JP2846804B2 - Hybrid integrated circuit device - Google Patents

Hybrid integrated circuit device

Info

Publication number
JP2846804B2
JP2846804B2 JP29333093A JP29333093A JP2846804B2 JP 2846804 B2 JP2846804 B2 JP 2846804B2 JP 29333093 A JP29333093 A JP 29333093A JP 29333093 A JP29333093 A JP 29333093A JP 2846804 B2 JP2846804 B2 JP 2846804B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resin
substrate
lead
corner
leads
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP29333093A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPH07147343A (en
Inventor
秀史 西塔
則明 坂本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sanyo Denki Co Ltd
Original Assignee
Sanyo Denki Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sanyo Denki Co Ltd filed Critical Sanyo Denki Co Ltd
Priority to JP29333093A priority Critical patent/JP2846804B2/en
Publication of JPH07147343A publication Critical patent/JPH07147343A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP2846804B2 publication Critical patent/JP2846804B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Structure Of Printed Boards (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、混成集積回路装置に関
し、特にリードを樹脂で被覆する際、L字型リードの角
部が露出するのを防止する構造に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a hybrid integrated circuit device, and more particularly to a structure for preventing a corner of an L-shaped lead from being exposed when the lead is covered with a resin.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、混成集積回路は、ディスクリート
Trのようにトランスファーモールドで一体形成するも
のと、複数の要素を使ってケースを構成し、この中に、
または前記ケースの一要素となって、本体であるハイブ
リット基板を実装し、このケースの中に樹脂を注入して
一体となるものとがある。
2. Description of the Related Art Conventionally, a hybrid integrated circuit has a case using a plurality of elements integrally formed by transfer molding, such as a discrete Tr, and includes:
Alternatively, there is a case where a hybrid substrate as a main body is mounted as one element of the case, and a resin is injected into the case to be integrated.

【0003】特に本発明は、後者であり、例えば特願平
5−143730号や実公昭62−9730号公報、特
願昭63−291449号がある 図2及び図4はその一例であり、図2は、リードと封止
樹脂の位置関係を説明したものであり、このリードと樹
脂を省略したときの樹脂注入空間を説明したものが図4
である。例えば絶縁性基板(1)に半導体チップ(図面
では省略する)が実装され、更にリード(2)が外部に
延在されている。また一体形成物または複数の要素で一
体となる枠体(3)およびこれと嵌合した前記絶縁性基
板(1)で、図面では上側だけ解放されたケースを構成
し、ここの解放部を介して樹脂(4)が注入されて混成
集積回路装置が構成されている。また解放部に、金属性
基板や絶縁性基板の蓋が設けられ、それにチップ等が実
装されていてもよい。
[0003] In particular, the present invention is the latter, for example, Japanese Patent Application No. 5-143730, Japanese Utility Model Application Publication No. Sho 62-9730, and Japanese Patent Application No. 63-291449. FIG. 2 illustrates the positional relationship between the lead and the sealing resin. FIG. 4 illustrates the resin injection space when the lead and the resin are omitted.
It is. For example, a semiconductor chip (omitted in the drawings) is mounted on an insulating substrate (1), and leads (2) are extended outside. In addition, the frame (3) integrated with an integrally formed article or a plurality of elements and the insulating substrate (1) fitted with the frame form a case opened only at the upper side in the drawing, and the case is opened through the release portion. The resin (4) is injected to form a hybrid integrated circuit device. Further, a cover of a metal substrate or an insulating substrate may be provided in the release portion, and a chip or the like may be mounted on the cover.

【0004】ここで前記絶縁性基板(1)は、例えば表
面を陽極酸化して絶縁処理されたAl基板で、(5)
は、エポキシ樹脂であり、この樹脂の接着性を利用して
その表面にCuの導電パターン(6)が形成されてい
る。この混成集積回路装置のリード(2)は、図2から
も判るとおり、リードの支持部材(7)、(8)で支持
され、この隙間のほぼ中央に配置され、角部(9)を介
してリード接続部(10)に下がっている。
Here, the insulating substrate (1) is, for example, an Al substrate whose surface is anodically oxidized and insulated, and (5)
Is an epoxy resin, and a conductive pattern (6) of Cu is formed on the surface thereof by utilizing the adhesiveness of the resin. As can be seen from FIG. 2, the lead (2) of this hybrid integrated circuit device is supported by lead supporting members (7) and (8), is disposed substantially at the center of this gap, and is provided through a corner (9). To the lead connection (10).

