JP2820090B2 - 材料試験機 - Google Patents
材料試験機Info
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、材料試験機にお
いて、各種試験方法に対応した専用プログラム（試験条
件およびデータ処理方法）を適宜に切り換える技術に関
する。 【０００２】 【従来の技術】一般材料の材料試験の分野では、各種材
料により、また採取するデータの種類により様々な試験
方法がある。したがって、その試験方法に応じた試験条
件およびデータ処理方法をその都度材料試験機に設定す
る必要がある。 【０００３】試験方法の種類としては、単純バッチ試
験、低サイクル疲労試験，高サイクル疲労試験、曲げ試
験、き裂進展試験、静的負荷試験、弾塑性破壊靭性試験
等があり、材料の降伏点，ヤング率，最大応力，応力−
歪み特性やき裂伝搬速度，Ｋ1C値，Ｊ1C値などのデータ
を採取する。 【０００４】電気・油圧式の材料試験機の試験条件に
は、ＰＩＤ制御の各定数、負荷荷重信号の波形，振幅，
平均値、荷重検出アンプのレンジなどがある。 【０００５】また、ネジ棹式の材料試験機の試験条件に
は、荷重負荷速度，荷重負荷方向、荷重検出アンプのレ
ンジ，レコーダのチャート速度、繰り返し負荷の場合の
負荷荷重信号の最大値，最小値などがある。 【０００６】データ処理方法には、データのサンプリン
グ方法，サンプリングデータの演算方法，ディスプレイ
での表示方法，プリンタの印字方法等がある。 【０００７】以上のように試験方法ごとに異なった試験
条件およびデータ処理方法を設定する作業は非常に面倒
である。特に、１台の材料試験機で各種材料の品質管理
を目的として頻繁に試験する場合には、試験条件および
データ処理方法の設定のために大変な時間を必要とし、
作業性が悪いだけでなく、設定ミスを発生するおそれが
多分にある。 【０００８】そこで、試験プログラム設定を簡素化する
ために、従来、次のような方式で対処してきた。 【０００９】（１）その一つは、フロッピーディスクに
幾種類かの試験プログラムを記憶させておき、必要に応
じて試験プログラムを選択してロードするという方式で
ある。 （２）他の一つは、材料試験機におけるシステム内のＣ
ＭＯＳ−ＲＡＭ（バッテリーバックアップ付き）に試験
プログラムを１つ以上もたせる方式である。 【００１０】 【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記
（１），（２）の各方式にはそれぞれ次のような問題点
がある。 【００１１】（１）のフロッピーディスク方式の場合、
フロッピーディスクドライバを必要とするために高価で
コスト的に不利である。その上、操作が容易でない、ア
クセスタイムが長い、フロッピーディスクは取り扱いに
注意を要する等の問題がある。また、（２）のシステム
内ＲＡＭ方式の場合、その記憶容量から試験プログラム
の数に限界がある。また、複数の試験プログラムの中か
ら１つを選択する操作に際しては、ディスプレイを見な
がらのキー操作が繁雑になりがちである。また、ディス
プレイや割り込みのプログラムのボリュームが大きくな
ってシステムプログラム全体の負担も大きい上に、プロ
グラムの実行時間が長くなる。 【００１２】さらに、何らかの原因でマイクロプロセッ
サが暴走を起こしたときには、記憶していたすべての試
験プログラムが破壊されてしまい、信頼性の点で問題が
ある。 【００１３】この発明は、このような事情に鑑みてなさ
れたものであって、試験プログラム（試験条件およびデ
ータ処理方法）を種々に切り換えるに当たり、コスト
面，操作面で有利で、高速アクセスが可能であり、信頼
性も高い材料試験機を提供することを目的とする。 【００１４】 【課題を解決するための手段】本発明は、読み込んだプ
ログラムに従って試験機各部を制御するマイクロプロセ
ッサと、試験条件およびデータ処理方法についての基本
プログラムを有しマイクロプロセッサに接続されたシス
テム内メモリと、試験条件およびデータ処理方法につい
ての専用プログラムを有しマイクロプロセッサに対して
接続分離自在かつ交換可能な半導体メモリモジュール
と、マイクロプロセッサにシステム内メモリの基本プロ
グラムを実行させる状態と半導体メモリモジュールの専
用プログラムを実行させる状態とを切り換えるプログラ
ム選択手段と、前記半導体モジュールが前記マイクロプ
ロセッサへ接続されたことを検出する判別手段とを備
え、システムの電源投入後１回目の試験で、かつ前記判
別手段によって前記半導体メモリモジュールが前記マイ
クロプロセッサに接続されていることが検出された場合
は、前記半導体メモリモジュールが有する専用プログラ
ムを実行するよう構成されたことを特徴とする。 【００１５】 【発明の実施の形態】この発明の実施例に係る材料試験
機の要部のブロック図を示す図１において、１はマイク
ロコンピュータにおけるマイクロプロセッサ（ＣＰ
Ｕ）、２はシステムプログラムおよび基本プログラム
（試験条件およびデータ処理方法）を格納したＲＯＭ
（リードオンリメモリ）、３は得られたデータを格納す
るＲＡＭ（ランダムアクセスメモリ）であり、ＲＯＭ２
