JP2858494B2 - プリント配線基板用予備はんだ - Google Patents
プリント配線基板用予備はんだInfo
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/3457—Solder materials or compositions; Methods of application thereof
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- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、プリント配線基板の導
体パターン上に被覆する予備はんだ、より詳しくは、そ
のはんだ合金組成に関する。多数の情報を高速に処理す
る必要性から、情報処理装置は小型化および大容量化が
図られ、これを実現するために電子部品を小型化すると
ともに高密度実装が行われている。そして、このような
電子部品を搭載する配線基板として耐熱性の合成樹脂、
セラミックス、ガラスセラミックスなどからなる多層基
板が用いられている。
体パターン上に被覆する予備はんだ、より詳しくは、そ
のはんだ合金組成に関する。多数の情報を高速に処理す
る必要性から、情報処理装置は小型化および大容量化が
図られ、これを実現するために電子部品を小型化すると
ともに高密度実装が行われている。そして、このような
電子部品を搭載する配線基板として耐熱性の合成樹脂、
セラミックス、ガラスセラミックスなどからなる多層基
板が用いられている。
【０００２】ガラスエポキシなどからなるプリント配線
基板の場合には、銅張り基板に写真蝕刻技術（フォトリ
ソグラフィ）で微細な導体パターンを形成して単位基板
とし、これを複数枚用意しプリプレグを挟んで熱圧着し
て一体化することで多層プリント配線板としている。ま
た、ガラスセラミックス（或いは、セラミックス）基板
の場合には、導体パターンをスクリーン印刷したグリー
ンシートを積層し、加熱焼成することで多層プリント配
線板としている。
基板の場合には、銅張り基板に写真蝕刻技術（フォトリ
ソグラフィ）で微細な導体パターンを形成して単位基板
とし、これを複数枚用意しプリプレグを挟んで熱圧着し
て一体化することで多層プリント配線板としている。ま
た、ガラスセラミックス（或いは、セラミックス）基板
の場合には、導体パターンをスクリーン印刷したグリー
ンシートを積層し、加熱焼成することで多層プリント配
線板としている。
【０００３】配線基板での電子回路を構成する導体パタ
ーンは電気伝導度の点から、ほとんどの場合に、銅（Ｃ
ｕ）が採用されているが、酸化され易いために、基板表
面の導体パターンの上に予備はんだ（ソルダーコート）
を薄く形成して、該導体パターンの酸化を防止するとと
もに、ここに装着する素子の端子とのはんだぬれ性を確
保している。
ーンは電気伝導度の点から、ほとんどの場合に、銅（Ｃ
ｕ）が採用されているが、酸化され易いために、基板表
面の導体パターンの上に予備はんだ（ソルダーコート）
を薄く形成して、該導体パターンの酸化を防止するとと
もに、ここに装着する素子の端子とのはんだぬれ性を確
保している。
【０００４】
【従来の技術】配線基板の銅導体パターンの酸化防止お
よびはんだ付け性確保のための予備はんだは、配線基板
をはんだ浴に浸漬し、引き上げる際に熱風を吹きつけて
余計なはんだを除去することで該導体パターン上に形成
されている。実装する電子部品がＩＣ、ＬＳＩなどの半
導体装置の場合に、これまでリード端子を熔着する（導
体パターンの）パッドの大きさが0.６５mm幅であったも
のを、半導体装置の高集積化、微細化にともなって0.３
mm幅程度にまで小さくされかつパッド間隔も短くされて
きている。そこで、隣接するパッドとの絶縁を保証する
ために、パッド上に被覆する予備はんだの厚さを、従来
の0.８〜８０μｍより薄くする必要がある。
よびはんだ付け性確保のための予備はんだは、配線基板