【0005】図2は、放熱性やシャーシーとの取りつけ
による絶縁破壊を考慮して、絶縁性基板(1)の下層に
更にこのAl基板より成る基板(11)を,熱的に結合
するように貼り合わせ、この基板(11)が樹脂の注入
空間を構成する一要素(底面)となっている。
FIG. 2 shows a substrate (11) made of an Al substrate which is further thermally connected to the lower layer of the insulating substrate (1) in consideration of heat dissipation and dielectric breakdown due to attachment to a chassis. The substrate (11) serves as one element (bottom surface) of the resin injection space.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】図4に示すように、解
放部である上方から樹脂が注入され、前記リード支持部
材(7)、(8)の間に隙間を有するために、上方の支
持部材(7)の底面の高さ程度に樹脂の表面がなる。樹
脂は、最初は流動性があり硬化されるが、その際、収縮
しリードの角部(9)を露出させたり、露出させなくと
もこの角部の部分は薄くしか載らず、特に上方がオープ
ンであるとここには外部からゴミ等が付着しリード間の
短絡を誘発する問題があった。
As shown in FIG. 4, resin is injected from above, which is a release portion, and a gap is provided between the lead support members (7) and (8). The surface of the resin is about the height of the bottom surface of the member (7). At first, the resin is fluid and hardened. At this time, the corner (9) of the lead is exposed, and even if it is not exposed, the corner is only thinly placed, and especially the upper part is open. In this case, there is a problem in that dust or the like adheres from the outside to cause a short circuit between the leads.

【0007】この問題は、例えば図3の1枚基板がケー
スの底面となる構成でも同様の問題が生じていた。
[0007] The same problem has occurred in, for example, the configuration in which one substrate in FIG. 3 is the bottom surface of the case.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】本発明は、前述の問題点
に鑑みて成され、リード(56)の延在方向と直行する
前記上方の支持部材(70)の内側面を、このリード
(56)の角部と位置を同じにするかまたは更に内側に
配置することで解決するものである。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-mentioned problems, and has an advantage in that the inner surface of the upper support member (70), which is perpendicular to the direction in which the lead (56) extends, is connected to the lead ( The problem can be solved by making the corner and the position of 56) the same or disposing them further inside.

【0009】[0009]

【作用】図1では、上の支持部材(70)の右のコーナ
ーが、リード(56)の角部より右側(内側)に配置さ
れ、またリード(56)と支持部材の間には若干の隙間
を有し、またこの右のコーナーが注入樹脂の表面とほぼ
一致する。従って樹脂硬化の時に生ずる収縮が起こって
も、リード(56)の角部上には、従来よりも厚く樹脂
が配置される。
In FIG. 1, the right corner of the upper support member (70) is located on the right side (inside) of the corner of the lead (56), and there is a slight distance between the lead (56) and the support member. There is a gap, and this right corner almost coincides with the surface of the injected resin. Therefore, even if shrinkage occurs at the time of resin curing, the resin is disposed thicker on the corners of the leads (56) than before.

【0010】[0010]

【実施例】以下に本発明の実施例を図1及び図4を参照
しながら説明する。図1は、本願ポイントである樹脂注
入空間を説明する断面図であり、図2は混成集積回路が
どのようなパーツで樹脂注入空間を構成するか説明する
ための斜視図である。また本願は、基板が2枚(5
0)、(51)で成るが、1枚(50)でも複数枚でも
可能であり、これに関しては第3図を使って後述する。
まずここでは2枚基板で説明してゆく。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS. FIG. 1 is a cross-sectional view for explaining a resin injection space, which is a point of the present application, and FIG. 2 is a perspective view for explaining what parts the hybrid integrated circuit forms the resin injection space. Also, in the present application, two substrates (5
0) and (51), but one (50) or a plurality of sheets are possible, which will be described later with reference to FIG.
First, a description will be given using two substrates.

