JP2829685B2 - 脱水汚泥ケーキの消臭方法 - Google Patents

脱水汚泥ケーキの消臭方法

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JP2829685B2
JP2829685B2 JP4089725A JP8972592A JP2829685B2 JP 2829685 B2 JP2829685 B2 JP 2829685B2 JP 4089725 A JP4089725 A JP 4089725A JP 8972592 A JP8972592 A JP 8972592A JP 2829685 B2 JP2829685 B2 JP 2829685B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は脱水汚泥ケーキの消臭方
法の改良に関するものである。さらに詳しくいえば、本
発明は、し尿や下水、あるいは有機性産業排水などの処
理において生じる各種脱水汚泥ケーキから発生する臭気
を効率よく抑制する方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】下水処理工程やし尿処理工程、あるいは
食品工場、紙パルプ工場などからの有機性産業排水の処
理工程などにおいては、各種の汚泥が発生する。例え
ば、原水を最初沈殿池に導いて固液分離する際には、最
初沈殿池汚泥が発生し、最初沈殿池を経たものは、通
常、活性汚泥と混合され曝気を行い、最終沈殿池におい
て固液分離し、一部は返送されるが、残部は余剰汚泥と
なる。また、これらのほかに、し尿などの原水や余剰汚
泥を嫌気性消化する際に発生する消化槽引き抜き汚泥、
原水や処理水を凝集処理する際に発生する凝集汚泥など
がある。これらの汚泥は、遠心分離機、フィルタープレ
ス、ベルトプレスなどの脱水機で脱水され、発生した脱
水ケーキは焼却処分や、埋立処分されている。前記脱水
ケーキは、通常嫌気性分解により、硫化水素、メチルメ
ルカプタン、n−酪酸、アンモニアなどが生成し、悪臭
を発生する。したがって、脱水ケーキは、最終処分され
るまでの貯留、運搬時に発生する悪臭が作業環境の悪化
をもたらしたり、あるいは、最終埋立地においても発生
臭気が拡散し、付近住民に不快な環境を与えるなど、好
ましくない事態を招来する。そこで、このような問題を
解決するために、従来臭気を吸引して吸着剤で処理した
り、発生する臭気を芳香剤や香料などでマスキング処理
したり、あるいは汚泥処理系に静菌剤系消臭剤を添加し
て脱水ケーキの嫌気性腐敗を抑えたり、さらには酸化剤
系消臭剤を添加して、悪臭成分の酸化や汚泥中の菌群の
殺菌により、悪臭の発生を抑制するなどの方法がとられ
ている。しかしながら、臭気を吸引して、吸着剤で処理
する方法は、大型の設備を必要とする上、処理費用が嵩
むなどの欠点があるし、一方、マスキング剤を用いる方
法においては、臭質は改善されるものの、悪臭成分その
ものは変わらず、臭気濃度は低くならないので、臭気が
周辺に拡散するのを免れないという欠点がある。特に脱
水ケーキは、運搬したり、貯留しても一時的であるた
め、別途臭気を吸引したり、搬送時にマスキングするの
は困難である。一方、静菌剤系消臭剤としては、本発明
者らのグループにより、イソチアゾロン系化合物、チウ
ラム系化合物、チアジアジン系化合物などの粉末状の殺
菌剤が見出されている。これらの静菌剤系消臭剤を汚泥
処理系に添加する方法においては、前記のような問題は
ないものの、単一に添加したのみでは、十分な静菌作用
を示さず、脱水ケーキからの臭気の発生を抑制する効果
が十分に発揮されないという問題がある。また、酸化剤
系消臭剤としては、例えば過酸化水素、次亜塩素酸ナト
リウム、亜塩素酸ナトリウム、塩素酸ナトリウム、過塩
素酸ナトリウム、p−スルホンジクロロアミド安息香
酸、過酸化ベンゾイル、塩素化シアヌル酸などが知られ
ている。しかしながら、これらの酸化剤系消臭剤は単一
に添加したのみでは効果が十分に発揮されない上、一時
