JP2834700B2 - アルデヒドの製造方法 - Google Patents

アルデヒドの製造方法

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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、配位子としてヘテ
ロ環式カルベンを含むコバルトまたはロジウムの錯体
存在下で、オレフィンのヒドロホルミル化によりアルデ
ヒドを製造する方法に関する。オレフィンと一酸化炭素
および水素との反応は、均質または不均質相のいずれの
中でも行なうことができる。
【0002】
【従来の技術】オレフィンと一酸化炭素および水素との
反応(ヒドロホルミル化)を使用して出発オレフィンよ
り1つ多い炭素原子を含むアルデヒドおよびアルコール
を製造できることが知られている。この反応は、ヒドリ
ド−金属カルボニル、好ましくは周期表(IUPAC1
985年勧告に対応)第8族、第9族、第10族の金属
のヒドリド−金属カルボニルによって触媒される。触媒
金属として最初に使用され、工業上広く使用されている
コバルトの他に、最近ロジウムの重要性が増大してい
る。コバルトと対照的に、ロジウムは、反応を低圧で行
なうことを可能にする。さらに、末端オレフィンが優先
してn−アルデヒドおよび副次的な量のイソアルデヒド
を形成する。なおまた、オレフィンの水素化による飽和
炭化水素の生成は、ロジウム触媒の存在下では、コバル
ト触媒を用いる時よりも著しく低下する。工業上導入さ
れる方法において、ロジウム触媒は、付加的な配位子、
特に第三有機ホスフィンまたはホスフィットを含む変性
ヒドリド−ロジウムカルボニルの形で使用される。ヒド
ロホルミル化のこの変更はロジウムを触媒として使用す
る方法よりも工業的に重要ではないが、コバルト触媒
も、配位子として付加的にホスフィンまたはホスフィッ
トを含むカルボニルの形で使用される。
【0003】使用される触媒金属の活性を制御する配位
子(それ故制御配位子と呼ばれる)は通常、錯体の形成
に必要な量よりも過剰に存在し、それによって、錯体
質量作用の法則の意味で安定化する。それ故触媒系は、
錯体と遊離配位子からなり、この配位子は、比触媒活性
のためにだけでなく錯体の安定性のためにも重要であ
る。
【0004】ヒドロホルミル化反応は、均質な系でも不
均質な系でも行なうことができる。均質に触媒される反
応において、触媒は、反応生成物および存在することも
ある溶剤に均質に溶解する。この方法は、コバルト触媒
を用いる場合にもロジウム触媒を用いる場合にも適して
いることがわかった。しかしながら、反応生成物を分離
することも、ロジウムによって触媒される反応の場合に
は触媒を回収することも困難である。生成物および触媒
溶液は通常互いに蒸留により分離される。しかし、形成
されるアルデヒドおよびアルコールの熱感受性のため
に、この方法は、低級オレフィン、すなわち分子中に約
8個までの炭素原子を有するオレフィンのヒドロホルミ
ル化にだけ使用できる。
【0005】上記欠点は、水溶性ロジウム錯体を触媒と
して使用することによるロジウム触媒反応において、避
けられる。このような反応は、例えばドイツ連邦共和国
特許第2627354号明細書に記載されている。ロジ
ウム錯体の溶解性は、ここでは、錯体の成分としてスル
ホン化されたトリアリールホスフィンを使用することに
よって達成される。この方法の実施において、反応終了
後の反応生成物からの触媒の分離が、水相および有機相
の分離によって、すなわち蒸留しないで、従って付加的
な熱方法工程を伴わずに、簡単に行なわれる。この方法
のさらに別の特徴は、n−アルデヒドが、末端オレフィ
ンから特に高い選択性で形成され、イソ−アルデヒド
が、非常に副次的な量でのみ形成されることである。水
溶性ロジウム錯体に使用される錯体形成成分は、好まし
くは、スルホン化されたトリアリールホスフィンおよび
付加的にカルボキシラート化されたトリアリールホスフ
ィンである。
【0006】有機ホスフィンは、それが有機媒体または
水に可溶性であるかどうかにかかわらず、その広範な種
類、触媒活性および安全性のために、制御配位子として
