JP2845064B2 - 化合物半導体の気相成長方法及び気相成長装置 - Google Patents
化合物半導体の気相成長方法及び気相成長装置Info
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- JP2845064B2 JP2845064B2 JP32388292A JP32388292A JP2845064B2 JP 2845064 B2 JP2845064 B2 JP 2845064B2 JP 32388292 A JP32388292 A JP 32388292A JP 32388292 A JP32388292 A JP 32388292A JP 2845064 B2 JP2845064 B2 JP 2845064B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は化合物半導体の気相成長
方法及び気相成長装置に関し、特に３−５族化合物半導
体、例えばＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＩｎＧａＡｓ等の気相成
長方法及びこれに使用する気相成長装置に関するもので
ある。
方法及び気相成長装置に関し、特に３−５族化合物半導
体、例えばＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＩｎＧａＡｓ等の気相成
長方法及びこれに使用する気相成長装置に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】近年化合物半導体を用いた長波長帯通信
用受光素子、例えばアバランシェフォトダイオード（Ａ
ＰＤ）やＰＩＮフォトダイオードの需要が増加してい
る。アバランシェフォトダイオードはＮ+ ＩｎＰ基板上
に成長させた多層構造のヘテロエピタキシャル層に形成
されるが、このエピタキシシャル層を成長させるために
は一般にハイドライド法による気相成長方法が用いられ
ている。
用受光素子、例えばアバランシェフォトダイオード（Ａ
ＰＤ）やＰＩＮフォトダイオードの需要が増加してい
る。アバランシェフォトダイオードはＮ+ ＩｎＰ基板上
に成長させた多層構造のヘテロエピタキシャル層に形成
されるが、このエピタキシシャル層を成長させるために
は一般にハイドライド法による気相成長方法が用いられ
ている。
【０００３】図４に従来のハイドライド法による気相成
長に用いられている気相成長装置を示す。図４において
４０１は成長炉、４０２は反応管、４０３は３族原料、
４０４は基板ホルダー、４０５は基板、４０６は３族原
料輸送ガス供給管、４０７は５族原料ガス供給管、４０
８はドーピングガス供給管、４０９はガスディフューザ
ー、４１０は上部反応室、４１１は下部反応室である。
長に用いられている気相成長装置を示す。図４において
４０１は成長炉、４０２は反応管、４０３は３族原料、
４０４は基板ホルダー、４０５は基板、４０６は３族原
料輸送ガス供給管、４０７は５族原料ガス供給管、４０
８はドーピングガス供給管、４０９はガスディフューザ
ー、４１０は上部反応室、４１１は下部反応室である。
【０００４】この方法は、成長炉４０１により加熱され
た反応管４０２内の高温領域に置かれた３族原料４０
３、たとえばＧａあるいはＩｎ上に、３族原料輸送ガス
供給管４０６より３族原料輸送ガスであるＨＣＩガスを
供給し、３族原料と反応せしめ、この反応生成ガスを３
族原料ガスとし、又、５族原料ガス供給管４０７より５
族成分の水素化合物例えばＡｓＨ3 、ＰＨ3 を供給して
５族原料ガスとし、多孔板を数枚組み合わせたガスディ
フューザー４０９を通して十分混合攪半した後、反応管
４０２内の低温領域に置かれた基板ホルダー４０４上の
