JP2555959B2 - 気相成長装置および気相成長方法 - Google Patents
気相成長装置および気相成長方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、化合物半導体装置を製
造する際に用いられる気相成長装置およびそのための気
相成長方法に関し、特に、ＧａＡｓ、ＩｎＰ基板上等に
ヘテロエピタキシャル層を形成するための気相成長装置
とそのための気相成長方法に関するものである。
造する際に用いられる気相成長装置およびそのための気
相成長方法に関し、特に、ＧａＡｓ、ＩｎＰ基板上等に
ヘテロエピタキシャル層を形成するための気相成長装置
とそのための気相成長方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、光通信システムの発展に伴い、化
合物半導体を用いた長波長通信用受光素子、例えば、ア
バランシェフォトダイオード（ＡＰＤ）や、ｐｉｎフォ
トダイオード（ｐｉｎ−ＰＤ）の需要が急増している。
この種ＡＰＤやｐｉｎ−ＰＤは、ｎ+ −ＩｎＰ基板上に
ヘテロエピタキシャル層を成長させることにより形成さ
れるが、このヘテロエピタキシャル層を成長させるため
の成長方法として、例えば、Y.Sugimoto,Electonics Le
tters Vol.120No.16 に示すようにハイドライド法によ
る気相成長が用いられている。
合物半導体を用いた長波長通信用受光素子、例えば、ア
バランシェフォトダイオード（ＡＰＤ）や、ｐｉｎフォ
トダイオード（ｐｉｎ−ＰＤ）の需要が急増している。
この種ＡＰＤやｐｉｎ−ＰＤは、ｎ+ −ＩｎＰ基板上に
ヘテロエピタキシャル層を成長させることにより形成さ
れるが、このヘテロエピタキシャル層を成長させるため
の成長方法として、例えば、Y.Sugimoto,Electonics Le
tters Vol.120No.16 に示すようにハイドライド法によ
る気相成長が用いられている。
【０００３】図２に従来のハイドライド法による気相成
長に用いられる結晶成長装置の一例を示す。図２におい
て、１は成長炉、２は反応管、３はIII 族原料輸送ガス
供給管、４はＶ族原料ガス供給管、５はIII 族原料、６
はガスディフューザー、７は基板、８は基板ホルダー、
９は上部反応室、１０は下部反応室、１１は成長室分離
ガス供給管、１２は成長室分離ガスカーテンである。
長に用いられる結晶成長装置の一例を示す。図２におい
て、１は成長炉、２は反応管、３はIII 族原料輸送ガス
供給管、４はＶ族原料ガス供給管、５はIII 族原料、６
はガスディフューザー、７は基板、８は基板ホルダー、
９は上部反応室、１０は下部反応室、１１は成長室分離
ガス供給管、１２は成長室分離ガスカーテンである。
【０００４】この方法は、反応管２の原料ガス供給側を
高温領域として成長炉１により約８５０℃に加熱し、こ
の高温領域に置かれたIII 族原料５、例えばＧａあるい
はＩｎ上に、III 族原料輸送ガス供給管３よりIII 族原
料輸送ガスであるＨＣｌガスを供給し、III 族原料と反
応せしめ、この反応生成ガスをIII 族原料ガスとし、ま
た、Ｖ族原料ガス供給管４よりＶ族成分の水素化物、例
えばＡｓＨ3 あるいはＰＨ3 を供給してＶ族原料ガスと
し、これらのガスを多孔板を数枚組み合わせた構造のガ
スディフューザー６を通して十分攪拌した後、反応管２
内の約７００℃の低温領域に置かれた基板ホルダー８上
の基板７に輸送し、ここで反応させて所望の組成のエピ
タキシャル層を成長させるものである。
高温領域として成長炉１により約８５０℃に加熱し、こ
の高温領域に置かれたIII 族原料５、例えばＧａあるい
はＩｎ上に、III 族原料輸送ガス供給管３よりIII 族原
料輸送ガスであるＨＣｌガスを供給し、III 族原料と反
応せしめ、この反応生成ガスをIII 族原料ガスとし、ま
た、Ｖ族原料ガス供給管４よりＶ族成分の水素化物、例
えばＡｓＨ3 あるいはＰＨ3 を供給してＶ族原料ガスと
し、これらのガスを多孔板を数枚組み合わせた構造のガ
スディフューザー６を通して十分攪拌した後、反応管２
内の約７００℃の低温領域に置かれた基板ホルダー８上
の基板７に輸送し、ここで反応させて所望の組成のエピ