をはんだ浴に浸漬し、引き上げる際に熱風を吹きつけて
余計なはんだを除去することで該導体パターン上に形成
されている。実装する電子部品がＩＣ、ＬＳＩなどの半
導体装置の場合に、これまでリード端子を熔着する（導
体パターンの）パッドの大きさが0.６５mm幅であったも
のを、半導体装置の高集積化、微細化にともなって0.３
mm幅程度にまで小さくされかつパッド間隔も短くされて
きている。そこで、隣接するパッドとの絶縁を保証する
ために、パッド上に被覆する予備はんだの厚さを、従来
の0.８〜８０μｍより薄くする必要がある。
【０００５】従来より予備はんだの材料としては、錫−
鉛（Ｓｎ−Ｐｂ）共晶はんだが一般に使用されている。
そして、形成した予備はんだは半導体装置などの表面実
装が行われる前になされる熱処理の影響を受けて、酸化
されることが多い。以下、耐熱性樹脂のプリント配線基
板に予備はんだを被覆する場合の従来例を説明する。
鉛（Ｓｎ−Ｐｂ）共晶はんだが一般に使用されている。
そして、形成した予備はんだは半導体装置などの表面実
装が行われる前になされる熱処理の影響を受けて、酸化
されることが多い。以下、耐熱性樹脂のプリント配線基
板に予備はんだを被覆する場合の従来例を説明する。
【０００６】通常の工程にしたがって作製されたプリン
ト配線基板の表面銅導体パターンに予備はんだをコーテ
ィングするために、該プリント配線基板をＳｎ−Ｐｂは
んだ浴に浸漬し、引き上げる際に熱風を吹きつけて余分
なはんだを飛散させている。この際にプリント配線基板
ははんだ浴によって加熱され、はんだは冷却過程で酸化
される。また、プリント配線基板のスルーホールに抵抗
器やコンデンサなどの個別部品を装着してから、フロー
ソルダリングではんだ付けを行うことがあり、この場合
にも基板は加熱され、予備はんだは酸化される。
ト配線基板の表面銅導体パターンに予備はんだをコーテ
ィングするために、該プリント配線基板をＳｎ−Ｐｂは
んだ浴に浸漬し、引き上げる際に熱風を吹きつけて余分
なはんだを飛散させている。この際にプリント配線基板
ははんだ浴によって加熱され、はんだは冷却過程で酸化
される。また、プリント配線基板のスルーホールに抵抗
器やコンデンサなどの個別部品を装着してから、フロー
ソルダリングではんだ付けを行うことがあり、この場合
にも基板は加熱され、予備はんだは酸化される。
【０００７】予備はんだの酸化の現象は次のように進行
する。 はんだ合金を構成している錫（Ｓｎ）は鉛（Ｐｂ）よ
りも酸化し易いので、錫が酸化する。 ２Ｓｎ＋Ｏ2 →２ＳｎＯ 一方、鉛成分は錫成分の減少によって単独の鉛となっ
て表面に析出し、酸化される。
する。 はんだ合金を構成している錫（Ｓｎ）は鉛（Ｐｂ）よ
りも酸化し易いので、錫が酸化する。 ２Ｓｎ＋Ｏ2 →２ＳｎＯ 一方、鉛成分は錫成分の減少によって単独の鉛となっ
て表面に析出し、酸化される。
【０００８】２Ｐｂ＋Ｏ2 →２ＰｂＯ このように予備はんだは加熱の影響を受けて酸化物が表
面に生じて、ぬれ性が低下する。さらに、導体パターン
の銅（Ｃｕ）がはんだ中へ拡散し、錫と反応してＣｕ3
ＳｎやＣｕ6 Ｓｎ5 などの金属間化合物を生じさせ、こ
れらが予備はんだの表面にまで成長して、ぬれ性を低下
させる。これらのぬれ性低下ははんだ付け性をも低下さ
せることになる。
面に生じて、ぬれ性が低下する。さらに、導体パターン
の銅（Ｃｕ）がはんだ中へ拡散し、錫と反応してＣｕ3
ＳｎやＣｕ6 Ｓｎ5 などの金属間化合物を生じさせ、こ
れらが予備はんだの表面にまで成長して、ぬれ性を低下
させる。これらのぬれ性低下ははんだ付け性をも低下さ
せることになる。
【０００９】その防止対策として、従来は、予備はんだ
層を厚くすることで対応していたが、上述したように半
導体装置の高集積化に伴って厚くすることは難しい。そ
こではんだ付けの前に、接合部分（パッド）を表面研磨
して薄くするという便法を採用することもある。しかし
