JP4932494B2 - リン化合物を含む触媒組成物及びこれを用いたヒドロホルミル化方法 - Google Patents

リン化合物を含む触媒組成物及びこれを用いたヒドロホルミル化方法 Download PDF

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Description

本発明は、二配位リン化合物を含むヒドロホルミル化触媒組成物及びこれを用いたヒドロホルミル化方法に係り、より詳細には、電位金属触媒に配位子として窒素が含まれた二配位リン化合物を適用し、オレフィン系化合物と一酸化炭素及び水素の混合ガスが共に存在する状況で攪拌、加温、加圧してアルデヒドを製造するオレフィン系化合物のヒドロホルミル化方法に関する。
一般的にオキソ(OXO)反応としてよく知られているヒドロホルミル化反応は、金属触媒と配位子の存在下で各種オレフィンと合成気体(Synthetic gas、CO/H)が反応してオレフィンに炭素数が一つ増加した線形(normal)及び分枝形(ISO)アルデヒドが生成される過程をいう。OXO反応は、1938年ドイツのOtto Roelenにより初めて発見され、2001年を基準に世界的に約8百40万トンの各種アルデヒド(アルコール誘導体を含む)がOXO工程を通じて生産及び消費されている(SRI報告書、November 2002、682.700A)。OXO反応により合成された各種アルデヒドは、酸化または還元過程を通じてアルデヒド誘導体である酸及びアルコールに変形される。さらに、アルドールなどの縮合反応後、酸化または還元反応を通じて長いアルキル基が含まれた多様な酸及びアルコールに変形されることもある。このようなアルコール及び酸は、溶媒、添加剤、及び各種可塑剤の原料として使われている。
現在、OXO工程に使われる触媒は、主にコバルト(CO)とロジウム(Rh)系列であり、適用する配位子の種類及び運転条件によって生成されるアルデヒドのN/I選択性(ratio of linear (normal) to branched (iso) isomers)が変わる。現在、全世界の70%以上のOXO工場がロジウム系触媒を適用した低圧OXO工程を採択している。
OXO触媒の中心金属としては、コバルト(CO)及びロジウム(Rh)の他にもイリジウム(Ir)、ルテニウム(Ru)、オスミウム(Os)、プラチナ(Pt)、パラジウム(Pd)鉄(Fe)、ニッケル(Ni)などが適用可能である。しかし、各金属は、Rh≫Co>Ir、Ru>Os>Pt>Pd>Fe>Niなどの順に触媒活性を表すと知られているので、大部分の工程及び研究は、ロジウムとコバルトに集中している。配位子としては、ホスフィン(PR、R=C、n−C)、ホスフィンオキシド(O=P(C)、ホスファイト、アミン、アミド、イソニトリルなどが適用可能であるが、触媒の活性、安定性、及びコスト面でトリフェニルホスフィン(TPP)より優れた配位子はほとんどない。したがって、大部分のOXO工程において、触媒としてはRh金属を使用し、配位子としてはTPPを適用しており、また触媒系の安定性を高めるために配位子であるTPPは、触媒の100当量以上を適用すると知られている。
イーストマンコダック社とユニオンカーバイド(現在はDow子会社)社により、高い触媒活性及びN/I選択性を示す二座ホスフィン配位子が開発され(米国特許第4,694,109号、米国特許第4,668,651号)、Dowで開発されたビスホスファイト配位子の場合、一部工場にも適用されていると知られている。
米国特許第6,653,485号は、ビアリールホスフィン及びホスフィニットから誘導されたキラル配位子及び遷移金属触媒を用いた非対称反応を開示しており、前記配位子には窒素が含まれた二配位リン化合物の例があるが、これをヒドロホルミル化反応に実際適用するには限界がある。
最近では、nアルデヒドの産業的重要性が著しく高まっているところ、n−アルデヒドまたはイソ−アルデヒドに対する高い選択性を表し、高温でも触媒活性及びN/I選択性を安定的に表す触媒組成物が切実に要求されている。
