼ一定した高い信号レベルでも
って各欠陥を検出できる。すなわち、移動速度Ｖが変化
したとしても検出された欠陥の規模を示す信号レベルは
ほとんど変化しない。よって、欠陥の規模をより定量的
に測定できる。また、移動速度Ｖを上昇させることによ
って、例えば工場の検査ラインにおける薄鋼帯１０の探
傷作業能率を大幅に向上できる。

【０１０８】さらに、磁気センサ７ａを中心位置（Ｘ＝
０）に設定し、ハイパスフィルタ２８の遮断周波数ｆc
を1500Hzに設定し、さらに直径0.6mm の標準欠陥を有す
る薄鋼帯１０を走行速度Ｖ =1200ｍ／分で走行させた条
件において、磁化器４の励磁電流Ｉを０Ａから０．６Ａ
まで変化させた場合におけるハイパスフィルタ２８を通
った欠陥信号ｅの信号レベルを測定した。図２０は測定
された各信号レベルの相対値を示す実測図である。

【０１０９】励磁電流Ｉの増加に伴って欠陥信号ｅの信
号レベルも上昇するが、スイッチ２５を開放した場合
（帰還なし）においては、 0.2Ａ程度の励磁電流Ｉで飽
和する。しかし、スイッチ２５を投入した実施例装置
（帰還あり）においては、欠陥信号ｅは 0.5Ａ程度の励
磁電流Ｉまで上昇を続ける。すなわち、磁化器４の磁化
コイル６に印加する励磁電流値を増大することによって
簡単に検出感度を上昇できる。

【０１１０】このように、薄鋼帯１０の移動速度Ｖを高
くすることが可能であり、かつ励磁電流を増加すること
によって簡単に検出感度を上昇でき、さらに磁気センサ
７ａの厳密な取付位置精度も要求されないので、工場の
製造ライン等の悪測定環境下においても十分高い測定精
度を確保できる。

【０１１１】図２１は図２０と同一条件で励磁電流Ｉを
１．０Ａまで上昇させた場合におけるハイパスフィルタ
２８から出力される欠陥信号ｅの信号レベルの変化を示
す実測図である。「積分回路なし」の指示で示される実
施例装置の出力信号特性においては、信号レベルが相対
値で０．３以上になると、信号レベルと励磁電流との関
係が非直線関係になる。すなわち、実施例装置の特性を
さらに向上させる必要がある。

【０１１２】図２２は本発明のさらに別の実施例の磁気
検出装置を示すブロック図である。図１に示す実施例と
同一部分には同一符号が付されている。したがって、重
複する部分の詳細説明は省略されている。

【０１１３】この実施例装置においては、ローパスフィ
ルタ１０７と増幅器１１０との間に積分回路１０９が介
挿されている。

【０１１４】磁気センサ１０４の出力信号は磁気検出回
路１０５でこの磁気センサ１０４に交差する磁束の強度
に対応した出力信号１０６に変換される。この出力信号
１０６はローパスフィルタ１０７およびハイパスフィル
タ１０８へ入力される。ローパスフィルタ１０７は出力
信号１０６に含まれる低周波信号成分を抽出する。ロー
パスフィルタ１０７にて抽出された低周波信号成分は積
分回路１０９によってほぼ直流のバイアス信号に変換さ
れた後、増幅器１１０へ送出される。増幅器１１０にて
増幅されたバイアス信号は、磁気センサ１０４の外周面
を囲むように巻装された補償コイル１１１に印加され
る。

【０１１５】このように構成された磁気検出装置におい
ては、図１の実施例装置と同様に、補償コイル１１１，
磁気センサ１０４，ローパスフィルタ１０７，積分回路
１０９，増幅器１１０は一種の閉帰還ループを構成す
る。よって、たとえ薄鋼帯１０１の移動速度Ｖが変化し
て、出力信号１０６に含まれる低周波信号成分の信号レ
ベルが変化したとしても、閉帰還ループはこの低周波信
号成分を相殺する方向に動作し、結果として、低周波数
成分を発生させる外部磁界が、あたかも作用していない
かのような状態が実現される。よって、磁気センサ１０
４の出力信号１０６に含まれる低周波信号成分はほぼ零
となる。

【０１１６】図２３は図２２に示す積分回路が組込まれ
た磁気検出装置における下側中空ロール１内に収納され
た磁化器４を除いた電気的構成を示すブロック図であ
る。図１４の実施例装置と同一部分には同一符号が付し
てある。したがって、重複する部分の詳細説明は省略さ
れている。

【０１１７】この実施例装置においては、ローパスフィ
ルタ３３と増幅器２６との間に積分回路３５が介挿され
ている。したがって、ローパスフィルタ３３で抽出され
た低周波信号成分ｇは積分回路３５へ入力される。積分
回路３５は入力された低周波信号成分ｇを積分してほぼ
直流のバイアス信号に変換する。積分回路３５から出力
されたバイアス信号は増幅器２６で増分されて、スイッ
チ２５を介して補償コイル２２へ印加される。

【０１１８】次に、図２２および図２３に示すローパス
フィルタと増幅器との間に積分回路を介挿する長所を前
述した図１６，図１７，図１８，図２０および図２１を
用いて説明する。

【０１１９】図１６，図１７において、積分回路を採用
しない実施例装置における磁気センサ７ａの設置位置の
中心位置からの許容誤差範囲は３〜４mm程度である。こ
れに対して、積分回路を採用することによって、この許
容誤差範囲が一挙に８mm程度まで拡大する。したがっ
て、この磁気検出装置の製造時の取付位置調整作業がよ
り簡素化される。また、図１９に示す実測図において
は、積分回路を採用することとによって、薄鋼帯１０の
移動速度Ｖが変化した場合における磁気センサ７ａの出
力信号レベル低下を軽減できる。すなわち、たとえ移動
速度Ｖが大きく変化しても欠陥規模の検出精度はほぼ一
定値を維持する。よって、常に高い欠陥検出精度を維持
できる。

【０１２０】さらに、図２１においては、積分回路を採
用することによって、励磁電流Ｉと出力信号との直線関
係を、１．０Ａの励磁電流値まで維持できる。すなわ
ち、積分回路を採用していない図１４の実施例装置にお
いては、約３．５Ａ程度で出力信号において飽和の前兆
が現れるのに対して、図２３の実施例装置においては、
１．０Ａ程度まで全く飽和の前兆は現れない。したがっ
て、励磁電流Ｉを増加することによって簡単に検出感度
を上昇させることが可能である。

【０１２１】図２４は本発明のさらに別の実施例の磁気
検出装置を示すブロック図である。図１の実施例と同一
部分には同一符号が付してある。したがって、重複する
部分の詳細説明は省略されている。

【０１２２】この実施例においては、磁気センサとし
て、図１における垂直型の磁気センサ１０４の代りに、
薄鋼帯１０１に平行する方向の磁束を検出する水平型磁
気センサ１１９が用いられている。水平型磁気センサ１
１９からの信号は磁気検出回路１０５へ入力される。水
平型磁気センサ１１９は図４７に示す水平磁界分布特性
Ｆにおける中央位置（Ｘ＝０）の浮遊磁束を検出する。
水平磁界分布特性Ｆにおける中央位置における磁界変化
は比較的緩やかであり、一方、欠陥に起因する漏洩磁束
の波形は急峻な形状を有するので、欠陥波形を十分区別
して検出できる。