的に脱水汚泥ケーキの臭気を低減しうるものの、焼却、
埋立処分するまでの間に腐敗して臭気を発生するおそれ
があるという欠点を有している。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】本発明はこのような事
情のもとで、し尿や下水、あるいは有機性産業排水など
の処理において生じる各種汚泥ケーキから発生する臭気
を効率よく抑制するための方法を提供することを目的と
してなされたものである。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明者らは前記目的を
達成するために鋭意研究を重ね、先に、消臭剤として、
酸化剤系消臭剤と静菌剤系消臭剤とを組み合わせて用
い、汚泥を脱水処理する前に、該汚泥に添加することに
より、その相乗作用によって脱水汚泥ケーキの臭気を効
果的に抑制しうることを見い出した(特願平2−247
947号)。本発明者らはさらに研究を重ねた結果、亜
塩素酸塩と次亜塩素酸塩との併用系、特にこれらと静菌
剤系消臭剤との併用系が汚泥ケーキの消臭に優れた効果
を有すること、さらに前記各成分を特定の順序で添加す
ることによって、より優れた効果が発現しうることを見
い出し、この知見に基づいて本発明を完成するに至っ
た。
【0005】すなわち、本発明は、汚泥を脱水処理する
前に、予め消臭剤を汚泥に添加して脱水ケーキの消臭を
行うに当たり、該消臭剤として、亜塩素酸塩と次亜塩素
酸塩と場合により静菌剤系消臭剤とを併用することを特
徴とする脱水汚泥の消臭方法、特に好ましい方法とし
て、亜塩素酸塩と次亜塩素酸塩と場合により用いられる
静菌剤系消臭剤を順次脱水汚泥に添加する脱水汚泥の消
臭方法を提供するものである。以下、本発明を詳細に説
明する。本発明方法においては、酸化剤系消臭剤として
亜塩素酸塩と次亜塩素酸塩の併用系が用いられる。この
併用系においては、汚泥中の菌類が発生するClO2
より殺菌され、菌数が減少することによって、悪臭の発
生が抑制される。この作用機構については次のように説
明できる。すなわち、亜塩素酸塩として亜塩素酸ナトリ
ウム(NaClO2)を、次亜塩素酸塩として次亜塩素酸
ナトリウム(NaClO)を使用した場合を例に挙げる
と、これらは汚泥中において、反応式、
【0006】 2NaClO2+NaClO+2H+→2ClO2+3NaCl+H2O …[1] で示すように反応してClO2を発生する。このClO2
は強い酸化力を有することから、汚泥中の菌類を殺菌
し、菌数を減少させ、脱水ケーキの嫌気性分解を抑える
ことで悪臭の発生を抑制する。この場合、前記薬剤の汚
泥への添加順序が重要で、例えば次亜塩素酸塩を先に添
加すると、汚泥中でそのほとんどが反応してCl-とな
ってしまい、後に添加する亜塩素酸塩と反応する次亜塩
素酸塩が実質上存在しないため、前記反応式[1]で示
す反応が起こりにくく、悪臭の抑制効果が十分に発揮さ
れない。これに対して、亜塩素酸塩を先に添加した場
合、汚泥中の硫化水素などの還元性物質に消費されるも
のもあるが、残存率が高く、後で添加する次亜塩素酸塩
と反応して、前記反応式(1)で示すようにClO2
発生し(弱酸性状態)、悪臭が効果的に抑制される。
【0007】また、亜塩素酸塩と次亜塩素酸塩とを含有
する溶液に、塩酸などの酸を添加してpHを下げ、前もっ
てClO2溶液を調製し、汚泥に添加した場合、ClO2
は菌に到達する前に、他の多くの還元性物質に作用し
て、その大部分が消費されるために、添加量を多くしな
ければ悪臭の抑制効果が十分に発揮されない。このよう
に、亜塩素酸塩と次亜塩素酸塩の併用系においては、添
加方法として(1)亜塩素酸塩を先に添加したのち、次
亜塩素酸塩を添加する、(2)亜塩素酸塩と次亜塩素酸
塩とを同時に添加する、(3)次亜塩素酸塩を先に添加
したのち、亜塩素酸塩を添加する、(4)亜塩素酸塩と
次亜塩素酸塩を含有する溶液に酸を加えてpHを下げ、前
もってClO2溶液を調製し、このものを添加する、な