米国特許第4,694,109号 米国特許第4,668,651号 米国特許第6,653,485号
本発明が達成しようとする第1の技術的課題は、高い触媒活性及びN/I選択性を表す二座配位子及び遷移金属触媒を含む触媒組成物を提供することである。
本発明が達成しようとする第2の技術的課題は、前記触媒組成物をオレフィン系化合物、一酸化炭素及び水素の混合ガスと共に攪拌しつつ、加温、加圧してアルデヒドを製造するオレフィン系化合物のヒドロホルミル化方法を提供することである。
本発明が達成しようとする第3の技術的課題は、前記二座配位子の化合物を提供することである。
本発明が達成しようとする第4の技術的課題は、前記二座配位子の化合物の製造方法を提供することである。
本発明は、前記第1の技術的課題を達成するために、
(a)下記化学式1:
Figure 0004932494
(前記化学式1中、
及びRは、それぞれ炭素原子数1ないし20の置換または非置換のアルキル基;炭素原子数1ないし20の置換または非置換のアルコキシ基;炭素原子数5ないし20の置換または非置換のシクロアルカンまたはシクロアルケン;炭素原子数6ないし36の置換または非置換のアリール基;炭素原子数1ないし20の置換または非置換のヘテロアルキル基;炭素原子数4ないし36の置換または非置換のヘテロアリール基;または炭素原子数4ないし36の置換または非置換の複素環基であり、
Ar−Arは、ビスアリール系化合物であり、
は、炭素原子数1ないし20のアルキル基、炭素原子数6ないし20のアリール基、トリアリールシリル基、トリアルキルシリル基、カルボアルコキシ基、カルボアリールオキシ基、アリールオキシ基、アルコキシ基、アルキルカルボニル基、アリールカルボニル基、アミド、ハロゲン、ニトリル基であり、この時、カルボアルコキシ基、−CORのRは、炭素原子数1ないし20のアルキル基、炭素原子数6ないし20のアリール基である)
で表される二座配位子と、
(b)下記化学式2:
Figure 0004932494
(前記化学式2中、
Mは、遷移金属であり、
、L及びLは、それぞれ水素、CO、アセチルアセトナート、シクロオクタジエン、ノルボルネン、塩素、またはトリフェニルホスフィンであり、
l、m、及びnは、それぞれ0ないし5の値を有し、但し、l、m、及びnが同時に0である場合は除外される)
で表される遷移金属触媒を含む触媒組成物を提供する。
本発明は、また前記第2の技術的課題を達成するために、前記触媒組成物をオレフィン系化合物、一酸化炭素及び水素の混合ガスと共に攪拌しつつ、加温、加圧してアルデヒドを製造するオレフィン系化合物のヒドロホルミル化方法を提供する。
本発明の一実施例によれば、前記オレフィン系化合物は、下記化学式3:
Figure 0004932494
(前記化学式3中、
及びRは、それぞれ水素、炭素原子数1ないし20のアルキル基、フッ素(−F)、塩素(Cl)、ブロム(Br)、トリフルオロメチル(−CF)、または0ないし5個の置換基を有するC−C20のフェニル基であり、この時、フェニル基の置換基は、ニトロ基(−NO)、フッ素(−F)、塩素(−Cl)、ブロム(−Br)、メチル基、エチル基、プロピル基またはブチル基である)
で表される化合物であることが望ましい。
本発明は、また前記第3の技術的課題を達成するために、
下記化学式1:
Figure 0004932494
(前記式1中、
、R、R、及びAr−Arは、前記定義した通りである)
で表される化合物を提供する。
本発明は、また前記第4の技術的課題を達成するために、
下記化学式4:
Figure 0004932494
(前記式4中、
及びAr−Arは、前記定義した通りである)
の化合物と塩基を反応させてアミン塩を製造する段階と、
前記アミン塩をXPR化合物(Xは、ハロゲンであり、R及びRは、前記定義した通りである)
と反応させてリンと窒素とが直接結合された二配位化合物を製造する段階とを含む前記化学式1の化合物の製造方法を提供する。
本発明による触媒組成物は、二座配位子及び遷移金属触媒を含むことを特徴とする。