基板４０５に輸送し、ここで反応させて所望のエピタキ
シャル層を成長させるものである。
た反応管４０２内の高温領域に置かれた３族原料４０
３、たとえばＧａあるいはＩｎ上に、３族原料輸送ガス
供給管４０６より３族原料輸送ガスであるＨＣＩガスを
供給し、３族原料と反応せしめ、この反応生成ガスを３
族原料ガスとし、又、５族原料ガス供給管４０７より５
族成分の水素化合物例えばＡｓＨ3 、ＰＨ3 を供給して
５族原料ガスとし、多孔板を数枚組み合わせたガスディ
フューザー４０９を通して十分混合攪半した後、反応管
４０２内の低温領域に置かれた基板ホルダー４０４上の
基板４０５に輸送し、ここで反応させて所望のエピタキ
シャル層を成長させるものである。
【０００５】なお基板ホルダー４０４は反応管４０２内
で回転し、反応管内の上部反応室４１０と下部反応室４
１１の前に位置することが出来るため、例えば上部反応
室４１０の３族原料としてＧａ及びＩｎ、５族原料ガス
としてＡｓＨ3 を、又、下部反応室４１１の３族原料と
してＩｎ、５族原料ガスとしてＰＨ3 を用い、まず基板
４０５を下部反応室４１１の前に位置させてＩｎＰ層を
成長させ、次に基板４０５を上部反応室４１０の前に移
動しＩｎＧａＡｓ層を成長させることによりＩｎＧａＡ
ｓ／ＩｎＰヘテロエピタキシャル層を成長させることが
できる。又、Ｎ型エピタキシャル層を成長させる際に
は、必要に応じてドーピングガス供給管４０８よりＳ
ｉ、Ｓ等のＮ型ドーパントを供給してエピタキシャル層
を成長させる。
で回転し、反応管内の上部反応室４１０と下部反応室４
１１の前に位置することが出来るため、例えば上部反応
室４１０の３族原料としてＧａ及びＩｎ、５族原料ガス
としてＡｓＨ3 を、又、下部反応室４１１の３族原料と
してＩｎ、５族原料ガスとしてＰＨ3 を用い、まず基板
４０５を下部反応室４１１の前に位置させてＩｎＰ層を
成長させ、次に基板４０５を上部反応室４１０の前に移
動しＩｎＧａＡｓ層を成長させることによりＩｎＧａＡ
ｓ／ＩｎＰヘテロエピタキシャル層を成長させることが
できる。又、Ｎ型エピタキシャル層を成長させる際に
は、必要に応じてドーピングガス供給管４０８よりＳ
ｉ、Ｓ等のＮ型ドーパントを供給してエピタキシャル層
を成長させる。
【０００６】さて、ＡＰＤやＰＩＮ−ＰＤでは光吸収層
としてＩｎＧａＡｓ層を用いているが、この層はデバイ
ス特性上高純度であることが要求され、Ｎ型不純物濃度
がＮ≦１×１０15ｃｍ-3であることが望ましい。
としてＩｎＧａＡｓ層を用いているが、この層はデバイ
ス特性上高純度であることが要求され、Ｎ型不純物濃度
がＮ≦１×１０15ｃｍ-3であることが望ましい。
【０００７】また、ＩｎＰバッファー層も同様にＮ≦１
×１０15ｃｍ-3の高純度であることが望ましい。
×１０15ｃｍ-3の高純度であることが望ましい。
【０００８】バックグラウンドレベルに影響を及ぼす不
純物は、反応管、ソースボード、ガスディフューザー、
各種ガス供給管、基本ホルダー等の反応系石英治工具か
らその主成分ＳｉＯ2 がＨＣＩ及びＧａ、Ｉｎと反応し
て発生するＳｉと、３族原料輸送ガスであるＨＣ１ガス
に含まれるＳ等の不純物であるが、このうち主なものは
反応系石英治工具から発生するＳｉである。
純物は、反応管、ソースボード、ガスディフューザー、
各種ガス供給管、基本ホルダー等の反応系石英治工具か
らその主成分ＳｉＯ2 がＨＣＩ及びＧａ、Ｉｎと反応し
て発生するＳｉと、３族原料輸送ガスであるＨＣ１ガス
に含まれるＳ等の不純物であるが、このうち主なものは
反応系石英治工具から発生するＳｉである。
【０００９】これに対して従来はＩｎＧａＡｓ層ＩｎＰ
層成長時に３族原料輸送ガス供給管４０６よりＯ2 ガス
を添加し反応系中のＳｉと反応せしめ、ＳｉＯ2 とし、
