JP2842391B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JP2842391B2 JP2842391B2 JP18657096A JP18657096A JP2842391B2 JP 2842391 B2 JP2842391 B2 JP 2842391B2 JP 18657096 A JP18657096 A JP 18657096A JP 18657096 A JP18657096 A JP 18657096A JP 2842391 B2 JP2842391 B2 JP 2842391B2
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体素子又は回路基
板装置をポリイミド系の保護樹脂で被覆する工程を含む
半導体装置の製造方法に関する。
板装置をポリイミド系の保護樹脂で被覆する工程を含む
半導体装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子又は回路基板の上面をポリイ
ミド系の樹脂を主成分とする保護樹脂（ジャンクション
コーティングレジン）で被覆した半導体装置は公知であ
る。保護樹脂膜を形成する時には、流動性等を良好にす
るために揮発性の溶剤を含有したポリイミド系樹脂を半
導体素子の上面に塗布又は印刷によって供給した後、こ
れに熱処理を施して揮発性溶剤を蒸発させる。
ミド系の樹脂を主成分とする保護樹脂（ジャンクション
コーティングレジン）で被覆した半導体装置は公知であ
る。保護樹脂膜を形成する時には、流動性等を良好にす
るために揮発性の溶剤を含有したポリイミド系樹脂を半
導体素子の上面に塗布又は印刷によって供給した後、こ
れに熱処理を施して揮発性溶剤を蒸発させる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、ポリイミド
系保護樹脂に含有させる揮発性溶剤として、Ｎ−メチル
−２−ピロリジノン及びシクロヘキサノン等が知られて
いる。しかしながら、Ｎ−メチル−２−ピロリジノンを
揮発性溶剤として含有する保護樹脂材は耐湿性が悪いと
いう欠点があった。また、シクロヘキサノンを揮発性溶
剤として含有する保護樹脂材は成膜性が悪いという欠点
があった。即ち、回路基板等の上面に保護樹脂を均一な
厚さで形成することが困難であった。
系保護樹脂に含有させる揮発性溶剤として、Ｎ−メチル
−２−ピロリジノン及びシクロヘキサノン等が知られて
いる。しかしながら、Ｎ−メチル−２−ピロリジノンを
揮発性溶剤として含有する保護樹脂材は耐湿性が悪いと
いう欠点があった。また、シクロヘキサノンを揮発性溶
剤として含有する保護樹脂材は成膜性が悪いという欠点
があった。即ち、回路基板等の上面に保護樹脂を均一な
厚さで形成することが困難であった。
【０００４】そこで、本発明は耐湿性及び成膜性の両方
に優れた保護樹脂膜を形成することができる方法を提供
することを目的とする。
に優れた保護樹脂膜を形成することができる方法を提供
することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本発明は、２〜２０重量％のポリイミド系樹脂と８０
〜９８重量％の揮発性溶剤とから成り、前記揮発性溶剤
が２０〜３０重量％のＮ−メチル−２−ピロリジノンと
７０〜８０重量％のシクロヘキサノンとから成る保護樹
脂材を用意する工程と、前記保護樹脂材を半導体素子又
は半導体素子を含む回路基板の上に供給して保護樹脂材
の被覆膜を形成する工程と、前記被覆膜に熱処理を施し
て前記揮発性溶剤を揮発させて保護樹脂膜を形成する工
程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法に係
わるものである。なお、本発明において半導体装置は、
半導体素子は勿論のこと、半導体素子を回路基板上に含
む装置も意味するものとする。
の本発明は、２〜２０重量％のポリイミド系樹脂と８０
〜９８重量％の揮発性溶剤とから成り、前記揮発性溶剤
が２０〜３０重量％のＮ−メチル−２−ピロリジノンと
７０〜８０重量％のシクロヘキサノンとから成る保護樹
脂材を用意する工程と、前記保護樹脂材を半導体素子又
は半導体素子を含む回路基板の上に供給して保護樹脂材
の被覆膜を形成する工程と、前記被覆膜に熱処理を施し
て前記揮発性溶剤を揮発させて保護樹脂膜を形成する工
程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法に係
わるものである。なお、本発明において半導体装置は、
半導体素子は勿論のこと、半導体素子を回路基板上に含
む装置も意味するものとする。
【０００６】
【発明の作用及び効果】本発明で特定された組成の保護
樹脂材によって保護樹脂膜を形成すると、耐湿性及び成
膜性に優れた保護樹脂膜を形成することができ、信頼性
の高い半導体装置を容易に提供することができる。
樹脂材によって保護樹脂膜を形成すると、耐湿性及び成
膜性に優れた保護樹脂膜を形成することができ、信頼性
の高い半導体装置を容易に提供することができる。
【０００７】
【実施例】次に、図１〜図３を参照して本発明の実施例
に係わる半導体装置の製造方法を説明する。まず、図１