タキシャル層を成長させるものである。
【０００５】基板ホルダー８は、反応管２内で回転する
ことによりその基板搭載部を反応管２内の上部反応室９
と下部反応室１０の前に位置させることができるように
構成されているので、例えば、上部反応室９のIII 族原
料としてＧａおよびＩｎを、Ｖ族原料ガスとしてＡｓＨ
3 を用い、また、下部反応室１０のIII 族原料としてＩ
ｎを、Ｖ族原料ガスとしてＰＨ3 を用い、まず、基板ホ
ルダー８を下部反応室１０の前に位置させてIII 族原料
輸送ガスであるＨＣｌとＶ族原料ガスであるＰＨ3 を下
部反応室１０に供給して基板７上にＩｎＰ層をエピタキ
シャル成長させ、この下部反応室１０でのＩｎＰ層のエ
ピタキシャル成長中に、上部反応室９にIII 族原料輸送
ガスであるＨＣｌとＶ族原料ガスであるＡｓＨ3 を供給
して上部反応室での準備をしておき、次に、基板ホルダ
ー８を上部反応室９の前に位置させて基板７上にＩｎＧ
ａＡｓ層をエピタキシャル成長させる。ＩｎＧａＡｓ層
上にさらにＩｎＰ層を成長させるには、ＩｎＧａＡｓエ
ピタキシャル層の成長の終了した後、再度基板ホルダー
８を下部反応室１０の前に位置させるようにすればよ
い。
ことによりその基板搭載部を反応管２内の上部反応室９
と下部反応室１０の前に位置させることができるように
構成されているので、例えば、上部反応室９のIII 族原
料としてＧａおよびＩｎを、Ｖ族原料ガスとしてＡｓＨ
3 を用い、また、下部反応室１０のIII 族原料としてＩ
ｎを、Ｖ族原料ガスとしてＰＨ3 を用い、まず、基板ホ
ルダー８を下部反応室１０の前に位置させてIII 族原料
輸送ガスであるＨＣｌとＶ族原料ガスであるＰＨ3 を下
部反応室１０に供給して基板７上にＩｎＰ層をエピタキ
シャル成長させ、この下部反応室１０でのＩｎＰ層のエ
ピタキシャル成長中に、上部反応室９にIII 族原料輸送
ガスであるＨＣｌとＶ族原料ガスであるＡｓＨ3 を供給
して上部反応室での準備をしておき、次に、基板ホルダ
ー８を上部反応室９の前に位置させて基板７上にＩｎＧ
ａＡｓ層をエピタキシャル成長させる。ＩｎＧａＡｓ層
上にさらにＩｎＰ層を成長させるには、ＩｎＧａＡｓエ
ピタキシャル層の成長の終了した後、再度基板ホルダー
８を下部反応室１０の前に位置させるようにすればよ
い。
【０００６】これにより、基板７上にＩｎＧａＡｓ／Ｉ
ｎＰヘテロエピタキシャル層を成長させることができ
る。この際に、ｎ型層を成長させるには、Ｖ族原料ガス
供給管４よりＳｉ、Ｓ等のｎ型ドーパント（ドーピング
ガスとしては、ＳｉＨ4 、Ｈ2Ｓ等）を供給してエピタ
キシャル成長させ、また、ｐ型層を成長させるには、Ｖ
族原料ガス供給管４よりＺｎ等のｐ型ドーパント［ドー
ピングガスとしては、Ｚｎ（Ｃ2 Ｈ5 ）2 等］を供給し
てエピタキシャル成長させる。
ｎＰヘテロエピタキシャル層を成長させることができ
る。この際に、ｎ型層を成長させるには、Ｖ族原料ガス
供給管４よりＳｉ、Ｓ等のｎ型ドーパント（ドーピング
ガスとしては、ＳｉＨ4 、Ｈ2Ｓ等）を供給してエピタ
キシャル成長させ、また、ｐ型層を成長させるには、Ｖ
族原料ガス供給管４よりＺｎ等のｐ型ドーパント［ドー
ピングガスとしては、Ｚｎ（Ｃ2 Ｈ5 ）2 等］を供給し
てエピタキシャル成長させる。
【０００７】而して、このように上部反応室９および下
部反応室１０を連続的に交互に使用してヘテロエピタキ
シャル層を成長させる方法を採用した場合、一方の成長
室で成長を行わせている際、他方の成長室で次の成長の
準備のために供給しているガスが回り込むため、所望の
組成のエピタキシャル層の成長を安定して行わせること
ができず、デバイス特性に悪影響を及ぼすことがあっ
た。また、ヘテロエピタキシャル層を成長させる場合、
一方の成長室での成長が終了した後、その成長室への原
料ガスの供給を停止し、同時に基板ホルダーを他成長室
に回転移動させるのであるが、原料ガスの供給を停止し
ても成長室内には残留ガスが存在しており、また、基板
ホルダーの回転速度もホルダーの回転による基板落下等
の問題があり、１０ｒｐｍ以上に上げられないため、一
方の成長室での成長が終了した後、他方の成長室での成
長が開始するまでの間にも組成の不安定な遷移層が成長