ＩｎＧａＡｓ層中への不純物Ｓｉの取り組みを低減して
いた。
層成長時に３族原料輸送ガス供給管４０６よりＯ2 ガス
を添加し反応系中のＳｉと反応せしめ、ＳｉＯ2 とし、
ＩｎＧａＡｓ層中への不純物Ｓｉの取り組みを低減して
いた。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＩｎＧ
ａＡｓ層、ＩｎＰ層成長中３族原料輸送ガス供給管から
Ｏ2 ガスを反応系中に添加しただけではＯ2 ガスと反応
管等の石英治工具から発生するＳｉとの反応が十分行わ
れず、従ってＩｎＰ層、ＩｎＧａＡｓ層へのＳｉの取り
込みを低減させ所望の純度の結晶を得ることは出来ず、
特に反応系洗浄直後などには反応管等石英治工具から遊
離するＳｉが増加するためにＮ≦１×１０15ｃｍ-3を達
成することが出来なかった。
ａＡｓ層、ＩｎＰ層成長中３族原料輸送ガス供給管から
Ｏ2 ガスを反応系中に添加しただけではＯ2 ガスと反応
管等の石英治工具から発生するＳｉとの反応が十分行わ
れず、従ってＩｎＰ層、ＩｎＧａＡｓ層へのＳｉの取り
込みを低減させ所望の純度の結晶を得ることは出来ず、
特に反応系洗浄直後などには反応管等石英治工具から遊
離するＳｉが増加するためにＮ≦１×１０15ｃｍ-3を達
成することが出来なかった。
【００１１】図５は従来法成長による反応系洗浄直後数
回成長のＩｎＧａＡｓ層不純物濃度の推移を示してい
る。図５に示す様に、従来法成長ではＩｎＧａＡｓ層の
Ｎ型不純物濃度の目標値Ｎ≦１×１０15ｃｍ-3達成率は
５０％以下で、特に反応系洗浄直後では０％であった。
回成長のＩｎＧａＡｓ層不純物濃度の推移を示してい
る。図５に示す様に、従来法成長ではＩｎＧａＡｓ層の
Ｎ型不純物濃度の目標値Ｎ≦１×１０15ｃｍ-3達成率は
５０％以下で、特に反応系洗浄直後では０％であった。
【００１２】図６は従来法成長による反応系洗浄直後数
回成長のＩｎＰ層不純物濃度の推移を示している。Ｉｎ
ＧａＡｓ層と同様にＩｎＰ層に於いても、Ｎ型不純物濃
度の目標値Ｎ≦１×１０15ｃｍ-3達成率は５０％以下
で、特に反応系洗浄直後では０％であった。
回成長のＩｎＰ層不純物濃度の推移を示している。Ｉｎ
ＧａＡｓ層と同様にＩｎＰ層に於いても、Ｎ型不純物濃
度の目標値Ｎ≦１×１０15ｃｍ-3達成率は５０％以下
で、特に反応系洗浄直後では０％であった。
【００１３】本発明の目的は上述した不都合を排除すべ
くなされたもので、反応系洗浄直後でも安定してＮ≦１
×１０15ｃｍ-3のＩｎＧａＡｓ層、ＩｎＰ層を成長する
ことが出来る化合物半導体の気相成長方法及びこれに使
用する気相成長装置を提供することにある。
くなされたもので、反応系洗浄直後でも安定してＮ≦１
×１０15ｃｍ-3のＩｎＧａＡｓ層、ＩｎＰ層を成長する
ことが出来る化合物半導体の気相成長方法及びこれに使
用する気相成長装置を提供することにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明の第１の発明の化
合物半導体の気相成長方法は、反応管内に設けられた筒
状の反応室の一端から原料ガスを送り、原料ガスの流れ
と直角になるように対じして保持された基板結晶の表面
にエピタキシャル層を形成する化合物半導体の気相成長
法において、前記反応管の内壁に沿って、原料ガス流下
流方向になるに従って口径が大きくなる複数個のガス吐
出口を有する内管を設け、該反応管と該内管の間にＯ2
ガスを供給し、該内管に設けた複数個のガス吐出口から
反応系中にＯ2 ガスを吐出供給することを特徴として構
成される。
合物半導体の気相成長方法は、反応管内に設けられた筒
状の反応室の一端から原料ガスを送り、原料ガスの流れ
と直角になるように対じして保持された基板結晶の表面