およびＲＡＭ３は、マイクロプロセッサ１に対してアド
レスバス，データバス，コントロールバスを介して接続
されている。ＲＯＭ２およびＲＡＭ３は発明の構成にい
うシステム内メモリに相当する。４は試験機本体とマイ
クロプロセッサ１との間で信号の授受を行うインターフ
ェイス、５はＣＲＴや液晶表示装置などのディスプレ
イ、６はキーボード、７はプリンタやプロッタなどのレ
コーダである。８は専用プログラム（試験条件およびデ
ータ処理方法）を格納しマイクロプロセッサ１に対して
接続分離重自在かつ交換可能な半導体メモリモジュール
である。 【００１６】種々の試験方法に応じた専用プログラム
（試験条件およびデータ処理方法）を記憶している半導
体メモリモジュール８が複数用意されており、それぞれ
はＲＯＭまたはバックアップ用バッテリー付きのＣＭＯ
Ｓ−ＲＡＭを内蔵したコンパクトなパッケージに構成さ
れ、そのパッケージには格納している専用プログラム
（試験条件およびデータ処理方法）が何についてのもの
であるのかを表すラベルが貼られている。 【００１７】半導体メモリモジュール８は、アドレスバ
ス，データバス，コントロールバスおよび半導体メモリ
モジュール８がマイクロプロセッサ１に接続されている
ときに“Ｌ”レベルの接続検出信号ＣＡを出力する接続
検出信号ライン９を介してマイクロプロセッサ１に接続
されるように構成されている。接続検出信号ライン９は
プルアップ抵抗Ｒ１を介して直流電源ＶCCに接続されて
いる。 【００１８】１０はマイクロプロセッサ１にＲＯＭ２の
基本プログラムを実行させる状態と半導体メモリモジュ
ール８の専用プログラムを実行させる状態とを切り換え
るプログラム選択手段で、これは、システム内部の基本
プログラムを選択する内部選択キー１０ａと、システム
外部の専用プログラムを選択する外部選択キー１０ｂと
からなる。これらのキー１０ａ，１０ｂの一端はプルア
ップ抵抗Ｒ２，Ｒ３を介して直流電源ＶCCに接続され、
他端は接地されている。プログラム選択キー１０が発明
の構成にいうプログラム選択手段に相当する。 【００１９】ＰＬ１は内部選択キー１０ａがＯＮされた
ときに点灯する内部選択表示ランプ、ＰＬ２は外部選択
キー１０ｂがＯＮされたときに点灯する外部選択表示ラ
ンプである。各表示ランプＰＬ１，ＰＬ２には発光ダイ
オードを使用している。 【００２０】図２は半導体メモリモジュール８の具体的
構成を示し、ＶCCは＋５Ｖ電源、ＧＮＤは０Ｖ電源、Ａ
0 〜Ａn はアドレスバス、Ｄ0 〜Ｄn はデータバス、Ｃ
Ｅはチップイネーブル端子、ＯＥは半導体メモリモジュ
ール８がＲＯＭの場合のアウトプットイネーブル端子
（リード端子）である。半導体メモリモジュール８がＲ
ＡＭの場合にはアウトプットイネーブル端子ＯＥがリー
ド／ライト端子Ｒ／Ｗとなる。 【００２１】なお、図３に示すように、内部選択表示ラ
ンプＰＬ１は内部選択キー１０ａに付設され、外部選択
表示ランプＰＬ２は外部選択キー１０ｂに付設されてい
る。 【００２２】次に、この実施例の動作を図４のフローチ
ャートに基づいて説明する。 【００２３】システムの電源投入に伴ってステップＳ１
からの動作を開始する。 【００２４】ステップＳ１ですべての状態をイニシャラ
イズし、ステップＳ２で接続検出信号ＣＡが“Ｌ”レベ
ルかどうかを判断する。 【００２５】マイクロプロセッサ１に半導体メモリモジ
ュール８が接続されていないときにはＣＡ端子はプルア
ップ抵抗Ｒ１を介して直流電源ＶCCに接続されるため、
“Ｈ”レベルとなる。半導体メモリモジュール８が接続
されているときにはＣＡ端子はＧＮＤ端子に接続される
ため“Ｌ”レベルとなる。 【００２６】ステップＳ２の判断がＮＯのときはステッ
プＳ３に進んでＬ１端子を“Ｌ”レベルにすることによ
り内部選択表示ランプＰＬ１を点灯し、ステップＳ４で
フラグＦに“ＩＮ”（＝“０”）をセットした後、ステ
ップＳ５でシステム内メモリであるＲＯＭ２に格納され
ている基本プログラムを実行する。 【００２７】すなわち、基本プログラムによる試験条件
およびデータ処理方法に従って、試験機本体の各部に対
応したレジスタをセットするとともに、試験機本体の各
部を制御することにより材料試験を行う。これによって
得られた試験データはＲＡＭ３に記憶される。 【００２８】ステップＳ２からステップＳ５への移行
は、電源投入時に半導体メモリモジュール８が接続され
ていないときには、前回の運転終了直前に使用していた
基本プログラムを継続使用するということである。 【００２９】ステップＳ２の判断がＹＥＳのときはステ
ップＳ６に進んでＬ２端子を“Ｌ”レベルにすることに
より外部選択表示ランプＰＬ２を点灯し、ステップＳ７
でフラグＦに“ＥＸＴ”（＝“１”）をセットした後、
ステップＳ８で半導体メモリモジュール８から専用プロ
グラム（試験条件およびデータ処理方法）を読み込み、
それをＲＡＭ３にローディングし、ステップＳ９でＲＡ
Ｍ３に格納された専用プログラムによる試験条件および
データ処理方法に従って、試験機本体の各部に対応した
レジスタをセットするとともに、試験機本体の各部を制
御することにより材料試験を行う。この場合も、得られ