してしまい、このため設計値通りのエピタキシャル層を
成長させることができず、デバイス特性に悪影響を与え
ていた。
部反応室１０を連続的に交互に使用してヘテロエピタキ
シャル層を成長させる方法を採用した場合、一方の成長
室で成長を行わせている際、他方の成長室で次の成長の
準備のために供給しているガスが回り込むため、所望の
組成のエピタキシャル層の成長を安定して行わせること
ができず、デバイス特性に悪影響を及ぼすことがあっ
た。また、ヘテロエピタキシャル層を成長させる場合、
一方の成長室での成長が終了した後、その成長室への原
料ガスの供給を停止し、同時に基板ホルダーを他成長室
に回転移動させるのであるが、原料ガスの供給を停止し
ても成長室内には残留ガスが存在しており、また、基板
ホルダーの回転速度もホルダーの回転による基板落下等
の問題があり、１０ｒｐｍ以上に上げられないため、一
方の成長室での成長が終了した後、他方の成長室での成
長が開始するまでの間にも組成の不安定な遷移層が成長
してしまい、このため設計値通りのエピタキシャル層を
成長させることができず、デバイス特性に悪影響を与え
ていた。
【０００８】この不都合を回避するため、従来は、一方
の成長室で成長をおこない、他方の成長室で成長の準備
を行っている場合は、成長室分離ガス供給管１１よりＨ
2 等のガスを流して上部成長室９と下部成長室１０の間
に成長室分離のためのガスカーテン１２をつくり、準備
中の成長室に供給している原料ガスがエピタキシャル成
長を行っている成長室に回り込むのを防止していた。
の成長室で成長をおこない、他方の成長室で成長の準備
を行っている場合は、成長室分離ガス供給管１１よりＨ
2 等のガスを流して上部成長室９と下部成長室１０の間
に成長室分離のためのガスカーテン１２をつくり、準備
中の成長室に供給している原料ガスがエピタキシャル成
長を行っている成長室に回り込むのを防止していた。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た方法でヘテロエピタキシャル層を成長させると、一方
の成長室での成長が終了した後の他方の成長室への基板
の移動の際に、基板がガスカーテンをくぐるため、ガス
カーテンが基板にあたる近傍では、原料ガスの流れが著
しく乱れる領域が発生し、この領域を基板が通過する際
にやはり組成の不安定な層が若干成長してしまうという
問題が起こる。例えば、図３に示す構造のエピタキシャ
ル層を従来法で形成した場合、ＴＥＭ観察によるＩｎＰ
層とＩｎＧａＡｓ層の間の組成不安定領域はおよそ２０
０Åであった。本発明は上述した問題を解決する方法を
提供するものであって、エピタキシャル層間で結晶組成
の不安定な領域の極めて小さなヘテロエピタキシャル層
の得られる気相成長装置および気相成長方法を提供する
ものである。
た方法でヘテロエピタキシャル層を成長させると、一方
の成長室での成長が終了した後の他方の成長室への基板
の移動の際に、基板がガスカーテンをくぐるため、ガス
カーテンが基板にあたる近傍では、原料ガスの流れが著
しく乱れる領域が発生し、この領域を基板が通過する際
にやはり組成の不安定な層が若干成長してしまうという
問題が起こる。例えば、図３に示す構造のエピタキシャ
ル層を従来法で形成した場合、ＴＥＭ観察によるＩｎＰ
層とＩｎＧａＡｓ層の間の組成不安定領域はおよそ２０
０Åであった。本発明は上述した問題を解決する方法を
提供するものであって、エピタキシャル層間で結晶組成
の不安定な領域の極めて小さなヘテロエピタキシャル層
の得られる気相成長装置および気相成長方法を提供する
ものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
め、本発明によれば、気相成長法により基板上に化合物
半導体の複数のエピタキシャル層を連続して成長させる
ために、結晶成長用反応管（２）の内部に複数の結晶成
長室（９、１０）を、結晶成長のための原料を供給する
ガスの流れ方向に平行に設け、前記基板（７）を保持し
た基板ホルダー（８）を各結晶成長室の前面に位置させ
ることができるように構成した気相成長装置において、
前記基板ホルダー（８）内部にクエンチガス導入管（１
６）を設け、クエンチガス供給口（１５）を前記基板ホ