ながら、このような表面研磨は面倒であり、その実施は
困難を伴う。
層を厚くすることで対応していたが、上述したように半
導体装置の高集積化に伴って厚くすることは難しい。そ
こではんだ付けの前に、接合部分（パッド）を表面研磨
して薄くするという便法を採用することもある。しかし
ながら、このような表面研磨は面倒であり、その実施は
困難を伴う。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】プリント配線基板の導
体パターン（銅）の酸化を防ぎかつはんだぬれ性を確保
するための予備はんだではあるが、その機能をもっと向
上させることが求められている。また、実装する半導体
装置の高集積化に応じて予備はんだの厚さをより薄くす
ることも求められている。
体パターン（銅）の酸化を防ぎかつはんだぬれ性を確保
するための予備はんだではあるが、その機能をもっと向
上させることが求められている。また、実装する半導体
装置の高集積化に応じて予備はんだの厚さをより薄くす
ることも求められている。
【００１１】本発明の目的は、これらの要求に答える予
備はんだを提供することである。
備はんだを提供することである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記の目的が、プリント
配線基板上に形成してある導体パターンを被覆するのに
使用する予備はんだにおいて、該はんだが錫−鉛合金に
０．１重量％以上で該錫−鉛合金の固溶限以内の銅と、
インジウムおよびゲルマニウムのうちの少なくとも一種
とを添加してなることを特徴とするプリント配線基板用
予備はんだによって達成される。
配線基板上に形成してある導体パターンを被覆するのに
使用する予備はんだにおいて、該はんだが錫−鉛合金に
０．１重量％以上で該錫−鉛合金の固溶限以内の銅と、
インジウムおよびゲルマニウムのうちの少なくとも一種
とを添加してなることを特徴とするプリント配線基板用
予備はんだによって達成される。
【００１３】これら添加元素は、錫−鉛合金に対して、
インジウムの添加量が０．１〜0.５重量％であり、銅の
添加量が０．１重量％以上で該錫−鉛合金の固溶限以内
であり、そしてゲルマニウムの添加量が０．００５〜0.
１重量％であることが好ましい。そして、錫−鉛合金
は、錫５０〜７０重量％と、鉛および不可避的不純物の
残部とからなり、最も好ましくは、錫６３重量％の共晶
はんだ組成である。
インジウムの添加量が０．１〜0.５重量％であり、銅の
添加量が０．１重量％以上で該錫−鉛合金の固溶限以内
であり、そしてゲルマニウムの添加量が０．００５〜0.
１重量％であることが好ましい。そして、錫−鉛合金
は、錫５０〜７０重量％と、鉛および不可避的不純物の
残部とからなり、最も好ましくは、錫６３重量％の共晶
はんだ組成である。
【００１４】
【作用】本発明において、薄くしてもはんだぬれ性を確
保することのできる予備はんだとするには、次のような
添加元素効果を利用している。 はんだぬれ性を損なわずに錫−鉛（Ｓｎ−Ｐｂ）はん
だの上を覆い、酸化を妨げる金属（インジウムおよびゲ
ルマニウム）を添加する。
保することのできる予備はんだとするには、次のような
添加元素効果を利用している。 はんだぬれ性を損なわずに錫−鉛（Ｓｎ−Ｐｂ）はん
だの上を覆い、酸化を妨げる金属（インジウムおよびゲ
ルマニウム）を添加する。
【００１５】インジウムの添加量が0.５重量％を越え、
あるいはゲルマニウムの添加量が0.１重量％を越える
と、インジウムは、表面張力が極度に低下し、はんだブ
リッジが生じる。また、Ｇｅは、はんだの融点が上昇
し、予備はんだ表面がざらつくなど不具合が生じる。 銅がはんだ中へ拡散して、金属間化合物を生じさせ、
これが成長することがぬれ性を損なう原因であるので、
銅の拡散を抑制する金属（銅）を添加する。
あるいはゲルマニウムの添加量が0.１重量％を越える
と、インジウムは、表面張力が極度に低下し、はんだブ