【0011】まず絶縁処理した第1の基板(50)は、
表面に導電路(52)が形成され、図面では省略する
が、この上に半導体チップ等が固着されている。ここで
第1の基板は、セラミック基板、絶縁樹脂基板例えばプ
リント基板または表面を絶縁処理した金属基板でもよ
い。ここではAl基板の表面を陽極酸化した金属基板を
採用し、導電路(52)の接着のために、エポキシ系の
樹脂層(53)を被着している。(54)は、酸化アル
ミニウムである。
First, the first substrate (50) subjected to the insulation treatment is:
A conductive path (52) is formed on the surface, and a semiconductor chip or the like is fixed thereon, though not shown in the drawing. Here, the first substrate may be a ceramic substrate, an insulating resin substrate, for example, a printed substrate, or a metal substrate whose surface is insulated. Here, a metal substrate obtained by anodizing the surface of an Al substrate is employed, and an epoxy resin layer (53) is applied for bonding the conductive path (52). (54) is aluminum oxide.

【0012】当然半導体チップは、トランジスタチップ
やLSIチップであり、その他に抵抗、コンデンサ等の
部品も実装され、必要によってはワイヤーボンドされ所
定の回路が達成されている。またこの第1の基板(5
0)の少なくとも一側辺には、前記回路から延在された
リード接続端子(55)が複数個配列され、これらとリ
ード(56)が電気的に接続されている。ここでは接続
端子がCuで構成されているため半田等で固着されてい
る。またこのリード(56)は、接続の都合上、L字型
になって、ケース側面のほぼ中央に配置される。
Naturally, the semiconductor chip is a transistor chip or an LSI chip. In addition, components such as a resistor and a capacitor are mounted, and if necessary, a predetermined circuit is achieved by wire bonding. In addition, the first substrate (5
On at least one side of 0), a plurality of lead connection terminals (55) extending from the circuit are arranged, and these are electrically connected to the leads (56). Here, since the connection terminal is made of Cu, it is fixed by solder or the like. The lead (56) is formed in an L shape for convenience of connection, and is disposed substantially at the center of the side surface of the case.

【0013】前記第1の絶縁性基板(50)の下層に
は、放熱性やシャーシーとの取りつけによる絶縁破壊を
考慮して、この基板(50)よりもサイズの大きい第2
の基板(51)が接着されている。つまり回路によって
は、半導体チップに大電流が流れ、これにより発生する
熱を外部に放出するために金属基板を採用している。ま
た基板(50)を直接シャーシーに取りつけた際、基板
(50)を介して大電圧が印加されて内部の半導体チッ
プ等が破壊する問題があり、そのため本願は、Al基板
を陽極酸化して絶縁処理し、第1の基板同様にポリイミ
ド樹脂を被着したものを第2の基板(51)としてい
る。これは、第1の基板(50)のアース配線と第1の
基板(50)の間に絶縁膜がサンドイッチされており、
寄生容量が発生するため、エッチング等でAl基板を露
出させ、基板とアース配線を同電位として容量を無くし
ているが、シャーシにノイズが加わると基板(50)、
アース配線を介して半導体チップ等にノイズがのるため
である。
The lower layer of the first insulating substrate (50) has a second size larger than that of the substrate (50) in consideration of heat dissipation and dielectric breakdown due to attachment to a chassis.
Substrate (51) is adhered. That is, depending on the circuit, a large current flows through the semiconductor chip, and a metal substrate is employed to release the heat generated thereby to the outside. Further, when the substrate (50) is directly attached to the chassis, there is a problem that a large voltage is applied through the substrate (50) and the internal semiconductor chip or the like is destroyed. The second substrate (51) is treated and coated with a polyimide resin like the first substrate. This is because an insulating film is sandwiched between the ground wiring of the first substrate (50) and the first substrate (50),
Since the parasitic capacitance is generated, the Al substrate is exposed by etching or the like, and the substrate and the ground wiring are set to the same potential to eliminate the capacitance. However, when noise is added to the chassis, the substrate (50)
This is because noise is accumulated on the semiconductor chip and the like via the ground wiring.