に示すように半導体チップ即ち半導体素子１が回路基板
２上に固着され、この回路基板２が放熱用支持板３に固
着された半導体装置の組立体を用意する。なお、回路基
板２上には半導体素子１の他に配線導体層、他の受動又
は能動素子も設けられているが、これ等の図示は省略さ
れている。
に係わる半導体装置の製造方法を説明する。まず、図１
に示すように半導体チップ即ち半導体素子１が回路基板
２上に固着され、この回路基板２が放熱用支持板３に固
着された半導体装置の組立体を用意する。なお、回路基
板２上には半導体素子１の他に配線導体層、他の受動又
は能動素子も設けられているが、これ等の図示は省略さ
れている。
【０００８】また、半導体素子１を含む回路基板２の上
面に保護樹脂膜を形成するための保護樹脂材を用意す
る。この保護樹脂材は、 ポリイミド系樹脂 ２〜２０重量％ 揮発性溶剤 ８０〜９８重量％ の組成とする。また、上記の揮発性溶剤は、 Ｎ−メチル−２−ピロリジノン ２０〜３０重量％ シクロヘキサノン ７０〜８０重量％ の組成の混合物とする。
面に保護樹脂膜を形成するための保護樹脂材を用意す
る。この保護樹脂材は、 ポリイミド系樹脂 ２〜２０重量％ 揮発性溶剤 ８０〜９８重量％ の組成とする。また、上記の揮発性溶剤は、 Ｎ−メチル−２−ピロリジノン ２０〜３０重量％ シクロヘキサノン ７０〜８０重量％ の組成の混合物とする。
【０００９】次に、流動性を有する上記の保護樹脂材を
半導体素子１を含む回路基板２上に塗布又は印刷によっ
て供給して図２に示すように保護樹脂材膜４を形成し、
しかる後、保護樹脂材膜４に熱処理を施して揮発性溶剤
を蒸発させ、図３に示す保護樹脂膜４ａを形成する。し
かる後、図３で破線で示すように保護樹脂膜４ａを被膜
する樹脂封止体５を設ける。
半導体素子１を含む回路基板２上に塗布又は印刷によっ
て供給して図２に示すように保護樹脂材膜４を形成し、
しかる後、保護樹脂材膜４に熱処理を施して揮発性溶剤
を蒸発させ、図３に示す保護樹脂膜４ａを形成する。し
かる後、図３で破線で示すように保護樹脂膜４ａを被膜
する樹脂封止体５を設ける。
【００１０】保護樹脂材の組成が本発明で特定された範
囲であることが望ましいことを確認するために、本発明
で特定された範囲に属する多数の試料と範囲外の試料
（比較試料）とを用意し、成膜性及び耐湿性を調べた。
まず、揮発性溶剤として、 Ｎ−メチル−２−ピロリジノン ２５重量％ シクロヘキサノン ７５重量％ の混合物を用意し、この混合物から成る揮発性溶剤とポ
リイミド系樹脂（固形分）との比率を種々変えて成膜性
を調べたところ、保護樹脂材中のポリイミド系樹脂の含
有率が２重量％を下回ると流動性が良くなり過ぎて、保
護樹脂材を回路基板等の上面に所定の厚みで供給するこ
とができなくなった。一方、ポリイミド系樹脂の含有率
が２０重量％を越えると、保護樹脂材の粘度が高くなり
すぎ、回路基板等の上面に保護樹脂材が良好に広がらな
くなった。従って、ポリイミド系樹脂の好ましい含有率
は２〜２０重量％である。
囲であることが望ましいことを確認するために、本発明
で特定された範囲に属する多数の試料と範囲外の試料
（比較試料）とを用意し、成膜性及び耐湿性を調べた。
まず、揮発性溶剤として、 Ｎ−メチル−２−ピロリジノン ２５重量％ シクロヘキサノン ７５重量％ の混合物を用意し、この混合物から成る揮発性溶剤とポ
リイミド系樹脂（固形分）との比率を種々変えて成膜性
を調べたところ、保護樹脂材中のポリイミド系樹脂の含
有率が２重量％を下回ると流動性が良くなり過ぎて、保
護樹脂材を回路基板等の上面に所定の厚みで供給するこ
とができなくなった。一方、ポリイミド系樹脂の含有率
が２０重量％を越えると、保護樹脂材の粘度が高くなり
すぎ、回路基板等の上面に保護樹脂材が良好に広がらな
くなった。従って、ポリイミド系樹脂の好ましい含有率
は２〜２０重量％である。
【００１１】Ｎ−メチル−２−ピロリジノンとシクロヘ
キサノンとの混合比率の好ましい範囲を決定するため
に、本発明で特定された範囲内及び外の種々の混合比率
の揮発性溶剤を用意した。また、それぞれの揮発性溶剤
が９０重量％、ポリイミド系樹脂が１０重量％から成る
種々の保護樹脂材を用意し、図１〜図３に示す工程で保
護樹脂膜を形成した。この結果、揮発性溶剤中のＮ−メ
チル−２−ピロリジノンの含有率が３０重量％を越える
と、即ち、シクロヘキサノンの含有率が７０重量％を下
回ると、保護樹脂材を熱処理して形成された保護樹脂膜
の耐湿性が目標以下になることが分った。一方、Ｎ−メ
チル−２−ピロリジノンの含有率が２０重量％を下回る
と、即ち、シクロヘキサノンの含有率が８０重量％を越
えると、成膜性が低下し、目標とする保護樹脂膜を良好
に得ることができなかった。この成膜性の低下は、シク
ロヘキサノンはＮ−メチル−２−ピロリジノンに比べて
ポリイミド樹脂とのなじみが悪いため、熱処理時にＮ−
メチル−２−ピロリジノンに比べて均一に揮発し難いた
め等と考えられる。即ち、シクロヘキサノンが多いと、
保護樹脂材中の揮発性溶剤が均一に揮発しないため、保
護樹脂膜４ａを厚さ均一に形成することが困難となる。
しかし、シクロヘキサノンを減らし、ポリイミド樹脂と
のなじみが良いＮ−メチル−２−ピロリジノンを多くす
