JP2849397B2 - 磁気ヘッド - Google Patents
磁気ヘッドInfo
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- JP2849397B2 JP2849397B2 JP6915989A JP6915989A JP2849397B2 JP 2849397 B2 JP2849397 B2 JP 2849397B2 JP 6915989 A JP6915989 A JP 6915989A JP 6915989 A JP6915989 A JP 6915989A JP 2849397 B2 JP2849397 B2 JP 2849397B2
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- JP
- Japan
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- gap
- metal film
- magnetic
- ferrite core
- magnetic head
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Description
【発明の詳細な説明】 《産業上の利用分野》 この発明は、磁気ヘッドに係り、より具体的にはギャ
ップに飽和磁束密度の大きい磁性金属膜を介在させたメ
タルインギヤップ式の磁気ヘッドの改良に関するもので
ある。
ップに飽和磁束密度の大きい磁性金属膜を介在させたメ
タルインギヤップ式の磁気ヘッドの改良に関するもので
ある。
《従来の技術》 近年、磁気ディスク装置における記録の高密度化の要
請から、ギャップ部分に高飽和磁束密度の磁性金属膜を
設けたMIG（メタルインギャップ）ヘッドが研究・開発
されている。そして、この種の磁気ヘッドの一例を示す
と、第４図のようになっている。
請から、ギャップ部分に高飽和磁束密度の磁性金属膜を
設けたMIG（メタルインギャップ）ヘッドが研究・開発
されている。そして、この種の磁気ヘッドの一例を示す
と、第４図のようになっている。
すなわち、同図に示すように、細長な角柱のＩ型フェ
ライトコア１と、略コ字状のＵ型フェライトコア２とを
組合せてギャップ３を形成するのであるが、この時、Ｉ
型フェライトコア１のギャップ対向面にスパッタリング
等によって飽和密度の高い磁性金属膜４を形成しておく
とともに、さらにこの磁性金属膜４とＵ型フェライトコ
ア２の対向面との間に非磁性材であるギャップガラス５
（高融点）を介在させる。そして、このギャップガラス
５がデータの読み書き等を行う実質的なギャップ部とな
り、ギャップガラス５の幅がギャップ幅となる。さら
に、Ｉ型フェライトコア１とＵ型フェライトコア２のギ
ャップ３近傍部分を低融点ガラスからなるボンディング
ガラス６でもって接着一体化させるようになっている。
ライトコア１と、略コ字状のＵ型フェライトコア２とを
組合せてギャップ３を形成するのであるが、この時、Ｉ
型フェライトコア１のギャップ対向面にスパッタリング
等によって飽和密度の高い磁性金属膜４を形成しておく
とともに、さらにこの磁性金属膜４とＵ型フェライトコ
ア２の対向面との間に非磁性材であるギャップガラス５
（高融点）を介在させる。そして、このギャップガラス
５がデータの読み書き等を行う実質的なギャップ部とな
り、ギャップガラス５の幅がギャップ幅となる。さら
に、Ｉ型フェライトコア１とＵ型フェライトコア２のギ
ャップ３近傍部分を低融点ガラスからなるボンディング
ガラス６でもって接着一体化させるようになっている。
なお、磁性金属膜４としては、一般にセンダスト（Fe
−Al−Si）が用いられる。
−Al−Si）が用いられる。
《発明が解決しようとする課題》 しかしながら、上記した従来の磁気ヘッドでは、ボン
ディングガラス６にて両フェライトコア1,2を接着する
際に、低融点ガラスを溶融しなければならず、その際に
生じる熱によりＩ型フェライトコア１と磁性金属膜４間
で界面反応を生じ、その部分に非磁性材層（約400〜600
Å）が形成されてしまう。すると、ギャップ３内には磁
性金属膜４を挟んでその両側に非磁性材部が位置される
ことになり、これら両非磁性材部がギャップ（性能の大
小は問わず）としての機能を有してしまう。
ディングガラス６にて両フェライトコア1,2を接着する
際に、低融点ガラスを溶融しなければならず、その際に
生じる熱によりＩ型フェライトコア１と磁性金属膜４間
で界面反応を生じ、その部分に非磁性材層（約400〜600
Å）が形成されてしまう。すると、ギャップ３内には磁
性金属膜４を挟んでその両側に非磁性材部が位置される
ことになり、これら両非磁性材部がギャップ（性能の大
小は問わず）としての機能を有してしまう。
その結果、第５図に示すように磁気ヘッドと記憶媒体
の相対的移動に対する出力電圧の変化が綺麗な波形とな
らず、歪みを生じてしまうという問題を有する（疑似ギ
ャップの発生）。そして、この歪みは上記したＩ型フェ
ライトコア１と磁性金属膜４との間に生じ非磁性材層の