【０１２３】磁気検出回路１０５から出力される出力信
号１０６は次のローパスフィルタ１０７へ入力される。
したがって、ローパスフイルタ１０７以降の信号処理は
図１の実施例装置における信号処理とほぼ同じである。
よって、図１の実施例とほぼ同様の効果が得られる。

【０１２４】図２５は本発明のさらに別の実施例の磁気
検出装置を示すブロック図である。図２４の実施例と同
一部分には同一符号が付してある。したがって、重複す
る部分の詳細説明は省略されている。

【０１２５】この実施例においては、ローパスフィルタ
１０７と増幅器１１０との間に積分回路１０９が介挿さ
れている。その他の部分は図２４の実施例装置と同じで
ある。したがって、図１の実施例装置に積分回路１０９
が組込まれた図２２に示す実施例装置とほぼ同じ効果を
得ることが可能である。

【０１２６】次に、図１４および図２３に示す実施例装
置において、垂直型磁気センサ７ａの代りに水平型磁気
センサ７ｂを用いた場合における実測値が図２６に示さ
れている。

【０１２７】スイッチ２５を開放して、補償コイル２２
に低周波信号またはバイアス信号を帰還しない場合は、
磁化器４に印加する励磁電流Ｉを０．０２Ａ程度まで上
昇させると、磁気センサ７ｂの出力信号は飽和し、さら
に励磁電流Ｉを０．０４Ａまで上昇させると、前記出力
信号は０まで低下する。

【０１２８】これに対して、補償コイル２２に低周波信
号を帰還させると、励磁電流Ｉを０．１Ａまで上昇させ
ることが可能である。さらに、積分回路１０４を採用す
ると、磁気センサ７ｂの出力信号は、励磁電流Ｉが０．
１Ａまで上昇するまで、この励磁電流Ｉにほぼ比例して
上昇する。

【０１２９】図２７は、水平型磁気センサ７ｂの設置位
置Ｘと水平型磁気センサ７ｂの出力信号レベルの相対値
との関係を示す実測図である。なお、磁化器４の磁極４
ａ，４ｂの中心位置が原点（Ｘ＝０）である。図２７か
ら明らかなように、同一励磁電流Ｉで比較した場合に、
補償コイル２２に低周波信号またはバイアス信号を帰還
する条件の方が、帰還しない条件に比較して、磁気セン
サ７ｂの出力信号レベルは設置位置の影響を受けにく
い。したがって、垂直型磁気センサ７ａと同様に、水平
型磁気センサ７ｂの取付時における高い取付位置精度は
要求されない。

【０１３０】図２８は本発明のさらに別の実施例の磁気
検出装置を示すブロック図である。図１に示す実施例と
同一部分には同一符号が付してある。したがって、重複
する部分の詳細説明は省略されている。

【０１３１】この実施例装置においては、薄鋼帯１０１
の内部または表面の磁気的異常部に起因して生じる漏洩
磁束を検出する垂直型磁気センサ１０４の出力信号は磁
気検出回路１０５で磁束の強度に対応した出力信号１０
６に変換される。この出力信号１０６はハイパスフィル
タ１０８へ入力される。ハイパスフィルタ１０８は磁気
検出回路１０５の出力信号１０６に含まれる低周波信号
成分を除去する。ハイパスフィルタ１０８の出力信号は
出力増幅器１１６で増幅されたのち、欠陥信号１１７と
して出力端子１１８へ送出される。

【０１３２】一方、垂直型磁気センサ１０４に隣接して
水平型磁気センサ１１９が配設されている。この水平型
磁気センサ１１９は、図４７に示す水平磁界分布特性Ｆ
における山形波形のピーク位置近傍の磁束を検出する。

【０１３３】水平型磁気センサ１１９の出力信号は磁気
検出回路１２０でこの磁気センサ１１９に交差する磁束
の強度に対応した出力信号１２１に変換される。磁気検
出回路１２０から出力された出力信号１２１は割算回路
１２２へ入力される。基準信号発生回路１２３は前記出
力増幅器１１６に予め設定された基準増幅率に対応する
信号レベルを有した基準信号１２４を割算回路１２２へ
送出する。割算回路１２２は磁気センサ１１９からの出
力信号１２１を基準信号１２３の信号レベルで除算し
て、除算された信号を制御信号１２５として出力増幅器
１１６へ印加する。出力増幅器１１６は、制御信号１２
５の信号レベルが高くなると増幅率を低下し、信号レベ
ルが低くなると増幅率を上昇させる。

【０１３４】すなわち、前述したように、磁化器１００
に対する励磁電流Ｉを一定に制御した状態においては、
薄鋼帯１０１の移動速度Ｖが上昇すると薄鋼帯１０１の
磁化力が低下する。したがって、同一規模の欠陥であっ
たとしても、移動速度Ｖが上昇するると、欠陥信号１１
７の信号レベルが低下する。しかし、実施例装置によれ
ば、薄鋼帯１０１の磁化力が低下すると、水平型磁気セ
ンサ１１９の出力信号１２１の信号レベルが低下する。
その結果、出力増幅器１１６の増幅率が上昇して、欠陥
信号１１７の信号レベル低下を補う。

【０１３５】逆に、薄鋼帯１０１の移動速度Ｖが低下し
て、磁化力が上昇すると、水平型磁気センサ１１９の出
力信号１２１の信号レベルが上昇する。その結果、出力
増幅器１１６の増幅率が低下して、欠陥信号１１７の信
号レベル上昇を抑制する。

【０１３６】このように、薄鋼帯１０１の移動速度Ｖが
変化すると、この移動速度Ｖに変化に起因する磁化力の
変化が水平型磁気センサ１１９で検出される。検出され
た磁化力の変化に応じて出力増幅器１１６の増幅度が制
御される。したがって、出力端子１１８から出力される
欠陥信号１１７の信号レベルは常に欠陥の規模に対応し
た信号レベルとなる。よって、欠陥規模の測定精度がよ
り一層向上する。

【０１３７】さらに、この実施例装置は厚さや種類等の
被検体の属性の変化にも十分対応することができる。し
たがって、特に厚さや品質が個々に異なる被検体を絶え
間なくオンライン常態で検査する場合に特に有益であ
る。

【０１３８】図２９は本発明のさらに別の実施例の磁気
検出装置を示すブロック図である。図２８に示す実施例
と同一部分には同一符号が付してある。したがって、重
複する部分の詳細説明は省略されている。

【０１３９】この実施例装置においては、割算回路１２
２から出力される制御信号１２５は磁化電源１２６の制
御端子へ入力されている。また、基準信号発生回路１２
３は基準磁化電流に対応する基準信号１２４を出力す
る。磁化電源１２６は制御信号１２５の信号レベルが上
昇すると、磁化器１００の励磁コイル１０２に印加する
励磁電流Ｉを前記基準磁化電流から低下させる。逆に制
御信号１２５の信号レベルが低下すると、励磁電流Ｉを
上昇させる。