リッジが生じる。また、Ｇｅは、はんだの融点が上昇
し、予備はんだ表面がざらつくなど不具合が生じる。 銅がはんだ中へ拡散して、金属間化合物を生じさせ、
これが成長することがぬれ性を損なう原因であるので、
銅の拡散を抑制する金属（銅）を添加する。
【００１６】銅の添加量ははんだの固溶限以内であり、
錫−鉛共晶はんだの２４０℃における銅の固溶限は0.４
２重量％である。銅を予備はんだに予め含有させておく
ことで、導体パターンからの銅拡散を阻止することがで
き、Ｃｕ3 ＳｎやＣｕ6 Ｓｎ 5 などの金属間化合物が予
備はんだ表面まで成長するのを防止することができる。
錫−鉛共晶はんだの２４０℃における銅の固溶限は0.４
２重量％である。銅を予備はんだに予め含有させておく
ことで、導体パターンからの銅拡散を阻止することがで
き、Ｃｕ3 ＳｎやＣｕ6 Ｓｎ 5 などの金属間化合物が予
備はんだ表面まで成長するのを防止することができる。
【００１７】これらインジウム、銅、ゲルマニウムを組
み合わせて適量添加すると、添加効果がそのまま現れ、
良好なはんだ付けを行うことができる。
み合わせて適量添加すると、添加効果がそのまま現れ、
良好なはんだ付けを行うことができる。
【００１８】
【実施例】以下、添付図面を参照して、本発明の実施態
様例および比較例によって本発明を詳細に説明する。実施例１（インジウム添加の場合） 試験片として銅板（形状寸法：５０×５×１mm）に厚さ
２０μｍの銅メッキを施したものを用意した。Ｓｎ−Ｐ
ｂ共晶はんだに対してＩｎを0.１〜1.０重量％添加し、
あるいは添加しないで、溶融して予備はんだ浴とした。
これら溶融はんだ浴に試験片を５秒間浸漬して、厚さ0.
３μｍの予備はんだ層を被覆した。予備はんだ表面の酸
化がぬれ性に及ぼす影響を調べるために、大気中にて１
７０℃、１時間加熱した。そして、試験片の一端をＳｎ
−Ｐｂ共晶はんだ浴に浸漬し、引き上げるメニスコグラ
フぬれ性試験法により、はんだぬれ時間を調べた。また
０．３mmピッチで形成されたパッドを含むプリント板に
ソルダーコートし、はんだ付け性を調べた。この試験結
果を表１に示す。
様例および比較例によって本発明を詳細に説明する。実施例１（インジウム添加の場合） 試験片として銅板（形状寸法：５０×５×１mm）に厚さ
２０μｍの銅メッキを施したものを用意した。Ｓｎ−Ｐ
ｂ共晶はんだに対してＩｎを0.１〜1.０重量％添加し、
あるいは添加しないで、溶融して予備はんだ浴とした。
これら溶融はんだ浴に試験片を５秒間浸漬して、厚さ0.
３μｍの予備はんだ層を被覆した。予備はんだ表面の酸
化がぬれ性に及ぼす影響を調べるために、大気中にて１
７０℃、１時間加熱した。そして、試験片の一端をＳｎ
−Ｐｂ共晶はんだ浴に浸漬し、引き上げるメニスコグラ
フぬれ性試験法により、はんだぬれ時間を調べた。また
０．３mmピッチで形成されたパッドを含むプリント板に
ソルダーコートし、はんだ付け性を調べた。この試験結
果を表１に示す。
【００１９】
【表１】
【００２０】表１から分かるように、Ｉｎ添加はぬれ時
間について0.５重量％のときに最良の結果（最も短い）
が得られる。Ｉｎ添加量がそれよりも多くなると、ぬれ
時間は比較的短いが、はんだの表面張力が低下してブリ
ッジが発生し易くなる。これは、０．３mmピッチで形成
されたパッドを含む、プリント板を半田浴の中に浸漬し
てのデータである。なお、ブリッジとは導体パターンの
隣接するパッド間に生じるそれらを結ぶはんだの橋掛け
をいい、この場合には、0.５μｍピッチ（ラインアンド
スペース）の間隔である。また、不良とははんだのはじ
き（一部ぬれていない）があった場合である。
間について0.５重量％のときに最良の結果（最も短い）
が得られる。Ｉｎ添加量がそれよりも多くなると、ぬれ
時間は比較的短いが、はんだの表面張力が低下してブリ
ッジが発生し易くなる。これは、０．３mmピッチで形成
されたパッドを含む、プリント板を半田浴の中に浸漬し
てのデータである。なお、ブリッジとは導体パターンの