た試験データはＲＡＭ３に記憶される。 【００３０】なお、半導体メモリモジュール８からＲＡ
Ｍ３へのローディングが完了した後は、半導体メモリモ
ジュール８をマイクロプロセッサ１から分離してもよい
し、接続したままにしておいてもよい。 【００３１】ステップＳ１０で試験機本体の動作が停止
中であるかどうかを判断し、動作継続中であればステッ
プＳ１０にリターンし試験動作の停止を待つ。 【００３２】試験機本体の動作が停止中となったときは
ステップＳ１０に進んで内部選択キー１０ａＯＮされて
いるかどうかをＳ１端子が“Ｌ”レベルかどうかで判断
する。 【００３３】ＯＮされているときはステップＳ１２に進
んでフラグＦに“ＥＸＴ”がセットされているかどうか
を判断する。ＮＯのときはすなわちＲＯＭ２の基本プロ
グラムの実行を継続するということであり、ステップＳ
５にリターンする。 【００３４】フラグＦが“ＥＸＴ”にセットされ、か
つ、内部選択キー１０ａがＯＮされているということ
は、ステップＳ８でＲＡＭ３にローディングされた専用
プログラムを使用する状態からＲＯＭ２の基本プログラ
ムを使用する状態に切り換えるということである。 【００３５】すなわち、ステップＳ１３に進んでＬ２端
子を“Ｈ”レベルにすることにより外部選択表示ランプ
ＰＬ２を消灯し、ステップＳ１４で内部選択表示ランプ
ＰＬ１を点灯し、ステップＳ１５でフラグＦを“ＩＮ”
に切り換えた後、ステップＳ１６でＲＯＭ２の基本プロ
グラムを実行した後、ステップＳ１０にリターンする。 【００３６】ステップＳ１１の判断において内部選択キ
ー１０ａがＯＦＦであるときはステップＳ１７に進み、
外部選択キー１０ｂがＯＮされているかどうかを判断す
る。ＯＦＦのときはステップＳ１０にリターンするが、
ＯＮのときにはステップＳ１８に進み、フラグＦに“Ｉ
Ｎ”がセットされているかどうかを判断する。ＮＯのと
きはすなわちＲＡＭ３にローディングされた専用プログ
ラムの実行を継続するということであり、ステップＳ９
にリターンする。 【００３７】フラグＦが“ＩＮ”にセットされ、かつ、
外部選択キー１０ｂがＯＮされているということは、Ｒ
ＯＭ２の基本プログラムを使用する状態から半導体メモ
リモジュール８に格納されている専用プログラムを使用
する状態に切り換えるということである。 【００３８】この場合、ステップＳ１０に進んで接続検
出信号ＣＡが“Ｌ”レベルであるかどうかを判断する。
半導体メモリモジュール８が接続されていないときには
基本プログラムから専用プログラムへの切り換えはでき
ないのでステップＳ１０にリターンして半導体メモリモ
ジュール８が接続されるまでステップＳ１０→Ｓ１１→
Ｓ１７→Ｓ１８→Ｓ１９→Ｓ１０を繰り返す。 【００３９】交換によって既に新たな半導体メモリモジ
ュール８が接続されているとき、あるいは、新たに接続
されたときにはステップＳ２０に進み、Ｌ１端子を
“Ｈ”レベルにすることにより内部選択表示ランプＰＬ
１を消灯し、ステップＳ２１で外部選択表示ランプＰＬ
２を点灯する。 【００４０】次いで、ステップＳ２２に進み、フラグＦ
を“ＥＸＴ”に切り換え、ステップＳ２３で半導体メモ
リモジュール８から専用プログラムを読み込み、それを
ＲＡＭ３にローディングし、ステップＳ２４でＲＡＭ３
に格納された専用プログラムによる試験を実行した後、
ステップＳ１０にリターンする。 【００４１】半導体メモリモジュール８からＲＡＭ３へ
のローディングが完了した後は、半導体メモリモジュー
ル８をマイクロプロセッサ１から分離してもよいし、接
続したままにしておいてもよい。 【００４２】以上の一連の動作において、使用プログラ
ムを基本プログラムから専用プログラムに切り換えるに
は、（ａ）試験機本体の動作が停止中であること、
（ｂ）外部選択キー１０ｂがＯＮされていること、
（ｃ）半導体メモリモジュール８がマイクロプロセッサ
１に接続されていてＣＡ端子が“Ｌ”レベルであるこ
と、の３つの条件がそろった場合である。 【００４３】一方、使用プログラムを専用プログラムか
ら基本プログラムに切り換えるには、（ａ）試験機本体
の動作が停止中であること、（ｂ）内部選択キー10ａが
ＯＮされていること、の２つの条件がそろった場合であ
り、ＣＡ端子が“Ｌ”レベルであることは必ずしも条件
とはならない。 【００４４】なお、図４のフローチャートはあくまでも
基本となる概略のフローを示したもので、実際には、半
導体メモリモジュール８から読み込んだ専用プログラム
のうちの試験条件の内容をチェックし、もしその試験条
件に異常があるときにはその試験条件に代えてＲＯＭ２
に格納されている基本プログラムのデフォルト値（標準
的な値）をセットするというエラー処理を行うものであ
る。 【００４５】図４のフローチャートでは、専用プログラ
ムの選択に際して、一旦、半導体メモリモジュール８の
専用プログラムをシステム内メモリであるＲＡＭ３に書
き込んで、そのＲＡＭ３内の専用プログラムをアクセス
する方式をとったが、これに限る必要はなく、専用プロ
グラムをＲＡＭ３に書き込むことなく、半導体メモリモ
ジュール８をダイレクトにアクセスするように構成して
もよい。 【００４６】また、上記実施例では、マイクロプロセッ