工業上の実施に適してる。それにもかかわらず、一連の
欠点が、そのより広範な用途への使用の妨げになってい
る。これには、特に、金属および金属イオンの存在下に
特に生じる酸化感受性が含まれる。それ故、ホスフィン
含有錯体に基づく触媒を用いる時、しばしば高コストで
しか製造できない配位子の損失を減少させるために、酸
素または空気のような酸化剤を排除する対策を講じてい
る。全ての有機ホスフィンが共通して有しそれの可能な
用途を制限するさらに別の性質は、リン−炭素結合の不
可逆開裂であり、これは、例えばヒドロホルミル化にお
いて、ホスフィンのタイプによって決まるある温度より
高い温度で高められた程度で生じ、触媒の不活化、従っ
て経済性を損ねるホスフィンの高い消費に導く。最後
に、慣用のアルキルホスフィンおよびアリールホスフィ
ンは、同様に配位子として使用される有機ホスフィット
と同様に、触媒活性金属中心に関して電子制御可能性の
全範囲をカバーできない。特に、酸化剤に対して安定で
あって金属への安定した結合を形成する強い求核性の電
子豊富な配位子を欠いている。
【0007】
【解決しようとする課題】それ故、本発明の目的は、上
記欠点を持たず、さらに容易にかつ安価に合成できるヒ
ドロホルミル化反応用の触媒としての新規金属錯体を開
発することである。さらに、制御配位子の構造を簡単な
方法で変えることができ、その結果、それぞれの触媒作
用による問題に適合させることが可能な触媒を製造でき
る。
【0008】
【課題を解決するための手段】この目的は、モノオレフ
ィン、ポリオレフィン、シクロオレフィンまたはこれら
の化合物類の誘導体と、一酸化炭素および水素とを、2
0〜180℃の温度かつ0.1〜30MPaの圧力で、
触媒としてコバルトまたはロジウムの錯体の存在下に反
応させることによるアルデヒドの製造方法によって達成
される。この方法において、上記錯体は、式 [L (A) 〔式中Mは中心原子としてのコバルトまたはロジウムで
あり、Xは一座または多座の、荷電または未荷電の、中
心原子に結合した配位子でありそしてLもまた中心原子
Mに配位子として結合した式
【0009】
【化3】 で表されるモノカルベンまたは式
【0010】
【化4】 で表されるジカルベン{式中R、R、R、R
およびRは同一または異なる直鎖または分枝のス
ルホン化されたまたはスルホン化されていない炭素原子
数1〜7のアルキル基、スルホン化されたまたはスルホ
ン化されていない炭素原子数5〜18の脂肪族単環式ま
たは多環式基、スルホン化されたまたはスルホン化され
ていない炭素原子数2〜5のアルケニル基、スルホン化
されたまたはスルホン化されていない炭素原子数6〜1
4のアリール基、あるいはスルホン化されたまたはスル
ホン化されていない炭素原子数7〜19のアラルキル基
であり、Rおよび/またはRはまた−(CH
PR(m=1、2、3または4、R=ベンジル、フェ
ニル、置換フェニル、ナフチル)、さらに−(CH
NR′(mは上で定義された通りである、R′=ア
ルキル、ビニル、アリル、ベンジルおよびアリール)、
さらに−(CHO″(mは上で定義された通りで
ある、R″=アルキル、特にメチル、ビニル、アリル、
ベンジルまたはフェニル)であることもでき;R、R
、RおよびRはまた水素であることもでき、R
はRと共に、そしてRはRと共に、それぞれ同一
または異なる縮合したスルホン化されたまたはスルホン
化されていない炭素原子数3〜7の基であることもで
き、R、R、RまたはRは配位子Xと共に環を
形成することができ、Yは飽和または不飽和の、直鎖ま
たは分枝の炭素原子数1〜4のアルキリデン基またはジ
アルキルシリレン基またはテトラアルキルジシリレン基
である。}であり、Aは一荷電アニオンまたは多荷電ア
ニオンの化学当量であり、bは1〜3の整数であり、a
は1〜(4・b)の整数であり、cは0または1〜(4
・b)の整数であり、そしてn=0または1〜6の整数
である。〕で表される。
【0011】錯体中にカルベンに加えて存在することが
ある、式(I)中でXによって示される一座または多座
の配位子は、水素または水素イオン、ハロゲンまたはは
ハロゲン化物イオン、プソイドハロゲン化物、カルボキ
シラートイオン、スルホナートイオン、炭素原子数1〜