本発明の二座配位子は、望ましくは、前記化学式1で表される二座配位子のR及びRがそれぞれフェニル基、フェニルオキシ基、アルキル基、アルキルオキシ基、またはピロール基であり、Rがメチル基、エチル基、フェニル基、またはアセチル基である。
また、前記化学式1のビスアリール系化合物が下記化学式5:
Figure 0004932494
(前記化学式5中、
、R、R、及びRは、それぞれ水素、炭素原子数1ないし20のアルキル基、炭素原子数6ないし20のアリール基、トリアリールシリル基、トリアルキルシリル基、カルボアルコキシ基、カルボアリールオキシ基、アリールオキシ基、アルコキシ基、アルキルカルボニル基、アリールカルボニル基、アミド、ハロゲン、ニトリル基であり、この時、カルボアルコキシ基、−CORのRは、炭素原子数1ないし20のアルキル基、炭素原子数6ないし20のアリール基であり、
は、メチル基、メトキシ基、tert−ブチル基であり、Rは、水素であり、Rは、メチル基、メトキシ基、tert−ブチル基であり、Rは、水素またはメチル基であることが望ましい)、
または化学式6:
Figure 0004932494
(前記化学式6中、
10、R11、R12、R13、R14、及びR15は、それぞれ水素、炭素原子数1ないし20のアルキル基、炭素原子数6ないし20のアリール基、トリアリールシリル基、トリアルキルシリル基、カルボアルコキシ基、カルボアリールオキシ基、アリールオキシ基、アルコキシ基、アルキルカルボニル基、アリールカルボニル基、アミド、ハロゲン、ニトリル基であり、この時、カルボアルコキシ基、−CORのRは、炭素原子数1ないし20のアルキル基、炭素原子数6ないし20のアリール基である)
で表される化合物である。
遷移金属触媒において、遷移金属(M)は、コバルト(CO)、ロジウム(Rh)、またはイリジウム(Ir)であることが望ましく、具体的な例としては、アセチルアセトナートジカルボニルロジウム(Rh(AcAc)(CO))、アセチルアセトナートカルボニルトリフェニルホスフィンロジウム(Rh(AcAc)(CO)(TPP))、ヒドリドカルボニルトリ(トリフェニルホスフィン)ロジウム(HRh(CO)(TPP))、アセチルアセトナートジカルボニルイリジウム(Ir(AcAc)(CO))、またはヒドリドカルボニルトリ(トリフェニルホスフィン)イリジウム(HIr(CO)(TPP))が望ましい。
本発明の触媒反応において、前記遷移金属の含量は、反応溶液を基準として50ないし500ppmであることが望ましい。遷移金属の含量が50ppmより少ない場合、ヒドロホルミル化の反応速度が遅くなるため、商業的に望ましくなく、500ppmより多い場合には、遷移金属が高価であるため、コストが増加し、反応速度面においてもさらに有利な効果が得られない。
前記遷移金属1モルを基準として、前記二座配位子の含量は、0.5ないし100モルであり、望ましくは、1ないし20モルである、この時、前記二座配位子の含量が0.5モルより少ない場合、触媒系の安定性に問題が発生し、100モルより多い場合には、特別な利得なしに、高価の配位子を過量使用するようになってコスト上昇の問題点があって望ましくない。
この時、前記遷移金属触媒が、アセチルアセトナートジカルボニルロジウム(Rh(AcAc)(CO))であり、前記二座配位子が、2,2'−ビス[N−(ジフェニルホスフィノ)メチルアミノ]−1,1'−ビフェニル(BPNP−1)であることが特に望ましい。
前記オレフィン系化合物は、エテン、プロペン、1−ブテン、1−ペンテン、1−ヘキセン、1−オクテン、及びスチレンよりなる群から選択された化合物であることが望ましい。
本発明によるヒドロホルミル化反応に使われる溶媒としては、プロパンアルデヒド、ブチルアルデヒド、バレルアルデヒドのようあなアルデヒド類;アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、アセトフェノン、及びシクロヘキサノンのようなケトン類;ベンゼン、トルエン及びキシレンのような芳香族類;オルソジクロロベンゼンを含むハロゲン化芳香族;テトラヒドロフラン、ジメトキシエタン、及びジオキサンのようなエーテル類;ジクロロメタンを含むハロゲン化パラフィン類;ヘプタンのようなパラフィン炭化水素などが使われ、望ましくは、各種アルデヒド及びトルエンなどの芳香族である。