【0014】次に樹脂モールドするための枠体(3)を
説明する。図4からも判るように主に半導体チップが搭
載されている全領域、または図1の一点鎖線で示した区
画壁(60)を枠体(3)に設け、半導体チップ等が搭
載された回路領域およびリードが固着されている領域の
2領域に樹脂が充填される。そのため、前記枠体(3)
は、側壁(61)、(62)、(63)で樹脂注入空間
を作っている。また2注入空間を分割する区画壁(6
0)は、側壁(61)、(63)を結んでなり、側壁
(61)から伸びる様子を一部分示しておいた。
Next, the frame (3) for resin molding will be described. As can be seen from FIG. 4, the entire area where the semiconductor chip is mounted, or the partition wall (60) shown by the dashed line in FIG. The resin is filled into two regions, the region and the region where the leads are fixed. Therefore, the frame (3)
Forms a resin injection space by the side walls (61), (62) and (63). In addition, the partition wall (6
0) partially connects the side walls (61) and (63) and extends from the side wall (61).

【0015】またこの区画壁(61)が設けられても、
設けられなくとも、支持部材(70)、(71)が手前
の側壁となり、注入空間が形成される。図1では、区画
壁(60)は、半導体チップの搭載領域とリードの固着
領域を分離するものであり、第1の基板(50)と当接
しており、この2領域に上方からエポキシエチレン等の
樹脂が注入できる。
[0015] Even if the partition wall (61) is provided,
Even if it is not provided, the support members (70) and (71) become the side walls on the near side, and the injection space is formed. In FIG. 1, the partition wall (60) separates the mounting region of the semiconductor chip from the fixing region of the lead, and is in contact with the first substrate (50). Resin can be injected.

【0016】一方、リードの固着領域上の空間は、基板
(50)、(51)、区画壁(60)、側壁(61)、
(63)および支持リード部材(70)、(71)で構
成されている。ここではリード支持部材(70)は、枠
体(3)と一体形成されており、基板(50)を枠体
(3)に嵌合させる際の取り付け易さから支持部材(7
1)は、別体となっている。しかし支持部材(70)
は、(71)と同様に一体であってもよい。従って図1
のハッチング領域の空間が構成される。
On the other hand, the space above the lead fixing area is composed of the substrates (50) and (51), the partition wall (60), the side wall (61),
(63) and support lead members (70), (71). Here, the lead support member (70) is formed integrally with the frame (3), and the support member (7) is easily attached when the substrate (50) is fitted to the frame (3).
1) is separate. But the support member (70)
May be integrated as in (71). Therefore, FIG.
Is formed in the hatched area.

【0017】本発明の特徴は、このリード固着領域の空
間にあり、図1において、支持部材(70)の右側辺を
右側にずらしたことにある。樹脂注入ノズルからこの空
間に樹脂を注入すると、樹脂は、支持部材(70)、
(71)とリード(56)の隙間を通って若干外部へ押
し出されるが、樹脂は支持部材(70)の底面(72)
の高さ程度まで樹脂が注入される。ここでノズルからの
樹脂注入圧力がある程度高くとも、注入口がオープンで
あるためにほぼ大気圧で注入されることになる。支持部
材の底面(72)およびそのコーナーから区画壁(6
0)まで延在される樹脂の表面は、表面張力により凸状
またはほぼ平らな状態で止まる。従って樹脂の界面は、
固着過程で自重により下方へ力が加わり、または収縮に
よりCで示すように凹状に凹みを有した面を成す。しか
し支持部材(70)の内側の側面が、リード(56)の
コーナー部よりも内側に配置されるために、このコーナ
ー部が露出することがない。従ってリード(56)は、
完全に樹脂で覆われることになるので、上から導電性の
ゴミ等が付着してもリード間が短絡することはない。ま
た支持部材(70)の左側辺を内側にずらすと、その分
支持部材(71)の左側面が外側に出るために、流出す
る樹脂の受け皿となり、樹脂垂れが防止できる。
A feature of the present invention is that the right side of the support member (70) is shifted to the right in FIG. When the resin is injected into this space from the resin injection nozzle, the resin becomes a support member (70),
The resin is slightly pushed out through a gap between the lead (56) and the lead (56).
The resin is injected to a height of about. Here, even if the resin injection pressure from the nozzle is high to some extent, the injection is substantially at atmospheric pressure because the injection port is open. From the bottom surface (72) of the support member and its corners, the partition wall (6)
The surface of the resin extending to 0) stops in a convex or almost flat state due to surface tension. Therefore, the resin interface is
A force is applied downward by its own weight during the fixing process, or a surface having a concave shape as shown by C is formed by contraction. However, since the inner side surface of the support member (70) is disposed inside the corner of the lead (56), the corner is not exposed. Therefore, the lead (56)
Since it is completely covered with the resin, even if conductive dust or the like adheres from above, there is no short circuit between the leads. Further, when the left side of the support member (70) is shifted inward, the left side surface of the support member (71) protrudes outward by that amount, so that it becomes a tray for the resin that flows out, and resin dripping can be prevented.

