JP2813427B2 - 電波反射抑制型の透明熱線反射ガラス - Google Patents
電波反射抑制型の透明熱線反射ガラスInfo
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、テレビ電波反射障害を起こさず建築意匠性
が高い透明熱線反射ガラスに関し、更に詳しく述べる
と、ガラス基板の表面にSiC膜とTiNX膜、またはSiC膜と
CrNX膜を形成することにより、テレビ電波の反射減衰量
を増大させた透明熱線反射ガラスに関するものである。
が高い透明熱線反射ガラスに関し、更に詳しく述べる
と、ガラス基板の表面にSiC膜とTiNX膜、またはSiC膜と
CrNX膜を形成することにより、テレビ電波の反射減衰量
を増大させた透明熱線反射ガラスに関するものである。
［従来の技術］ 建築意匠性の向上と冷房負荷の軽減のため、近年、ビ
ル等の建築物に透明熱線反射ガラスが多用されている。
なかでも高性能熱線反射ガラスは、ガラス基板の表面に
金属や金属酸化物、金属窒化物などの薄膜を真空中でス
パッタリング法などによりコーティングしたものであ
り、次のような優れた特徴がある。
ル等の建築物に透明熱線反射ガラスが多用されている。
なかでも高性能熱線反射ガラスは、ガラス基板の表面に
金属や金属酸化物、金属窒化物などの薄膜を真空中でス
パッタリング法などによりコーティングしたものであ
り、次のような優れた特徴がある。
シルバー、ブロンズ、ブルー、グリーンなど豊富なカ
ラーバリエーションをもつので建築意匠性が優れてい
る。
ラーバリエーションをもつので建築意匠性が優れてい
る。
可視光透過率８〜40％、可視光反射率10〜45％と可視
光線のバランスが良いので快適な室内空間を作り出し、
またプライバシーの保護に有効である。
光線のバランスが良いので快適な室内空間を作り出し、
またプライバシーの保護に有効である。
優れた日射光線の遮蔽性能を呈するため冷房負荷の低
減に役立つ。
減に役立つ。
［発明が解決しようとする課題］ 従来の高性能熱線反射ガラスは、コーティング薄膜と
して前記のように金属や金属窒化物を用いており、その
表面抵抗値が低いため入射するテレビ電波に対して金属
板に近い性質をもち反射減衰量が低くなる傾向にある。
して前記のように金属や金属窒化物を用いており、その
表面抵抗値が低いため入射するテレビ電波に対して金属
板に近い性質をもち反射減衰量が低くなる傾向にある。
例えば従来の代表的な高性能熱線反射ガラスは、コー
ティング薄膜の表面抵抗値が250Ω／□以下であり、こ
のガラスの反射減衰量はVHF帯とUHF帯とで7dB以下であ
った。反射減衰量は、入射した電波エネルギーに対する
反射した電波エネルギーの割合を表しており、その値が
大きいほど反射が少なく、ゴースト障害は発生し難くな
る。ガラスの反射減衰量が上記のようにVHF帯とUHF帯と
で7dB以下であると、使用環境によっては（特に高層ビ
ルに大面積使用された場合）テレビ電波のゴースト障害
を起こす。
ティング薄膜の表面抵抗値が250Ω／□以下であり、こ
のガラスの反射減衰量はVHF帯とUHF帯とで7dB以下であ
った。反射減衰量は、入射した電波エネルギーに対する
反射した電波エネルギーの割合を表しており、その値が
大きいほど反射が少なく、ゴースト障害は発生し難くな
る。ガラスの反射減衰量が上記のようにVHF帯とUHF帯と
で7dB以下であると、使用環境によっては（特に高層ビ
ルに大面積使用された場合）テレビ電波のゴースト障害
を起こす。