どの方法が考えられるが、本発明方法においては、前記
した理由から(1)の亜塩素酸塩を先に添加したのち、
次亜塩素酸塩を添加する方法が特に好適である。
【0008】この(1)の方法において、亜塩素酸塩を
添加したのちに、次亜塩素酸塩を添加するまでの時間に
ついては特に制限はないが、亜塩素酸塩がすべて反応し
て消失しないうちに添加することが必要で、通常1分な
いし24時間程度である。該亜塩素酸塩及び次亜塩素酸
塩の種類については水溶性のものであればよく特に制限
はないが、例えば経済的な面から亜塩素酸ナトリウム及
び次亜塩素酸ナトリウムが好適に用いられる。このよう
な亜塩素酸塩と次亜塩素酸塩との併用系を用いることに
より、汚泥中に最初に存在する菌が殺菌されて菌数が減
少し、その結果脱水処理後の汚泥ケーキが嫌気性腐敗す
るのが抑えられるが、これにさらに静菌剤系消臭剤を添
加することにより、減少した菌の活動が抑制されること
から、脱水ケーキの嫌気性腐敗を長時間抑えることがで
き、悪臭の発生が効果的に抑制される。このような亜塩
素酸塩と次亜塩素酸塩と静菌剤系消臭剤との併用系にお
ける各薬剤の添加順序については、静菌剤系消臭剤は酸
化剤系消臭剤と別に添加することが望ましく、特に酸化
剤系消臭剤の添加後に添加する、すなわち亜塩素酸塩、
次亜塩素酸塩及び静菌剤系消臭剤の順に添加するのが有
利である。
【0009】本発明方法において用いられる静菌剤系消
臭剤としては、例えば1,2−ベンゾイソチアゾロンや
5−クロロ−2−メチルイソチアゾロンなどのチアゾロ
ン化合物、3,5−ジメチルテトラヒドロ−1,3,5−
チアジアジン−2−チオンや3,3'−エチレンビス(テ
トラヒドロ−4,6−ジメチル−1,3,5−チアジアジ
ン−2−チオン)などのチアジアジン化合物、メチルチ
オシアネートやメチレンビスチオシアネートなどのシア
ネート化合物、エチレンビス(ジチオカルバミン酸)亜
鉛、エチレンビス(ジチオカルバミン酸)マンガン、ジ
メチルジチオカルバミン酸亜鉛などのカルバミン酸化合
物、塩基性塩化銅、塩基性炭酸銅、塩基性硫酸銅などの
銅化合物、さらにはビス(ジメチルチオカルバモイル)
ジスルフィド、2−n−オクチル−4−イソチアゾリン
−3−オン、p−クロロ−m−クレゾル、ジイソプロピ
ル−1,3−ジチオラン−2−イリデンマロネート、5,
5'−ジクロロ−2,2'−ジヒドロキシジフェニルメタ
ン、4,5−ジクロロ−1,2−ジチオラン−3−オン、
ジクロロフェン、2,3−ジクロロ−1,4−ナフトキノ
ン、2,5−ジクロロ−4−ブロモフェノール、5,6−
ジヒドロ−2−メチル−1,4−オキサチン−3−カル
ボキサニリド−4,4'−ジオキシド、1,2−ジブロモ
−2,4−ジシアノブタン、2,3,3−トリヨードアル
コール、N−(フルオロジクロロメチルチオ)フタルイ
ミド、4−ブロモ−3−エトキシカルボニルオキシ−
1,2−ジヨード−1−プロペン、α−ブロモシンナム
アルデヒドなどが挙げられる。これらの静菌剤系消臭剤
は1種用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いて
もよい。
【0010】各薬剤の添加形態については特に制限はな
く粉末状、懸濁液状、溶液状のいずれの形態で添加して
もよいが、静菌剤系消臭剤の場合は、粉末状又は懸濁液
状で添加するのが望ましく、また亜塩素酸塩及び次亜塩
素酸塩については溶液状で添加するのが望ましい。特に
亜塩素酸ナトリウム及び次亜塩素酸ナトリウムは工業的
に液体品が製造されており、それらを用いるのが有利で
ある。また、各薬剤の添加量については、通常亜塩素酸
塩は10〜1000mg/リットル−汚泥、次亜塩素酸塩
は10〜1000mg/リットル−汚泥、静菌剤系消臭剤
は1〜2000mg/リットル−汚泥の範囲で選ばれる。
【0011】
【実施例】次に実施例により本発明をさらに詳細に説明
するが、本発明はこれらの例によってなんら限定される
ものではない。
【0012】実施例1 下水処理場の汚泥(pH5.2、TS2.0%、SS1.8