【０１４０】このような構成の磁気検出装置において、
前述したように薄鋼帯１０１の移動速度Ｖが上昇すると
薄鋼帯１０１の磁化力が低下する。その結果、制御信号
１２５の信号レベルが低下して、励磁電流Ｉが上昇する
ので、薄鋼帯１０１の磁化力低下が補われる。逆に、薄
鋼帯１０１の移動速度Ｖが低下して、磁化力が上昇する
と、制御信号１２５の信号レベルが上昇して、磁化電源
１２６から出力される励磁電流Ｉが低下する。よって、
磁化力上昇が抑制される。

【０１４１】このように、薄鋼帯１０１の移動速度Ｖが
変化すると、この移動速度Ｖ変化に起因する磁化力の変
化が水平型磁気センサ１１９で検出される。検出された
磁化力の変化に応じて磁化器１００に対する励磁電流Ｉ
が変化して、薄鋼帯１０１の磁化力が常に一定値に維持
される。よって、出力端子１１８から出力される欠陥信
号１１７の信号レベルは常に欠陥の規模に対応した信号
レベルとなる。その結果、欠陥規模の測定精度がより一
層向上する。

【０１４２】図３０は本発明のさらに別の実施例の磁気
検出装置を示すブロック図である。図２９に示す実施例
と同一部分には同一符号が付してある。したがって、重
複する部分の詳細説明は省略されている。

【０１４３】この実施例装置においては、割算回路１２
２から出力される制御信号１２５が磁化電源１２６の制
御端子へ入力されると共に、出力増幅器１１６の制御端
子へも入力される。

【０１４４】このような構成の磁気検出装置であれば、
欠陥信号１１７の信号レベルと磁化器１００に対する励
磁電流レベルが同時に補正されるので、例えば薄鋼帯１
０１の移動速度Ｖが急激に変化した場合等において、信
号レベルおよび励磁電流レベルがその速度変動に迅速に
応答して変化する。したがって、欠陥規模の測定精度が
より一層向上する。

【０１４５】次に、制御信号１２５を出力増幅器１１６
へ帰還させた図２８の実施例装置と、制御信号１２５を
磁化電源１２６へ帰還させた図２９の実施例装置とを比
較するために、直径0.2mm の標準欠陥が形成された薄鋼
帯１０１の移動速度Ｖを０〜１２００ｍ／分まで変化さ
せた場合における水平型磁気センサ１１９の各出力信号
の信号レベルを測定した。図３１にその測定結果が示さ
れている。

【０１４６】また、図３１には、図１の実施例に示すよ
うに、増幅器１１０の低周波信号を補償コイル１１１の
みへ帰還させた場合の実測値が同時に記載されている。
なお、この場合、欠陥が存在しない健全な薄鋼帯１０１
を測定した。

【０１４７】図示するように、補償コイル１１１へ低周
波信号を帰還させるのみの場合においては、薄鋼帯１０
１の移動速度Ｖが高くなると出力信号レベルは低下す
る。しかし、磁化電源１２６または出力増幅器１１６に
制御信号１２５を帰還させると、たとえ移動速度Ｖが大
きく変動したとしても出力信号レベルはほとんど変化し
ない。よって、欠陥の規模の検出精度が大幅に上昇する
ことが理解できる。

【０１４８】図３２は本発明のさらに別の実施例の磁気
検出装置を示すブロック図である。図２８に示す実施例
装置と同一部分には同一符号が付してある。したがっ
て、重複する部分の詳細説明は省略されている。

【０１４９】この実施例装置においては、水平型磁気セ
ンサ１１９で欠陥が検出される。

【０１５０】すなわち、薄鋼帯１０１の内部または表面
の磁気的異常部に起因して生じる漏洩磁束を検出する水
平型磁気センサ１１９の出力信号は磁気検出回路１２０
で磁束の強度に対応した出力信号１２１に変換される。
この出力信号１２１はハイパスフィルタ１０８へ入力さ
れる。ハイパスフィルタ１０８は磁気検出回路１２０の
出力信号１２１に含まれる低周波信号成分を除去する。
ハイパスフィルタ１０８の出力信号は出力増幅器１１６
で増幅されたのち、欠陥信号１１７として出力端子１１
８へ送出される。

【０１５１】また、磁気検出回路１２０の出力信号１２
１は割算回路１２２へ入力される。基準信号発生回路１
２３は前記出力増幅器１１６に予め設定された基準増幅
率に対応する信号レベルを有した基準信号１２４を割算
回路１２２へ送出する。割算回路１２２は、水平型磁気
センサ１１９からの出力信号１２１を基準信号１２３の
信号レベルで除算して、除算された信号を制御信号１２
５として出力増幅器１１６の制御端子へ印加する。出力
増幅器１１６は、制御信号１２５の信号レベルが高くな
ると増幅率を低下し、信号レベルが低くなると増幅率を
上昇させる。

【０１５２】このように構成された磁気検出装置におい
て、水平型磁気センサ１１９は図４７の水平磁界分布特
性Ｆの中央位置（Ｘ＝０）の磁界に対応する浮遊磁束お
よび欠陥に起因する漏洩磁束を検出する。したがって、
欠陥が存在すると、水平型磁気センサ１１９は、低周波
の浮遊磁束に高周波の欠陥に起因する漏洩磁束が重畳し
た合成磁束を検出する。磁気検出回路１２０の出力信号
１２１に含まれる欠陥に起因する高周波信号成分はハイ
パスフィルタ１０８で検出される。よって、欠陥に起因
する欠陥信号１１７が出力端子１１８から出力される。
浮遊磁束に起因する低周波信号成分は欠陥に起因する高
周波信号成分に比較して桁違いに大きいので、割算回路
１２２に入力される信号の信号レベルはほぼ浮遊磁束に
起因する低周波信号成分の信号レベルと見なすことが可
能である。したがって、出力増幅器１１６の増幅度は浮
遊磁束のレベル変化に応動して変化する。その結果、た
とえ薄鋼帯１０１の移動速度Ｖが大きく変動したとして
も、欠陥規模の検出精度を広い速度範囲に亘ってほぼ一
定値に制御できる。よって、図２８に示す実施例装置に
準じる効果が得られる。

【０１５３】図３３は本発明のさらに別の実施例の磁気
検出装置を示すブロック図である。図３２に示す実施例
装置と同一部分には同一符号が付してある。したがっ
て、重複する部分の詳細説明は省略されている。

【０１５４】この実施例装置においては、割算回路１２
２から出力される制御信号１２５は磁化電源１２６の制
御端子へ入力される。磁化電源１２６から磁化器１００
へ供給される励磁電流Ｉが制御信号１２５にて制御され
る。

【０１５５】前述したように、割算回路１２２に入力さ
れる信号の信号レベルはほぼ磁界強度に対応する低周波
信号成分の信号レベルと見なすことが可能である。よっ
て、励磁電流Ｉは水平型磁気センサ１１９で検出される
浮遊磁束が常に一定値になるように制御される。その結
果、速度変動に起因する薄鋼帯１０１の磁化力変動が補
償され、欠陥規模の検出精度は常に一定値に維持され
る。