ルダーの基板搭載部上の周囲に設けたことを特徴とする
気相成長装置が提供される。
め、本発明によれば、気相成長法により基板上に化合物
半導体の複数のエピタキシャル層を連続して成長させる
ために、結晶成長用反応管（２）の内部に複数の結晶成
長室（９、１０）を、結晶成長のための原料を供給する
ガスの流れ方向に平行に設け、前記基板（７）を保持し
た基板ホルダー（８）を各結晶成長室の前面に位置させ
ることができるように構成した気相成長装置において、
前記基板ホルダー（８）内部にクエンチガス導入管（１
６）を設け、クエンチガス供給口（１５）を前記基板ホ
ルダーの基板搭載部上の周囲に設けたことを特徴とする
気相成長装置が提供される。
【００１１】また、本発明によれば、結晶成長用反応管
内部に複数の結晶成長室を結晶成長のための原料を供給
するガスの流れ方向に平行に設け、基板を保持した基板
ホルダーを各結晶成長室の前面に順次位置させて前記基
板上に化合物半導体の複数のエピタキシャル層を連続し
て成長させる気相成長法であって、前記基板ホルダーを
結晶成長室間を移動させるときには前記基板上にクエン
チガスを供給することを特徴とする気相成長方法が提供
される。
内部に複数の結晶成長室を結晶成長のための原料を供給
するガスの流れ方向に平行に設け、基板を保持した基板
ホルダーを各結晶成長室の前面に順次位置させて前記基
板上に化合物半導体の複数のエピタキシャル層を連続し
て成長させる気相成長法であって、前記基板ホルダーを
結晶成長室間を移動させるときには前記基板上にクエン
チガスを供給することを特徴とする気相成長方法が提供
される。
【００１２】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。図１は、本発明の一実施例の気相成長装置
の主要部の構成を示す概略構成図である。図１にに示す
実施例において、１は成長炉、２は反応管、３はIII 族
原料輸送ガス供給管、４はＶ族原料ガス供給管、５はII
I 族原料、６はガスディフューザー、７は基板、８は基
板ホルダー、９は上部反応室、１０は下部反応室、１１
は成長室分離ガス供給管、１２は成長室分離ガスカーテ
ン、１３はガス切り替え弁、１４は成長室分離ガス排気
管、１５はクエンチガス供給口、１６はクエンチガス導
入管である。
て説明する。図１は、本発明の一実施例の気相成長装置
の主要部の構成を示す概略構成図である。図１にに示す
実施例において、１は成長炉、２は反応管、３はIII 族
原料輸送ガス供給管、４はＶ族原料ガス供給管、５はII
I 族原料、６はガスディフューザー、７は基板、８は基
板ホルダー、９は上部反応室、１０は下部反応室、１１
は成長室分離ガス供給管、１２は成長室分離ガスカーテ
ン、１３はガス切り替え弁、１４は成長室分離ガス排気
管、１５はクエンチガス供給口、１６はクエンチガス導
入管である。
【００１３】成長炉１内に反応管２を挿入し成長炉１に
より加熱する。反応管２内の約８５０℃の高温領域には
III 族原料５として上部反応室９にはＧａ４００ｇ、Ｉ
ｎ８００ｇが、また、下部反応室１０にはＩｎ８００ｇ
が設置されている。まず、基板ホルダー８を回転させて
基板ホルダー８上の基板７を上部反応室９前に位置させ
る。また反応管２内には、全てのIII 族原料輸送ガス供
給管３よりＨ2 を７００ｍｌ／ｍｉｎ流しておく。
より加熱する。反応管２内の約８５０℃の高温領域には
III 族原料５として上部反応室９にはＧａ４００ｇ、Ｉ
ｎ８００ｇが、また、下部反応室１０にはＩｎ８００ｇ
が設置されている。まず、基板ホルダー８を回転させて
基板ホルダー８上の基板７を上部反応室９前に位置させ
る。また反応管２内には、全てのIII 族原料輸送ガス供
給管３よりＨ2 を７００ｍｌ／ｍｉｎ流しておく。
【００１４】反応管２内の温度が安定した時点で成長室
分離ガス供給管１１よりＨ2 を３ｌ／ｍｉｎ噴出させ、
次いで、下部反応室１０のIII 族原料輸送ガス供給管３
よりIII 族輸送ガスである１０％ＨＣｌを１００ｍｌ／
ｍｉｎ、またＶ族原料ガス供給管４よりＶ族成分の水素
化物である１０％ＰＨ3 を１５０ｍｌ／ｍｉｎ供給す
る。下部反応室１０に供給するＨＣｌ、ＰＨ3 が定常状