存在が原因である。
の相対的移動に対する出力電圧の変化が綺麗な波形とな
らず、歪みを生じてしまうという問題を有する（疑似ギ
ャップの発生）。そして、この歪みは上記したＩ型フェ
ライトコア１と磁性金属膜４との間に生じ非磁性材層の
存在が原因である。
この発明は上記した背景に鑑みてなされたもので、そ
の目的とするところは、疑似ギャップの発生を低減する
ことのできる磁気ヘッドを提供することにある。
の目的とするところは、疑似ギャップの発生を低減する
ことのできる磁気ヘッドを提供することにある。
《課題を解決するための手段》 上記した目的を達成するため、本発明に係る磁気ヘッ
ドでは、２つのフェライトコアを組合せたギャップをボ
ンディングガラスで接合するとともに、該ギャップ内に
磁性金属膜を備えた磁気ヘッドにおいて、該磁性金属膜
と該フェライトコアと間に厚さ約75〜150ÅのSi薄膜層
を配設した。
ドでは、２つのフェライトコアを組合せたギャップをボ
ンディングガラスで接合するとともに、該ギャップ内に
磁性金属膜を備えた磁気ヘッドにおいて、該磁性金属膜
と該フェライトコアと間に厚さ約75〜150ÅのSi薄膜層
を配設した。
《作 用》 本発明では、磁性金属膜とフェライトコアとの間に厚
さ約75〜150ÅのSi薄膜層を配設したため、２つのフェ
ライトコアをボンディングガラスにて接合するときに発
生する熱によりSi薄膜層中の一部のSiがフェライトと反
応し、SiO2となる。しかし、Si薄膜層は、その薄厚が薄
いため磁性金属膜とフェライトコアとの間に形成される
非磁性部も薄く、しかもSiはAlに比較して酸化エネルギ
が小さいため形成される非磁性部が薄くなり、疑似ギャ
ップの発生も実用上問題のない程度におさえることがで
きる。
さ約75〜150ÅのSi薄膜層を配設したため、２つのフェ
ライトコアをボンディングガラスにて接合するときに発
生する熱によりSi薄膜層中の一部のSiがフェライトと反
応し、SiO2となる。しかし、Si薄膜層は、その薄厚が薄
いため磁性金属膜とフェライトコアとの間に形成される
非磁性部も薄く、しかもSiはAlに比較して酸化エネルギ
が小さいため形成される非磁性部が薄くなり、疑似ギャ
ップの発生も実用上問題のない程度におさえることがで
きる。
また、上記Si薄膜層の存在により磁性金属膜の酸化反
応が防止される。
応が防止される。
《実 施 例》 以下、本発明の好適な実施例について添付図面を参照
にして説明する。
にして説明する。
第１図は本発明の一実施例を示す要部拡大図である。
同図に示すように、基本的には従来と同様に、Ｉ型フェ
ライトコア１とＵ型フェライトコア２との対向面間に形
成されるギャップ３部分に磁性金属膜４とギャップガラ
ス５とを介装さている。そして、本実施例では、磁性金
属膜４としてセンダストを用いている。
同図に示すように、基本的には従来と同様に、Ｉ型フェ
ライトコア１とＵ型フェライトコア２との対向面間に形
成されるギャップ３部分に磁性金属膜４とギャップガラ
ス５とを介装さている。そして、本実施例では、磁性金
属膜４としてセンダストを用いている。
ここで本発明では、上記磁性金属膜４と、Ｉ型フェラ
イトコア１との間にSi薄膜層７を介設している。そし
て、このSi薄膜層７は、約75〜150Åとし、好ましくは1
00Åとすることである。
イトコア１との間にSi薄膜層７を介設している。そし
て、このSi薄膜層７は、約75〜150Åとし、好ましくは1
00Åとすることである。
第２図はSi薄膜層７の膜厚に対する疑似ギャップの出
力の関係を示すグラフである。同図から明らかなように
膜厚が約100Åのときに、発生する疑似ギャップの量を
最小におさえることができ、Si薄膜層７の膜厚が増加
（減少）するにしたがって増加する。そして、膜厚が75
〜150Åの時の疑似ギャップ出力は、膜厚が50Å及び200
Åの時の疑似ギャップ出力の約半分以下におさえられて
好ましいことがわかる。膜厚が増加するに従って疑似ギ
ャップが増えるのはSi薄膜層７自体が非磁性材だからで
ある。逆に膜厚が減少するに従って疑似ギャップが増え
るのは、Si薄膜層７が薄くなりすぎ磁性金属膜４とＩ型
フェライトコア１との間で生じる界面反応を抑制しきれ
なくなるからである。
力の関係を示すグラフである。同図から明らかなように
膜厚が約100Åのときに、発生する疑似ギャップの量を
最小におさえることができ、Si薄膜層７の膜厚が増加
（減少）するにしたがって増加する。そして、膜厚が75
〜150Åの時の疑似ギャップ出力は、膜厚が50Å及び200
Åの時の疑似ギャップ出力の約半分以下におさえられて
好ましいことがわかる。膜厚が増加するに従って疑似ギ
ャップが増えるのはSi薄膜層７自体が非磁性材だからで
ある。逆に膜厚が減少するに従って疑似ギャップが増え
るのは、Si薄膜層７が薄くなりすぎ磁性金属膜４とＩ型
フェライトコア１との間で生じる界面反応を抑制しきれ
なくなるからである。
なお、このSi薄膜層７を形成するには、例えば、Ｉ型
フェライトコア１の表面にスパッタリング等にて形成す
ればよい。そして、以後、通常の工程に従って、磁気ヘ