【０１５６】図３４は本発明のさらに別の実施例の磁気
検出装置を示すブロック図である。図３３に示す実施例
装置と同一部分には同一符号が付してある。したがっ
て、重複する部分の詳細説明は省略されている。

【０１５７】この実施例装置においては、割算回路１２
２から出力される制御信号１２５が磁化電源１２６の制
御端子へ入力されると共に、出力増幅器１１６の制御端
子へも入力される。

【０１５８】このような構成の磁気検出装置であれば、
欠陥信号１１７の信号レベルと磁化器１００に対する励
磁電流レベルが同時に補正されるので、例えば薄鋼帯１
０１の移動速度Ｖが急激に変化した場合等において、信
号レベルおよび励磁電流レベルがその速度変動に迅速に
応答して変化する。したがって、欠陥規模の測定精度が
より一層向上する。

【０１５９】図３５は本発明のさらに別の実施例の磁気
検出装置を示すブロック図である。図３０に示す実施例
装置と同一部分には同一符号が付してある。したがっ
て、重複する部分の詳細説明は省略されている。

【０１６０】この実施例装置においては、薄鋼帯１０１
の欠陥に起因して発生する漏洩磁束が水平型磁気センサ
１１９ａで検出される。水平型磁気センサ１１９ａの出
力信号は磁気検出回路１２０ａで磁束の強度に対応した
出力信号１２１ａに変換される。この出力信号１２１ａ
はハイパスフィルタ１０８へ入力される。ハイパスフィ
ルタ１０８は磁気検出回路１２０ａの出力信号１２１ａ
に含まれる低周波信号成分を除去する。ハイパスフィル
タ１０８の出力信号は出力増幅器１１６で増幅されたの
ち、欠陥信号１１７として出力端子１１８へ送出され
る。

【０１６１】また、他方の水平型磁気センサ１１９から
得られた出力信号１２１は割算回路１２２へ入力され
る。この割算回路１２２から磁化電源１２６および出力
増幅器１１６へ制御信号１２５が送出される。

【０１６２】このように構成された磁気検出装置であっ
ても、一方の水平型磁気センサ１１９ａでもって欠陥が
検出でき、かつ他方の水平型磁気センサ１１９の出力信
号でもって励磁電流および増幅率が制御されるので、図
３０の実施例とほぼ同様の効果を得ることが可能であ
る。

【０１６３】図３６は本発明のさらに別の実施例の磁気
検出装置を示すブロック図である。図１および図２９に
示す実施例装置と同一部分には同一符号が付してある。
したがって、重複する部分の詳細説明は省略されてい
る。

【０１６４】この実施例装置においては、欠陥に起因す
る漏洩磁束を検出する垂直型磁気センサ１０４と、補償
コイル１１１と、磁界強度に対応する浮遊磁束を検出す
る水平型磁気センサ１１９とが薄鋼帯１０１に上側に配
設されている。

【０１６５】すなわち、垂直型磁気センサ１０４の出力
信号は磁気検出回路１０５にて欠陥に対応する出力信号
１０６に変換されてハイパスフィル１０８へ入力され
る。出力信号１０６はハイパスフィルタ１０８で低周波
信号成分が除去された後、出力増幅器１１６で増幅さ
れ、欠陥信号１１７として出力端子１１８へ送出され
る。また、出力信号１０６に含まれる低周波信号成分は
ローパスフィルタ１０７によって抽出された後、増幅器
１１０で増幅される。増幅器１１０で増幅された低周波
信号成分は補償コイル１１１へ印加される。

【０１６６】一方、水平型磁気センサ１１９の出力信号
は磁気検出回路１２０にて浮遊磁束に対応する出力信号
１２１に変換されて割算回路１２２へ入力される。割算
回路１２２から前記浮遊磁束に応じて変化する制御信号
１２５が磁化電源１２６へ印加される。

【０１６７】この実施例装置においては、移動速度Ｖが
変化することに起因する薄鋼帯１０１の磁化力変化に応
動して、磁化器１００に対する励磁電流Ｉが変化して、
磁化力がが常に一定値に制御される。また、出力信号１
０６に含まれる浮遊磁束に起因する低周波信号成分は補
償コイル２２にて相殺されて低減される。

【０１６８】このように、互いに独立した２種類の制御
手法でもって欠陥検出の検出精度を常に高い一定状態に
維持することが可能となる。

【０１６９】図３７は本発明のさらに別の実施例の磁気
検出装置を示すブロック図である。図３６に示す実施例
装置と同一部分には同一符号が付してある。したがっ
て、重複する部分の詳細説明は省略されている。

【０１７０】この実施例装置においては、磁界強度に対
応する浮遊磁束を検出する水平型磁気センサ１１９が薄
鋼帯１０１の上方に配設され、欠陥に起因する漏洩磁束
を検出する垂直型磁気センサ１０４および補償コイル１
１１が薄鋼帯１０１の下側に位置する磁化器１００の磁
極間に配設されている。このように構成された磁気検出
装置においても、図３６に示した実施例とほぼ同様の効
果を得ることが可能である。

【０１７１】図３８は本発明のさらに別の実施例の磁気
検出装置を示すブロック図である。図３６に示す実施例
装置と同一部分には同一符号が付してある。したがっ
て、重複する部分の詳細説明は省略されている。

【０１７２】この実施例装置においては、薄鋼帯１０１
の欠陥に起因して発生する漏洩磁束が水平型磁気センサ
１１９ａで検出される。そして、この水平型磁気センサ
１１９ａに補償コイル１１１が巻装されている。水平型
磁気センサ１１９ａの出力信号は磁気検出回路１２０ａ
で磁束の強度に対応した出力信号１２１ａに変換され
る。この出力信号１２１ａはハイパスフィルタ１０８お
よびローパスフィルタ１０７へ入力される。ハイパスフ
ィルタ１０８の出力信号は出力増幅器１１６で増幅され
て欠陥信号１１７として出力される。また、ローパスフ
ィルタ１０７の出力信号は増幅器１１０で増幅されたの
ち補償コイル１１１へ印加される。さらに、割算回路１
２２から磁化電源１２６へ制御信号１２５が送出され
る。

【０１７３】したがって、出力増幅器１１６の増幅率お
よび磁気電源１２６の磁化電流が制御されるので、図３
６の実施例とほぼ同じ効果を得ることが可能である。

【０１７４】図３９は本発明のさらに別の実施例の磁気
検出装置を示すブロック図である。図３５に示す実施例
装置と同一部分には同一符号が付してある。したがっ
て、重複する部分の詳細説明は省略されている。

【０１７５】この実施例装置においては、水平型磁気セ
ンサ１１９とこの水平型磁気センサ１１９の周囲に巻装
された補償コイル１１１とが薄鋼帯１０１の上側に配設
されている。すなわち、水平型磁気センサ１１９の出力
信号は磁気検出回路１２０でこの水平型磁気センサ１１
９に交差する磁束に対応する出力信号１２１に変換され
る。出力信号１２１に含まれる浮遊磁束に対応する低周
波信号成分はハイパスフィルタ１０８で除去される。低
周波信号成分が除去された出力信号は、出力増幅器１１
６で増幅されて、欠陥信号１１７として出力端子１１８
から出力される。

