JP2822984B2 - 混成集積回路のシールド構造 - Google Patents
混成集積回路のシールド構造Info
- Publication number
- JP2822984B2 JP2822984B2 JP8167683A JP16768396A JP2822984B2 JP 2822984 B2 JP2822984 B2 JP 2822984B2 JP 8167683 A JP8167683 A JP 8167683A JP 16768396 A JP16768396 A JP 16768396A JP 2822984 B2 JP2822984 B2 JP 2822984B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- integrated circuit
- hybrid integrated
- shield
- circuit board
- shield cap
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/3025—Electromagnetic shielding
Landscapes
- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は混成集積回路のシー
ルド構造に関し、特に表面実装構造及びリードレス構造
の混成集積回路のEMI(電磁波障害)対策のシールド
構造に関するものである。
ルド構造に関し、特に表面実装構造及びリードレス構造
の混成集積回路のEMI(電磁波障害)対策のシールド
構造に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来の電子部品実装済の基板のシールド
構造としては、シールドケースと蓋を具備する構造(特
開昭62−271499号公報)のものが知られてい
る。以下図4を用いて説明する。
構造としては、シールドケースと蓋を具備する構造(特
開昭62−271499号公報)のものが知られてい
る。以下図4を用いて説明する。
【0003】図4の従来例の斜視図に於いて、マザーボ
ード5上にリード線あるいはコネクタにより電気部品2
1が実装されたサブ基板22を、4コーナ上端に各々切
欠き部23Aを設けたシールドケース23上に4コーナ
を嵌合して配置し、掛り止め半田付け片24により保持
した後、シールドケース23に設けた突出部25とシー
ルドケースの蓋26に設けた孔27との嵌合によりシー
ルドケースの蓋26を装着し、2段構造で取り付け全体
を安定にシールドするものである。
ード5上にリード線あるいはコネクタにより電気部品2
1が実装されたサブ基板22を、4コーナ上端に各々切
欠き部23Aを設けたシールドケース23上に4コーナ
を嵌合して配置し、掛り止め半田付け片24により保持
した後、シールドケース23に設けた突出部25とシー
ルドケースの蓋26に設けた孔27との嵌合によりシー
ルドケースの蓋26を装着し、2段構造で取り付け全体
を安定にシールドするものである。
【0004】また簡易な手段として、シールドケースの
蓋のみを直接マザボードに半田付けし、マザボード上の
接地パターンに半田付け接続し固定接地する構造が取ら
れていた。
蓋のみを直接マザボードに半田付けし、マザボード上の
接地パターンに半田付け接続し固定接地する構造が取ら
れていた。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】この従来のシールド構
造は、ケースと蓋という2分割構造である為、取り付け
工数及び初期費用で難点があった。またシールドケース
が完全にマザーボードと接触する為、マザボード上で配
線の制約が生ずる。また、サブ基板とシールドケースと
の接続は半田付け作業により実現する為、自動化が困難
で洗浄作業も必要となっていた。さらに、サブ基板をマ
ザーボード上より隔間をとり保持した2段構造である事
より、両基板を接続するコネクタやリード線を必要とす
る為、結果として高さ寸法を要し小型化ができないとい
う問題点があった。
造は、ケースと蓋という2分割構造である為、取り付け
工数及び初期費用で難点があった。またシールドケース
が完全にマザーボードと接触する為、マザボード上で配
線の制約が生ずる。また、サブ基板とシールドケースと
の接続は半田付け作業により実現する為、自動化が困難
で洗浄作業も必要となっていた。さらに、サブ基板をマ
ザーボード上より隔間をとり保持した2段構造である事
より、両基板を接続するコネクタやリード線を必要とす
る為、結果として高さ寸法を要し小型化ができないとい
う問題点があった。
【0006】本発明の第1の目的は、取付けが容易で自
動化ができ、かつ小型化できる混成集積回路のシールド
構造を提供することにある。
動化ができ、かつ小型化できる混成集積回路のシールド
構造を提供することにある。
【0007】本発明の第2の目的は、初期費用が少な
く、かつマザーボード上での配線の設計の自由度を大き
くできる混成集積回路のシールド構造を提供することに
ある。
く、かつマザーボード上での配線の設計の自由度を大き
くできる混成集積回路のシールド構造を提供することに
