JPS58162036A - 半導体をド−プするド−プシ−ト及びその製造法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、半導体を少なくとも１種類のドープ剤でＰ−
プするドープシートに関する。

米国特許第３９７１．８７０号明細書の記載から、ｒ−
プ剤が埋封されている単層の可撓性サシストレートから
なる前記種類のドープシートは、既に公知である。しか
し、この公知のシートは、該シートをその中にドープ剤
を均一に分配するように製造するという困難をもたらす
。

しかし、シート内でのドープ剤の不均一な分布は、他面
でそれが半導体中で形成すべきＰ−ゾ領域の不純物濃度
の望ましくない不均一性を導きつるという欠点を有する
。

これとは異なり、Ｐ−プシートが担体材料からなる、１
２−プ剤を含まない可撓性サブカドレートを−有し、こ
のサブストレートの２つの主表面の少なくとも１つにＰ
−プ剤を含有する表面層が被覆されていることを特徴と
する本発明によるＰ−ゾシートは、Ｐ−プ剤をサブスト
レートに被覆された表面層内で著しく均一に分配するこ
とができ、Ｐ−ビンｊ後に半導体中の不純物濃度の均一
な分布を導くという利点を有する。前記した対象の好ま
しい他の実施態様は、特許請求の範囲第２項〜第１０項
のいずれか１項の記載から判明する。更に、本発明によ
るドープシートの特に好ましい製造法は、ドープ剤を含
まない可撓性サブストレートを担体材料として使用し、
ドープ剤を微粒子状態で含有するペースト状物質をサブ
ストレートの２つの主表面の少なくとも１つに被覆し、
次にこのペースト状物質を、Ｐ−プ剤を均一な分布で含
有する表−面層をサブストレート上に形成するために乾
燥することよりなり、さらに他の好ましい実施態様は、
特許請求の範囲第１２項〜第１８項のいずれか１項に記
載されている。

本発明によるドープシートの２つの実施例は、図面に図
示されており、次の記載で詳説される。

第１図には、ドープシートが図示され、このドープシー
トは、サブストレート１を有し、このサブストレートは
、ドープ剤を含まない担体材料からなる。サブストレー
ト１の２つの主表面の１つに表面層２は被覆され、この
表面層に半導体をドープするのに好適なドープ剤が埋封
されている。第２図は、ザブストレート１の２つの主表
面にそれぞれ１つの表面層２が被覆されているドープシ
ートを示し、その際２つの表面層２は、同一のＰ−プ剤
を含有する。２つの実施例の場合、可撓性サブストレー
ト１ば、少なくとも１種類の有機高分子化合物からなる
。

この場合、サブストレート材料としては、殊に次の材料
を使用することができる：ポリエステル、ポリカーゼネ
ート、ポリビニルアルコール、セルロース誘導体、ポリ
アセタール。この場合、サブストレート１は、厚さ１０
μ〜２５０μを有することができる。

更に、本発明によれば、表面層２のドープ剤は、微粒子
状態でラッカー状結合剤中に含有されていることが設け
られている。その際、表面層２がドープ剤及び結合剤以
外に剥離剤を含有する場合、ｒ−プシートの一定の使用
で該シートをそれぞれ１つの主表面に接する２つの半導
体をＰ−プするために使用する場合に半導体の接着を阻
止するのが特に有利である。この場合、剥離剤としては
γ−Ａ１，０３が特に好適であるととが判明した。ドー
プ剤としては、硼酸又は燐酸二水素アンモニウムを使用
することができる。更に、表面層２は、ゲッタ物質を含
有することができる。

本発明による１−プシートの製造は、ド−ゾ剤を含ま々
い可撓性サシストレート１の２つの主表面の少なくとも
１つにドープ剤を微粒子状態で含有するペースト状物質
を被覆し、次にこのペースト状物質を、ｒ−プ剤を均一
な分布で含有する表面層２をサブストレート１に片側又
は両側で形成するために乾燥することによって行なわれ
る。そのためには、ペースト状物質が１２−プ剤以外に
少なくとも１種類の樹脂′形成剤及び溶剤を含有するの
が特に有利である。更に、このペースト状物質は、既に
さらに前記した目的を充足する剥離剤、例えばγ−Ａ１
２０３を含有することができる。このペースト状物質は
、スクリーン印刷もしくはオフセット印刷又はロール塗
布によって可撓性サブストレート１に被覆することがで
きる。樹脂形成剤としては、次の材料を使用することが
できる：エポキシ樹脂、ポリアセタール、セルロース誘
導体、コロジオン、ロジン。溶剤としては、次のものを
使用することができるニジクロヘキサノン、インジルア
ルコール、α−テルピネオール。更に、ペースト状物質
は、ゲッタ物質を含有することができる。