本発明のヒドロホルミル化方法に使われる合成気体CO/Hの組成は、広範囲に変わりうる。CO/Hのモル比は、通常的に約5:95ないし70:30、望ましくは、約40:60ないし60:40範囲内であり、CO/Hのモル比は、約1:1であるものを使用することが特に望ましい。
ヒドロホルミル化反応の温度は、通常的に約20ないし180℃であり、望ましくは、約50ないし150℃範囲内である。反応圧力は、約1ないし700bar、望ましくは、1ないし300bar範囲内である。
前記化学式1の化合物の製造方法を具体的に説明すれば次の通りである。まず、下記化学式4:
Figure 0004932494
(前記式4中、
及びAr−Arは、前記定義した通りである)
の化合物を溶媒に溶かした後、前記反応溶液を0℃またはそれ以下に冷却させつつ、n−ブチルリチウムのような塩基を添加してアミンの塩を得る。前記アミン塩の溶液にXPR化合物(Xは、ハロゲンであり、R及びRは、前記定義した通りである)を滴加し、その後、得られた沈殿物をろ過、精製及び乾燥して前記化学式1のようなリンと窒素とが直接結合された二配位化合物が得られた。
前記化学式1の化合物の製造方法に使われる溶媒としては、テトラヒドロフラン(THF)、ベンゼン、トルエン、エーテル、及びジクロロメタンなどが使われ、特に、THFが望ましく、塩基としては、n−ブチルリチウム、tert−ブチルリチウム、水素化ナトリウム(NaH)、水素化カリウム(KH)、トリエチルアミン、またはピリジンよりなる群から選択されうる。
また、前記XPR化合物において、Xは、塩素(Cl)、ブロム(Br)、またはヨード(I)であり、R及びRは、それぞれフェニル基、フェニルオキシ基、アルキル基、アルキルオキシ基であることが望ましい。
本発明による窒素が含まれた二配位リン化合物を配位子として適用した触媒組成物のオレフィン系化合物に対するヒドロホルミル化反応は、非常に高い触媒活性を表すだけでなく、置換基によってn−アルデヒドまたはイソ−アルデヒドに対する高い選択性を表す。
以下、下記合成例及び実施例を通じて本発明をさらに詳細に説明するが、本発明の範囲が下記内容に限定されるものではない。
合成例1:2,2'−ビス[N−(ジフェニルホスフィノ)メチルアミノ]−1,1'−ビフェニル(BPNP−1)の合成
無水テトラヒドロフラン溶媒に2,2'−ビスメチルアミノ-1,1'−ビフェニル1.5gを溶解した。前記反応溶液を冷水で冷却しつつ、n−ブチルリチウム(2.5M)溶液を6.5mL添加した後、30分間攪拌した。以後、3.1mLのクロロジフェニルホスフィンが溶けている15mLの無水テトラヒドロフラン溶液を反応溶液に攪拌しつつ滴加した。反応溶液を常温で一晩中攪拌して生成された沈殿をろ過し、残っている溶液の溶媒を減圧下で除去した。生成された沈殿に少量の精製されたエタノールを添加して洗浄した後に真空で乾燥した(生成物2.66g、収率65%)。前記物質は、クロロホルム−D(CDCl)に溶かして水素及びリン核磁気共鳴スペクトルの分析結果は次の通りである。H NMR(CDCl):δ2.52(s、6H、−CH)、6.81-7.32(m、28H、Ar−H)。31P NMR(CDCl):δ54.39(s)。
合成例2:2,2'−ビス[N−(ジピロリルホスフィノ)メチルアミノ]−1,1'−ビフェニル(BPNP−2)の合成
クロロジフェニルホスフィンの代わりにクロロジピロリルホスフィンを適用したことを除いては、合成例1と同じ方法で目的した化合物を合成した。前記物質は、クロロホルム−D(CDCl)に溶かして水素核磁気共鳴スペクトルの分析結果は次の通りである。H NMR (CDCl):δ2.58(bs、3H、−CH)、3.04(bs、3H、−CH)、6.24(t、2H、−py)、6.45(t、6H、−py)、6.82(m、2H、−py)、6.89(m、6H、−py)、7.32−7.40(m、8H、Ar−H)。