隣接するパッド間に生じるそれらを結ぶはんだの橋掛け
をいい、この場合には、0.５μｍピッチ（ラインアンド
スペース）の間隔である。また、不良とははんだのはじ
き（一部ぬれていない）があった場合である。
【００２１】実施例２（銅添加の場合） 実施例１と同じように銅メッキした銅板の試験片を用意
した。Ｓｎ−Ｐｂ共晶はんだに対してＣｕを0.１〜５重
量％添加し、あるいは添加しないで、溶融して予備はん
だ浴とした。実施例１と同様にして試験片に予備はんだ
層を被覆し、大気中で加熱した。そして、試験片の一端
をＳｎ−Ｐｂ共晶はんだ浴に浸漬し、引き上げるメニス
コグラフぬれ性試験法により、はんだぬれ時間およびは
んだ付け性を調べた。この試験結果を表２に示す。
した。Ｓｎ−Ｐｂ共晶はんだに対してＣｕを0.１〜５重
量％添加し、あるいは添加しないで、溶融して予備はん
だ浴とした。実施例１と同様にして試験片に予備はんだ
層を被覆し、大気中で加熱した。そして、試験片の一端
をＳｎ−Ｐｂ共晶はんだ浴に浸漬し、引き上げるメニス
コグラフぬれ性試験法により、はんだぬれ時間およびは
んだ付け性を調べた。この試験結果を表２に示す。
【００２２】
【表２】
【００２３】表２から分かるように、Ｃｕ添加量が固溶
限（0.３％）の付近が最も良く（ぬれ時間が短く）、そ
れよりも多くなると、ぬれ時間は変わらないものの、は
んだの粘度が上昇するためにブリッジが発生し易くな
る。実施例３（ゲルマニウム添加の場合） 実施例１と同じように銅メッキした銅板の試験片を用意
した。Ｓｎ−Ｐｂ共晶はんだに対してＧｅを0.００５〜
0.３重量％添加し、あるいは添加しないで、溶融して予
備はんだ浴とした。実施例１と同様にして試験片に予備
はんだ層を被覆し、大気中で加熱した。そして、試験片
の一端をＳｎ−Ｐｂ共晶はんだ浴に浸漬し、引き上げる
メニスコグラフぬれ性試験法により、はんだぬれ時間お
よびはんだ付け性を調べた。この試験結果を表３に示
す。
限（0.３％）の付近が最も良く（ぬれ時間が短く）、そ
れよりも多くなると、ぬれ時間は変わらないものの、は
んだの粘度が上昇するためにブリッジが発生し易くな
る。実施例３（ゲルマニウム添加の場合） 実施例１と同じように銅メッキした銅板の試験片を用意
した。Ｓｎ−Ｐｂ共晶はんだに対してＧｅを0.００５〜
0.３重量％添加し、あるいは添加しないで、溶融して予
備はんだ浴とした。実施例１と同様にして試験片に予備
はんだ層を被覆し、大気中で加熱した。そして、試験片
の一端をＳｎ−Ｐｂ共晶はんだ浴に浸漬し、引き上げる
メニスコグラフぬれ性試験法により、はんだぬれ時間お
よびはんだ付け性を調べた。この試験結果を表３に示
す。
【００２４】
【表３】
【００２５】表３から分かるように、Ｇｅ添加はぬれ時
間について0.０２重量％のときに最良の結果（最も短
い）が得られる。添加量がそれよりも多くなると、ぬれ
時間は比較的短いが、はんだの表面張力が増加し厚さの
バラツキが生じ易くなる。実施例４（インジウムおよび銅の添加の場合） 実施例１と同じように銅メッキした銅板の試験片を用意
した。Ｓｎ−Ｐｂ共晶はんだに対してＩｎを0.１〜1.０
重量％かつ銅を0.３〜５重量％添加し、あるいは両方と
も添加しないで、溶融して予備はんだ浴とした。実施例
１と同様にして試験片に予備はんだ層を被覆し、大気中
で加熱した。そして、試験片の一端をＳｎ−Ｐｂ共晶は
んだ浴に浸漬し、引き上げるメニスコグラフぬれ性試験
法により、はんだぬれ時間およびはんだ付け性を調べ
た。この試験結果を表４に示す。
間について0.０２重量％のときに最良の結果（最も短
い）が得られる。添加量がそれよりも多くなると、ぬれ
時間は比較的短いが、はんだの表面張力が増加し厚さの
バラツキが生じ易くなる。実施例４（インジウムおよび銅の添加の場合） 実施例１と同じように銅メッキした銅板の試験片を用意
した。Ｓｎ−Ｐｂ共晶はんだに対してＩｎを0.１〜1.０
重量％かつ銅を0.３〜５重量％添加し、あるいは両方と