サ１に接続する半導体メモリモジュール８が１つであっ
たが、これに代えて複数の半導体メモリモジュール６を
同時的にマイクロプロセッサ１に接続するように構成
し、そのうちのいずれか一つを選択するようにしてもよ
い。この場合、各半導体メモリモジュール８に対応し
て、内部選択キー１０ａ，外部選択キー１０ｂ，内部選
択表示ランプＰＬ１，外部選択表示ランプＰＬ２を個別
的に設けるものとする。 【００４７】 【発明の効果】この発明によれば、次の効果が発揮され
る。 【００４８】種々の試験条件およびデータ処理方法に対
応した専用プログラムをもつ複数の半導体メモリモジュ
ールのうちから必要な半導体メモリモジュールを選択し
てマイクロプロセッサに接続し、プログラム選択手段に
よって専用プログラムを選択するだけで、必要とする専
用プログラムに基づいて試験機各部を制御することがで
きるとともに、特に、システムの電源を投入した直後に
限っては、半導体メモリモジュールを予め装着しておく
ことによって、この半導体メモリモジュール内の専用プ
ログラムが選択され実行されるので、試験開始時の操作
性を簡便化することができる。 【００４９】すなわち、半導体メモリモジュールの選
択，接続というごく簡単な操作で専用プログラム（試験
条件およびデータ処理方法）を種々に切り換えることが
できる。 そして、半導体メモリモジュールの数は任意
であるから、専用プログラムの種類数についての制約は
なく、従来例（２）のシステム内ＲＡＭ方式に比べて有
利である。 【００５０】また、たとえマイクロプロセッサが暴走を
起こしシステム内メモリ上の基本プログラムが破壊され
たとしても、専用プログラム（試験条件およびデータ処
理方法）自体は半導体メモリモジュールに保存されてい
るから、従来例のようにすべてのプログラム（基本プ
ログラムおよび各種の専用プログラム）が破壊されると
いうことから免れ、信頼性を向上することができる。 【００５１】半導体メモリモジュールのアクセスは、従
来例（１）のフロッピーディスクからのローディングの
場合に比べてはるかに高速であり、また、従来例（２）
（システム内ＲＡＭ方式）の頻繁なキー操作による試験
プログラムの選択作業に比べても作業性を改善すること
ができる。 【００５２】コスト面では、従来例（１）に対してはフ
ロッピーディスクドライバを必要としない点で、また、
従来例（２）に対しては、ディスプレイや割り込みのプ
ログラムのボリュームが小さくてすみシステムプログラ
ムの負担が軽くなる上に、プログラムの実行時間が短く
なる点で有利である。 【００５３】さらに、半導体メモリモジュールはパッケ
ージ化されているため、その取り扱いがフロッピーディ
スクに比べて簡便である。 【００５４】以上のように、この発明によれば、専用プ
ログラム（試験条件およびデータ処理方法）を種々に切
り換えるに当たり、コスト面、操作面で有利で、高速ア
クセスが可能であり、高い信頼性を得ることができると
いう効果を奏する。
いて、各種試験方法に対応した専用プログラム（試験条
件およびデータ処理方法）を適宜に切り換える技術に関
する。 【０００２】 【従来の技術】一般材料の材料試験の分野では、各種材
料により、また採取するデータの種類により様々な試験
方法がある。したがって、その試験方法に応じた試験条
件およびデータ処理方法をその都度材料試験機に設定す
る必要がある。 【０００３】試験方法の種類としては、単純バッチ試
験、低サイクル疲労試験，高サイクル疲労試験、曲げ試
験、き裂進展試験、静的負荷試験、弾塑性破壊靭性試験
等があり、材料の降伏点，ヤング率，最大応力，応力−
歪み特性やき裂伝搬速度，Ｋ1C値，Ｊ1C値などのデータ
を採取する。 【０００４】電気・油圧式の材料試験機の試験条件に
は、ＰＩＤ制御の各定数、負荷荷重信号の波形，振幅，
平均値、荷重検出アンプのレンジなどがある。 【０００５】また、ネジ棹式の材料試験機の試験条件に
は、荷重負荷速度，荷重負荷方向、荷重検出アンプのレ
ンジ，レコーダのチャート速度、繰り返し負荷の場合の
負荷荷重信号の最大値，最小値などがある。 【０００６】データ処理方法には、データのサンプリン
グ方法，サンプリングデータの演算方法，ディスプレイ
での表示方法，プリンタの印字方法等がある。 【０００７】以上のように試験方法ごとに異なった試験
条件およびデータ処理方法を設定する作業は非常に面倒
である。特に、１台の材料試験機で各種材料の品質管理
を目的として頻繁に試験する場合には、試験条件および
データ処理方法の設定のために大変な時間を必要とし、
作業性が悪いだけでなく、設定ミスを発生するおそれが
多分にある。 【０００８】そこで、試験プログラム設定を簡素化する
ために、従来、次のような方式で対処してきた。 【０００９】（１）その一つは、フロッピーディスクに
幾種類かの試験プログラムを記憶させておき、必要に応
じて試験プログラムを選択してロードするという方式で
ある。 （２）他の一つは、材料試験機におけるシステム内のＣ
ＭＯＳ−ＲＡＭ（バッテリーバックアップ付き）に試験
プログラムを１つ以上もたせる方式である。 【００１０】 【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記