本発明の目的は、上記のような従来技術の欠点を解消
し、優れた建築意匠性を維持したままテレビ電波のゴー
スト障害を起こさない新しい透明熱線反射ガラスを提供
することである。
し、優れた建築意匠性を維持したままテレビ電波のゴー
スト障害を起こさない新しい透明熱線反射ガラスを提供
することである。
［課題を解決するための手段］ 透明熱線反射ガラスは、その反射減衰量が15dB以上で
あれば問題になるようなゴースト障害は起こさないとさ
れている。そこで、まず理論からゴースト障害を起こさ
ない薄膜の表面抵抗値を求めた。第４図に示すように裏
面に薄膜の付いたガラスにテレビ電波が入射するモデル
を考える。このモデルは一般に第５図のような分布定数
回路に等価的に書き換え得る。端子Ａ−Ｂから右側を見
た入力インピーダンスZinは（１）式で表される。
あれば問題になるようなゴースト障害は起こさないとさ
れている。そこで、まず理論からゴースト障害を起こさ
ない薄膜の表面抵抗値を求めた。第４図に示すように裏
面に薄膜の付いたガラスにテレビ電波が入射するモデル
を考える。このモデルは一般に第５図のような分布定数
回路に等価的に書き換え得る。端子Ａ−Ｂから右側を見
た入力インピーダンスZinは（１）式で表される。
またガラスの固有インピーダンスＡと伝搬定数は
それぞれ（２）式と（３）式で表される。
それぞれ（２）式と（３）式で表される。
Z0:空間のインピーダンス,Z0＝377Ω j:虚数単位 ：ガラスの誘電率，＝７−0.1j t:ガラスの厚さ λ0:電波の波長 一方、薄膜は金属板のような完全反射体ではないので
ＲとZ0の並列抵抗で表され、その入射特性インピーダン
スＢは（４）式のようになる。
ＲとZ0の並列抵抗で表され、その入射特性インピーダン
スＢは（４）式のようになる。
以上よりガラスによる反射率Γは（５）式で表され
る。
る。
従って反射減衰量ηは（６）式のようになる。
η＝20logΓ …（６） ここで波長λ０＝300cm（周波数ｆ＝100MHz）、ガラ
スの厚さｔ＝10mmの時、ゴースト障害を起こさないため
に必要な反射減衰量η≧15dBを得るためには、薄膜の表
面抵抗は1000Ω／□以上あればよいことになる。
スの厚さｔ＝10mmの時、ゴースト障害を起こさないため
に必要な反射減衰量η≧15dBを得るためには、薄膜の表
面抵抗は1000Ω／□以上あればよいことになる。
そこで、このように表面抵抗値が1000Ω／□以上で且
つ優れた熱線反射性能と建築意匠性をもつ薄膜材料を検
討した結果、SiC膜が有用であることが判明した。しか
しSiC単層膜ではシルバー、ブロンズ反射色をだすのは
容易であるが、ブルー、グリーン反射色をだすのは難し
い。そのためSiC膜とTiNX膜またはCrNX膜を組み合わせ
た。
つ優れた熱線反射性能と建築意匠性をもつ薄膜材料を検
討した結果、SiC膜が有用であることが判明した。しか
しSiC単層膜ではシルバー、ブロンズ反射色をだすのは
容易であるが、ブルー、グリーン反射色をだすのは難し
い。そのためSiC膜とTiNX膜またはCrNX膜を組み合わせ
た。
即ち本発明は、ガラス基板の表面に、幾何学的厚さｄ
が10nm≦ｄ≦100nmのSiC膜と1nm≦ｄ≦5nmのTiNX膜、ま
たは1nm≦ｄ≦100nmのSiC膜と1nm≦ｄ≦40nmのCrNX膜と
を形成した電波反射抑制型の透明熱線反射ガラスであ
る。更に本発明は、それら２層膜に光学的厚さndが2nm
≦nd≦400nmの透明誘電体膜を加えて全体として３〜５
層膜とした電波反射抑制型の透明熱線反射ガラスであ