%、VTS69.1%/TS、VSS70.2%/SS、
繊維8.4%/SS)に第1表に示す種類と量の各薬剤
を添加したのち、高分子凝集剤を添加してフロックを形
成させ、次いで脱水機で脱水して脱水ケーキを得た。次
に、この脱水ケーキをテドラーバッグに封入して30℃
の恒温室に保管し、テドラーバッグ内の臭気成分濃度を
測定した。その結果を第1表に示す。
【0013】
【表1】
【0014】注1)MM:メチルメルカプタン この表から分かるように亜塩素酸ナトリウムを添加した
のち、次亜塩素酸ナトリウムを添加したものが最も効果
がよい。
【0015】実施例2 下水処理場の汚泥(pH55、TS2.9%、SS2.7
%、VTS64%/TS、VSS65%/SS、繊維2
1%/SS、電気伝導度2,230μS/cm)に第2表
に示す種類と量の各種薬剤を添加し、実施例1と同様に
実施した。その結果を第2表に示す。
【0016】
【表2】
【0017】注 1)ZPT:ジンクピリチオン 2)BIT:ベンゾイソチアゾロン 3)NaClO2添加後NaClO添加 4)NaClO2、NaClO及びBITを順次添加 5)NaClO2、NaClO及びZPTを順次添加 この表から、亜塩素酸ナトリウム、次亜塩素酸ナトリウ
ム及びベンゾイソチアゾロン又はジンクピリチオンを順
次添加したものが最も効果がよいことが分かる。
【0018】
【発明の効果】本発明方法によると、し尿や下水、ある
いは有機性産業排水などの処理において生じる各種汚泥
に、亜塩素酸塩と次亜塩素酸塩、又はこれらと静菌剤系
消臭剤とを組み合わせて添加することにより、その相乗
作用によって、脱水汚泥ケーキから発生する臭気を効率
よく抑制することができる。さらに、本発明方法は、汚
泥腐敗の防止にも適用しうると思われる。例えばパイプ
を通して汚泥を長時間輸送してから処理する場合、輸送
中に汚泥が腐敗してパイプ内に悪臭物質が発生し、空気
ぬきから悪臭が拡散するおそれがあり。またパイプ内が
悪臭物質により腐食するおそれがある上、さらに腐敗が
進むことによって、汚泥中の繊維分が減少して、高分子
凝集剤による汚泥の凝集に悪影響を及ぼすなど、汚泥の
腐食により種々の弊害が生じるが、この汚泥の腐食を防
止する方法として、本発明方法は有効であると考えられ
る。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中村 賢三 東京都国立市谷保6765−1 (56)参考文献 特開 昭61−90799(JP,A) 特開 昭63−209798(JP,A) 特開 平4−126599(JP,A) 特開 昭54−91957(JP,A) 特開 平4−126598(JP,A) 特開 昭62−197200(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) C02F 11/00 - 11/20 B09B 3/00 B09B 5/00 A61L 11/00

Claims (4)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】汚泥を脱水処理する前に、予め消臭剤を汚
    泥に添加して脱水ケーキの消臭を行うに当たり、該消臭
    剤として、亜塩素酸塩と次亜塩素酸塩とを併用すること
    を特徴とする脱水汚泥ケーキの消臭方法。
  2. 【請求項2】亜塩素酸塩と次亜塩素酸塩を順次汚泥に添
    加する請求項1記載の脱水汚泥ケーキの消臭方法。
  3. 【請求項3】汚泥を脱水処理する前に、予め消臭剤を汚
    泥に添加して脱水ケーキの消臭を行うに当たり、該消臭
    剤として亜塩素酸塩と次亜塩素酸塩と静菌剤系消臭剤と
    を併用することを特徴とする脱水汚泥ケーキの消臭方
    法。
  4. 【請求項4】亜塩素酸塩と次亜塩素酸塩と静菌剤系消臭
    剤を順次汚泥に添加する請求項3記載の脱水汚泥ケーキ
    の消臭方法。
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