にエピタキシャル層を形成する化合物半導体の気相成長
法において、前記反応管の内壁に沿って、原料ガス流下
流方向になるに従って口径が大きくなる複数個のガス吐
出口を有する内管を設け、該反応管と該内管の間にＯ2
ガスを供給し、該内管に設けた複数個のガス吐出口から
反応系中にＯ2 ガスを吐出供給することを特徴として構
成される。
【００１５】また、本発明の第２の発明の気相成長装置
は、成長炉内に挿入された反応管と、該反応管の内側に
位置し、ガス上流側で小さく下流側で大きい複数個のＯ
2 ガス吐出口を有する内管と、該内管を区画して設けら
れた上部及び下部反応室と、前記上部及び下部反応室の
それぞれのガス導入側に設けられた３族原料ガス供給管
及びドーピングガス供給管と、前記供給管により供給さ
れたガスを混合均一化するガスディフューザーと、該ガ
スディフューザーの下流側に前記原料ガスの流れと直角
に対じして設けられた回転可能な基板を設置する基板ホ
ルダーとを有することを特徴として構成される。
は、成長炉内に挿入された反応管と、該反応管の内側に
位置し、ガス上流側で小さく下流側で大きい複数個のＯ
2 ガス吐出口を有する内管と、該内管を区画して設けら
れた上部及び下部反応室と、前記上部及び下部反応室の
それぞれのガス導入側に設けられた３族原料ガス供給管
及びドーピングガス供給管と、前記供給管により供給さ
れたガスを混合均一化するガスディフューザーと、該ガ
スディフューザーの下流側に前記原料ガスの流れと直角
に対じして設けられた回転可能な基板を設置する基板ホ
ルダーとを有することを特徴として構成される。
【００１６】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。図１は本発明の一実施例を説明するための気相成長
装置の断面図である。
る。図１は本発明の一実施例を説明するための気相成長
装置の断面図である。
【００１７】図１において、１０１は成長炉、１０２は
反応管、１０３は３族原料、１０４は基板ホルダー、１
０５は基板、１０６は３族原料輸送ガス供給管、１０７
は５族原料ガス供給管、１０８はドーピングガス供給
管、１０９はガス吐出口を有する内管、１１０はガスデ
ィフューザー、１１１は上部反応室、１１２は下部反応
室である。
反応管、１０３は３族原料、１０４は基板ホルダー、１
０５は基板、１０６は３族原料輸送ガス供給管、１０７
は５族原料ガス供給管、１０８はドーピングガス供給
管、１０９はガス吐出口を有する内管、１１０はガスデ
ィフューザー、１１１は上部反応室、１１２は下部反応
室である。
【００１８】成長炉１０１内に反応管１０２を挿入し、
成長炉１０１により加熱する。反応管１０２内の約９０
０℃の高温領域に３族原料１０３として上部反応室１１
１にＧａ４００ｇ、Ｉｎ８００ｇを設置する。次に基板
ホルダー１０４を回転させて基板ホルダー１０４上の基
板１０５を上部反応室１１１の前に原料ガスの流れと直
角になるように対じして位置させる。３族原料輸送ガス
供給管１０６より３族原料輸送ガスである１０％ＨＣｌ
を１００ｍｌ／ｍｉｎ供給する。一方５族原料ガス供給
管１０７より５族成分の水素化物である１０％ＡｓＨ3
を５０ｍｌ／ｍｉｎ供給する。さらに反応管１０２とガ
ス吐出口を有する内管１０９に間に０．１％Ｏ2 ２０
ｍｌ／ｍｉｎ（Ｎ2 ベース）供給し、ガス吐出口より反
応系中へＯ2 ガスを吐出供給する。なお内管１０９に設
けているガス吐出口は、ガス流上流端で２ｍｍφ、ガス
流下流端で５ｍｍφの口径であり、２０ｍｍピッチで内
管全体に設けてある。以上の操作により約６７０℃の低
温領域に設置された基板ホルダー１０４上の基板１０５
上に高純度ＩｎＧａＡｓ層が成長される。
成長炉１０１により加熱する。反応管１０２内の約９０