る。
が10nm≦ｄ≦100nmのSiC膜と1nm≦ｄ≦5nmのTiNX膜、ま
たは1nm≦ｄ≦100nmのSiC膜と1nm≦ｄ≦40nmのCrNX膜と
を形成した電波反射抑制型の透明熱線反射ガラスであ
る。更に本発明は、それら２層膜に光学的厚さndが2nm
≦nd≦400nmの透明誘電体膜を加えて全体として３〜５
層膜とした電波反射抑制型の透明熱線反射ガラスであ
る。
CrNX膜と組み合わせる場合は、SiC膜の厚さは1nm以上
である。その理由はCrNX膜が40nm以下と厚いのでSiC膜
が薄くても熱線反射ガラスとして機能するからである。
一方TiNX膜と組み合わせる場合はTiNXの膜厚範囲が1nm
≦ｄ≦5nmと薄く、SiC膜を10nm以上にしないと熱線反射
ガラスとして機能しなくなるからである。
である。その理由はCrNX膜が40nm以下と厚いのでSiC膜
が薄くても熱線反射ガラスとして機能するからである。
一方TiNX膜と組み合わせる場合はTiNXの膜厚範囲が1nm
≦ｄ≦5nmと薄く、SiC膜を10nm以上にしないと熱線反射
ガラスとして機能しなくなるからである。
TiNX膜とCrNX膜の膜厚上限値は表面抵抗によって決ま
る。つまりTiNX膜の表面抵抗値は5nmで1000Ω／□、CrN
X膜の表面抵抗値は40nmで1000Ω／□であり、これ以上
厚くすると電波障害を起こす。SiC膜は、いくら厚くて
も表面抵抗値は1000Ω／□以上であるが、膜厚の上限を
100nmとしたのは、これ以上厚くなると透過光の色が黄
色〜橙色となり好ましくないこと、成膜時間が長くなり
コストアップになること、等のためである。
る。つまりTiNX膜の表面抵抗値は5nmで1000Ω／□、CrN
X膜の表面抵抗値は40nmで1000Ω／□であり、これ以上
厚くすると電波障害を起こす。SiC膜は、いくら厚くて
も表面抵抗値は1000Ω／□以上であるが、膜厚の上限を
100nmとしたのは、これ以上厚くなると透過光の色が黄
色〜橙色となり好ましくないこと、成膜時間が長くなり
コストアップになること、等のためである。
本発明においてSiC膜と、TiNX膜またはCrNX膜はどち
らかがガラス基板側に位置してもよい。透明誘電体膜を
含む場合の順序も任意であってもよい。３層構造の場合
は透明誘電体膜が１層、４層構造の場合は透明誘電体膜
が２層、５層構造の場合は透明誘電体膜が３層となる。
３層構造及び４層構造の場合、透明誘電体膜はどの位置
にあってもよい。
らかがガラス基板側に位置してもよい。透明誘電体膜を
含む場合の順序も任意であってもよい。３層構造の場合
は透明誘電体膜が１層、４層構造の場合は透明誘電体膜
が２層、５層構造の場合は透明誘電体膜が３層となる。
３層構造及び４層構造の場合、透明誘電体膜はどの位置
にあってもよい。
ガラス基板の厚さを６〜12mm程度とし、各膜を直流ス
パッタリングで成膜するのが好ましい。透明誘電体膜と
してはTiO2,ZrO2,Ta2O5,Nb2O5等が好ましい。
パッタリングで成膜するのが好ましい。透明誘電体膜と
してはTiO2,ZrO2,Ta2O5,Nb2O5等が好ましい。
［作用］ ガラス基板の表面に形成した上記のSiC膜とTiNX膜、
またはSiC膜とCrNX膜の複合膜は、表面抵抗値が1000Ω
／□以上になり、入射するテレビ電波に対して反射減衰
量が15dB以上になるため、ゴースト障害は実質的に発生
しない。またこれらの膜は優れた熱線反射特性を呈す
る。更にSiC膜とTiNX膜、またはSiC膜とCrNX膜とを組み
合わせることで、ブルー、グリーンなどの反射色も容易