ッドを製造する。
フェライトコア１の表面にスパッタリング等にて形成す
ればよい。そして、以後、通常の工程に従って、磁気ヘ
ッドを製造する。
《発明の効果》 以上のように本発明に係る磁気ヘッドによれば、一方
のフェライトコアと磁性金属膜との間に厚さ約75〜150
ÅのSi薄膜層を介装させたため、２つのフェライトコア
を接合する際に用いるボンディングガラスの溶融時に生
じる熱によっても上記磁性金属膜の酸化反応を抑制する
ことができる。そして、フェライトコアと磁性金属膜と
の間に形成される疑似ギャツプは、ほぼSi薄膜層の幅に
相当するだけであるので、第３図に示すように磁気ヘッ
ドの出力波形はほとんど実用上問題のない程度になだら
かなものとなる。
のフェライトコアと磁性金属膜との間に厚さ約75〜150
ÅのSi薄膜層を介装させたため、２つのフェライトコア
を接合する際に用いるボンディングガラスの溶融時に生
じる熱によっても上記磁性金属膜の酸化反応を抑制する
ことができる。そして、フェライトコアと磁性金属膜と
の間に形成される疑似ギャツプは、ほぼSi薄膜層の幅に
相当するだけであるので、第３図に示すように磁気ヘッ
ドの出力波形はほとんど実用上問題のない程度になだら
かなものとなる。
第１図は本発明に係る磁気ヘッドの好適な一実施例を示
す要部拡大図、第２図はSi薄膜層の膜厚に対する疑似ギ
ャップの発生量の関係を示すグラフ、第３図は磁気ヘッ
ドの特性を示すグラフ、第４図は従来の磁気ヘッドを示
す図、第５図は従来の磁気ヘッドの特性を示すグラフで
ある。 １……Ｉ型フェライトコア ２……Ｕ型フェライトコア ３……ギャップ、４……磁性金属膜 ５……ギャップガラス、６……ボンディングガラス ７……Si薄膜層
す要部拡大図、第２図はSi薄膜層の膜厚に対する疑似ギ
ャップの発生量の関係を示すグラフ、第３図は磁気ヘッ
ドの特性を示すグラフ、第４図は従来の磁気ヘッドを示
す図、第５図は従来の磁気ヘッドの特性を示すグラフで
ある。 １……Ｉ型フェライトコア ２……Ｕ型フェライトコア ３……ギャップ、４……磁性金属膜 ５……ギャップガラス、６……ボンディングガラス ７……Si薄膜層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 望月 広文 東京都港区新橋５丁目36番11号 富士電 気化学株式会社内 (56)参考文献 特開 昭64−1109（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−173306（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G11B 5/23,5/133
Claims (1)
- 【請求項１】２つのフェライトコアを組合せたギャップ
をボンディングガラスで接合するとともに、該ギャップ
内に磁性金属膜を備えた磁気ヘッドにおいて、該磁性金
属膜と該フェライトコアと間に厚さ約75〜150ÅのSi薄
膜層を配設してなることを特徴とする磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6915989A JP2849397B2 (ja) | 1989-03-23 | 1989-03-23 | 磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6915989A JP2849397B2 (ja) | 1989-03-23 | 1989-03-23 | 磁気ヘッド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02249111A JPH02249111A (ja) | 1990-10-04 |
| JP2849397B2 true JP2849397B2 (ja) | 1999-01-20 |
Family
ID=13394636
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6915989A Expired - Lifetime JP2849397B2 (ja) | 1989-03-23 | 1989-03-23 | 磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2849397B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04163705A (ja) * | 1990-10-29 | 1992-06-09 | Fuji Elelctrochem Co Ltd | 磁気ヘッド |
-
1989
- 1989-03-23 JP JP6915989A patent/JP2849397B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02249111A (ja) | 1990-10-04 |
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