7のアルキル基、アミド基、アルコキシド基、アセチル
アセトナート基、一酸化炭素、一酸化窒素、ニトリル、
イソニトリル、モノオレフィンまたはジオレフィン、ア
ルキンおよびπ−芳香族基である。錯体の分子中に複数
のこれらの配位子が存在する場合、それらは同一であっ
ても異なっていてもよい。
【0012】イミダゾールからおよびピラゾールまたは
それらの誘導体から誘導される式(II)、(II
I)、(IV)および(V)に対応するモノカルベンま
たはジカルベン中、R〜Rは、特に、基メチル、イ
ソプロピル、t−ブチル、ベンジル、トリフェニルメチ
ル、フェニル、トリル、キシリル、メシチルおよびアダ
マンチルであり、RおよびRは好ましくはメチル
基、t−ブチル基、フェニル基、ベンジル基およびo−
トリル基であり、RおよびRは好ましくは水素およ
びメチル基である。
【0013】基RおよびR、ならびに基Rおよび
は、イミダゾール環の2つの隣接炭素原子またはピ
ラゾール環中のC−N部分と共に、環系を形成すること
がある。この時RおよびRまたはRおよびR
好ましくは部分(CH)であり、それは、縮合芳香族
六員環、(CH)4および(CHを形成する。
【0014】式(IV)および(V)で表されるジカル
ベンのYによって示されるブリッジは、好ましくはメチ
レン、ジメチルメチレン、ジフェニルメチレン、1,3
−フェニレンおよびエチリデン基である。ケイ素含有ブ
リッジのうち、ジメチルシリレンおよびテトラメチルジ
シリレン基が好ましい。aは好ましくは1または2であ
り、bは好ましくは1である:nは特に0から3までの
数である。
【0015】Aは好ましくは、ハロゲン化物、プソイド
ハロゲン化物、テトラフェニルボラート、テトラフルオ
ロボラート、ヘキサフルオロホスファートおよびカルボ
キシラートイオン、特にアセタートイオン、さらに金属
錯体アニオン、例えばテトラカルボニルコバルタート、
ヘキサフルオロフェラート(III)、テトラクロロフ
ェラート、テトラクロロアルミナートまたはテトラクロ
ロパラダート(II)である。
【0016】触媒として使用されるコバルトおよびロジ
ウム錯体は、種々の方法によって得ることができる。一
製造方法は、簡単な化合物、すなわち各元素の塩または
金属錯体(例えばアセチルアセトナート、金属カルボニ
ル)から出発し、それは錯体の中心原子を形成する。別
の方法によれば、本新規化合物は、錯体から配位子交換
によってまたは除去および/または置換反応によって、
例えばこれらの金属化合物の通常の溶剤錯体から得られ
る。請求した化合物は、カルベンをそれぞれの金属成分
に単に付加することによって得ることもでき、その際こ
の分子付加は、ブリッジ構造の破壊下でも起こり得る。
【0017】カルベンは、その安定性に応じて、遊離形
で溶液として使用されるかまたは、よりしばしば、反応
混合物中で、反応条件下にカルベンに変換され得る化合
物から製造される。最も重要な形成方法は、場合により
金属ヒドリド、カルボニルメタラート、金属カルボキシ
ラート、金属アルコキシドまたは金属アミドのような塩
基の付加による、イミダゾリウムまたはピラゾリウム塩
の脱プロトン化である。
【0018】出発材料、すなわち簡単な塩または錯体
と、カルベンおよび場合によりさらに別の配位子との反
応は、反応物を溶剤中で室温または高められた温度で混
合することによって行なわれる。反応は素早く進行し、
しばしば数分後に実質的に終了する。しかし、反応を終
了させるために、特に出発材料が使用される溶剤中に一
部しか溶解しない、すなわち出発材料が懸濁液から反応
する場合には、数時間までの反応時間を遵守するのがよ
い。
【0019】スルホン化された配位子を含む水溶性錯体
を製造するために、使用される出発材料は、分子または
分子断片がスルホン化されている少なくとも1種の反応
物を含む。反応媒体から新規錯体を単離するために、溶
剤を、有利には高い減圧下に、除去するのが適当である
ことが実証された。粗生成物は、洗浄し、個々の場合に
予備実験によって決定され得る適当な溶剤または溶剤混
合物から結晶化することによって、精製される。
【0020】ヒドロホルミル化反応用の触媒として本発
明により使用されるコバルトおよびロジウム錯体は、特