０℃の高温領域に３族原料１０３として上部反応室１１
１にＧａ４００ｇ、Ｉｎ８００ｇを設置する。次に基板
ホルダー１０４を回転させて基板ホルダー１０４上の基
板１０５を上部反応室１１１の前に原料ガスの流れと直
角になるように対じして位置させる。３族原料輸送ガス
供給管１０６より３族原料輸送ガスである１０％ＨＣｌ
を１００ｍｌ／ｍｉｎ供給する。一方５族原料ガス供給
管１０７より５族成分の水素化物である１０％ＡｓＨ3
を５０ｍｌ／ｍｉｎ供給する。さらに反応管１０２とガ
ス吐出口を有する内管１０９に間に０．１％Ｏ2 ２０
ｍｌ／ｍｉｎ（Ｎ2 ベース）供給し、ガス吐出口より反
応系中へＯ2 ガスを吐出供給する。なお内管１０９に設
けているガス吐出口は、ガス流上流端で２ｍｍφ、ガス
流下流端で５ｍｍφの口径であり、２０ｍｍピッチで内
管全体に設けてある。以上の操作により約６７０℃の低
温領域に設置された基板ホルダー１０４上の基板１０５
上に高純度ＩｎＧａＡｓ層が成長される。
【００１９】図２は本発明による気相成長方法によって
ＩｎＧａＡｓ層のエピタキシャル成長を行った際の不純
物濃度の推移を示している。図２に示す様に本発明によ
る成長では、ＩｎＧａＡｓ層の不純物濃度は、全成長に
おいてＮ≦１×１０15ｃｍ-3となっており、特に反応系
洗浄直後の成長に於いてもＮ≦１×１０15ｃｍ-3を満足
しており、高純度ＩｎＧａＡｓ層を再現性よく成長する
ことができる。
ＩｎＧａＡｓ層のエピタキシャル成長を行った際の不純
物濃度の推移を示している。図２に示す様に本発明によ
る成長では、ＩｎＧａＡｓ層の不純物濃度は、全成長に
おいてＮ≦１×１０15ｃｍ-3となっており、特に反応系
洗浄直後の成長に於いてもＮ≦１×１０15ｃｍ-3を満足
しており、高純度ＩｎＧａＡｓ層を再現性よく成長する
ことができる。
【００２０】第１の実施例では本発明による気相成長方
法をＩｎＧａＡｓ層の成長に適用した場合について述べ
たが、ＩｎＰ層の成長に適用した場合にも同様の効果が
得られ実施例２にのべる。
法をＩｎＧａＡｓ層の成長に適用した場合について述べ
たが、ＩｎＰ層の成長に適用した場合にも同様の効果が
得られ実施例２にのべる。
【００２１】第１の実施例と同様に成長炉１０１内に反
応管１０２を挿入し、成長炉１０１により加熱する。反
応管１０２内の約９００℃の高温領域に３族原料１０３
として下部反応室１１２にＩｎ８００ｇを設置する。次
に基板ホルダー１０４を回転させて基板ホルダー１０４
上の基板１０５を下部反応室１１２の前に原料ガスの流
れと直角になるように対じして位置させる。３族原料輸
送ガス供給管１０６より３族原料輸送ガスである１０％
ＨＣｌを１００ｍｌ／ｍｉｎ供給する。一方５族原料ガ
ス供給管１０７より５族成分の水素化物である１０％Ｐ
Ｈ3 を１５０ｍｌ／ｍｉｎ供給する。さらに反応管１０
２とガス吐出口を有する内管１０９の間に従来法と同流
量の０．１％Ｏ2 ２０ｍｌ／ｍｉｎ（Ｎ2 ベース）を供
給し、ガス吐出口より反応系中へＯ2 ガスを吐出供給す
る。なお内管１０９に設けているガス吐出口は実施例１
と同様で、ガス流上流端で２ｍｍφ、ガス流下流端で５
ｍｍφの口径であり、２０ｍｍピッチで内管全体に設け
てある。以上の操作により約６７０℃の低温領域に設置
された基板ホルダー１０４上に基板１０５上に高純度Ｉ
ｎＰ層が成長される。
応管１０２を挿入し、成長炉１０１により加熱する。反
応管１０２内の約９００℃の高温領域に３族原料１０３
として下部反応室１１２にＩｎ８００ｇを設置する。次
に基板ホルダー１０４を回転させて基板ホルダー１０４
上の基板１０５を下部反応室１１２の前に原料ガスの流
れと直角になるように対じして位置させる。３族原料輸
送ガス供給管１０６より３族原料輸送ガスである１０％
ＨＣｌを１００ｍｌ／ｍｉｎ供給する。一方５族原料ガ