態になった後、成長室分離ガス供給管１１より噴出させ
ていたＨ2 をガス切り替え弁１３により成長室分離ガス
排気管１４に導入し、同時に基板ホルダー８内に設けた
クエンチガス導入管１６を通して基板ホルダー８上に開
口したクエンチガス供給口１５よりＨ2 を１ｌ／ｍｉｎ
基板７上に噴出させてクエンチし、その状態で、基板ホ
ルダー８を回転させて基板ホルダー８上の基板７を下部
反応室１０前に位置させる。
分離ガス供給管１１よりＨ2 を３ｌ／ｍｉｎ噴出させ、
次いで、下部反応室１０のIII 族原料輸送ガス供給管３
よりIII 族輸送ガスである１０％ＨＣｌを１００ｍｌ／
ｍｉｎ、またＶ族原料ガス供給管４よりＶ族成分の水素
化物である１０％ＰＨ3 を１５０ｍｌ／ｍｉｎ供給す
る。下部反応室１０に供給するＨＣｌ、ＰＨ3 が定常状
態になった後、成長室分離ガス供給管１１より噴出させ
ていたＨ2 をガス切り替え弁１３により成長室分離ガス
排気管１４に導入し、同時に基板ホルダー８内に設けた
クエンチガス導入管１６を通して基板ホルダー８上に開
口したクエンチガス供給口１５よりＨ2 を１ｌ／ｍｉｎ
基板７上に噴出させてクエンチし、その状態で、基板ホ
ルダー８を回転させて基板ホルダー８上の基板７を下部
反応室１０前に位置させる。
【００１５】次に、成長室分離ガス排気管１４に導入し
ていたＨ2 をガス切り替え弁１３を切り替えることによ
り再び成長室分離ガス供給管１１から噴出させ、同時に
基板ホルダー８上に開口したクエンチガス供給口１５よ
り噴出させていたＨ2 を停止する。以上の操作により基
板ホルダー８上に設置した基板７上にＩｎＰエピタキシ
ャル層が成長される。下部反応室１０においてＩｎＰの
エピタキシャル成長が行われている間に、上部反応室９
に、III 族原料輸送ガス供給管３よりIII 族原料輸送ガ
スである１０％ＨＣｌを１００ｍｌ／ｍｉｎ、またＶ族
原料ガス供給管４よりＶ族成分の水素化物である１０％
ＡｓＨ3 を５０ｍｌ／ｍｉｎ供給する。
ていたＨ2 をガス切り替え弁１３を切り替えることによ
り再び成長室分離ガス供給管１１から噴出させ、同時に
基板ホルダー８上に開口したクエンチガス供給口１５よ
り噴出させていたＨ2 を停止する。以上の操作により基
板ホルダー８上に設置した基板７上にＩｎＰエピタキシ
ャル層が成長される。下部反応室１０においてＩｎＰの
エピタキシャル成長が行われている間に、上部反応室９
に、III 族原料輸送ガス供給管３よりIII 族原料輸送ガ
スである１０％ＨＣｌを１００ｍｌ／ｍｉｎ、またＶ族
原料ガス供給管４よりＶ族成分の水素化物である１０％
ＡｓＨ3 を５０ｍｌ／ｍｉｎ供給する。
【００１６】下部反応室１０において所望の厚さのＩｎ
Ｐ層の成長が終了した時点で、成長分離ガス供給管１１
より噴出させていたＨ2 をガス切り替え弁１３により成
長室分離ガス排気管１４に再び導入し、同時に基板ホル
ダー８上に開口したクエンチガス供給口１５よりＨ2 を
１ｌ／ｍｉｎ基板７上に噴出させてクエンチし、続い
て、基板ホルダー８を回転させて基板ホルダー８上の基
板７を上部反応室９前に位置させる。
Ｐ層の成長が終了した時点で、成長分離ガス供給管１１
より噴出させていたＨ2 をガス切り替え弁１３により成
長室分離ガス排気管１４に再び導入し、同時に基板ホル
ダー８上に開口したクエンチガス供給口１５よりＨ2 を
１ｌ／ｍｉｎ基板７上に噴出させてクエンチし、続い
て、基板ホルダー８を回転させて基板ホルダー８上の基
板７を上部反応室９前に位置させる。
【００１７】次に、成長室分離ガス排気管１４に導入し
ていたＨ2 をガス切り替え弁１３を切り替えることによ
り成長室分離ガス供給管１１より三たび噴出させ、同時
に基板ホルダー８上に開口したクエンチガス供給口１５
より噴出させていたＨ2 を停止する。以上の操作により
基板ホルダー８上に設置した基板７上のＩｎＰエピタキ
シャル層の上にＩｎＧａＡｓ層が結晶間での組成の不安
定な領域が極めて小さい状態でヘテロエピタキシャル成
長される。
ていたＨ2 をガス切り替え弁１３を切り替えることによ
り成長室分離ガス供給管１１より三たび噴出させ、同時
に基板ホルダー８上に開口したクエンチガス供給口１５
より噴出させていたＨ2 を停止する。以上の操作により