【０１７６】また、出力信号１２１に含まれる浮遊磁束
に起因する低周波信号成分はローパスフィルタ１０７で
抽出された後、電力増幅器１２７で増幅される。電力増
幅器１２７で増幅された低周波信号成分は補償コイル１
１１に印加される。また、電力増幅器１２７で増幅され
た低周波信号成分は割算回路１２２へ入力される。割算
回路１２２から出力された制御信号１２５は出力増幅器
１１６および磁化電源１２６の各制御端子に印加され
る。

【０１７７】このように構成された磁気検出装置におい
ては、補償コイル１１１によって、浮遊磁束を相殺する
方向の磁束が生起されるので、出力信号１２１に含まれ
る浮遊磁束に起因する低周波信号成分は低減される。よ
って、出力信号１２１のＳ／Ｎが向上する。また、薄鋼
帯１０１の移動速度Ｖが変化することに起因する磁化力
変化に応動して、磁化器１００に対する励磁電流Ｉが変
化して、磁化力が常に一定値に制御される。したがっ
て、図３５の実施例とほぼ同様の効果を得ることが可能
である。

【０１７８】図４０は本発明のさらに別の実施例の磁気
検出装置を示すブロック図である。図１４および図３６
に示す実施例装置と同一部分には同一符号が付してあ
る。したがって、重複する部分の詳細説明は省略されて
いる。

【０１７９】この実施例においては、垂直型磁気センサ
でもって、欠陥に起因する漏洩磁束と薄鋼帯の速度変化
に起因する磁化力変化とが検出される。

【０１８０】すなわち、マルチプレクサ回路３０にて選
択される欠陥信号ｅは出力増幅器１１６を介して表示器
３１へ入力される。また、増幅器２６の出力信号は割算
回路１２２へ入力される。この割算回路１２２は、入力
された出力信号を基準信号発生回路１２３から出力され
た基準信号１２４で除算して、除算された信号を制御信
号１２５として磁化器４（１００）の磁化電源１２６へ
印加する。

【０１８１】このように構成された磁気検出装置であれ
ば、補償コイル２２によって、浮遊磁束を相殺する方向
の磁束が生起されるので、垂直型の各磁気センサ７ａの
出力信号ｄに含まれる浮遊磁束に起因する低周波信号成
分は低減される。よって、出力信号ｄのＳ／Ｎが向上す
る。また、薄鋼帯１０（１０１）の移動速度Ｖが変化す
ることに起因して磁化力が変化すると、増幅器２６の出
力信号が変化する。その結果、割算回路１２２から出力
される制御信号１２５が変化して、磁化器４（１００）
に対する励磁電流Ｉが変化し、薄鋼帯１０（１０１）の
磁化力が常に一定値に制御される。したがって、図３
６，図３７，図３８の実施例とほぼ同様の効果を得るこ
とが可能である。

【０１８２】なお、図４０に示す実施例においては、増
幅器２６の出力信号を割算回路１２２へ印加したが、Ｌ
ＰＦ３３の出力信号を割算回路１２２へ印加してもよ
い。

【０１８３】さらに、点線で示すように、割算回路１２
２から出力される制御信号１２５を磁化電源１２６の代
りに出力増幅器１１６へ印加してもよい。この場合。薄
鋼帯１０（１０１）の磁化力変化に応じて、表示器３１
へ送出される欠陥信号ｅの信号レベルが制御される。

【０１８４】図４１は本発明のさらに別の実施例の磁気
検出装置を示すブロック図である。図４０に示す実施例
装置と同一部分には同一符号が付してある。したがっ
て、重複する部分の詳細説明は省略されている。

【０１８５】この実施例においても、垂直型磁気センサ
でもって、欠陥に起因する漏洩磁束と薄鋼帯の速度変化
に起因する磁化力変化とが検出される。

【０１８６】すなわち。ＬＰＦ３３と増幅器２６との間
に積分回路３５が介挿されている。また、増幅器２６の
出力信号は割算回路１２２へ入力される。この割算回路
１２２は、入力された出力信号を基準信号発生回路１２
３から出力された基準信号１２４で除算して、除算され
た信号を制御信号１２５として出力増幅器１１６へ印加
する。

【０１８７】このように構成された磁気検出装置であれ
ば、図４０の実施例装置と同様に、補償コイル２２の存
在によって垂直型の各磁気センサ７ａの出力信号ｄに含
まれる浮遊磁束に起因する低周波信号成分は低減され
る。よって、出力信号ｄのＳ／Ｎが向上する。また、薄
鋼帯１０（１０１）の移動速度Ｖが変化することに起因
して磁化力が変化すると、増幅器２６の出力信号が変化
し、割算回路１２２から出力される制御信号１２５が変
化する。その結果、薄鋼帯１０（１００）の磁化力変化
に応じて、表示器３１へ送出される欠陥信号ｅの信号レ
ベルが制御される。よって、図４０の実施例とほほ同様
の効果を得ることか可能である。

【０１８８】なお、図４１に示す実施例においては、増
幅器２６の出力信号を割算回路１２２へ印加したが、Ｌ
ＰＦ３３または積分回路３５の出力信号を割算回路１２
２へ印加してもよい。

【０１８９】さらに、点線で示すように、割算回路１２
２から出力される制御信号１２５を出力増幅器１１６の
代りに磁化電源１２６へ印加してもよい。この場合、薄
鋼帯１０（１０１）の磁化力が一定になるように磁化電
源１２６から磁化器４（１００）へ印加される磁化電流
Ｉが変化する。

【０１９０】発明者等らは、図４０，図４１の各実施例
装置を用いて直径0.2 mmの標準欠陥が形成された薄鋼帯
１０に対する探傷測定を実施した。なお、薄鋼帯１０の
移動速度を０〜１２００ｍ／分まで変化させた。そし
て、スイッチ２５を投入して補償コイル２２を稼働させ
た条件の測定と、スイッチ２５を解放して補償コイル２
２を遮断した条件の測定とを実施した。測定結果は図３
１に示されている。

【０１９１】この測定結果によると、垂直型磁気センサ
の１種類の磁気センサを用いた図４０および図４１に示
す装置の特性と、図２８および図２９に示す垂直型磁気
センサ１０４と水平型磁気センサ１１９との２種類の磁
気センサを用いた装置の特性との間に大きな差は存在し
ないことが理解できる。

【０１９２】この現象は次のように説明することが可能
である。

【０１９３】すなわち、図３１の補償コイル２２のみの
図１に示した実施例装置の特性においては、薄鋼帯１０
の移動速度Ｖが上昇すると、磁気センサの相対出力は曲
線的に低下する。しかし、その低下度合いは、移動速度
Ｖが１２００ｍ／分まで上昇しても、高々５％に過ぎな
い。したがって、この曲線は非常に直線に近い。この現
象は、速度変化に対して磁界の垂直型成分が直線的に変
化する場合と同じである。すると、実質的な薄鋼帯の磁
化率の低下に対して磁化電源の電流や出力増幅器の増幅
率を制御する場合、わざわざ、水平型磁気センサを新た
に設けて、速度Ｖに比例する水平成分を検出する必要な
く、速度Ｖに比例する垂直型磁気センサの出力を用い
て、前述した磁化電源の電流や出力増幅器の増幅率を制
御しても当初の目的を充分果たすことが可能である。