（１），（２）の各方式にはそれぞれ次のような問題点
がある。 【００１１】（１）のフロッピーディスク方式の場合、
フロッピーディスクドライバを必要とするために高価で
コスト的に不利である。その上、操作が容易でない、ア
クセスタイムが長い、フロッピーディスクは取り扱いに
注意を要する等の問題がある。また、（２）のシステム
内ＲＡＭ方式の場合、その記憶容量から試験プログラム
の数に限界がある。また、複数の試験プログラムの中か
ら１つを選択する操作に際しては、ディスプレイを見な
がらのキー操作が繁雑になりがちである。また、ディス
プレイや割り込みのプログラムのボリュームが大きくな
ってシステムプログラム全体の負担も大きい上に、プロ
グラムの実行時間が長くなる。 【００１２】さらに、何らかの原因でマイクロプロセッ
サが暴走を起こしたときには、記憶していたすべての試
験プログラムが破壊されてしまい、信頼性の点で問題が
ある。 【００１３】この発明は、このような事情に鑑みてなさ
れたものであって、試験プログラム（試験条件およびデ
ータ処理方法）を種々に切り換えるに当たり、コスト
面，操作面で有利で、高速アクセスが可能であり、信頼
性も高い材料試験機を提供することを目的とする。 【００１４】 【課題を解決するための手段】本発明は、読み込んだプ
ログラムに従って試験機各部を制御するマイクロプロセ
ッサと、試験条件およびデータ処理方法についての基本
プログラムを有しマイクロプロセッサに接続されたシス
テム内メモリと、試験条件およびデータ処理方法につい
ての専用プログラムを有しマイクロプロセッサに対して
接続分離自在かつ交換可能な半導体メモリモジュール
と、マイクロプロセッサにシステム内メモリの基本プロ
グラムを実行させる状態と半導体メモリモジュールの専
用プログラムを実行させる状態とを切り換えるプログラ
ム選択手段と、前記半導体モジュールが前記マイクロプ
ロセッサへ接続されたことを検出する判別手段とを備
え、システムの電源投入後１回目の試験で、かつ前記判
別手段によって前記半導体メモリモジュールが前記マイ
クロプロセッサに接続されていることが検出された場合
は、前記半導体メモリモジュールが有する専用プログラ
ムを実行するよう構成されたことを特徴とする。 【００１５】 【発明の実施の形態】この発明の実施例に係る材料試験
機の要部のブロック図を示す図１において、１はマイク
ロコンピュータにおけるマイクロプロセッサ（ＣＰ
Ｕ）、２はシステムプログラムおよび基本プログラム
（試験条件およびデータ処理方法）を格納したＲＯＭ
（リードオンリメモリ）、３は得られたデータを格納す
るＲＡＭ（ランダムアクセスメモリ）であり、ＲＯＭ２
およびＲＡＭ３は、マイクロプロセッサ１に対してアド
レスバス，データバス，コントロールバスを介して接続
されている。ＲＯＭ２およびＲＡＭ３は発明の構成にい
うシステム内メモリに相当する。４は試験機本体とマイ
クロプロセッサ１との間で信号の授受を行うインターフ
ェイス、５はＣＲＴや液晶表示装置などのディスプレ
イ、６はキーボード、７はプリンタやプロッタなどのレ
コーダである。８は専用プログラム（試験条件およびデ
ータ処理方法）を格納しマイクロプロセッサ１に対して
接続分離重自在かつ交換可能な半導体メモリモジュール
である。 【００１６】種々の試験方法に応じた専用プログラム
（試験条件およびデータ処理方法）を記憶している半導
体メモリモジュール８が複数用意されており、それぞれ
はＲＯＭまたはバックアップ用バッテリー付きのＣＭＯ
Ｓ−ＲＡＭを内蔵したコンパクトなパッケージに構成さ
れ、そのパッケージには格納している専用プログラム
（試験条件およびデータ処理方法）が何についてのもの
であるのかを表すラベルが貼られている。 【００１７】半導体メモリモジュール８は、アドレスバ
ス，データバス，コントロールバスおよび半導体メモリ
モジュール８がマイクロプロセッサ１に接続されている
ときに“Ｌ”レベルの接続検出信号ＣＡを出力する接続
検出信号ライン９を介してマイクロプロセッサ１に接続
されるように構成されている。接続検出信号ライン９は
プルアップ抵抗Ｒ１を介して直流電源ＶCCに接続されて
いる。 【００１８】１０はマイクロプロセッサ１にＲＯＭ２の
基本プログラムを実行させる状態と半導体メモリモジュ
ール８の専用プログラムを実行させる状態とを切り換え
るプログラム選択手段で、これは、システム内部の基本
プログラムを選択する内部選択キー１０ａと、システム
外部の専用プログラムを選択する外部選択キー１０ｂと
からなる。これらのキー１０ａ，１０ｂの一端はプルア
ップ抵抗Ｒ２，Ｒ３を介して直流電源ＶCCに接続され、
他端は接地されている。プログラム選択キー１０が発明
の構成にいうプログラム選択手段に相当する。 【００１９】ＰＬ１は内部選択キー１０ａがＯＮされた
ときに点灯する内部選択表示ランプ、ＰＬ２は外部選択
キー１０ｂがＯＮされたときに点灯する外部選択表示ラ
ンプである。各表示ランプＰＬ１，ＰＬ２には発光ダイ
オードを使用している。 【００２０】図２は半導体メモリモジュール８の具体的
構成を示し、ＶCCは＋５Ｖ電源、ＧＮＤは０Ｖ電源、Ａ