基板ホルダー８上に設置した基板７上のＩｎＰエピタキ
シャル層の上にＩｎＧａＡｓ層が結晶間での組成の不安
定な領域が極めて小さい状態でヘテロエピタキシャル成
長される。
【００１８】そして、以後、上述の操作を繰り返すこと
により、結晶層間での組成の不安定な領域が極めて小さ
い状態で多層構造のヘテロエピタキシャル層を成長させ
ることができる。本発明による気相成長装置を用い上記
方法により図３に示す構造のエピタキシャル層を成長さ
せた場合、ＴＥＭ観察によるＩｎＰ層とＩｎＧａＡｓ層
の間の組成不安定領域はおよそ４０Åと従来法による場
合の約１／５であった。
により、結晶層間での組成の不安定な領域が極めて小さ
い状態で多層構造のヘテロエピタキシャル層を成長させ
ることができる。本発明による気相成長装置を用い上記
方法により図３に示す構造のエピタキシャル層を成長さ
せた場合、ＴＥＭ観察によるＩｎＰ層とＩｎＧａＡｓ層
の間の組成不安定領域はおよそ４０Åと従来法による場
合の約１／５であった。
【００１９】次に、本発明の気相成長方法の他の実施例
について説明する。先の実施例では基板のクエンチに用
いるクエンチガスとしてＨ2 を用いたが、ＩｎＰ基板や
ＧａＡｓ基板中あるいはＩｎＰエピタキシャル層やＩｎ
ＧａＡｓエピタキシャル層中のＰやＡｓは蒸気圧が高
く、高温の反応管内で解離しやすいため、この実施例で
は、これを防止するためにクエンチガスとしてＶ族成分
ガスであるＰＨ3 （あるいはＡｓＨ3 ）を用いる。
について説明する。先の実施例では基板のクエンチに用
いるクエンチガスとしてＨ2 を用いたが、ＩｎＰ基板や
ＧａＡｓ基板中あるいはＩｎＰエピタキシャル層やＩｎ
ＧａＡｓエピタキシャル層中のＰやＡｓは蒸気圧が高
く、高温の反応管内で解離しやすいため、この実施例で
は、これを防止するためにクエンチガスとしてＶ族成分
ガスであるＰＨ3 （あるいはＡｓＨ3 ）を用いる。
【００２０】先の実施例で述べたものと同一の気相成長
装置を使用し、成長方法もクエンチガスの種類が異なる
以外は先きの実施例の場合と同様である。本実施例で
は、クエンチガスとして、１ｌ／ｍｉｎのＨ2 に代え、
１０％ＰＨ3 ３００ｍｌ／ｍｉｎとＨ2 ７００ｍｌ／ｍ
ｉｎの混合ガスが用いられる。図１に示した気相成長装
置を用いて、上記混合ガスのクエンチガスを用いて図３
に示す構造のエピタキシャル層を成長させた場合、ＴＥ
Ｍ観察によるＩｎＰ層とＩｎＧａＡｓ層の間の組成不安
定領域は先の実施例の場合と同様におよそ４０Åと従来
法の場合の約１／５であった。
装置を使用し、成長方法もクエンチガスの種類が異なる
以外は先きの実施例の場合と同様である。本実施例で
は、クエンチガスとして、１ｌ／ｍｉｎのＨ2 に代え、
１０％ＰＨ3 ３００ｍｌ／ｍｉｎとＨ2 ７００ｍｌ／ｍ
ｉｎの混合ガスが用いられる。図１に示した気相成長装
置を用いて、上記混合ガスのクエンチガスを用いて図３
に示す構造のエピタキシャル層を成長させた場合、ＴＥ
Ｍ観察によるＩｎＰ層とＩｎＧａＡｓ層の間の組成不安
定領域は先の実施例の場合と同様におよそ４０Åと従来
法の場合の約１／５であった。
【００２１】以上好ましい実施例について説明したが、
本発明はこれら実施例に限定されるものではなく、特許
請求の範囲に記載された本願発明の要旨内において各種
の変更が可能である。例えば、実施例では、ハイドライ
ド法による気相成長方法を用いていたが、これ以外の気
相成長法、例えばクロライド法等を用いることができ
る。また、実施例では、クエンチガス供給口を基板ホル
ダーの基板搭載部の周囲全体に設けていたが、一辺側に
のみ設けクエンチガスによりガスカーテンを形成するよ
うにしてもよい。さらに、実施例では、III −Ｖ族化合
物半導体を用いた受光素子の製造方法について説明した
が、本発明は、受光素子以外のデバイスを製造する場合
にも、またIII −Ｖ族以外の化合物半導体のヘテロエピ
タキシャル成長を行わせる場合にも適用しうるものであ
る。
本発明はこれら実施例に限定されるものではなく、特許
請求の範囲に記載された本願発明の要旨内において各種
の変更が可能である。例えば、実施例では、ハイドライ
ド法による気相成長方法を用いていたが、これ以外の気
相成長法、例えばクロライド法等を用いることができ
