JP2842488B2 - シリコン多結晶棒保持具 - Google Patents

シリコン多結晶棒保持具

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JP2842488B2
JP2842488B2 JP34198691A JP34198691A JP2842488B2 JP 2842488 B2 JP2842488 B2 JP 2842488B2 JP 34198691 A JP34198691 A JP 34198691A JP 34198691 A JP34198691 A JP 34198691A JP 2842488 B2 JP2842488 B2 JP 2842488B2
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勝己 市村
泰弘 池田
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、原料シリコン多結晶棒
を高周波誘導加熱コイルを用いて、部分的に加熱溶融し
その溶融帯域を移動させることによって、シリコン単結
晶成長を行うFZ法半導体単結晶製造装置に関し、特に
シリコン多結晶棒を効果的に保持することを可能とした
シリコン多結晶棒保持具に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、FZ法によりシリコン単結晶を製
造する場合、垂直移動機能を有する上部駆動軸の下端部
に取り付けられかつチャンバー内に位置する多結晶保持
具と、垂直移動機能を有する下部駆動軸の上端部に取り
付けられかつ該チャンバー内に位置する種結晶ホルダー
と、該チャンバー内の中間部分に設けられた高周波誘導
加熱コイルとを有する装置を用い、該多結晶保持具に原
料シリコン多結晶棒を保持せしめ、かつ種結晶ホルダー
にシリコン単結晶の種を保持せしめ、高周波誘導加熱コ
イルによりシリコン多結晶棒の一端を溶融し該種結晶に
融着して種付けした後、該高周波誘導加熱コイルとシリ
コン多結晶棒を相対的に回転させかつ軸線方向に相対移
動させ、多結晶シリコン棒を軸方向に順次帯域溶融しな
がらシリコン単結晶棒を製造することが行われている。
【0003】図2に示すごとく、上記多結晶棒保持具2
の構造は、上部駆動軸4の下端部にネジ6によって固着
されかつ下方に開口する円筒状のアダプタ(通常はステ
ンレススチール製)8と、該アダプタの下端周辺部に開
穿された複数個のネジ穴10にネジ込まれかつ先端に耐
熱性の当て板14を取付けた複数個(通常は6〜8個)
の押えネジ12とよりなり、このネジ12を内方にネジ
込むことによってシリコン多結晶棒Pを当て板14によ
って挟持するようにしたものである。この当て板14の
材質は、シリコンよりも融点の高いモリブデンが通常用
いられる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】図2に示した従来のシ
リコン多結晶棒保持具2を有するFZ法半導体単結晶製
造装置によって、シリコン単結晶を成長させると次のよ
うな問題が発生した。 シリコン多結晶棒保持具2が保持するシリコン多結晶
棒Pが高温(1000℃以上)となるため、ステンレス
スチール製のアダプタのネジ穴10や押えネジ12のネ
ジ構造は1度で使用不能となりその都度新しいシリコン
多結晶棒保持具2と交換する必要がある。 対角線上に位置する押えネジ12の締めつけ方のバラ
ンスが取り難くシリコン多結晶棒を保持した後、回転さ
せた場合シリコン多結晶棒の中心(芯)がある半径をも
つ円の軌跡を描いてしまう。この状態でのFZ法は非常
に困難であり、例えば単結晶の品質の不安定等の原因と
なってしまう。 FZ工程の終了近くになると、シリコン多結晶棒保持
具2に近く溶融加熱状態が位置するため、該保持具近傍
の多結晶棒が高温、ときには1000℃以上に達し、主
としてこの輻射熱によって保持具2が全体的に加熱さ
れ、その結果、熱膨張により押えねじ12の多結晶棒の
締付け力が低下して、多結晶棒Pが保持具2から脱落す
るという事故が発生する。
【0005】本発明は、上記した従来技術に鑑みてなさ
れたもので、シリコン多結晶棒の保持機能を行うネジ穴
と押えネジを高温となるシリコン多結晶棒からの熱を極
力避けることができるようにして保持機能の耐久性の向
上を図り、シリコン多結晶棒を周囲から均一に押圧挟持
することによりシリコン多結晶棒を回転させた際、その
中心がある半径を持つ円軌道を描かないようにし、かつ
FZ工程の後半におけるシリコン多結晶棒の保持具から
の脱落を防止することができるようにしたシリコン多結
晶棒保持具を提供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明のシリコン多結晶棒保持具においては、上部
駆動軸の下端部に固着されかつ下方に開口する円筒状の
内部アダプタと、該内部アダプタの外面側に設けられる
とともに該上部駆動軸の下端部に同様に固着されかつ下