にそれがスルホン酸基によって置換されている脂肪族ま
たは芳香族基を含む場合には、有機溶剤中に、水中でも
塩として、溶解する。それらは非常に熱に安定であっ
て、350℃より高い温度でさえもしばしば安定であ
る。さらに、それらは、ホスフィンおよびホスフィット
と対照的に、酸化反応をほとんど受けないことが明らか
である。最後に、本錯体は、解離する傾向がない。それ
故しばしば、配位子を、触媒活性および安定性を制御す
るために錯体の形成に必要な化学量論量より過剰に使用
する必要がない。過剰の配位子を使用するのが有利であ
る場合、これは、ホスフィンまたはホスフィットを使用
する場合よりも著しく少なくできる。
【0021】それらの溶解性に応じて、コバルトまたは
ロジウムの触媒活性錯体を、通常出発オレフィン、反応
生成物、反応副産物および場合により溶剤からなる有機
反応媒体中に均質に溶解して使用することができる。当
錯体は、分離相として水溶液中で不均一反応系中でも
使用できる。特に適当な水溶性触媒は、スルホン酸基に
よって置換された異種カルベン配位子を含む錯体であ
る。
【0022】コバルトまたはロジウム錯体は、一般に実
際の反応の前に合成されるが、それらはヒドロホルミル
化の反応混合物中でその場で製造してもよい。両場合
で、触媒は上記のように金属コバルトまたはロジウムの
塩または錯体から得られる。合成ガスの作用下で、最初
に使用されるコバルトまたはロジウム錯体は、活性ヒド
ロホルミル化触媒に変換される。
【0023】有機または水性触媒溶液中の金属(錯体
形の)濃度は、使用されるオレフィン系不飽和化合物に
対して、10−6〜1mol%、好ましくは10−4
10−1mol%である。上記範囲内で、必要とされる
コバルト濃度は、必要とされるロジウム濃度の10倍ま
でである。オレフィン系不飽和化合物と一酸化炭素およ
び水素との反応は、約0.1〜約300MPa、好まし
くは1〜15MPaの圧力で行なわれ、その際、コバル
ト触媒はロジウム触媒より高い圧力を必要とする。合成
ガスの組成、すなわち一酸化炭素と水素との容積比は、
広い範囲に広がり、例えば1:10から10:1まで変
えることができる。一般に、一酸化炭素:水素の容積比
が約1:1であるか、またはこの値から一方または他方
の方向にわずかにだけはずれているガス混合物が使用さ
れる。
【0024】反応温度は約20〜180℃であり、好ま
しくは80〜150℃である。コバルト触媒は、ロジウ
ムベースの触媒よりも高い温度を必要とする。液相また
は気相中に存在する反応物の反応は慣用の反応器中で行
なわれる。反応の過程は、均質系の場合には、1つの液
相および1つの気相の間での密接な接触によって、ま
た、不均質系の場合には、2つの液相および1つの気相
の間での密接な接触によって決定的に影響される。それ
故、相の間の接触面積をできるだけ大きくする必要があ
る。それ故、合成ガスはおよび場合によりオレフィン
も、好ましくは、分配装置を介して液相に供給される。
不均質触媒相を用いて行なわれるヒドロホルミル化反応
の場合、反応混合物を強く攪拌するのがよい。所望であ
れば、触媒中でのオレフィン化合物の溶解性を改善する
ために水相に可溶化剤を添加することもできる。反応
は、バッチ式にまたは好ましくは連続的に行なうことが
できる。
【0025】本発明の方法は、モノオレフィン、ポリオ
レフィン、環状オレフィンおよびこれらの不飽和化合物
の誘導体に効果的に適用できる。分子の大きさに関し
て、使用されるオレフィンには制限はない;この方法
は、炭素原子数2〜40の化合物の場合に有効であるこ
とがわかった。オレフィン系不飽和化合物は、直鎖また
は分枝であることができ、二重結合は末端または内部に
あることができる。この新規方法で使用され得るオレフ
ィンの例は、エチレン、プロピレン、1−ブテン、2−
ブテン、1−ペンテン、2−メチルブト−1−エン、1
−ヘキセン、2−ヘキセン、1−ヘプテン、1−オクテ
ン、3−オクテン、3−エチルヘキス−1−エン、1−
デセン、3−ウンデセン、4,4−ジメチルノン−1−
エン、ジシクロペンタジエン、ビニルシクロヘキセン、
シクロオクタジエン、スチレン、2−ビニルナフタレン
である。請求した方法を用いてヒドロホルミル化され得