0 〜Ａn はアドレスバス、Ｄ0 〜Ｄn はデータバス、Ｃ
Ｅはチップイネーブル端子、ＯＥは半導体メモリモジュ
ール８がＲＯＭの場合のアウトプットイネーブル端子
（リード端子）である。半導体メモリモジュール８がＲ
ＡＭの場合にはアウトプットイネーブル端子ＯＥがリー
ド／ライト端子Ｒ／Ｗとなる。 【００２１】なお、図３に示すように、内部選択表示ラ
ンプＰＬ１は内部選択キー１０ａに付設され、外部選択
表示ランプＰＬ２は外部選択キー１０ｂに付設されてい
る。 【００２２】次に、この実施例の動作を図４のフローチ
ャートに基づいて説明する。 【００２３】システムの電源投入に伴ってステップＳ１
からの動作を開始する。 【００２４】ステップＳ１ですべての状態をイニシャラ
イズし、ステップＳ２で接続検出信号ＣＡが“Ｌ”レベ
ルかどうかを判断する。 【００２５】マイクロプロセッサ１に半導体メモリモジ
ュール８が接続されていないときにはＣＡ端子はプルア
ップ抵抗Ｒ１を介して直流電源ＶCCに接続されるため、
“Ｈ”レベルとなる。半導体メモリモジュール８が接続
されているときにはＣＡ端子はＧＮＤ端子に接続される
ため“Ｌ”レベルとなる。 【００２６】ステップＳ２の判断がＮＯのときはステッ
プＳ３に進んでＬ１端子を“Ｌ”レベルにすることによ
り内部選択表示ランプＰＬ１を点灯し、ステップＳ４で
フラグＦに“ＩＮ”（＝“０”）をセットした後、ステ
ップＳ５でシステム内メモリであるＲＯＭ２に格納され
ている基本プログラムを実行する。 【００２７】すなわち、基本プログラムによる試験条件
およびデータ処理方法に従って、試験機本体の各部に対
応したレジスタをセットするとともに、試験機本体の各
部を制御することにより材料試験を行う。これによって
得られた試験データはＲＡＭ３に記憶される。 【００２８】ステップＳ２からステップＳ５への移行
は、電源投入時に半導体メモリモジュール８が接続され
ていないときには、前回の運転終了直前に使用していた
基本プログラムを継続使用するということである。 【００２９】ステップＳ２の判断がＹＥＳのときはステ
ップＳ６に進んでＬ２端子を“Ｌ”レベルにすることに
より外部選択表示ランプＰＬ２を点灯し、ステップＳ７
でフラグＦに“ＥＸＴ”（＝“１”）をセットした後、
ステップＳ８で半導体メモリモジュール８から専用プロ
グラム（試験条件およびデータ処理方法）を読み込み、
それをＲＡＭ３にローディングし、ステップＳ９でＲＡ
Ｍ３に格納された専用プログラムによる試験条件および
データ処理方法に従って、試験機本体の各部に対応した
レジスタをセットするとともに、試験機本体の各部を制
御することにより材料試験を行う。この場合も、得られ
た試験データはＲＡＭ３に記憶される。 【００３０】なお、半導体メモリモジュール８からＲＡ
Ｍ３へのローディングが完了した後は、半導体メモリモ
ジュール８をマイクロプロセッサ１から分離してもよい
し、接続したままにしておいてもよい。 【００３１】ステップＳ１０で試験機本体の動作が停止
中であるかどうかを判断し、動作継続中であればステッ
プＳ１０にリターンし試験動作の停止を待つ。 【００３２】試験機本体の動作が停止中となったときは
ステップＳ１０に進んで内部選択キー１０ａＯＮされて
いるかどうかをＳ１端子が“Ｌ”レベルかどうかで判断
する。 【００３３】ＯＮされているときはステップＳ１２に進
んでフラグＦに“ＥＸＴ”がセットされているかどうか
を判断する。ＮＯのときはすなわちＲＯＭ２の基本プロ
グラムの実行を継続するということであり、ステップＳ
５にリターンする。 【００３４】フラグＦが“ＥＸＴ”にセットされ、か
つ、内部選択キー１０ａがＯＮされているということ
は、ステップＳ８でＲＡＭ３にローディングされた専用
プログラムを使用する状態からＲＯＭ２の基本プログラ
ムを使用する状態に切り換えるということである。 【００３５】すなわち、ステップＳ１３に進んでＬ２端
子を“Ｈ”レベルにすることにより外部選択表示ランプ
ＰＬ２を消灯し、ステップＳ１４で内部選択表示ランプ
ＰＬ１を点灯し、ステップＳ１５でフラグＦを“ＩＮ”
に切り換えた後、ステップＳ１６でＲＯＭ２の基本プロ
グラムを実行した後、ステップＳ１０にリターンする。 【００３６】ステップＳ１１の判断において内部選択キ
ー１０ａがＯＦＦであるときはステップＳ１７に進み、
外部選択キー１０ｂがＯＮされているかどうかを判断す
る。ＯＦＦのときはステップＳ１０にリターンするが、
ＯＮのときにはステップＳ１８に進み、フラグＦに“Ｉ
Ｎ”がセットされているかどうかを判断する。ＮＯのと
きはすなわちＲＡＭ３にローディングされた専用プログ
ラムの実行を継続するということであり、ステップＳ９
にリターンする。 【００３７】フラグＦが“ＩＮ”にセットされ、かつ、
外部選択キー１０ｂがＯＮされているということは、Ｒ
ＯＭ２の基本プログラムを使用する状態から半導体メモ
リモジュール８に格納されている専用プログラムを使用
する状態に切り換えるということである。 【００３８】この場合、ステップＳ１０に進んで接続検
出信号ＣＡが“Ｌ”レベルであるかどうかを判断する。
半導体メモリモジュール８が接続されていないときには
基本プログラムから専用プログラムへの切り換えはでき