方に開口する円筒状の外部アダプタとを有し、該内部ア
ダプタの円周側壁は複数の弾性垂下壁から形成され、そ
の下端部分が該外部アダプタの円周側壁の下端から下方
に延出して下端延出部となるように該外部アダプタの円
周側壁よりも長尺とされ、該外部アダプタの円周側壁の
外面には複数の押えアームが回動可能に枢着され、該押
えアームの上端部を外方に付勢することによって該押え
アームの下端押え部が該内部アダプタの弾性垂下壁の下
端延出部を内方に押圧し、該内部アダプタ内に収納され
るシリコン多結晶棒の上端部分を保持するようにしたも
のである。
【0007】上記弾性垂下壁が複数対設けられ、該弾性
垂下壁の下端延出部を一つおきに該押えアームで内方に
押圧するようにするのが好ましい。この弾性垂下壁の枚
数は偶数対設けるが、例えば6対、8対、10対程度が
好ましい。
【0008】
【作用】本発明のシリコン多結晶棒保持具においては、
シリコン多結晶棒の上端を内部アダプタ内に入れて、押
えネジをネジ穴にネジ込むと、該押えアームはピンを支
点としてその下端押え部が弾性垂下壁の下端延出部を内
方に押すように回動する。この押えアームの押圧力によ
り該下端延出部は内方に変位し、シリコン多結晶棒の上
端を押圧挟持する。また、弾性垂下壁が耐熱性の良い高
融点金属材料で作られているときは、それらが短冊状に
垂直方向に各弾性垂下壁が分離構成されているので、F
Z工程の終期においてもこの弾性垂下壁自身はコイル接
近による誘導加熱を受けることができない。
【0009】以下に、本発明の一実施例を添付図面中、
図1に基づいて説明する。図1において、従来装置を示
す図2における部材と同一部材は同一符号で示す。
【0010】図1において、22は本発明に係るシリコ
ン多結晶棒保持具で、FZ法半導体単結晶製造装置に用
いられる。該シリコン多結晶棒保持具22は上部駆動軸
4の下端部にネジ24によって固着されかつ下方に開口
する円筒状の内部アダプタ26を有している。28は外
部アダプタで、該内部アダプタ26の外面側に設けられ
るとともに該上部駆動軸4の下端部に同様にネジ30に
よって固着されかつ下方に開口する円筒状をなしてい
る。
【0011】該内部アダプタ26の円周側壁32は、複
数の弾性垂下壁32aから形成され、その下端部分が該
外部アダプタの円周側壁の下端から下方に延出して、下
端延出部34となるように該外部アダプタ28の円周側
壁36よりも長尺とされている。
【0012】該外部アダプタ28の円周側壁36の外面
には複数の押えアーム38が突出部40に設けられたピ
ン42を介して回動可能に枢着されている。該押えアー
ム38の上端部にはネジ穴44が開穿され、該ネジ穴4
4には押えネジ46がネジこまれている。
【0013】該押えネジ46をネジ込むことによって該
押えアーム38の上端は外方に付勢されるとともに該押
えアーム38の下端押え部48が該内部アダプタ26の
弾性垂下壁32aの下端延出部34を内方に押圧し、該
内部アダプタ内26に収納されるシリコン多結晶棒Pの
上端部分を保持する。
【0014】上記弾性垂下壁32aは複数対設けられ、
該弾性垂下壁32aの下端延出部34を一つおきに該押
えアーム38の下端押え部48で内方に押圧するように
構成されている。この弾性垂下壁32aの枚数は偶数対
設けるが、例えば6対、8対、10対程度が好ましい。
【0015】なお、50は、該弾性垂下壁32aの下端
延出部34の内面側に設けられた耐熱性の当て板であ
る。この当て板50の材質は、シリコンよりも融点の高
い材質を用いる必要があり、モリブデンが好適である。
【0016】このような構成により、シリコン多結晶棒
Pの上端を内部アダプタ26内に入れて、押えネジ46
をネジ穴44にネジ込むと、該押えアーム38はピン4
2を支点としてその下端押え部48が弾性垂下壁32a
の下端延出部34を内方に押すように回動する。この押
えアーム38の押圧力により該下端延出部34は内方に
変位し、シリコン多結晶棒Pの上端を押圧挟持する。
【0017】このようにしてシリコン多結晶棒Pを保持
具22に保持し、チャンバー内において高周波誘導加熱
コイルを用い、部分的に加熱溶融しその溶融帯域を移動
させることによって、シリコン単結晶成長を行うと、シ
リコン多結晶Pは高温となるが、その熱は内部アダプタ
26及び外部アダプタ28の存在によって遮蔽され、押
えアーム38のネジ穴44及び押えネジ46がシリコン
多結晶棒Pから高温の熱を直接受けることは図1に示し
た従来の保持具に較べればはるかに少なくなり、それだ
け押えアーム38のネジ穴44及び押えネジ46の寿命
は延びるようになる。
【0018】また、シリコン多結晶棒Pの保持は押えネ
ジ46をネジ込むことにより押えアーム38の下端押え
部48によって弾性垂下壁32aの下端延出部34を押
圧変位せしめて内部に位置するシリコン多結晶棒Pの上
端を保持するようにしてあるから、シリコン多結晶棒P
を保持する力は、従来のごとく押えネジによって直接シ