ス供給管１０７より５族成分の水素化物である１０％Ｐ
Ｈ3 を１５０ｍｌ／ｍｉｎ供給する。さらに反応管１０
２とガス吐出口を有する内管１０９の間に従来法と同流
量の０．１％Ｏ2 ２０ｍｌ／ｍｉｎ（Ｎ2 ベース）を供
給し、ガス吐出口より反応系中へＯ2 ガスを吐出供給す
る。なお内管１０９に設けているガス吐出口は実施例１
と同様で、ガス流上流端で２ｍｍφ、ガス流下流端で５
ｍｍφの口径であり、２０ｍｍピッチで内管全体に設け
てある。以上の操作により約６７０℃の低温領域に設置
された基板ホルダー１０４上に基板１０５上に高純度Ｉ
ｎＰ層が成長される。
【００２２】図３は本発明による気相成長方法によって
ＩｎＰ層のエピタキシャル成長を行った際の不純物濃度
の推移を示している。
ＩｎＰ層のエピタキシャル成長を行った際の不純物濃度
の推移を示している。
【００２３】図３に示す様に本発明による成長では、Ｉ
ｎＰ層の不純物濃度も、全成長においてＮ≦１×１０15
ｃｍ-3となっており、特に反応系洗浄直後の成長に於い
てもＮ≦１×１０15ｃｍ-3を満足にしており、高純度Ｉ
ｎＰ層を再現性よく成長することができる。
ｎＰ層の不純物濃度も、全成長においてＮ≦１×１０15
ｃｍ-3となっており、特に反応系洗浄直後の成長に於い
てもＮ≦１×１０15ｃｍ-3を満足にしており、高純度Ｉ
ｎＰ層を再現性よく成長することができる。
【００２４】
【発明の効果】本発明は以上に述べた方法で化合物半導
体の気相成長を行うもので、反応管の内壁に沿って設け
た内管の、原料ガス流下流方向になるに従って口径が大
きくなる複数個のガス吐出口からＯ2 ガスを反応系中に
吐出供給することにより、反応系中全体に渡ってＯ2 ガ
スを万遍無く供給することが出来、従って、反応管等の
石英治工具から発生するＳｉと供給Ｏ2 ガスとの反応効
率は高まり、反応系中のＳｉは低減し、エピタキシャル
層への不純物Ｓｉの取り込みも抑制され、高純度なエピ
タキシャル層が成長される。
体の気相成長を行うもので、反応管の内壁に沿って設け
た内管の、原料ガス流下流方向になるに従って口径が大
きくなる複数個のガス吐出口からＯ2 ガスを反応系中に
吐出供給することにより、反応系中全体に渡ってＯ2 ガ
スを万遍無く供給することが出来、従って、反応管等の
石英治工具から発生するＳｉと供給Ｏ2 ガスとの反応効
率は高まり、反応系中のＳｉは低減し、エピタキシャル
層への不純物Ｓｉの取り込みも抑制され、高純度なエピ
タキシャル層が成長される。
【図１】本発明の一実施例を説明するための気相成長装
置の断面図である。
置の断面図である。
【図２】本発明の一実施例による気相成長方法によって
ＩｎＧａＡｓ層のエピタキシャル成長を行った際の不純
物濃度の推移を示す図である。
ＩｎＧａＡｓ層のエピタキシャル成長を行った際の不純
物濃度の推移を示す図である。
【図３】本発明の第２の実施例による気相成長方法によ
ってＩｎＰ層エピタキシャル成長を行った際の不純物濃
度の推移を示す図である。
ってＩｎＰ層エピタキシャル成長を行った際の不純物濃
度の推移を示す図である。
【図４】従来法による気相成長方法を説明するための気
相成長装置の断面図である。
相成長装置の断面図である。
【図５】従来法成長による反応系洗浄直後数回成長のＩ
ｎＧａＡｓ層不純物濃度の推移を示す図である。
ｎＧａＡｓ層不純物濃度の推移を示す図である。
【図６】従来法成長による反応系洗浄直後数回成長のＩ
ｎＰ層不純物濃度の推移を示す図である。
ｎＰ層不純物濃度の推移を示す図である。