室温での乾燥後、印刷したラッカーは、均一な厚さの固
着する非粘着Ｒ２をサブストレート１に生じる。

前記シートにより拡散後に達成される結果は、著しく均
一な表面抵抗（Ω／口）及び半導体からなる板の短い剥
離時間（約３時間）を示すサブストレートに被覆された
ペースト状物質の乾燥過程は、無水物を混入することに
よって短縮する仁とができる。この場合、環式無水物は
、特に使用可能な結果を生じる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明によるドープシートの第１の実施例を
示す断面図、第２図は、第１図による第２の実施例を示
す断面図である。 １・・・サブストレート、２・・・表面層ＦＩＧ、Ｉ ＩＧ　２

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、　半導体を少なくとも１種類のドープ剤でドープす
   るｒ−ゾシートにおいて、該シートが担体材料からなる
   、ドープ剤を含まない可撓性サブストレート（１）を有
   し、サブストレート（Ｌ）の２つの主表面の少なくとも
   １つにドープ剤を含有する表面層（２）が！＆覆されて
   いることを特徴とする、半導体をドープするドープシー
   ト。 ２、　サブストレート（１）の２つの主表面にそれぞれ
   １つの表面層（２）が被覆されており、その際２つの表
   面層（２）が同一のドープ剤を特徴する特許請求の範囲
   第１項記載のＰ−プシート。 ３、　可撓性サブストレート（１）が少なくとも１種類
   の有機高分子化合物からなる、特許請求の範囲第１項又
   は第２項に記載のドープシート。 ４、．１′？リエステル、ポリカーゼネート、ポリビニ
   ルアルコール、セルロース誘導体及ヒ／又はポリアセタ
   ールをサブストレート材料として使用する、特許請求の
   範囲第３項記載のドープシート。 δ、　サブストレー）（１）５１０μ〜２５０μの厚さ
   を有する、特許請求の範囲第１項〜第牛項のいずれか１
   項に記載のドープシート。 ６、表面層（２）でドープ剤が微粒子状態でラッカー状
   結合剤中に含有されている、特許請求の範囲第１項〜第
   ５項のいずれか１項に記載のＰ−プシート。 ７、表面層（２）がＰ−プ剤及び結合剤以外にシートを
   それぞれ１つのその表面側に接触する２つの半導体をド
   ープするために使用する場合にドーピングの際に半導体
   の接着を阻止する剥離剤を特徴する特許請求の範囲第６
   項記載のドープシート。 ８　剥離剤がγ−Ａ　１２　ｏ３からなる、特許請求の
   範囲第７項記載のｒ−プシート。 ９　硼酸又は燐酸二水素アンモニウムをドープ剤として
   使用する、特許請求の範囲第１項〜第８項のいずれか１
   項に記載のＰ−プシート１０、表面層（２）がゲッタ物
   質を特徴する特許請求の範囲第１項〜第９項のいずれが
   １項に記載のｒ−プシート。 １１、半導体を少なくとも１種類のドープ剤でＰ−プす
   るＰ−プシートの製造法において、Ｐ−プ剤を含まない
   可撓性サシストレート（１）を担体材料として使用し、
   ド−プ剤を微粒子状態で含有するペースト状物質をサブ
   ストレート（１）の２つの主表面の少なくとも１つに被
   覆し、次にこのペースト状物質をドープ剤を均一な分布
   で含有する表面層（２）をサブストレート（１）上に形
   成するために乾燥することを特徴とする、半導体をド−
   プするドープシートの製造法。 １２、ペースト状物質が、シープ剤以外に少な、くとも
   １種類の樹脂形成剤及び溶剤を特徴する特許請求の範囲
   第１１項記載の方法。 １３、ペースト状物質はシートに接する２つの半導体を
   ドープするために完成ドープシートを使用する際にシー
   ト′に接する２つの半導体の接着をドープ中に阻止する
   剥離剤を含有する特許請求の範囲第１１項又は第１゜２
   項に記載の方法。 １４、−！！−スト状物質がスクリーン印刷もしくはオ
   フセット印刷又はロール塗布によって可撓性サブストレ
   ート（１）に被覆される、特許請求の範囲第１１項〜第
   １３項のいずれか１項に記載の方法。 １５、エポキシ樹脂、ポリアセタール、セルロース誘導
   体、コロジオン及びロジンの群から選択される少なくと
   も１種類の材料を樹脂形成剤として使用する、特許請求
   の範囲第１２項〜第１４項のいずれか１項に記載の方法
   。 １６、　シクロヘキサノン、ベンノルアルコール及びα
   −テルピネオールの群から選択される少なくとも１種類
   の材料を溶剤として使用する、特許請求の範囲第１２項
   〜第１５項のいずれか１項に記載の方法。 １７　　γ−Ａ１２０３を剥離剤として使用する、特許
   請求の範囲第１３項〜第Ｌ６項のいずれか１項に記載の
   方法。 １８、ペースト状物質はゲッタ物質を特徴する特許請求
   の範囲第１１項〜第１７・項のいずれかＬ項に記載の方
   法。 １９、ペースト状物質は無水物、特に環式無水物を特徴
   する特許請求の範囲第１１項〜第１８項のいずれか１項
   に記載の方法。