【０１９４】図４２は本発明のさらに別の実施例の磁気
検出装置を示すブロック図である。図１および図４０の
実施例と同一部分には同一符号が付してある。したがっ
て、重複する部分の詳細説明は省略されている。

【０１９５】この実施例装置においては、図１に示す実
施例装置に図４０に示した割算回路１２２，基準信号発
生回路１２３，出力増幅器１１６が付加されている。そ
して、割算回路１２２は、増幅器１１０またはＬＰＦ１
０７の出力信号を基準信号発信器１２３からの基準信号
１２４でもって割算して、この割算結果を制御信号１２
５として出力増幅器１１６または磁化電源１２６へ送出
する。

【０１９６】このような構成の磁気検出装置であって
も、浮遊磁束成分および磁化力変化分は除去されるの
で、図４０に示した実施例装置とほぼ同様の効果を得る
ことが可能である。

【０１９７】図４３は本発明のさらに別の実施例の磁気
検出装置を示すブロック図である。図２２および図４１
の実施例と同一部分には同一符号が付してある。したが
って、重複する部分の詳細説明は省略されている。

【０１９８】この実施例装置においては、図２２に示す
実施例装置に図４１に示した割算回路１２２，基準信号
発生回路１２３，出力増幅器１１６が付加されている。
そして、割算回路１２２は、増幅器１１０，ＬＰＦ１０
７または積分回路１０９の出力信号を基準信号発信器１
２３からの基準信号１２４でもって割算して、この割算
結果を制御信号１２５として出力増幅器１１６または磁
化電源１２６へ送出する。

【０１９９】このような構成の磁気検出装置であって
も、浮遊磁束成分および磁化力変化分は除去されるの
で、図４１に示した実施例装置とほぼ同様の効果を得る
ことが可能である。

【０２００】なお、本発明は上述した各実施例に限定さ
れるものではない。例えば、図１に示す実施例装置にお
いては、磁気センサ１０４の出力信号に含まれる薄鋼帯
１０１の欠陥に起因して生じる信号を抽出するハイパス
フィルタ１０８の遮断周波数は遮断周波数制御回路１１
３からの制御によって変化する。しかし、ハイパスフィ
ルタ１０８の代りに、通過周波数帯域幅が広いバンドパ
スフィルタを用いて、このバンドパスフィルタの通過周
波数帯域の中心周波数を前記遮断周波数制御回路１１３
からの制御によって変化させてもよい。

【０２０１】

【発明の効果】以上説明したように本発明の磁気検出方
法および磁気検出装置によれば、例えば磁気センサの近
傍に浮遊磁束を相殺するための補償コイルを設け、磁気
センサの出力信号に含まれる浮遊磁束に起因する低周波
信号成分をローパスフィルタで抽出して補償コイルに印
加している。したがって、磁気センサに交差する浮遊磁
束を補償コイルにて生起する磁束で相殺することがで
き、磁気センサに交差する磁束を例えば欠陥等の磁気的
異常部に起因する漏洩磁束のみに限定できる。

【０２０２】その結果、磁化電流を大きな値に設定する
ことによって、磁気センサの検出感度を簡単に上昇で
き、磁気的異常部の検出感度およびＳ／Ｎを上昇でき
る。

【０２０３】また、水平型の磁気センサでもって被検体
の移動速度変化に起因する被検体内に発生する又は透過
する磁界の変化量を検出して、例えば磁化器の磁界強度
や出力増幅器の増幅率を制御して、常に一定の検出感度
を維持している。よって、高い磁気的異常部検出精度を
維持したままで被検体の移動速度を上昇でき、例えば探
傷作業能率を大幅に向上できる。

【０２０４】さらに、磁気センサの取付け位置が多少ず
れていたとしても高い検出精度を維持できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例に係わる磁気検出方法を適
用した磁気検出装置を示すブロック図、