ある。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明による混成集積回
路のシールド構造は、表面実装型混成集積回路基板に対
して、デッドスペースである4コーナに切り欠き部を設
けると共に、少くともその1箇所に接地電位に接続する
端面電極を設ける。
路のシールド構造は、表面実装型混成集積回路基板に対
して、デッドスペースである4コーナに切り欠き部を設
けると共に、少くともその1箇所に接地電位に接続する
端面電極を設ける。
【0009】シールドキャップの4コーナには、前記混
成集積回路基板の4コーナに嵌合するように突出コンタ
クト部又は曲げ加工による接片を設けおく事により、こ
れらで固定し且つ半田接続によらず電気的接続を実現す
るものである。またシールドキャップは混成集積回路基
板により保持される為、マザボードで支持する必要が無
く、さらに取り付け精度も確保される。
成集積回路基板の4コーナに嵌合するように突出コンタ
クト部又は曲げ加工による接片を設けおく事により、こ
れらで固定し且つ半田接続によらず電気的接続を実現す
るものである。またシールドキャップは混成集積回路基
板により保持される為、マザボードで支持する必要が無
く、さらに取り付け精度も確保される。
【0010】
【発明の実施の形態】次に本発明を図面を参照して説明
する。図1(a),(b)は本発明の第1の実施の形態
を説明する為の混成集積回路の裏面図及びシールドキャ
ップの一部を切り欠いた側面図である。
する。図1(a),(b)は本発明の第1の実施の形態
を説明する為の混成集積回路の裏面図及びシールドキャ
ップの一部を切り欠いた側面図である。
【0011】図1(a),(b)を参照すると、エポキ
シ樹脂等からなる混成集積回路基板1Aは4コーナ部に
切り欠き部2を有し、そのうちの1つのコーナ部には表
面実装用の裏面電極7の内、接地電位を有する電極と導
体パターン6で配線された端面電極3A(斜線を施して
ある)を有する。混成集積回路基板1Aは半導体チップ
8を搭載し、金線9により配線されており、さらに封止
剤11により表面が保護されている。尚3Bは接地電位
以外の端面電極である。
シ樹脂等からなる混成集積回路基板1Aは4コーナ部に
切り欠き部2を有し、そのうちの1つのコーナ部には表
面実装用の裏面電極7の内、接地電位を有する電極と導
体パターン6で配線された端面電極3A(斜線を施して
ある)を有する。混成集積回路基板1Aは半導体チップ
8を搭載し、金線9により配線されており、さらに封止
剤11により表面が保護されている。尚3Bは接地電位
以外の端面電極である。
【0012】次にシールドキャップ10Aは、4コーナ
が押し出し加工された突出部4を有しており、混成集積
回路基板1Aがマザボード5に半田リフロー法等により
実装された後、上部よりはめ込む事により4コーナ部で
圧接され固定される。シールドキャップ10Aは基板1
Aのコーナを基準とし±0.1mm程度の高精度で取付
けできる。この時コーナ部の端面電極3Aと突出部4が
接触する事により、シールドキャップ10Aが接地電位
に接続される。シールドキャップ10Aの深さ寸法は、
マザボード5と接触しない値で設計されており、マザボ
ード5上でのパターンの逃げ等は不要となっている。
が押し出し加工された突出部4を有しており、混成集積
回路基板1Aがマザボード5に半田リフロー法等により
実装された後、上部よりはめ込む事により4コーナ部で
圧接され固定される。シールドキャップ10Aは基板1
Aのコーナを基準とし±0.1mm程度の高精度で取付
けできる。この時コーナ部の端面電極3Aと突出部4が
接触する事により、シールドキャップ10Aが接地電位
に接続される。シールドキャップ10Aの深さ寸法は、
マザボード5と接触しない値で設計されており、マザボ
ード5上でのパターンの逃げ等は不要となっている。
【0013】図2(a),(b)は本発明の第2の実施
の形態を説明する為の混成集積回路の裏面図及びシール
ドキャップの一部を切り欠いた側面図、図3はシールド
キャップの曲げ加工接片近傍の斜視図である。
の形態を説明する為の混成集積回路の裏面図及びシール
ドキャップの一部を切り欠いた側面図、図3はシールド
キャップの曲げ加工接片近傍の斜視図である。
【0014】図2(a),(b)を参照すると、厚膜印
刷基板等からなる混成集積回路基板1B上には、半導体
チップ8が搭載され金線9により配線され、封止剤11
により保護されている。本第2の実施の形態に於ては、
外部端子としてクリップ端子12が用いられ基板1Bの
4方向に取り付けられている。又基板の4コーナには切
り欠き部2が設けられており、そのうちの1つのコーナ
には、接地電極13から配線接続された端面電極3Aを
具備している。
刷基板等からなる混成集積回路基板1B上には、半導体
チップ8が搭載され金線9により配線され、封止剤11
により保護されている。本第2の実施の形態に於ては、
外部端子としてクリップ端子12が用いられ基板1Bの
4方向に取り付けられている。又基板の4コーナには切
り欠き部2が設けられており、そのうちの1つのコーナ
には、接地電極13から配線接続された端面電極3Aを
具備している。