る。また、実施例では、クエンチガス供給口を基板ホル
ダーの基板搭載部の周囲全体に設けていたが、一辺側に
のみ設けクエンチガスによりガスカーテンを形成するよ
うにしてもよい。さらに、実施例では、III −Ｖ族化合
物半導体を用いた受光素子の製造方法について説明した
が、本発明は、受光素子以外のデバイスを製造する場合
にも、またIII −Ｖ族以外の化合物半導体のヘテロエピ
タキシャル成長を行わせる場合にも適用しうるものであ
る。
【００２２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、化合物
半導体の気相成長によってヘテロエピタキシャル層を成
長させるに際して、基板が成長室間を移動するときに
は、基板ホルダー上に開口したクエンチガス供給口より
Ｈ2 あるいはＰＨ3 とＨ2 の混合ガス等のクエンチガス
を基板上に噴出させて基板上への原料ガスの供給を遮断
するものであるので、本発明によれば、エピタキシャル
成長終了後の成長室に残留するガスによる組成の不安定
な層の成長および移動途中で両成長室の原料ガスが混合
することによって起こる不安定な層の成長を防止するこ
とができる。そして、エピタキシャル層成長中に成長室
分離ガス供給管より噴出させていた成長室分離ガスを、
基板ホルダーの移動中には、ガス切り替え弁により成長
室分離ガス排気管に導入し、成長室には流入せしめない
ようにすることにより、基板移動中における原料ガスの
流れに乱れの発生するのを抑制することができるので、
上記の組成不安定層の成長防止効果をさらに高めること
ができる。よって、本発明によれば、ヘテロ界面での組
成の不安定な領域の小さい、従って結晶性のよいヘテロ
エピタキシャル層を有するデバイスを製造することがで
き、特性の安定した半導体装置を提供することが可能に
なる。
半導体の気相成長によってヘテロエピタキシャル層を成
長させるに際して、基板が成長室間を移動するときに
は、基板ホルダー上に開口したクエンチガス供給口より
Ｈ2 あるいはＰＨ3 とＨ2 の混合ガス等のクエンチガス
を基板上に噴出させて基板上への原料ガスの供給を遮断
するものであるので、本発明によれば、エピタキシャル
成長終了後の成長室に残留するガスによる組成の不安定
な層の成長および移動途中で両成長室の原料ガスが混合
することによって起こる不安定な層の成長を防止するこ
とができる。そして、エピタキシャル層成長中に成長室
分離ガス供給管より噴出させていた成長室分離ガスを、
基板ホルダーの移動中には、ガス切り替え弁により成長
室分離ガス排気管に導入し、成長室には流入せしめない
ようにすることにより、基板移動中における原料ガスの
流れに乱れの発生するのを抑制することができるので、
上記の組成不安定層の成長防止効果をさらに高めること
ができる。よって、本発明によれば、ヘテロ界面での組
成の不安定な領域の小さい、従って結晶性のよいヘテロ
エピタキシャル層を有するデバイスを製造することがで
き、特性の安定した半導体装置を提供することが可能に
なる。
【図１】本発明の一実施例の気相成長装置の概略構成
図。
図。
【図２】従来の気相成長装置の概略構成図。
【図３】本発明の実施例と従来法によるヘテロエピタキ
シャル層の遷移領域の差を確認するために用いたエピタ
キシャル層の断面図。
シャル層の遷移領域の差を確認するために用いたエピタ
キシャル層の断面図。
１ 成長炉 ２ 反応管 ３ III 族原料輸送ガス供給管 ４ Ｖ族原料ガス供給管 ５ III 族原料 ６ ガスディフューザー ７ 基板 ８ 基板ホルダー ９ 上部反応室 １０ 下部反応室 １１ 成長室分離ガス供給管 １２ 成長室分離ガスカーテン １３ ガス切り替え弁 １４ 成長室分離ガス排気管 １５ クエンチガス供給口 １６ クエンチガス導入管 １７ ｎ+ −ＩｎＰ基板 １８ ｎ−ＩｎＰ層 １９ ｉ−ＩｎＧａＡｓ層 ２０ ｐ−ＩｎＰ層
Claims (7)
- 【請求項１】 気相成長法により基板上に化合物半導体
の複数のエピタキシャル層を連続して成長させるため
に、結晶成長用反応管内部に複数の結晶成長室を結晶成
長のための原料を供給するガスの流れ方向に平行に設
け、前記基板を保持した基板ホルダーを各結晶成長室の
前面に位置させることができるように構成した気相成長