ると、吸湿性も良好であるため、保護樹脂の形成中（保
護樹脂材の供給から熱処理までの一連の工程中）に保護
樹脂中に水分をとり込み易くなり、成膜性が向上する。
従って、Ｎ−メチル−２−ピロジノンの好ましい範囲は
２０〜３０重量％であり、シクロヘキサノンの好ましい
範囲は７０〜８０重量％である。
キサノンとの混合比率の好ましい範囲を決定するため
に、本発明で特定された範囲内及び外の種々の混合比率
の揮発性溶剤を用意した。また、それぞれの揮発性溶剤
が９０重量％、ポリイミド系樹脂が１０重量％から成る
種々の保護樹脂材を用意し、図１〜図３に示す工程で保
護樹脂膜を形成した。この結果、揮発性溶剤中のＮ−メ
チル−２−ピロリジノンの含有率が３０重量％を越える
と、即ち、シクロヘキサノンの含有率が７０重量％を下
回ると、保護樹脂材を熱処理して形成された保護樹脂膜
の耐湿性が目標以下になることが分った。一方、Ｎ−メ
チル−２−ピロリジノンの含有率が２０重量％を下回る
と、即ち、シクロヘキサノンの含有率が８０重量％を越
えると、成膜性が低下し、目標とする保護樹脂膜を良好
に得ることができなかった。この成膜性の低下は、シク
ロヘキサノンはＮ−メチル−２−ピロリジノンに比べて
ポリイミド樹脂とのなじみが悪いため、熱処理時にＮ−
メチル−２−ピロリジノンに比べて均一に揮発し難いた
め等と考えられる。即ち、シクロヘキサノンが多いと、
保護樹脂材中の揮発性溶剤が均一に揮発しないため、保
護樹脂膜４ａを厚さ均一に形成することが困難となる。
しかし、シクロヘキサノンを減らし、ポリイミド樹脂と
のなじみが良いＮ−メチル−２−ピロリジノンを多くす
ると、吸湿性も良好であるため、保護樹脂の形成中（保
護樹脂材の供給から熱処理までの一連の工程中）に保護
樹脂中に水分をとり込み易くなり、成膜性が向上する。
従って、Ｎ−メチル−２−ピロジノンの好ましい範囲は
２０〜３０重量％であり、シクロヘキサノンの好ましい
範囲は７０〜８０重量％である。
【図１】保護樹脂膜形成前の半導体装置を示す断面図で
ある。
ある。
【図２】保護樹脂材膜を形成した半導体装置の断面図で
ある。
ある。
【図３】保護樹脂膜を形成した半導体装置の断面図であ
る。
る。
１ 半導体素子 ２ 回路基板 ４ 保護樹脂材膜 ４ａ 保護樹脂膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 23/28 - 23/30 C09D 179/08 H01L 21/56 H05K 3/28
Claims (1)
- 【請求項１】 ２〜２０重量％のポリイミド系樹脂と８
０〜９８重量％の揮発性溶剤とから成り、前記揮発性溶
剤が２０〜３０重量％のＮ−メチル−２−ピロリジノン
と７０〜８０重量％のシクロヘキサノンとから成る保護
樹脂材を用意する工程と、 前記保護樹脂材を半導体素子又は半導体素子を含む回路
基板の上に供給して保護樹脂材の被覆膜を形成する工程
と、 前記被覆膜に熱処理を施して前記揮発性溶剤を揮発させ
て保護樹脂膜を形成する工程とを含むことを特徴とする
半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18657096A JP2842391B2 (ja) | 1996-06-26 | 1996-06-26 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18657096A JP2842391B2 (ja) | 1996-06-26 | 1996-06-26 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1012775A JPH1012775A (ja) | 1998-01-16 |
| JP2842391B2 true JP2842391B2 (ja) | 1999-01-06 |
Family
ID=16190852
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18657096A Expired - Fee Related JP2842391B2 (ja) | 1996-06-26 | 1996-06-26 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2842391B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008147026A (ja) * | 2006-12-11 | 2008-06-26 | Hitachi Ltd | 固体酸化物形燃料電池 |
| JP2010267794A (ja) * | 2009-05-14 | 2010-11-25 | Mitsubishi Electric Corp | パワーモジュール |
-
1996
- 1996-06-26 JP JP18657096A patent/JP2842391B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH1012775A (ja) | 1998-01-16 |
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