る上記オレフィン類の誘導体は、例えば、アルコール、
アルデヒド、カルボン酸、エステル、ニトリルおよびハ
ロゲン化合物、アリルアルコール、アクロレイン、メタ
クロレイン、クロトンアルデヒド、アクリル酸メチル、
クロトン酸エチル、フマル酸ジエチル、マレイン酸ジエ
チル、アクリロニトリルである。この方法は、炭素原子
数2〜20のオレフィンおよびオレフィン誘導体のヒド
ロホルミル化に効果的に使用される。
【0026】触媒として使用される錯体中のカルベン配
位子の1つがキラルである、すなわち、それが、シェー
ンフリース系による第二型の対称要素を持っていない場
合には、もし出発化合物がプロキラルであって金属錯体
が光学的に純粋な形で使用されるならば、不斉誘導がヒ
ドロホルミル化生成物中で生じる。こうしてキラル生成
物を製造できる。
【0027】
【実施例】以下、まず新規触媒の製造を記載する;以下
の例で本発明を説明するが、本発明をこれらの詳細な実
施態様に限定するものではない。例1 :クロロ(η−1,5−シクロオクタジエン)
(1,3−ジメチルイミダゾリン−2−イリデン)ロジ
ウム(I)(触媒1)の製造 a)1,3−ジメチルイミダゾリン−2−イリデン 8.69g(38.8mmol)の1,3−ジメチルイ
ミダゾリウムヨウ化物を水素化ナトリウム1.03g
(42.7mmol)およびカリウムt−ブトキシド
0.2g(1.8mmol)と共にテトラヒドロフラン
(THF)50ml中に溶解させ、パラフィン油逆止め
弁の付いたシュレンク管中で室温で4時間攪拌する。溶
液は、形成される遊離カルベンによって黄色に変わる。
溶剤を高い減圧下で取り除き残渣を減圧下にミクロ蒸留
装置で蒸留する。これによって、1,3−ジメチルイミ
ダゾリン−2−イリデンが黄色の油状物の形で得られ
る。カルベンは直ちに60ml(7)THFに溶解させ
て−30℃で貯蔵する。
【0028】b)クロロ(η−1,5−シクロオクタ
ジエン)(1,3−ジメチルイミダゾリン−2−イリデ
ン)ロジウム(I) 247mg(0.5mmol)のジ−(μ−クロロ)ビ
ス(η−1,5−シクロオクタジエン)ジロジウムを
室温で無水THF20mlに溶かし、192mg(1m
mol)の1,3−ジメチルイミダゾリン−2−イリデ
ンと混合する。即時の反応が薄い黄色から濃い黄色への
色の変化によって認めることができる。この混合物を室
温でさらに15分間攪拌し、溶剤を高い減圧下に取り除
き、残渣をジエチルエーテル10mlで洗浄することに
よって精製する。生成物を塩化メチレン10mlに溶か
し、ペンタン30mlで注意深く覆う。得られる黄色の
結晶から、デカンテーションにより溶剤混合物を除き、
高い減圧下に乾燥させる。この化合物はクロロホルムお
よび塩化メチレンに非常によく溶け、THFおよびトル
エンによく溶け、ジエチルエーテルおよびペンタンに僅
かに溶けて、黄色を示す。酸素雰囲気下に数時間湿った
トルエン中で加熱した後でも、分解は起こらない。収
量:310mg(91%)。
【0029】この化合物の5.0〜20.0mg(0.
015〜0.058mmol)が触媒として使用される
(表を参照)。例2 :[(η−1,5−シクロオクタジエン)−ビス
(1,3−ジメチルイミダゾリン−2−イリデン)ロジ
ウム(I)]クロリド(触媒2)の製造 247mg(0.5mmol)のジ(μ−クロロ)ビス
(η−1,5−シクロオクタジエン)ジロジウムを室
温で無水THF20mlに溶かし、279mg(3mm
ol)の1,3−ジメチルイミダゾリン−2−イリデン
と混合する。即時の反応が薄い黄色から濃い黄色への色
の変化によって認めることができる。この混合物を室温
でさらに3時間攪拌し、溶剤を高い減圧下に取り除き、
残渣をジエチルエーテル30mlで洗浄することによっ
て精製する。生成物を塩化メチレン10mlに溶かし、
ペンタン30mlで注意深く覆う。得られる黄色の結晶
から、デカンテーションにより溶剤混合物を除き、高い
減圧下に乾燥させる。この化合物はクロロホルムおよび
塩化メチレンに容易に溶け、THF、水およびトルエン
に適度に溶け、ジエチルエーテルおよびペンテンに溶け
ない。収量:410mg(93%)。
【0030】この化合物の5.0〜20.0mg(0.
