JP2814545B2 - Ccdイメージセンサ用クランプ回路 - Google Patents

Ccdイメージセンサ用クランプ回路

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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、CCDイメージセンサに用いる相関二重サン
プル回路用集積回路に関し、特にそのクランプ回路に関
する。
〔従来の技術〕
今日、家庭用VTRカメラの大部分はCCDによるイメージ
センサが用いられている。CCDの出力信号には、ある所
定の直流成分が重畳されているが、この直流成分には、
特に画素情報が含まれているわけではなく、CCDを構成
するトランジスタのバラツキによって上下する。またCC
Dの出力信号には、CCDの駆動クロックに同期した光学的
黒に相当する信号が織り込まれていて、信号処理の過程
でこの光学的黒の信号をクランプし、この電位を以後の
信号処理における基準直流値とするのが通例である。CC
Dセンサ自体は、その後段に接続されるLSIより高い電源
電圧で駆動される場合が多く、CCDの直後に接続される
クランプ用ICとは、結合コンデンサを介して結合される
のが常であった。
第2図はこの従来例のCCD用クランプ回路のブロック
図である。CCDイメージセンサ1はCCD電源2に接続さ
れ、その出力端子3から、直流成分しゃ断用結合コンデ
ンサC2を介してクランプ回路8の入力端子5と接続され
ている。一方、クランプ回路8は、電源6と電源端子7
および接地端子9を介して接続されている。
〔発明が解決しようとする課題〕
前述した従来のCCDセンサ2とクランプ用IC8の結合回
路は、良質のしかも容量値が数μ下のカップリングコン
デンサC2を必要とする。それは、CCD2の出力信号には垂
直のブランキング信号相当応のパルスが含まれており、
その周波数成分は60Hz程度で、この程度の信号は半導体
に集積可能な数千pFのコンデンサでは、到底結合不能だ
からである。
一方、容量値の大きなコンデンサ(C2)は、その物理
的形状から高い周波数成分を含む、80nsecごとにくり返
し送られて来るCCDの画像情報信号に対しては、位相を
乱し、その電圧値を減衰させてしまう傾向にあり、結果
的に画質劣化の原因となってしまうという欠点がある。
本発明の目的は、このような問題を解決し、15V程度
で動作し、出力直流電位が時には5V近く変動するCCDセ
ンサと、5V程度の電源電圧で動作するクランプ用ICとを
結合コンデンサを介さずに直結できるようにして、その
インターフェースをクランプ用ICと同一の半導体基板上
に集積できるようにしたCCDイメージセンサ用クランプ
回路を提供することにある。
〔課題を解決するための手段〕
本発明のCCDイメージセンサ用クランプ回路の構成
は、CCDイメージセンサの出力端からの入力がベースに
直流的に直接接続されると共に前記CCDイメージセンサ
に接続された第1の直流電源がコレクタとエミッタを介
した定電流源との間に接続されたエミッタホロワと、こ
のエミッタホロワからの出力信号がクランプ用コンデン
サを介して入力されクランプパルスによりその直流電位
を保持しかつ前記第1の直流電源より低い電位の第2の
直流電源に接続されるクランプ回路とが、同一半導体基
板上に配設されたことを特徴とする。
〔実施例〕
以下、本発明について図面を用いて説明する。
第1図は本発明の一実施例を一部回路で示したブロッ
ク図である。図において、1はCCD用電源で、CCDイメー
ジセンサ2を駆動し、出力端子3から直流の重畳された
画像情報を出力する。また、点線で囲まれた部分8が同
一半導体基板上に集積されるクランプ回路を示し、特に
説明に必要な部分のみ示されている。
トランジスタQ1と定電流源I1とで構成されるエミッタ
ホロワは、端子4より供給されるCCDと同一電源電圧で
動作する。定電流源I2,I3と抵抗R1,R2、トランジスタQ1
〜Q4とでクランプ回路を構成し、クランプコンデンサC1
によって蓄わえられた電荷を、入力されたクランクパル
スPによって直流電位としてクランプする。このコンデ
ンサC1は数十pFで動作する。電源端子7はクランプ回路
8を動作させる電圧源6と接続される端子であり、電源
1より低い値となっている。
ここでCCDセンサ2の出力端子3の直流電位が変動す
れば、トランジスタQ1のエミッタ電位も上下するが、ク
ランプコンデンサC1を介してクランプ回路8と接続され
ているため、そのクランプ電位は抵抗R1,R2と定電流源I
2,I3の値のみで決定される。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明は、CCDクランプ回路とをC
CDの電源で動作するエミッタホロワとクランプコンデン
サを用いて結合することにより、CCD,クランプIC結合用
に数μFの大容量で、60Hzから12MHzまで無損失で通過
できる高性能コンデンサを不要とし、画質を向上させる
と共に、大幅なコストダウンを可能とする効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例の一部回路図で示したブロッ
ク図、第2図は従来のCCDクランプ回路の一例のブロッ
ク図である。 1……CCD用電源、2……CCDイメージセンサ、3……CC
D出力端子、4……電圧供給端子、5……エミッタホロ
ワ入力端子、6……クランプ回路用電源、7……電源端
子、8……クランプ回路、9……接地端子、C1……クラ
ンプコンデンサ、C2……結合コンデンサ、I1〜I3……定
電流源、Q1……エミッタホロワ・トランジスタ、Q2〜Q4
……クランプ回路用トランジスタ、R1,R2……抵抗。

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】CCDイメージセンサの出力端からの入力が
    ベースに直流的に直接接続されると共に前記CCDイメー
    ジセンサに用いられた第1の直流電源がコレクタとエミ
    ッタを介した定電流源との間に接続されたエミッタホロ
    ワと、このエミッタホロワからの出力信号がクランプ用
    コンデンサを介して入力されクランプパルスによりその
    直流電位を保持しかつ前記第1の直流電源より低い電位
    の第2の直流電源に接続されるクランプ回路とが、同一
    半導体基板上に配設されたことを特徴とするCCDイメー
    ジセンサ用クランプ回路。
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