【0015】シールドキャップ10Bは図3に示すよう
に、4コーナを曲げ加工した接片14を有しており、混
成集積回路基板1Bに装着時に前記端面電極3Aを接触
しシールドキャップ10Bが接地されるように構成され
ている。また封止剤11とシールドキャップ10Bとの
間には、サーマルコンパウンド剤15を塗布する事によ
り、半導体素子の放熱経路が確保され熱抵抗Tjaが1
0℃/W程度低減されている。
に、4コーナを曲げ加工した接片14を有しており、混
成集積回路基板1Bに装着時に前記端面電極3Aを接触
しシールドキャップ10Bが接地されるように構成され
ている。また封止剤11とシールドキャップ10Bとの
間には、サーマルコンパウンド剤15を塗布する事によ
り、半導体素子の放熱経路が確保され熱抵抗Tjaが1
0℃/W程度低減されている。
【0016】混成集積回路基板1Bのマザーボード5と
は、クリップ端子12を介して半田リフロー法等により
実装される為、シールドキャップ10Bはマザーボード
5に接触することはない。
は、クリップ端子12を介して半田リフロー法等により
実装される為、シールドキャップ10Bはマザーボード
5に接触することはない。
【0017】また本第2の実施の形態においてもシール
ドキャップ10Bは混成集積回路基板1Bの4コーナを
基準とし±0.1mm程度の高精度で取り付け可能であ
る為、従来困難であった4方向リード付き混成集積回路
の金属ケースによるシールドも容易に実現可能とするも
のである。
ドキャップ10Bは混成集積回路基板1Bの4コーナを
基準とし±0.1mm程度の高精度で取り付け可能であ
る為、従来困難であった4方向リード付き混成集積回路
の金属ケースによるシールドも容易に実現可能とするも
のである。
【0018】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、混成集積
回路基板のデッドスペースであるコーナ部に切り欠き部
と接地用の端面電極を設け、シールドキャップを嵌合し
電気的接触をとるシールド構造とする事により、以下の
効果が得られる。
回路基板のデッドスペースであるコーナ部に切り欠き部
と接地用の端面電極を設け、シールドキャップを嵌合し
電気的接触をとるシールド構造とする事により、以下の
効果が得られる。
【0019】(1)シールドキャップの取り付けが容易
であり且つ高精度で取り付可能である為、自動化や工数
低減、さらに小型化や薄型化が容易に実現出来る。
であり且つ高精度で取り付可能である為、自動化や工数
低減、さらに小型化や薄型化が容易に実現出来る。
【0020】(2)シールドキャップがはめ込み方式で
ある為、半田付け作業が不要となり、工期を短縮するこ
とができる。
ある為、半田付け作業が不要となり、工期を短縮するこ
とができる。
【0021】(3)混成集積回路の表面実装が可能であ
る為、従来のコネクタやリードが不要となり、トータル
コストダウンが可能である。
る為、従来のコネクタやリードが不要となり、トータル
コストダウンが可能である。
【0022】(4)シールドキャップをマザーボードに
直付けする事が不要である為、マザーボード上での配線
制約がなくなり設計の自由度が大となる。
直付けする事が不要である為、マザーボード上での配線
制約がなくなり設計の自由度が大となる。
【0023】(5)シールドキャップの成型が容易に実
現され、金型等の初期費用を少くできる。
現され、金型等の初期費用を少くできる。
【図1】本発明の第1の実施の形態を説明する為の混成
集積回路の裏面図及びシールドキャップを切り欠いた場
合の側面図。
集積回路の裏面図及びシールドキャップを切り欠いた場
合の側面図。
【図2】本発明の第2の実施の形態を説明する為の混成
集積回路の裏面図及びシールドキャップを切り欠いた場
合の側面図。
集積回路の裏面図及びシールドキャップを切り欠いた場
合の側面図。
【図3】シールドキャップの曲げ加工接片近傍の斜視
図。
図。
【図4】従来例の斜視図。
1A,1B 混成集積回路基板 2 切り欠き部 3A,3B 端面電極 4 突出部 5 マザーボード 6 導体パターン 7 裏面電極 8 半導体チップ 9 金線 10A,10B シールドキャップ 11 封止剤 12 クリップ端子 13 接地電極 14 曲げ加工接片 15 サーマルコンパウンド 21 電気部品 22 サブ基板 23A 切り欠き部 23 シールドケース 24 掛り止め片 25 突出部 26 蓋 27 孔
Claims (4)
- 【請求項1】 混成集積回路基板の4コーナに切り欠き
部を設け、該切り欠き部の少くなくとも1箇所に接地電
位に配線された端面電極を具備し、該端面電極及び前記
切り欠き部に嵌合するようにコーナ部に突出部を有する
金属製のシールドキャップをはめ込み圧接する事によ
り、シールドキャップを接地固定するように構成した事
を特徴とする混成集積回路のシールド構造。 - 【請求項2】 混成集積回路基板が実装されるマザボー
ドと接触しないようにシールドキャップの下端は混成集
積回路基板の底面より上部に位置するように構成されて
いる請求項1記載の混成集積回路のシールド構造。 - 【請求項3】 混成集積回路基板と前記金属製シールド