011〜0.046mmol)が触媒として使用される
(表を参照)。表3 :触媒3のその場での製造 a)1−メチル−3−(エチルスルホン酸ナトリウム
塩)イミダゾリウム臭化物 205mg(2.5mmol)のメチルイミダゾール
を、溶剤なしで、210mg(1mmol)の2−ブロ
モエタンスルホン酸ナトリウム塩と一緒に70℃で3日
間攪拌する。冷却後、残渣を30mlのジエチルエーテ
ルで3回洗浄して過剰のメチルイミダゾールを除去す
る。高い減圧下に乾燥した後(70℃、10時間)、白
色の固体が残る。これは、水に非常に容易に溶け、有機
溶剤(例えばTHF、トルエン、ペンタン)にほとんど
溶けない。収量:280mg(96%)。
【0031】b)触媒3 100mgの酢酸ロジウム(111)(0.357mm
ol)を25mlの脱気した水に溶かし、脱気した水2
5ml中314mgの1−メチル−3−(エチル−2−
スルホン酸ナトリウム塩)イミダゾリウム臭化物(1.
07mmol)の溶液と混合する。この溶液(水10m
lあたりロジウムを0.0714mmol含む)の1.
0〜5.0ml (0.00714〜0.0357mm
ol)を触媒として使用し(表を参照)、活性ヒドロホ
ルミル化触媒が、ヒドロホルミル化条件下に形成する。
【0032】例4:触媒4のその場での製造 a)1−(エチル−2−スルホン酸ナトリウム塩)−3
−(エチル−2−スルホナート)イミダゾリウムベタイ
ン ジメチルアセトアミド20ml中に溶解した557mg
(8.2mmol)のイミダゾールを、1.5ml(1
0.25mmol)のトリエチルアミンおよび3.45
g(16.3mmol)の2−ブロモエタンスルホン酸
ナトリウム塩と混合する。120℃に加熱すると、最初
の懸濁液は透明になる。さらに160℃に加熱後、白色
の沈澱物が生じ始める。完全な反応をなし遂げるため
に、この混合物を還流下に4時間加熱する。溶液を室温
に冷却後、白色の沈澱物をろ過し、それぞれ20mlの
エタノールおよびエーテルで2回洗浄する。
【0033】b)触媒4 100mgの酢酸ロジウム(III)(0.357mm
ol)を脱気した水25mlに溶かし、脱気した水25
ml中328mg(1.07mmo1)の1−(エチル
−2−スルホン酸ナトリウム塩)−3−(エチル−2−
スルホナート)イミダゾリウムベタインの溶液と混合す
る。この溶液(水10mlあたり0.0714mmol
のロジウムを含む)の1.0〜5.0(0.00714
〜0.0357mmol)を触媒として使用し、活性ヒ
ドロホルミル化触媒が、ヒドロホルミル化条件下で形成
する。
【0034】例5:触媒5のその場での製造 a)1−メチル−3−(ブチル−4−スルホナート)イ
ミダゾリウムベタインメチルイミダゾール(8.21m
g、10mmol)を溶剤なしで1,4−ブタンスルト
ン(1361mg、10mmol)と共に室温で3日間
攪拌する。塊の凝固後、それをトルエンで3回洗浄し、
高い減圧下に乾燥させる。この白色の固体は、水に容易
に溶けるが、有機溶剤に溶け難い。収量:2100mg
(96%)。
【0035】b)触媒5 酢酸ロジウム(III)(0.357mmol)100
mgを25mlの脱気した水に溶解し、脱気した水35
ml中1−メチル−3−(ブチル−4−スルホナート)
−イミダゾリウムベタイン234mg(1.07mmo
l)の溶液と混合する。この溶液(水10mlあたりロ
ジウムを0.0595mmol含む)の1.0〜5.0
ml(0.02975〜0.00595mmol)を触
媒として使用し(表を参照)、活性ヒドロホルミル化触
媒がヒドロホルミル化条件下で形成する。
【0036】例6:触媒6のその場での製造 ヘキサン酸ロジウム(III)(0.0223mmo
l)10.0mgおよび1,3−ジメチルイミダゾリウ
ムヨウ化物14.6mg(0.0669mmol)を量
ってオートクレーブのガラス容器に入れ、そしてトルエ
ン25mlと混合する。この懸濁液を触媒として直接使
用し(表を参照)、活性ヒドロホルミル化触媒が、ヒド
ロホルミル化条件下で形成される。
【0037】例7:オレフィンのヒドロホルミル化 1000〜100000当量のオレフィンを、合成ガス