も添加しないで、溶融して予備はんだ浴とした。実施例
１と同様にして試験片に予備はんだ層を被覆し、大気中
で加熱した。そして、試験片の一端をＳｎ−Ｐｂ共晶は
んだ浴に浸漬し、引き上げるメニスコグラフぬれ性試験
法により、はんだぬれ時間およびはんだ付け性を調べ
た。この試験結果を表４に示す。
【００２６】
【表４】
【００２７】表４から分かるように、Ｉｎ添加量が0.５
重量％かつＣｕ添加量が0.３重量％のときに最も良い結
果が得られる。添加量の最適値は実施例１および２と対
応しており、さらにはんだぬれ時間が0.７６秒と実施例
１および２よりも更に短くなっている。実施例５（ゲルマニウムおよび銅の添加の場合） 実施例１と同じように銅メッキした銅板の試験片を用意
した。Ｓｎ−Ｐｂ共晶はんだに対してＧｅを0.００５〜
0.０５重量％かつ銅を0.３〜５重量％添加し、あるいは
両方とも添加しないで、溶融して予備はんだ浴とした。
実施例１と同様にして試験片に予備はんだ層を被覆し、
大気中で加熱した。そして、試験片の一端をＳｎ−Ｐｂ
共晶はんだ浴に浸漬し、引き上げるメニスコグラフぬれ
性試験法により、はんだぬれ時間およびはんだ付け性を
調べた。この試験結果を表５に示す。
重量％かつＣｕ添加量が0.３重量％のときに最も良い結
果が得られる。添加量の最適値は実施例１および２と対
応しており、さらにはんだぬれ時間が0.７６秒と実施例
１および２よりも更に短くなっている。実施例５（ゲルマニウムおよび銅の添加の場合） 実施例１と同じように銅メッキした銅板の試験片を用意
した。Ｓｎ−Ｐｂ共晶はんだに対してＧｅを0.００５〜
0.０５重量％かつ銅を0.３〜５重量％添加し、あるいは
両方とも添加しないで、溶融して予備はんだ浴とした。
実施例１と同様にして試験片に予備はんだ層を被覆し、
大気中で加熱した。そして、試験片の一端をＳｎ−Ｐｂ
共晶はんだ浴に浸漬し、引き上げるメニスコグラフぬれ
性試験法により、はんだぬれ時間およびはんだ付け性を
調べた。この試験結果を表５に示す。
【００２８】
【表５】
【００２９】表５から分かるように、Ｇｅ添加量が0.０
２重量％かつＣｕ添加量が0.３重量％のときに最も良い
結果が得られる。添加量の最適値は実施例２および３と
対応しており、さらにはんだぬれ時間が0.７５秒と実施
例２および３よりも更に短くなっている。実施例６（インジウム、ゲルマニウムおよび銅の添加の
場合） 実施例１と同じように銅メッキした銅板の試験片を用意
した。Ｓｎ−Ｐｂ共晶はんだに対してＩｎを0.１〜0.５
重量％、Ｇｅを0.０１〜0.０２重量％かつ銅を0.３重量
％添加し、あるいは三者とも添加しないで、溶融して予
備はんだ浴とした。実施例１と同様にして試験片に予備
はんだ層を被覆し、大気中で加熱した。そして、試験片
の一端をＳｎ−Ｐｂ共晶はんだ浴に浸漬し、引き上げる
メニスコグラフぬれ性試験法により、はんだぬれ時間お
よびはんだ付け性を調べた。この試験結果を表６に示
す。
２重量％かつＣｕ添加量が0.３重量％のときに最も良い
結果が得られる。添加量の最適値は実施例２および３と
対応しており、さらにはんだぬれ時間が0.７５秒と実施
例２および３よりも更に短くなっている。実施例６（インジウム、ゲルマニウムおよび銅の添加の
場合） 実施例１と同じように銅メッキした銅板の試験片を用意
した。Ｓｎ−Ｐｂ共晶はんだに対してＩｎを0.１〜0.５
重量％、Ｇｅを0.０１〜0.０２重量％かつ銅を0.３重量
％添加し、あるいは三者とも添加しないで、溶融して予
備はんだ浴とした。実施例１と同様にして試験片に予備
はんだ層を被覆し、大気中で加熱した。そして、試験片
の一端をＳｎ−Ｐｂ共晶はんだ浴に浸漬し、引き上げる
メニスコグラフぬれ性試験法により、はんだぬれ時間お
よびはんだ付け性を調べた。この試験結果を表６に示
す。
【００３０】
【表６】
【００３１】表６から分かるように、Ｉｎ添加量が0.５
重量％、Ｇｅ添加量が0.０２重量％かつＣｕ添加量が0.