１０１ 成長炉 １０２ 反応管 １０３ ３族原料 １０４ 基板ホルダー １０５ 基板 １０６ ３族原料輸送ガス供給管 １０７ ５族原料ガス供給管 １０８ ドーピングガス供給管 １０９ ガス吐出口を有する内管 １１０ ガスディフューザー １１１ 上部反応室 １１２ 下部反応室 ４０１ 成長炉 ４０２ 反応管 ４０３ ３族原料 ４０４ 基板ホルダー ４０５ 基板 ４０６ ３族原料輸送ガス供給管 ４０７ ５族原料ガス供給管 ４０８ ドーピングガス供給管 ４０９ ガスディフューザー ４１０ 上部反応室 ４１１ 下部反応室
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 21/205 C23C 16/44 C30B 25/08
Claims (2)
- 【請求項１】 反応管内に設けられた筒状の反応室の一
端から原料ガスを送り、原料ガスの流れと直角になるよ
うに対じて保持された基板結晶の表面にエピタキシャル
層を形成する化合物半導体の気相成長方法において、前
記反応管の内壁に沿って、原料ガス流下流方向になるに
従って口径が大きくなる複数個のガス吐出口を有する内
管を設け、該反応管の間にＯ2 ガスを供給し、該内管に
設けた複数個のガス吐出口から反応系中にＯ2 ガスを吐
出供給することを特徴とする化合物半導体の気相成長方
法。 - 【請求項２】 成長炉内に挿入された反応管と、該反応
管の内側に位置し、ガス上流側で小さくガス下流側で大
きい複数個のＯ2 ガス吐出口を有する内管と、該内管を
区画して設けられた上部及び下部反応室と、前記上部及
び下部反応室のガス導入側にそれぞれ設けられた３族原
料ガス供給管と、５族原料ガス供給管及びドーピングガ
ス供給管と、前記供給管により供給されたガスを混合均
一化するガスディフューザーと、該ガスディフューザー
の下流側に前記原料ガスの流れと直角に対じして設けら
れ回転可能な基板を設置する基板ホルダーとを有するこ
とを特徴とする化合物半導体の気相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32388292A JP2845064B2 (ja) | 1992-12-03 | 1992-12-03 | 化合物半導体の気相成長方法及び気相成長装置 |
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| JP32388292A JP2845064B2 (ja) | 1992-12-03 | 1992-12-03 | 化合物半導体の気相成長方法及び気相成長装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06177040A JPH06177040A (ja) | 1994-06-24 |
| JP2845064B2 true JP2845064B2 (ja) | 1999-01-13 |
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ID=18159658
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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Country Status (1)
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|---|---|
| JP (1) | JP2845064B2 (ja) |
-
1992
- 1992-12-03 JP JP32388292A patent/JP2845064B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06177040A (ja) | 1994-06-24 |
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