と、250mlの攪拌オートクレーブ(ガラス容器が付
いたRoth Laboratory Autocla
ve モデルH 10781)中で、例1および2によ
り製造された触媒5〜20mgの存在下に攪拌(約15
0min−1)しながら反応させ、そして、トルエンに
または例3〜5により製造された触媒水溶液の1.0〜
5.0mlに溶解させる。合成ガスは、HおよびCO
を1:1の容積比で含み、全圧力は10MPaであり、
プロペン分圧は(プロペンをオレフィンとして使用する
場合)1.2MPaである。反応の間に圧力が約3.0
〜4.0MPaに落ちたらすぐに、さらに合成ガスを注
入する。
【0038】室温に冷却後、生成物を、ガスクロマトグ
ラフィー/質量分析により分析しおよび/または蒸留に
より精製し、特性を調べる。 5.表の注 もっぱら3,4−ジメチルペンタナールが、生成物と
して、ガスクロマトグラフィー/質量分析により同定す
ることができた。
【0039】**n−ヘプテナール(33.8%)およ
び2−メチルヘキサナール(66.2%)が、生成物と
して、ガスクロマトグラフィー/質量分析により同定す
ることができた。
【0040】
【表1】
フロントページの続き (72)発明者 クリスチアン・ケッヒャー ドイツ連邦共和国、80805 ミユンヘン、 ヴアントレットストラーセ、9 (56)参考文献 特開 平6−262086(JP,A) 特開 昭52−83311(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) C07C 47/02 B01J 31/18 C07C 45/50 C07B 61/00 CA(STN) EPAT(QUESTEL) WPI/L(QUESTEL)

Claims (16)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 モノオレフィン、ポリオレフィン、シク
    ロオレフィンまたはこれらの化合物類の誘導体と、一酸
    化炭素および水素とを、20〜180℃の温度、0.1
    〜30MPaの圧力で、触媒としてコバルトまたはロジ
    ウムの錯体の存在下に反応させることによるアルデヒド
    の製造方法において、上記錯体が、式 [L(A) 〔式中Mは中心原子としてのコバルトまたはロジウムで
    あり、 Xは一座または多座の、荷電または未荷電の、中心原予
    に結合した配位子でありそしてLもまた中心原子Mに配
    位子として結合した式 【化1】 で表されるモノカルベンまたは式 【化2】 で表されるジカルベン{式中R、R、R、R
    およびRは同一または異なる直鎖または分枝のス
    ルホン化されたまたはスルホン化されていない炭素原子
    数1〜7のアルキル基、スルホン化されたまたはスルホ
    ン化されていない炭素原子数5〜18の脂肪族単環式ま
    たは多環式基、スルホン化されたまたはスルホン化され
    ていない炭素原子数2〜5のアルケニル基、スルホン化
    されたまたはスルホン化されていない炭素原子数6〜1
    4のアリール基、あるいはスルホン化されたまたはスル
    ホン化されていない炭素原子数7〜19のアラルキル基
    であり、Rおよび/またはRはまた−(CH
    PR(m=1、2、3または4、R=ベンジル、フェ
    ニル、置換フェニル、ナフチル)、さらに−(CH
    NR′(mは上で定義された通りである、R′=ア
    ルキル、ビニル、アリル、ベンジルおよびアリール)、
    さらに−(CHO″(mは上で定義された通りで
    ある、R″=アルキル、特にメチル、ビニル、アリル、
    ベンジルまたはフェニル)であることもでき;R、R
    、RおよびRはまた水素であることもでき、R
    はRと共に、そしてRはRと共に、それぞれ同一
    または異なる縮合したスルホン化されたまたはスルホン
    化されていない炭素原子数3〜7の基であることもで
    き、R、R、RまたはRは配位子Xと共に環を
    形成することができ、Yは飽和または不飽和の、直鎖ま