【0018】本構造は、本実施例の2枚基板以外も適用
できるものであり、またリードはファストン端子である
が他のリードでも適用できるものである。次に1枚基板
構造の場合について簡単に説明する。この1枚基板構造
は図3がその1例であり、リード(56)の上下に図1
の支持部材を設け、上の支持部材(70)の右側面を内
側にずらすことで解決される。
This structure can be applied to other than the two-substrate of the present embodiment. The lead is a faston terminal, but can be applied to other leads. Next, the case of a single substrate structure will be briefly described. FIG. 3 shows an example of the single-substrate structure.
The problem is solved by providing the supporting member of the above and shifting the right side surface of the upper supporting member (70) inward.

【0019】また前実施例に戻るが、図2のように区画
壁(60)を省略して、全体を一空間の注入領域として
も凹面Cの凹み方が大きくなるものの、同様の効果を生
ずる。
Returning to the previous embodiment, as shown in FIG. 2, even though the partition wall (60) is omitted and the whole is an injection region of one space, the concave surface C becomes more concave, but the same effect is produced. .

【0020】[0020]

【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、注入
された樹脂は、大気圧や自重により凹むが、上の支持部
材の内側側面をリードのコーナー部より内側に設けるこ
とで、樹脂の表面はこの内側側面のコーナー部から延在
してゆくため、特にリードのコーナー部の上部には、必
ず樹脂が設けられる構造となり、リードの露出を防止で
きる。従って、樹脂の注入にゴミ等が付着してもリード
間の短絡を防止できる。
As is clear from the above description, the injected resin is depressed by the atmospheric pressure or its own weight, but by providing the inner side surface of the upper supporting member inside the corner of the lead, Since the surface extends from the corner portion of the inner side surface, a resin is always provided above the corner portion of the lead, so that exposure of the lead can be prevented. Therefore, even if dust or the like adheres to the resin injection, a short circuit between the leads can be prevented.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施例を説明する断面図である。FIG. 1 is a sectional view illustrating an embodiment of the present invention.

【図2】従来の構造を説明する断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating a conventional structure.

【図3】本発明の1枚基板構造を説明する断面図であ
る。
FIG. 3 is a cross-sectional view illustrating a single-substrate structure according to the present invention.

【図4】樹脂注入空間を形成する枠体の斜視図である。FIG. 4 is a perspective view of a frame forming a resin injection space.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

3 枠体 50 第1の基板 51 第2の基板 56 リード 60 区画壁 70 支持部材 71 支持部材 C 樹脂界面 3 Frame 50 First substrate 51 Second substrate 56 Lead 60 Partition wall 70 Support member 71 Support member C Resin interface

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) H01L 23/00 - 23/26 H01L 23/28 - 23/30 H01L 21/56 H01L 23/50 H05K 1/02──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (58) Field surveyed (Int.Cl. 6 , DB name) H01L 23/00-23/26 H01L 23/28-23/30 H01L 21/56 H01L 23/50 H05K 1 / 02