ないのでステップＳ１０にリターンして半導体メモリモ
ジュール８が接続されるまでステップＳ１０→Ｓ１１→
Ｓ１７→Ｓ１８→Ｓ１９→Ｓ１０を繰り返す。 【００３９】交換によって既に新たな半導体メモリモジ
ュール８が接続されているとき、あるいは、新たに接続
されたときにはステップＳ２０に進み、Ｌ１端子を
“Ｈ”レベルにすることにより内部選択表示ランプＰＬ
１を消灯し、ステップＳ２１で外部選択表示ランプＰＬ
２を点灯する。 【００４０】次いで、ステップＳ２２に進み、フラグＦ
を“ＥＸＴ”に切り換え、ステップＳ２３で半導体メモ
リモジュール８から専用プログラムを読み込み、それを
ＲＡＭ３にローディングし、ステップＳ２４でＲＡＭ３
に格納された専用プログラムによる試験を実行した後、
ステップＳ１０にリターンする。 【００４１】半導体メモリモジュール８からＲＡＭ３へ
のローディングが完了した後は、半導体メモリモジュー
ル８をマイクロプロセッサ１から分離してもよいし、接
続したままにしておいてもよい。 【００４２】以上の一連の動作において、使用プログラ
ムを基本プログラムから専用プログラムに切り換えるに
は、（ａ）試験機本体の動作が停止中であること、
（ｂ）外部選択キー１０ｂがＯＮされていること、
（ｃ）半導体メモリモジュール８がマイクロプロセッサ
１に接続されていてＣＡ端子が“Ｌ”レベルであるこ
と、の３つの条件がそろった場合である。 【００４３】一方、使用プログラムを専用プログラムか
ら基本プログラムに切り換えるには、（ａ）試験機本体
の動作が停止中であること、（ｂ）内部選択キー10ａが
ＯＮされていること、の２つの条件がそろった場合であ
り、ＣＡ端子が“Ｌ”レベルであることは必ずしも条件
とはならない。 【００４４】なお、図４のフローチャートはあくまでも
基本となる概略のフローを示したもので、実際には、半
導体メモリモジュール８から読み込んだ専用プログラム
のうちの試験条件の内容をチェックし、もしその試験条
件に異常があるときにはその試験条件に代えてＲＯＭ２
に格納されている基本プログラムのデフォルト値（標準
的な値）をセットするというエラー処理を行うものであ
る。 【００４５】図４のフローチャートでは、専用プログラ
ムの選択に際して、一旦、半導体メモリモジュール８の
専用プログラムをシステム内メモリであるＲＡＭ３に書
き込んで、そのＲＡＭ３内の専用プログラムをアクセス
する方式をとったが、これに限る必要はなく、専用プロ
グラムをＲＡＭ３に書き込むことなく、半導体メモリモ
ジュール８をダイレクトにアクセスするように構成して
もよい。 【００４６】また、上記実施例では、マイクロプロセッ
サ１に接続する半導体メモリモジュール８が１つであっ
たが、これに代えて複数の半導体メモリモジュール６を
同時的にマイクロプロセッサ１に接続するように構成
し、そのうちのいずれか一つを選択するようにしてもよ
い。この場合、各半導体メモリモジュール８に対応し
て、内部選択キー１０ａ，外部選択キー１０ｂ，内部選
択表示ランプＰＬ１，外部選択表示ランプＰＬ２を個別
的に設けるものとする。 【００４７】 【発明の効果】この発明によれば、次の効果が発揮され
る。 【００４８】種々の試験条件およびデータ処理方法に対
応した専用プログラムをもつ複数の半導体メモリモジュ
ールのうちから必要な半導体メモリモジュールを選択し
てマイクロプロセッサに接続し、プログラム選択手段に
よって専用プログラムを選択するだけで、必要とする専
用プログラムに基づいて試験機各部を制御することがで
きるとともに、特に、システムの電源を投入した直後に
限っては、半導体メモリモジュールを予め装着しておく
ことによって、この半導体メモリモジュール内の専用プ
ログラムが選択され実行されるので、試験開始時の操作
性を簡便化することができる。 【００４９】すなわち、半導体メモリモジュールの選
択，接続というごく簡単な操作で専用プログラム（試験
条件およびデータ処理方法）を種々に切り換えることが
できる。 そして、半導体メモリモジュールの数は任意
であるから、専用プログラムの種類数についての制約は
なく、従来例（２）のシステム内ＲＡＭ方式に比べて有
利である。 【００５０】また、たとえマイクロプロセッサが暴走を
起こしシステム内メモリ上の基本プログラムが破壊され
たとしても、専用プログラム（試験条件およびデータ処
理方法）自体は半導体メモリモジュールに保存されてい
るから、従来例のようにすべてのプログラム（基本プ
ログラムおよび各種の専用プログラム）が破壊されると
いうことから免れ、信頼性を向上することができる。 【００５１】半導体メモリモジュールのアクセスは、従
来例（１）のフロッピーディスクからのローディングの
場合に比べてはるかに高速であり、また、従来例（２）
（システム内ＲＡＭ方式）の頻繁なキー操作による試験
プログラムの選択作業に比べても作業性を改善すること
ができる。 【００５２】コスト面では、従来例（１）に対してはフ
ロッピーディスクドライバを必要としない点で、また、
従来例（２）に対しては、ディスプレイや割り込みのプ
ログラムのボリュームが小さくてすみシステムプログラ
ムの負担が軽くなる上に、プログラムの実行時間が短く