実施例1ないし4:アセチルアセトナートジカルボニルロジウム(Rh(AcAc)(CO))及び2,2'−ビス[N−(ジフェニルホスフィノ)メチルアミノ]−1,1'−ビフェニル(BPNP−1)を適用したプロペンのヒドロホルミル化反応
オートクレーブ(Auto Clave)社で製作されたハイスループットスクリーン(HTS)の反応器に触媒であるRh(AcAc)(CO)を0.100mg(0.390mmol)、GC分析の内標物質であるヘキサデカンを0.2mL及び下記表1に記載されたロジウムに対するモル比によって、二座配位子であるBPNP−1をトルエン溶媒に溶かして、全体溶液を100mLにした後に添加した。前記反応溶液にプロペン:CO:Hのモル比が1:1:1である反応気体を注入して反応器内の圧力を6barに維持し、85℃で攪拌しつつ2.5時間反応させた。
前記反応に対する触媒及び配位子の種類、触媒に対する配位子のモル比、反応温度、N/I選択性及び触媒活性を表1に詳細に記載した。
下記表1において、N/I値は、反応で生成されたn−ブチルアルデヒドの量をイソ−ブチルアルデヒドの量で割った値であり、各アルデヒドの生成量は内標物質として添加したヘキサデカンの量を基準に気体クロマトグラフィー(GC)分析を通じて求めた。
触媒活性は、前記反応で生成されたnアルデヒドとイソアルデヒドの総量をブチルアルデヒドの分子量、使用した触媒の濃度、そして反応時間で割った値である。この時、触媒活性の単位は、mol(BAL)/mol(Rh)/hである。
Figure 0004932494
実施例5ないし9:アセチルアセトナートジカルボニルロジウム(Rh(AcAc)(CO))及び2,2'−ビス[N−(ジフェニルホスフィノ)メチルアミノ]−1,1'−ビフェニル(BPNP−1)を適用した温度変化によるプロペンのヒドロホルミル化反応
配位子に対するロジウムのモル比を3に固定し、反応温度を70℃から110℃まで10℃ずつ変化させたことを除いては、実施例1と同じ方法で触媒活性実験を行い、その結果を表2に示した。
Figure 0004932494
実施例10ないし13:アセチルアセトナートジカルボニルロジウム(Rh(AcAc)(CO))及び2,2'−ビス[N−(ジピロリルホスフィノ)メチルアミノ]−1,1'−ビフェニル(BPNP−2)を適用したプロペンのヒドロホルミル化反応
BPNP−1の代わりに2,2'−ビス[N−(ジピロリルホスフィノ)メチルアミノ]−1,1'−ビフェニル(BPNP−2)を適用したことを除いては、実施例1ないし4と同じ方法で触媒活性実験を行い、その結果を表3に示した。
Figure 0004932494
比較例1:アセチルアセトナートジカルボニルロジウム(Rh(AcAc)(CO))触媒及びトリフェニルホスフィン(TPP)を用いたプロペンのヒドロホルミル化反応
TPPを配位子として使用し、配位子に対するロジウムのモル比が100であることを除いては、実施例1と同じ方法で触媒活性実験を行い、その結果を表4に示した。
比較例2ないし3:アセチルアセトナートジカルボニルロジウム(Rh(AcAc)(CO))触媒及びトリフェニルホスフィン(TPP)を適用した温度変化によるプロペンのヒドロホルミル化反応
反応温度を70℃及び100℃としたことを除いては、比較例1と同じ方法で触媒活性実験を行い、その結果を表4に示した。
比較例4:アセチルアセトナートジカルボニルロジウム(Rh(AcAc)(CO))触媒及びISO−44を用いたプロペンのヒドロホルミル化反応
配位子としてTPPの代わりにDowで開発されたビス-ホスファイト系配位子であるISO−44(6,6'−[[3,3'−bis(1,1−dimethylehtyl)−5,5'−dimethoxy−[1,1'−biphenyl]−2,2'−diyl]bis(oxy)]bis−dibenzo[d,f][1,3,2]dioxaphosphepin)を使用し、配位子に対するロジウムのモル比が5であることを除いては、比較例1と同じ方法で触媒活性実験を行い、その結果を表4に示した。