３重量％のときに最も良い結果が得られる。添加量の最
適値は実施例１〜５と対応しており、さらにはんだぬれ
時間が0.６９秒と実施例１〜５よりも更に短くなってい
る。はんだ付け性では、Ｉｎ添加によるブリッジ発生
（表面張力低下が原因）はＧｅ添加（表面張力を大きく
する効果）によって抑えられて改善されている。このよ
うに複合添加の効果が現れている。
重量％、Ｇｅ添加量が0.０２重量％かつＣｕ添加量が0.
３重量％のときに最も良い結果が得られる。添加量の最
適値は実施例１〜５と対応しており、さらにはんだぬれ
時間が0.６９秒と実施例１〜５よりも更に短くなってい
る。はんだ付け性では、Ｉｎ添加によるブリッジ発生
（表面張力低下が原因）はＧｅ添加（表面張力を大きく
する効果）によって抑えられて改善されている。このよ
うに複合添加の効果が現れている。
【００３２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る予備
はんだであれば、プリント配線基板の導体パターンを被
覆するその厚さを0.３μｍのように薄くしても、良好な
はんだぬれ性を確保することができ、高集積化された半
導体装置の実装に適するプリント配線基板を提供するこ
とができる。
はんだであれば、プリント配線基板の導体パターンを被
覆するその厚さを0.３μｍのように薄くしても、良好な
はんだぬれ性を確保することができ、高集積化された半
導体装置の実装に適するプリント配線基板を提供するこ
とができる。
フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭52−16432（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−230493（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−233087（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−148487（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−132295（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H05K 3/34 H05K 3/24 B23K 35/22
Claims (3)
- 【請求項１】 プリント配線基板上に形成してある導体
パターンを被覆するのに使用する予備はんだにおいて、
該はんだが錫−鉛合金に０．１重量％以上で該錫−鉛合
金の固溶限以内の銅と、インジウムおよびゲルマニウム
のうちの少なくとも一種とを添加してなることを特徴と
するプリント配線基板用予備はんだ。 - 【請求項２】 前記錫−鉛合金に対して、インジウムの
添加量は０．１〜０．５重量％であり、ゲルマニウムの
添加量は０．００５〜０．１重量％であることを特徴と
する請求項１記載の予備はんだ。 - 【請求項３】 前記錫−鉛合金は、錫５０〜７０重量％
と、鉛および不可避的不純物の残部とからなることを特
徴とする請求項１記載の予備はんだ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3288678A JP2858494B2 (ja) | 1991-11-05 | 1991-11-05 | プリント配線基板用予備はんだ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3288678A JP2858494B2 (ja) | 1991-11-05 | 1991-11-05 | プリント配線基板用予備はんだ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05129771A JPH05129771A (ja) | 1993-05-25 |
| JP2858494B2 true JP2858494B2 (ja) | 1999-02-17 |
Family
ID=17733273
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3288678A Expired - Fee Related JP2858494B2 (ja) | 1991-11-05 | 1991-11-05 | プリント配線基板用予備はんだ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2858494B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5478700A (en) * | 1993-12-21 | 1995-12-26 | International Business Machines Corporation | Method for applying bonding agents to pad and/or interconnection sites in the manufacture of electrical circuits using a bonding agent injection head |
-
1991
- 1991-11-05 JP JP3288678A patent/JP2858494B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05129771A (ja) | 1993-05-25 |
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