【図２】図１に示す実施例装置をさらに具体化した磁
気検出装置における薄鋼帯の走行方向に平行する面で切
断した断面図、

【図３】同装置における薄鋼帯の走行方向に直交する
面で切断した断面図、

【図４】同装置が支持装置に組込まれた状態を示す側
面図、

【図５】本発明の他の実施例に係わる磁気検出装置に
おける薄鋼帯の走行方向に平行する面で切断した断面
図、

【図６】同装置における薄鋼帯の走行方向に直交する
面で切断した断面図、

【図７】本発明のさらに別の実施例の磁気検出装置を
示すブロック図、

【図８】同装置における薄鋼帯の走行方向に平行する
面で切断した断面図、

【図９】同装置における薄鋼帯の走行方向に直交する
面で切断した断面図、

【図１０】本発明のさらに別の実施例の磁気検出装置
を示すブロック図、

【図１１】同装置における薄鋼帯の走行方向に平行す
る面で切断した断面図、

【図１２】同装置における薄鋼帯の走行方向に直交す
る面で切断した断面図、

【図１３】実施例の磁気検出装置に組込まれた磁気セ
ンサ及び補償コイルを示す断面図、

【図１４】図２に示す磁気検出装置の電気的構成を示
すブロック図、

【図１５】本発明のさらに別の実施例の磁気検出装置
の電気的構成を示すブロック図、

【図１６】実施例装置にて欠陥が存在しない薄鋼帯を
測定した場合におけるセンサ位置と出力信号レベルとの
関係を示す実測図、

【図１７】実施例装置にて欠陥が存在する薄鋼帯を測
定した場合におけるセンサ位置と出力信号レベルとの関
係を示す実測図、

【図１８】従来装置にて欠陥が存在する薄鋼帯を測定
した場合におけるセンサ位置と出力信号レベルとの関係
を示す実測図、

【図１９】実施装置における薄鋼帯の移動速度と磁気
センサの出力信号レベルとの関係を示す実測図、

【図２０】実施例装置における励磁電流と出力信号レ
ベルとの関係を示す実測図、

【図２１】実施例装置において、積分回路のある場合
とない場合とにおける励磁電流と出力信号レベルとの関
係を示す実測図、

【図２２】本発明のさらに別の実施例の磁気検出装置
を示すブロック図、

【図２３】同実施例装置の電気的構成を示すブロック
図、

【図２４】本発明のさらに別の実施例の磁気検出装置
を示すブロック図、

【図２５】本発明のさらに別の実施例の磁気検出装置
を示すブロック図、

【図２６】図２４，図２５の実施例装置における励磁
電流と出力信号レベルとの関係を示す実測図、

【図２７】図２４，図２５の実施例装置におけるセン
サ位置と出力信号レベルとの関係を示す実測図、

【図２８】本発明のさらに別の実施例の磁気検出装置
を示すブロック図、

【図２９】本発明のさらに別の実施例の磁気検出装置
を示すブロック図、

【図３０】本発明のさらに別の実施例の磁気検出装置
を示すブロック図、

【図３１】図２８乃至図３０の実施例装置における薄
鋼帯の移動速度と出力信号レベルとの関係を示す実測
図、

【図３２】本発明のさらに別の実施例の磁気検出装置
を示すブロック図、

【図３３】本発明のさらに別の実施例の磁気検出装置
を示すブロック図、

【図３４】本発明のさらに別の実施例の磁気検出装置
を示すブロック図、

【図３５】本発明のさらに別の実施例の磁気検出装置
を示すブロック図、

【図３６】本発明のさらに別の実施例の磁気検出装置
を示すブロック図、

【図３７】本発明のさらに別の実施例の磁気検出装置
を示すブロック図、

【図３８】本発明のさらに別の実施例の磁気検出装置
を示すブロック図、

【図３９】本発明のさらに別の実施例の磁気検出装置
を示すブロック図、

【図４０】本発明のさらに別の実施例の磁気検出装置
を示すブロック図、

【図４１】本発明のさらに別の実施例の磁気検出装置
を示すブロック図、

【図４２】本発明のさらに別の実施例の磁気検出装置
を示すブロック図、

【図４３】本発明のさらに別の実施例の磁気検出装置
を示すブロック図、

【図４４】従来の磁気検出装置における薄鋼帯の走行
方向に平行する面で切断した断面図、

【図４５】同装置における薄鋼帯の走行方向に直交す
る面で切断した断面図、

【図４６】同装置が支持装置に組込まれた状態を示す
側面図、

【図４７】磁極位置に対応する一般的な磁界分布特性
図、

【図４８】磁界分布特性と磁気センサの出力信号に印
加する固定バイアス電圧との関係を示す図、

【図４９】磁気センサの出力信号に固定バイアス電圧
を印加するバイアス回路図、

【図５０】従来装置における薄鋼帯の移動速度と磁気
センサの出力信号レベルとの関係を示す実測図、

【図５１】同じく従来装置における薄鋼帯の移動速度
と磁気センサの出力信号レベルとの関係を示す実測図、

【図５２】従来装置における磁束強度と磁気センサの
出力信号レベルとの関係を示す実測図、

【図５３】従来装置における励磁電流と磁気センサの
出力信号レベルとの関係を示す実測図。

【符号の説明】

１，１ａ…中空ロール、２，２ａ…固定軸、４，１００
…磁化器、４ａ，４ｂ…磁極，４ｃ…磁化鉄心、６…磁
化コイル、７…磁気センサ群、７ａ，１０４…磁気セン
サ、１１９…水平型磁気センサ、１０，１０１…薄鋼
帯、２２，１１１…補償コイル、２３…速度検出器、２
４…シールド筒、２５…スイッチ、２６，１１０…増幅
器、２７，１０５…磁気検出回路、２８，１０８…ハイ
パスフィルタ、２９，１１３…遮断周波数切換制御回
路、３０…マルチプレクサ、３１…表示器、３２…平均
化回路、３３，１０７…ローパスフィルタ、３５，１０
９…積分回路、１０３，１２６…磁化電源、１１６…出
力増幅器、１２２…割算回路、１２３…基準信号発生回
路。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献特開昭63−45555（ＪＰ，Ａ) 特開昭62−172258（ＪＰ，Ａ) 特開昭55−1534（ＪＰ，Ａ) 特開昭55−128150（ＪＰ，Ａ) 特表平２−504077（ＪＰ，Ａ) 実開平１−148856（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁶，ＤＢ名) G01N 27/72 - 27/90