比較例5ないし6:アセチルアセトナートジカルボニルロジウム(Rh(AcAc)(CO))触媒及びBISBIを用いたプロペンのヒドロホルミル化反応
配位子としてTPPの代わりにBISBI(2,2'−ビス(ジフェニルホスフィノメチル)−1,1'−ビフェニル、2,2'−Bis(diphenylphosphinomethyl)−1,1'−biphenyl)を使用し、配位子に対するロジウムのモル比が3または10であることを除いては、比較例1と同じ方法で触媒活性実験を行い、その結果を表4に示した。
比較例7:アセチルアセトナートジカルボニルロジウム(Rh(AcAc)(CO))触媒及び2,2'−ビス[N−(ジフェニルホスフィノ)アミノ]−1,1'−ビフェニル(BPNP−0)を用いたプロペンのヒドロホルミル化反応
配位子としてTPPの代わりにBPNP−0を使用し、配位子に対するロジウムのモル比が1であることを除いては、比較例1と同じ方法で触媒活性実験を行い、その結果を表4に示した。
Figure 0004932494
前記比較例1の場合、一配位リン化合物であるTPPを配位子として適用したプロペンのヒドロホルミル化反応に対する触媒活性及びN/I選択性を説明すれば、前記表4に表したように触媒活性は、85.4mol(BAL)/mol(Rh)/hであり、N/I選択性は、3.9である。本触媒系の反応温度を70℃または100℃に変化させる場合、比較例2ないし3のように、触媒活性は、それぞれ26.4mol(BAL)/mol(Rh)/h と177.2mol(BAL)/mol(Rh)/h とで大きな差があり、N/I選択性もやはり反応温度の増加によって大きく増加して8.0の値を表すことが分かる。
ISO−44の場合、現在まで開発された配位子のうち触媒活性及びN/I選択性面で最も優れたものであると知られており、MARK−IVという名称で商業化されて一部工程に適用されていると知られている。ISO−44を適用した触媒の場合、前記比較例4から分かるように、前記条件でのプロペンのヒドロホルミル化反応に対する触媒活性は、219.3 mol(BAL)/mol(Rh)/h 、N/I選択性は、9.5であった。
BISBIを配位子として適用した場合には、比較例5ないし6から分かるように、20以上の非常に高いN/I選択性を表すが、触媒活性は多少低く、特にロジウムに対する配位子のモル比が増加するほど触媒活性は順次に減少する傾向がある。
さらに、公知の2,2'−ビス[N−(ジフェニルホスフィノ)アミノ]−1,1'−ビフェニル(BPNP−0)、すなわち、BPNP−1の窒素にメチル基の代わりに水素が置換された化合物を配位子として適用した場合である比較例7から分かるように、触媒活性が非常に低かった。そして、ロジウムに対する配位子の当量が3以上では、前記実験条件で触媒活性が非常に低くて生成されるアルデヒドを全く観察できなかった。
本発明で開発された2,2'−ビス[N−(ジフェニルホスフィノ)メチルアミノ]−1,1'−ビフェニル(BPNP−1)の場合、実施例2ないし4から分かるように、BPNP−1がロジウムの3モル比以上に存在する場合、触媒活性は、平均的にRh/TPPの165%に該当する高い値を表し、この時のN/I値は、約23であって、Rh/TPPより5.9倍高いn−アルデヒドに対する選択性を表す。以上の結果から、BPNP−1を配位子として適用する場合、少量を使用しても非常に高い触媒活性と共に高いN/I選択性が表され、配位子の量がロジウムを基準に3から10モル比に増加しても触媒活性の減少は全く見られなかった。イーストマンコダックにより報告されたBISBIの場合、同じ条件で配位子の含量の増加によって、触媒活性が急激に減少する傾向とは非常に対照的な結果と言える(米国特許第4694109号)。
ISO−44を使用した比較例4と同じ条件のBPNP−1を使用した実施例3を比較すると次の通りである。触媒活性の場合、同じ条件でISO−44がBPNP−1より約30%ほど高い傾向がある。しかし、N/I選択性面で見れば、ISO−44の場合、前記条件で9.5の値を表すが、BPNP−1は、その2.5倍である23.6の値を表す。