リコン多結晶棒の側面を押圧保持するような構成に比較
して、周囲から均一にかかるようになり、シリコン多結
晶棒Pを回転させてもその中心がある半径を持つ円軌道
を描くことはなくなる。
【0019】さらに、弾性垂下壁32aを複数対(6
対、8対、10対程度)設け、該弾性垂下壁32aの下
端延出部34を一つおきに該押えアーム38の下端押え
部48で内方に押圧することによってシリコン多結晶棒
Pを保持すると、FZ工程の後半にシリコン多結晶棒P
が高温(1000℃以上)となり、この輻射熱によって
保持具2が熱膨張をおこし、内方に押圧変位された弾性
垂下壁32aの下端延出部34に外方への膨張による力
が加わっても弾性垂下壁32a自体がスプリング作用を
有しているためにその押圧保持力は弱まることはなく、
シリコン多結晶棒Pがずり落ちるような事故は発生しな
い。また、このとき、押えアーム38によって押圧され
ていない弾性垂下壁のスプリング作用は押えアーム38
によって制限を受けないから、押えアーム38によって
押圧変位されている弾性垂下壁32aよりも大きくこの
シリコン多結晶棒Pが膨張した際の保持力の維持強化に
寄与するものである。
【0020】
【発明の効果】以上のべたごとく、本発明によれば、シ
リコン多結晶棒の保持機能を行うネジ穴と押えネジを高
温となるシリコン多結晶棒からの熱を極力避けることが
できるから保持機能の耐久性が向上し、シリコン多結晶
棒を周囲から均一に挟持保持することができるからシリ
コン多結晶棒を回転させた際、その中心がある半径を持
つ円軌道を描くことがなくなり、単結晶の品質が安定し
た。また弾性垂下壁のスプリング作用によりFZ工程の
後半におけるシリコン多結晶棒の保持具からの脱落を防
止することができるという大きな効果が達成される。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のシリコン多結晶棒保持具の一実施例を
示す断面的概略説明図である。
【図2】従来のシリコン多結晶棒保持具の一例を示す断
面的概略説明図である。
【符号の説明】
2 従来のシリコン多結晶棒保持具 4 上部駆動軸 22 本発明のシリコン多結晶棒保持具 26 内部アダプタ 28 外部アダプタ 32a 弾性垂下壁 34 下部延出部 38 押えアーム 42 ピン 44 ネジ穴 46 押えネジ 48 下端押え部 P シリコン多結晶棒

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 チャンバーと、該チャンバーの上部に設
    けられた上部駆動軸と、該チャンバーの下部に設けられ
    た下部駆動軸と、該チャンバー内の中間部分に設けられ
    た高周波誘導加熱コイルとを具備し、該上部駆動軸の下
    端部に保持具を介して保持されるシリコン多結晶棒を高
    周波誘導加熱コイルを用いて部分的に加熱溶融しその溶
    融帯域を移動させることによってシリコン単結晶成長を
    行うFZ法半導体単結晶製造装置におけるシリコン多結
    晶棒保持具であり、該上部駆動軸の下端部に固着されか
    つ下方に開口する円筒状の内部アダプタと、該内部アダ
    プタの外面側に設けられるとともに該上部駆動軸の下端
    部に同様に固着されかつ下方に開口する円筒状の外部ア
    ダプタとを有し、該内部アダプタの円周側壁は複数の弾
    性垂下壁から形成され、その下端部分が該外部アダプタ
    の円周側壁の下端から下方に延出して下端延出部となる
    ように該外部アダプタの円周側壁よりも長尺とされ、該
    外部アダプタの円周側壁の外面には複数の押えアームが
    回動可能に枢着され、該押えアームの上端部を外方に付
    勢することによって該押えアームの下端押え部が該内部
    アダプタの弾性垂下壁の下端延出部を内方に押圧し、該
    内部アダプタ内に収納されるシリコン多結晶棒の上端部
    分を保持するようにしたことを特徴とするシリコン多結
    晶棒保持具。
  2. 【請求項2】 上記弾性垂下壁が複数対設けられ、該弾
    性垂下壁の下端延出部を一つおきに該押えアームで内方
    に押圧するようにしたことを特徴とする請求項1記載の
    シリコン多結晶棒保持具。
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CN102586860B (zh) * 2011-11-28 2015-02-11 宁夏日晶新能源装备股份有限公司 单晶炉晶棒定位装置及采用单晶炉晶棒定位装置的单晶炉
JP6943046B2 (ja) * 2017-07-11 2021-09-29 株式会社Sumco シリコン単結晶製造装置
JP7013984B2 (ja) * 2018-03-22 2022-02-01 株式会社Sumco Fz炉の多結晶原料把持具

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