装置において、前記基板ホルダー内部にクエンチガス導
入管を設け、クエンチガス供給口を前記基板ホルダーの
基板搭載部上の周囲に設けたことを特徴とする気相成長
装置。 - 【請求項２】 結晶成長室間を、成長室分離ガス供給管
と該供給管の先端部から原料供給ガスの流れ方向と平行
に噴射される成長室分離ガスのカーテンとによって分離
したことを特徴とする請求項１記載の気相成長装置。 - 【請求項３】 前記成長室分離ガス供給管は成長室分離
ガス排気管と分岐されており、その分岐部分にガス切り
替え弁が備えられていることを特徴とする請求項２記載
の気相成長装置。 - 【請求項４】 結晶成長用反応管内部に複数の結晶成長
室を結晶成長のための原料を供給するガスの流れ方向に
平行に設け、基板を保持した基板ホルダーを各結晶成長
室の前面に順次位置させて前記基板上に化合物半導体の
複数のエピタキシャル層を連続して成長させる気相成長
方法であって、前記基板ホルダーを結晶成長室間を移動
させるときには前記基板上に該基板上への原料ガスの供
給を遮断するクエンチガスを供給することを特徴とする
気相成長方法。 - 【請求項５】 原料を供給するガスの流れ方向と平行に
成長室分離ガスを噴射し、それによって形成される成長
室分離ガスのカーテンによって各結晶成長室に供給され
る原料ガスの流れを分離することを特徴とする請求項４
記載の気相成長方法。 - 【請求項６】 前記クエンチガスが、水素ガスまたは水
素ガスとエピタキシャル層を構成する元素の水素化物ガ
スとの混合ガスであることを特徴とする請求項４記載の
気相成長方法。 - 【請求項７】 基板上にエピタキシャル層を成長させる
ときには、原料を供給するガスの流れ方向と平行に成長
室分離ガスを噴射しそれによって形成される成長室分離
ガスのカーテンによって各結晶成長室に供給される原料
ガスの流れを分離し、前記基板ホルダーを結晶成長室間
を移動させるときには、前記基板上にクエンチガスを供
給し成長室を分離するガスの噴射を中断することを特徴
とする請求項４記載の気相成長方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5291557A JP2555959B2 (ja) | 1993-10-28 | 1993-10-28 | 気相成長装置および気相成長方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5291557A JP2555959B2 (ja) | 1993-10-28 | 1993-10-28 | 気相成長装置および気相成長方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07122506A JPH07122506A (ja) | 1995-05-12 |
| JP2555959B2 true JP2555959B2 (ja) | 1996-11-20 |
Family
ID=17770465
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5291557A Expired - Lifetime JP2555959B2 (ja) | 1993-10-28 | 1993-10-28 | 気相成長装置および気相成長方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2555959B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5444961B2 (ja) * | 2009-09-01 | 2014-03-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置及び成膜方法 |
-
1993
- 1993-10-28 JP JP5291557A patent/JP2555959B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07122506A (ja) | 1995-05-12 |
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