すなわち、ISO−44に比べて触媒活性は多少下がるが、n−アルデヒドに対する非常に高い選択性があることが分かる。
実施例5ないし9において、BPNP−1とロジウムとのモル比を3:1に固定させ、反応温度を70℃から110℃までに変化させて同じ条件でプロペンのヒドロホルミル化反応を行う場合、反応温度の増加によって触媒活性は、ほとんど線形的に増加し、N/I選択性もやはり23から31までに多少増加することが分かる。このような反応温度による触媒活性の特性は、比較例2ないし3に表すように一般的な現象であるが、同じ温度条件で比較すると、Rh/TPPよりは依然として優れた触媒活性を表すことが分かる。さらに、反応温度の変化による反応物の色変化は、低い反応温度のものと高い反応温度のものとに全く変化がない点を通じてBPNP−1を適用した触媒は、前記条件で非常に安定的であるということが分かる。
BPNP−1のR及びRをそれぞれフェニルからピロールに置換した2,2'−ビス[N−(ジピロリルホスフィノ)メチルアミノ]−1,1'−ビフェニル(BPNP−2)を配位子として適用する場合の触媒活性及びN/I選択性を表3に示した。表3の実施例10ないし11において、BPNP−2とロジウムとのモル比が低い場合、触媒活性がBPNP−1より高いということが分かる。しかし、実施例12ないし13において、BPNP−2とロジウムとのモル比の増加によって触媒活性は漸進的に減少することが分かる。このような傾向は、BISBIと似ていると把握される。しかし、特異点は、BPNP−1の場合、n−アルデヒドに対する選択性が非常に高くてN/I値が23ほどであることに比べてBPNP−2の場合にはイソ−アルデヒドに対する選択性が高くてN/I値は3.6以下であるということが分かる。
以上の結果を通じて、アセチルアセトナートジカルボニルロジウム(Rh(AcAc)(CO))を触媒とし、二座配位子である2,2'−ビス[N−(ジフェニルホスフィノ)メチルアミノ]−1,1'−ビフェニル(BPNP−1)を配位子として適用する場合、商業的に広く使われているRh/TPPに比べて65%以上の高い触媒活性を表すだけでなく、n−アルデヒドに対する高い選択性があるということが分かる。また、高い反応温度でも触媒活性及びN/II選択性が安定的であるということが分かる。R及びRをフェニル基の代わりにピロール基に置換した2,2'−ビス[N−(ジピロリルホスフィノ)メチルアミノ]−1,1'−ビフェニル(BPNP−2)を配位子として適用する場合、非常に高い触媒活性と共にイソ−アルデヒドに対する高い選択性があるということが分かる。
本発明は、アルデヒドを製造するオレフィン系化合物のヒドロホルミル化の方法 に好適に用いられる。

Claims (11)

  1. (a)下記化学式1:
    Figure 0004932494
    (前記式1中、
    及びRは、それぞれ炭素原子数1ないし20の置換または非置換のアルキル基;炭素原子数1ないし20の置換または非置換のアルコキシ基;炭素原子数5ないし20の置換または非置換のシクロアルカンまたはシクロアルケン;炭素原子数6ないし36の置換または非置換のアリール基;炭素原子数1ないし20の置換または非置換のヘテロアルキル基;炭素原子数4ないし36の置換または非置換のヘテロアリール基;または炭素原子数4ないし36の置換または非置換の複素環基であり、
    Ar−Arは、ビスアリール系化合物であり、
    前記ビスアリール系化合物が、下記式5:
    Figure 0004932494
    (前記式5中、
    、R、R、及びRは、それぞれ水素、炭素原子数1ないし20のアルキル基、炭素原子数6ないし20のアリール基、トリアリールシリル基、トリアルキルシリル基、カルボアルコキシ基、ハロゲン、ニトリル基であり、この時、カルボアルコキシ基、−CORのRは、炭素原子数1ないし20のアルキル基、炭素原子数6ないし20のアリール基である)
    であり