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 半導体チップが固着された基板の側辺か
ら外側に延在され、L字型状でこの角部から下方の固着
部で接続される複数のリードと、この複数のリードを上
方および下方から支持する支持部材と、この支持部材が
樹脂注入空間の一部となり、この空間に注入された樹脂
とを少なくとも有する混成集積回路装置に於て、 前記リードの延在方向と直行する前記上方の支持部材の
内側面は、このリードの角部と位置を同じにするかまた
は更に内側に配置されることを特徴とした混成集積回路
装置。
1. A plurality of leads extending outward from the sides of a substrate to which a semiconductor chip is fixed and connected in an L-shape at a lower fixing portion from the corner, and the plurality of leads are connected to an upper portion. And a support member for supporting the resin from below, and the support member becomes a part of a resin injection space, and at least the resin injected into the space. A hybrid integrated circuit device, wherein the inner side surface of the upper supporting member is located at the same position as the corner of the lead or further inside.
【請求項2】 半導体チップが固着された基板の側辺か
ら外側に延在され、L字型状でこの角部から下方の固着
部で接続される複数のリードと、この複数のリードを上
方および下方から支持する支持部材と、この支持部材と
嵌合し前記基板と当接して樹脂注入空間を構成する枠体
と、この空間に注入された樹脂とを少なくとも有する混
成集積回路装置に於て、 前記リードの延在方向と直行する前記上方の支持部材の
内側面は、このリードの角部と位置を同じにするかまた
は更に内側に配置され、前記樹脂は、この内側面下端の
角部と前記枠体とを介し、表面張力によりその表面が前
記リードの角部を完全に覆うことを特徴とした混成集積
回路装置。
2. A plurality of leads extending outward from the side of the substrate to which the semiconductor chip is fixed and connected in an L-shape to a lower fixing portion from the corner, and the plurality of leads are moved upward. And a supporting member for supporting the resin from below, a frame body fitted with the supporting member and in contact with the substrate to form a resin injection space, and a resin injected into the space. The inner surface of the upper support member, which is orthogonal to the extending direction of the lead, is positioned at the same position as the corner of the lead or further inside, and the resin is formed at the lower end of the inner surface. A hybrid integrated circuit device, characterized in that the surface thereof completely covers the corners of the leads by surface tension via the frame and the frame.
JP29333093A 1993-11-24 1993-11-24 Hybrid integrated circuit device Expired - Lifetime JP2846804B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP29333093A JP2846804B2 (en) 1993-11-24 1993-11-24 Hybrid integrated circuit device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP29333093A JP2846804B2 (en) 1993-11-24 1993-11-24 Hybrid integrated circuit device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH07147343A JPH07147343A (en) 1995-06-06
JP2846804B2 true JP2846804B2 (en) 1999-01-13

Family

ID=17793429

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP29333093A Expired - Lifetime JP2846804B2 (en) 1993-11-24 1993-11-24 Hybrid integrated circuit device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2846804B2 (en)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4549171B2 (en) * 2004-08-31 2010-09-22 三洋電機株式会社 Hybrid integrated circuit device

Also Published As

Publication number Publication date
JPH07147343A (en) 1995-06-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP1143514B1 (en) Resin-sealed power semiconductor device including substrate with all electronic components for control circuit mounted thereon
JP2848068B2 (en) Semiconductor device
JPH03108744A (en) Resin-sealed semiconductor device
KR19990006272A (en) Semiconductor package and semiconductor module using same
JP2846804B2 (en) Hybrid integrated circuit device
JP2883526B2 (en) Hybrid integrated circuit device
JP2524482B2 (en) QFP structure semiconductor device
JP2999930B2 (en) Hybrid integrated circuit device and method of manufacturing the same
JP3036256B2 (en) Semiconductor device
JP2925935B2 (en) Hybrid integrated circuit device
JP2541532B2 (en) Semiconductor module
JP3754197B2 (en) Hybrid integrated circuit device
JP3123917B2 (en) Hybrid integrated circuit device
JPH0864722A (en) Hybrid integrated circuit device
JP2904154B2 (en) Electronic circuit device including semiconductor element
JP2515693Y2 (en) Semiconductor module
JPH06112406A (en) Semiconductor integrated circuit
JP4330293B2 (en) Power semiconductor device
JPH083012Y2 (en) Package for storing electronic components
JP3248117B2 (en) Semiconductor device
JP2544272Y2 (en) Hybrid integrated circuit
JPH05109974A (en) Capacitor composite ic chip
JP3172437B2 (en) Hybrid integrated circuit device
JP3704745B2 (en) Hybrid integrated circuit device
JPH05211279A (en) Hybrid integrated circuit

Legal Events

Date Code Title Description
FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Year of fee payment: 9

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071030

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Year of fee payment: 10

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081030

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081030

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091030

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Year of fee payment: 12

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101030

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101030

Year of fee payment: 12

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111030

Year of fee payment: 13

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111030

Year of fee payment: 13

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121030

Year of fee payment: 14

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121030

Year of fee payment: 14

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Year of fee payment: 15

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131030

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

EXPY Cancellation because of completion of term