なる点で有利である。 【００５３】さらに、半導体メモリモジュールはパッケ
ージ化されているため、その取り扱いがフロッピーディ
スクに比べて簡便である。 【００５４】以上のように、この発明によれば、専用プ
ログラム（試験条件およびデータ処理方法）を種々に切
り換えるに当たり、コスト面、操作面で有利で、高速ア
クセスが可能であり、高い信頼性を得ることができると
いう効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本実施例の要部のブロック図を示す図である。
【図２】半導体メモリモジュールの構成を示す図であ
る。 【図３】内部選択キーと外部選択キーの構成を示す図で
ある。 【図４】動作説明に供するフローチャートを示す図であ
る。 【符号の説明】 １・・・・・マイクロプロセッサ ２・・・・・ＲＯＭ（システム内メモリ） ８・・・・・半導体メモリモジュール １０・・・・プログラム選択手段 １０ａ・・・内部選択キー １０ｂ・・・外部選択キー
る。 【図３】内部選択キーと外部選択キーの構成を示す図で
ある。 【図４】動作説明に供するフローチャートを示す図であ
る。 【符号の説明】 １・・・・・マイクロプロセッサ ２・・・・・ＲＯＭ（システム内メモリ） ８・・・・・半導体メモリモジュール １０・・・・プログラム選択手段 １０ａ・・・内部選択キー １０ｂ・・・外部選択キー
フロントページの続き
(58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名)
G01N 3/00 - 3/62
G01N 21/00
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 １．読み込んだプログラムに従って試験機各部を制御す
るマイクロプロセッサと、試験条件およびデータ処理方
法についての基本プログラムを有しマイクロプロセッサ
に接続されたシステム内メモリと、試験条件およびデー
タ処理方法についての専用プログラムを有しマイクロプ
ロセッサに対して接続分離自在かつ交換可能な半導体メ
モリモジュールと、マイクロプロセッサにシステム内メ
モリの基本プログラムを実行させる状態と半導体メモリ
モジュールの専用プログラムを実行させる状態とを切り
換えるプログラム選択手段と、前記半導体モジュールが
前記マイクロプロセッサへ接続されたことを検出する判
別手段とを備え、システムの電源投入後１回目の試験
で、かつ前記判別手段によって前記半導体メモリモジュ
ールが前記マイクロプロセッサに接続されていることが
検出された場合は、前記半導体メモリモジュールが有す
る専用プログラムを実行するよう構成されたことを特徴
とする材料試験機。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7301389A JP2820090B2 (ja) | 1995-11-20 | 1995-11-20 | 材料試験機 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7301389A JP2820090B2 (ja) | 1995-11-20 | 1995-11-20 | 材料試験機 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62272827A Division JP2572083B2 (ja) | 1987-10-28 | 1987-10-28 | 材料試験機 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08327517A JPH08327517A (ja) | 1996-12-13 |
| JP2820090B2 true JP2820090B2 (ja) | 1998-11-05 |
Family
ID=17896289
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7301389A Expired - Lifetime JP2820090B2 (ja) | 1995-11-20 | 1995-11-20 | 材料試験機 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2820090B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5136481B2 (ja) * | 2009-03-18 | 2013-02-06 | 株式会社島津製作所 | 材料試験機 |
-
1995
- 1995-11-20 JP JP7301389A patent/JP2820090B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH08327517A (ja) | 1996-12-13 |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
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