    たは分枝の炭素原子数1〜4のアルキリデン基またはジ
    アルキルシリレン基またはテトラアルキルジシリレン基
    である。}であり、 Aは一荷電アニオンまたは多荷電アニオンの化学当量で
    あり、 bは1〜3の整数であり、aは1〜(4・b)の整数で
    あり、Cは0または1〜(4・b)の整数であり、そし
    てn=0または1〜6の整数である。〕で表される、上
    記製造方法。
  2. 【請求項2】 式(I)中のXが水素、水素イオン、ハ
    ロゲン、ハロゲン化物イオン、プソイドハロゲン化物、
    カルボキシラートイオン、スルホナートイオン、炭素原
    子数1〜7のアルキル基、アミド基、アルコキシド基、
    アセチルアセトナート基、一酸化炭素、一酸化窒素、ニ
    トリル、イソニトリル、モノオレフィンまたはジオレフ
    ィン、アルキンおよびπ−芳香族基である、請求項1記
    載の方法。
  3. 【請求項3】 式(II)、(III)、(IV)およ
    び(V)中、R、R、R、R、R、Rが基
    メチル、イソプロピル、t−ブチル、ベンジル、トリフ
    ェニルメチル、フェニル、トリル、キシリルおよびメシ
    チルである、請求項1または2記載の方法。
  4. 【請求項4】 式(II)、(III)、(IV)およ
    び(V)中、RおよびRが水素およびメチル基であ
    る、請求項1〜3のいずれか1項に記載の方法。
  5. 【請求項5】 式(II)、(III)、(IV)およ
    び(V)中、RがRと一緒に、そしてRがR
    一緒に部分(CH)、(CH、(CH
    ある、請求項1〜3のいずれか1項に記載の方法。
  6. 【請求項6】 式(IV)および(V)中、Yがメチレ
    ン基、ジメチルメチレン基、ジフェニルメチレン基、
    1,3−フェニレン基およびエチリデン基である、請求
    項1〜5のいずれか1項に記載の方法。
  7. 【請求項7】 式(IV)および(V)中、Yがジメチ
    ルシリレン基およびテトラメチルジシリレン基である、
    請求項1〜5のいずれか1項に記載の方法。
  8. 【請求項8】 式(I)中、aが1または2である、請
    求項1〜7のいずれか1項に記載の方法。
  9. 【請求項9】 式(I)中、bが1である、請求項1〜
    8のいずれか1項に記載の方法。
  10. 【請求項10】 式(I)中、nが0〜3である、請求
    項1〜9のいずれか1項に記載の方法。
  11. 【請求項11】 式(I)中、Aがハロゲン化物または
    プソイドハロゲン化物イオン、テトラフェニルボラート
    イオン、テトラフルオロボラートイオン、ヘキサフルオ
    ロホスファートイオン、アセタートイオン、テトラカル
    ボニルコバルタートイオン、ヘキサフルオロフェラート
    イオン、テトラクロロフェラートイオン、テトラクロロ
    アルミナートイオンおよびテトラクロロパラダートイオ
    ンである、請求項1〜10のいずれか1項に記載の方
    法。
  12. 【請求項12】 オレフィンと、一酸化炭素および水素
    との反応が、反応媒体中に均質に溶解した触媒の存在下
    に行なわれる、請求項1〜11のいずれか1項に記載の
    方法。
  13. 【請求項13】 オレフィンと、一酸化炭素および水素
    との反応が、触媒水溶液の存在下に行なわれる、請求項
    1〜11のいずれか1項に記載の方法。
  14. 【請求項14】 有機相または水相中の金属濃度が、使
    用されるオレフィン系不飽和化合物に対して、10−6
    〜1mol%である、請求項1〜13のいずれか1項に
    記載の方法。
  15. 【請求項15】 有機相または水相中の金属濃度が、1
    −4〜10−1mol%である、請求項14記載の方
    法。
  16. 【請求項16】 反応が80〜150℃で行なわれる、
    請求項1〜15のいずれか1項に記載の方法。
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