    は、炭素原子数1ないし20のアルキル基または炭素原子数6ないし20のアリール基である)
    で表される二座配位子と、
    (b)下記化学式2:
    M(L(L(L(2)
    (前記式2中、
    Mは、遷移金属であり、
    、L及びLは、それぞれ水素、CO、アセチルアセトナート、シクロオクタジエン、ノルボルネン、塩素、またはトリフェニルホスフィンであり、
    l、m、及びnは、それぞれ0ないし5の値を有し、但し、l、m、及びnが同時に0である場合は除外される)
    で表される遷移金属触媒を含む、アルデヒドを調製するためのオレフィン系化合物のヒドロホルミル化反応のための触媒組成物。
  2. 前記式1で表される二座配位子のR及びRが、それぞれフェニル基、フェニルオキシ基、アルキル基、アルキルオキシ基、またはピロール基であることを特徴とする請求項1に記載の触媒組成物。
  3. 前記式1で表される二座配位子のRが、メチル基、エチル基、フェニル基、またはアセチル基(CHC(O)−)であることを特徴とする請求項1に記載の触媒組成物。
  4. 前記式5の置換基のうち、Rは、メチル基、メトキシ基、tert−ブチル基であり、Rは、水素であり、Rは、メチル基、メトキシ基、tert−ブチル基であり、Rは、水素またはメチル基であることを特徴とする請求項1に記載の触媒組成物。
  5. 前記式2の遷移金属が、コバルト(Co)、ロジウム(Rh)、またはイリジウム(Ir)であることを特徴とする請求項1に記載の触媒組成物。
  6. 前記遷移金属触媒が、アセチルアセトナートジカルボニルロジウム(Rh(AcAc)(CO))、アセチルアセトナートカルボニルトリフェニルホスフィンロジウム(Rh(AcAc)(CO)(TPP))、ヒドリドカルボニルトリ(トリフェニルホスフィン)ロジウム(HRh(CO)(TPP))、アセチルアセトナートジカルボニルイリジウム(Ir(AcAc)(CO))、またはヒドリドカルボニルトリ(トリフェニルホスフィン)イリジウム(HIr(CO)(TPP))であることを特徴とする請求項1に記載の触媒組成物。
  7. 前記遷移金属の含量は、触媒反応の全体溶液を基準として50ないし500ppmであり、遷移金属1モルを基準として前記二座配位子の含量は、0.5ないし100モルであることを特徴とする請求項1に記載の触媒組成物。
  8. 前記遷移金属触媒が、アセチルアセトナートジカルボニルロジウム(Rh(AcAc)(CO))であり、前記二座配位子が、2,2'−ビス[N−(ジフェニルホスフィノ)メチルアミノ]−1,1'−ビフェニル(BPNP−1)、または2,2'−ビス[N−(ジピロリルホスフィノ)メチルアミノ]−1,1'−ビフェニル(BPNP−2)であることを特徴とする請求項1に記載の触媒組成物。
  9. 請求項1ないし8のうち何れか1項に記載の触媒組成物をオレフィン系化合物、一酸化炭素及び水素の混合ガスと共に攪拌しつつ、加温、加圧してアルデヒドを製造するオレフィン系化合物のヒドロホルミル化方法。
  10. 前記オレフィン系化合物が下記式3:
    Figure 0004932494
    (前記式3中、
    及びRは、それぞれ水素、炭素原子数1ないし20のアルキル基、フッ素(−F)、塩素(Cl)、ブロム(Br)、トリフルオロメチル(−CF)、または0ないし5個の置換基を有するC−C20のフェニル基であり、この時、フェニル基の置換基は、ニトロ基(−NO)、フッ素(−F)、塩素(−Cl)、ブロム(−Br)、メチル基、エチル基、プロピル基またはブチル基である)
    で表されるオレフィン系化合物であることを特徴とする請求項に記載のヒドロホルミル化方法。
  11. 前記オレフィン系化合物が、エテン、プロペン、1−ブテン、1−ペンテン、1−ヘキセン、1−オクテン、及びスチレンよりなる群から選択された化合物であることを特徴とする請求項9に記載のヒドロホルミル化方法。
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