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】磁界内をその磁界に対して相対的に移動
する被検体の磁気的異常部に起因して生じる漏洩磁束を
磁気センサにより検出し、この磁気センサの出力信号に
含まれる低周波信号成分をローパスフィルタで抽出し、
抽出された低周波信号成分を増幅して補償コイルに印加
し、この補償コイルで生起される磁束によって、前記磁
気センサに交差する浮遊磁束を相殺することを特徴とす
る磁気検出方法。
【請求項２】一対の磁極が前記被検体に対向するよう
に磁化器を配設して、この磁化器により前記被検体に磁
束を交差させ、前記磁気センサを前記一対の磁極間を結
ぶ線又はこれに平行する線上に配設し、この磁気センサ
でもって、前記被検体の内部または表面の磁気的異常部
に起因して生じる漏洩磁束を検出する請求項１記載の磁
気検出方法。
【請求項３】磁界内をその磁界に対して相対的に移動
する被検体の磁気的異常部に起因して生じる漏洩磁束を
検出する磁気センサと、この磁気センサの出力信号に含
まれる低周波信号成分を抽出するローパスフィルタと、
このローパスフィルタにて抽出された低周波信号成分を
増幅する増幅器と、この増幅器の出力信号にて励磁さ
れ、前記磁気センサに交差する浮遊磁束を相殺する磁束
を生起する補償コイルとを備えた磁気検出装置。
【請求項４】前記磁界は一対の磁極が前記被検体に対
向するように配設された磁化器によって生成され、前記
磁気センサは前記磁化器の一対の磁極間を結ぶ線又はこ
れに平行する線上に配設された請求項３記載の磁気検出
装置。
【請求項５】前記磁気センサは、前記被検体の磁気的
異常部に起因して生じる漏洩磁束のうちの前記被検体の
表面に垂直な成分を検出する磁気センサであり、かつ前
記補償コイルは、前記磁気センサの外周面を囲むように
巻装されている請求項３記載の磁気検出装置。
【請求項６】前記磁気センサは、前記被検体の磁気的
異常部に起因して生じる漏洩磁束のうちの前記被検体の
表面に平行な成分を検出する磁気センサであり、かつ前
記補償コイルは、前記磁気センサの外周面を囲むように
巻装されている請求項３記載の磁気検出装置。
【請求項７】前記磁気センサの出力信号に含まれる前
記磁気的異常部に起因して生じる信号を抽出するための
特定信号抽出フィルタと、前記磁気センサに対する前記
被検体の相対的な移動速度を検出する速度検出器と、こ
の速度検出器にて検出された移動速度に応じて前記特定
信号抽出フィルタの通過周波数を制御する周波数制御手
段とを備えた請求項３記載の磁気検出装置。
【請求項８】前記磁気センサの出力信号に含まれる前
記磁気的異常部に起因して生じる信号を抽出するための
特定信号抽出フィルタと、前記磁気センサに対する前記
被検体の相対的な移動速度を検出する速度検出器と、こ
の速度検出器にて検出された移動速度に応じて前記特定
信号抽出フィルタの通過周波数を制御する周波数制御手
段とを備えた請求項４記載の磁気検出装置。
【請求項９】磁界内をその磁界に対して相対的に移動
する被検体の磁気的異常部に起因して生じる漏洩磁束を
検出する磁気センサと、この磁気センサの出力信号に含
まれる低周波信号成分を抽出するローパスフィルタと、
このローパスフィルタにて抽出された低周波信号成分を
積分する積分器と、この積分器にて積分された低周波信
号成分を増幅する増幅器と、この増幅器の出力信号にて
励磁され、前記磁気センサに交差する浮遊磁束を相殺す
る磁束を生起する補償コイルとを備えた磁気検出装置。
【請求項１０】磁界内をその磁界に対して相対的に移
動する被検体の磁気的異常部に起因して生じる漏洩磁束
を検出する磁気センサと、この磁気センサの出力信号に
含まれる前記磁気的異常部に起因して生じる信号を抽出
するための特定信号抽出フィルタと、この特定信号抽出
フィルタの出力信号を増幅して欠陥信号として出力する
出力増幅器と、前記磁気センサの近傍位置に設けられ、
前記磁界の前記被検体の表面に平行な成分を検出する磁
気センサと、この磁気センサの出力信号で前記出力増幅
器の増幅率を制御する増幅器制御手段とを備えた磁気検
出装置。
【請求項１１】前記出力増幅器の基準増幅率に対応す
る基準信号を出力する基準信号発生回路と、前記磁界の
前記被検体の表面に平行な成分を検出する磁気センサと
前記出力増幅器との間に介挿され、前記磁気センサの出
力信号を前記基準信号で除算して、除算された出力信号
で前記出力増幅器の増幅率を制御する割算回路とを備え
た請求項１０記載の磁気検出装置。
【請求項１２】磁化器によって生成された磁界内をそ
の磁界に対して相対的に移動する被検体の磁気的異常部
に起因して生じる漏洩磁束を検出する磁気センサと、こ
の磁気センサの近傍位置に設けられ、前記磁界の前記被
検体の表面に平行な成分を検出する磁気センサと、この
磁気センサの出力信号で前記磁化器によって生起される
磁界強度を制御する磁化器制御手段とを備えた磁気検出
装置。
【請求項１３】前記漏洩磁束を検出する磁気センサの
出力信号に含まれる前記磁気的異常部に起因して生じる
信号を抽出するための特定信号抽出フィルタと、この特
定信号抽出フィルタの出力信号を増幅して欠陥信号とし
て出力する出力増幅器と、前記表面に平行な成分を検出
する磁気センサの出力信号で前記出力増幅器の増幅率を
制御する増幅器制御手段とを備えた請求項１２記載の磁
気検出装置。
【請求項１４】磁界内をその磁界に対して相対的に移
動する被検体の磁気的異常部に起因して生じる漏洩磁束
を検出する磁気センサと、この磁気センサの出力信号に
含まれる低周波信号成分を抽出するローパスフィルタ
と、このローパスフィルタにて抽出された低周波信号成
分を増幅する増幅器と、この増幅器の出力信号にて励磁
され、前記磁気センサに交差する浮遊磁束を相殺する磁
束を生起する補償コイルと、前記磁気センサの出力信号
に含まれる前記磁気的異常部に起因して生じる信号を抽
出するための特定信号抽出フィルタと、この特定信号抽
出フィルタの出力信号を増幅して欠陥信号として出力す
る出力増幅器と、前記磁気センサの近傍位置に設けら
れ、前記磁界の前記被検体の表面に平行な成分を検出す
る磁気センサと、この磁気センサの出力信号で前記出力
増幅器の増幅率を制御する増幅器制御手段とを備えた磁
気検出装置。
【請求項１５】磁化器によって生成された磁界内をそ
の磁界に対して相対的に移動する被検体の磁気的異常部
に起因して生じる漏洩磁束を検出する磁気センサと、こ
の磁気センサの出力信号に含まれる低周波信号成分を抽
出するローパスフィルタと、このローパスフィルタにて
抽出された低周波信号成分を増幅する増幅器と、この増
幅器の出力信号にて励磁され、前記磁気センサに交差す
る浮遊磁束を相殺する磁束を生起する補償コイルと、前
記磁気センサの出力信号に含まれる前記磁気的異常部に
起因して生じる信号を抽出するための特定信号抽出フィ
ルタと、この特定信号抽出フィルタの出力信号を増幅し
て欠陥信号として出力する出力増幅器と、前記磁気セン
サの近傍位置に設けられ、前記磁界の前記被検体の表面
に平行な成分を検出する磁気センサと、この磁気センサ
の出力信号で前記磁化器によって生起される磁界強度を
制御する磁化器制御手段とを備えた磁気検出装置。
【請求項１６】前記漏洩磁束を検出する磁気センサ
は、前記漏洩磁束のうち前記被検体の表面に垂直な成分
を検出する磁気センサである請求項１０，１２，１４お
よび１５のうちのいずれか一項記載の磁気検出装置。
【請求項１７】前記漏洩磁束を検出する磁気センサ
は、前記漏洩磁束のうち前記被検体の表面に平行な成分
を検出する磁気センサである請求項１０，１２，１４お
よび１５のうちのいずれか一項記載の磁気検出装置。
【請求項１８】磁界内をその磁界に対して相対的に移
動する被検体の磁気的異常部に起因して生じる漏洩磁束
を検出する磁気センサと、この磁気センサの出力信号に
含まれる低周波信号成分を抽出するローパスフィルタ
と、このローパスフィルタにて抽出された低周波信号成
分を増幅する増幅器と、この増幅器の出力信号にて励磁
され、前記磁気センサに交差する浮遊磁束を相殺する磁
束を生起する補償コイルと、前記磁気センサの出力信号
に含まれる前記磁気的異常部に起因して生じる信号を抽
出するための特定信号抽出フィルタと、この特定信号抽
出フィルタの出力信号を増幅して欠陥信号として出力す
る出力増幅器と、前記磁気センサの出力信号で前記出力
増幅器の増幅率を制御する増幅器制御手段とを備えた磁
気検出装置。
【請求項１９】磁化器によって生成された磁界内をそ
の磁界に対して相対的に移動する被検体の磁気的異常部
に起因して生じる漏洩磁束を検出する磁気センサと、こ
の磁気センサの出力信号に含まれる低周波信号成分を抽
出するローパスフィルタと、このローパスフィルタにて
抽出された低周波信号成分を増幅する増幅器と、この増
幅器の出力信号にて励磁され、前記磁気センサに交差す
る浮遊磁束を相殺する磁束を生起する補償コイルと、前
記磁気センサの出力信号に含まれる前記磁気的異常部に
起因して生じる信号を抽出するための特定信号抽出フィ
ルタと、この特定信号抽出フィルタの出力信号を増幅し
て欠陥信号として出力する出力増幅器と、前記磁気セン
サの出力信号で前記磁化器によって生起される磁界強度
を制御する磁化器制御手段とを備えた磁気検出装置。
【請求項２０】前記ローパスフィルタと前記増幅器と
の間に積分器が介挿された請求項１８または１９記載の
磁気検出装置。
【請求項２１】前記特定信号抽出フィルタはハイパス
フィルタである請求項１０，１３，１４，１５，１８お
よび１９のうちいずれか一項記載の磁気検出装置。
【請求項２２】前記特定信号抽出フィルタはハイパス
フィルタであり、前記周波数制御手段は前記ハイパスフ
ィルタの遮断周波数を制御する手段である請求項７また
は８記載の磁気検出装置。
【請求項２３】前記特定信号抽出フィルタはバンドパ
スフィルタである請求項１０，１３，１４，１５，１８
および１９のうちいずれか一項記載の磁気検出装置。
【請求項２４】前記特定信号抽出フィルタはバンドパ
スフィルタであり、前記周波数制御手段は前記バンドパ
スフィルタの中心周波数を制御する手段である請求項７
または８記載の磁気検出装置。