キャップとの間に放熱抵抗を低減する為のサーマルコン
パウンド剤を充填した請求項1又は請求項2記載の混成
集積回路のシールド構造。 - 【請求項4】 混成集積回路基板が裏面電極もしくはク
リップリードを具備する表面実装可能な外部電極を有す
る請求項1乃至請求項3記載の混成集積回路のシールド
構造。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8167683A JP2822984B2 (ja) | 1996-06-27 | 1996-06-27 | 混成集積回路のシールド構造 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8167683A JP2822984B2 (ja) | 1996-06-27 | 1996-06-27 | 混成集積回路のシールド構造 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1013077A JPH1013077A (ja) | 1998-01-16 |
JP2822984B2 true JP2822984B2 (ja) | 1998-11-11 |
Family
ID=15854299
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8167683A Expired - Lifetime JP2822984B2 (ja) | 1996-06-27 | 1996-06-27 | 混成集積回路のシールド構造 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2822984B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100449449B1 (ko) * | 2000-04-28 | 2004-09-22 | 마츠시다 덴코 가부시키가이샤 | 고주파 계전기 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0751830Y2 (ja) * | 1990-05-17 | 1995-11-22 | 松下電器産業株式会社 | 高周波発振装置 |
JPH0514015A (ja) * | 1991-07-03 | 1993-01-22 | Tdk Corp | 高周波smdモジユール |
-
1996
- 1996-06-27 JP JP8167683A patent/JP2822984B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH1013077A (ja) | 1998-01-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4475160B2 (ja) | 電子装置の製造方法 | |
JP4264375B2 (ja) | パワー半導体モジュール | |
KR100755093B1 (ko) | 제어장치 및 납땜방법 | |
US9564789B2 (en) | Assembly having a substrate, an SMD component, and a lead frame part | |
JPH0676894A (ja) | コネクタ | |
US5352925A (en) | Semiconductor device with electromagnetic shield | |
KR20100039342A (ko) | 표면 장착 소자를 상호연결하기 위한 연결기 및 회로 기판 | |
JPH09285107A (ja) | 電力変換装置 | |
JPH11288751A (ja) | プリント配線基板への端子の取付構造 | |
JP2822984B2 (ja) | 混成集積回路のシールド構造 | |
JP3693245B2 (ja) | 車両用電力用回路装置およびその製造方法 | |
JP3853373B2 (ja) | 電気回路及び制御装置 | |
JP3156630B2 (ja) | パワー回路実装ユニット | |
JPH07221419A (ja) | 混成集積回路装置 | |
US20050206013A1 (en) | Chip module | |
JPH042478Y2 (ja) | ||
JP2924231B2 (ja) | 高周波部品 | |
JPH11297430A (ja) | 電気コネクタ | |
JPH0132377Y2 (ja) | ||
JP2023146592A (ja) | 電子装置 | |
JP2766401B2 (ja) | 表面実装型半導体装置 | |
JP2913500B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP3019372B2 (ja) | コネクタ装置 | |
JP2827950B2 (ja) | 混成集積回路装置 | |
KR100853683B1 (ko) | 반도체 패키지 실장구조 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19980804 |