にだせるようになる。
またはSiC膜とCrNX膜の複合膜は、表面抵抗値が1000Ω
／□以上になり、入射するテレビ電波に対して反射減衰
量が15dB以上になるため、ゴースト障害は実質的に発生
しない。またこれらの膜は優れた熱線反射特性を呈す
る。更にSiC膜とTiNX膜、またはSiC膜とCrNX膜とを組み
合わせることで、ブルー、グリーンなどの反射色も容易
にだせるようになる。
透明誘電体膜は、電気的特性とは無関係であり、色や
透過率、反射率などの調整を行い、また耐久性を向上さ
せる。
透過率、反射率などの調整を行い、また耐久性を向上さ
せる。
［実施例１］ 第１図は本発明に係る透明熱線反射ガラスの一実施例
を示す断面図である。ガラス基板10の表面に幾何学的厚
さ（物理的厚さ）ｄが50nmのTiNX膜12と、10nmのSiC膜1
4と、光学的厚さndが37nmのTiO2膜16を直流スパッタリ
ング法により形成した例である。
を示す断面図である。ガラス基板10の表面に幾何学的厚
さ（物理的厚さ）ｄが50nmのTiNX膜12と、10nmのSiC膜1
4と、光学的厚さndが37nmのTiO2膜16を直流スパッタリ
ング法により形成した例である。
ここで用いた直流スパッタリング装置の概略を第３図
に示す。アースされた真空槽20の一部にバリアブルバル
ブ22を設けた排気口24を形成し、この排気口24を介して
真空ポンプ26に接続し、真空槽20内を減圧できるように
している。また真空槽20の上部には、マグネトロンカソ
ード28a,28b,28cを設け、直流電源30a,30b,30cに接続し
ている。またマグネトロンカソード28a,28bの間にはバ
ルブ32を備えたガス供給管34を設け、真空槽20内にガス
を供給できるようにしている。更に各マグネトロンカソ
ード28a,28b,28cの下方には往復可能な搬送ベルト36を
配置している。
に示す。アースされた真空槽20の一部にバリアブルバル
ブ22を設けた排気口24を形成し、この排気口24を介して
真空ポンプ26に接続し、真空槽20内を減圧できるように
している。また真空槽20の上部には、マグネトロンカソ
ード28a,28b,28cを設け、直流電源30a,30b,30cに接続し
ている。またマグネトロンカソード28a,28bの間にはバ
ルブ32を備えたガス供給管34を設け、真空槽20内にガス
を供給できるようにしている。更に各マグネトロンカソ
ード28a,28b,28cの下方には往復可能な搬送ベルト36を
配置している。
まずカソード28aの下面にSiCをターゲット38aとし
て、またカソード28bの下面にTiをターゲット38bとして
取り付ける。そして搬送ベルト36上の基板ホルダ39に洗
浄したガラス基板10を載置し、バリアブルバルブ22を開
け、真空槽20内を５×10-6Torr以下まで減圧する。次い
でガス供給管34により窒素ガスを供給して、バリアブル
バルブ22を閉じ、真空槽20内の圧力が２×10-3Torrにな
るようにする。次にカソード28bに500Vの負電圧を印加
し、ガラス基板10をカソード28b下を移動させることで
ガラス基板10の表面にTiNX膜12を第１層として形成す
る。
て、またカソード28bの下面にTiをターゲット38bとして
取り付ける。そして搬送ベルト36上の基板ホルダ39に洗
浄したガラス基板10を載置し、バリアブルバルブ22を開
け、真空槽20内を５×10-6Torr以下まで減圧する。次い
でガス供給管34により窒素ガスを供給して、バリアブル
バルブ22を閉じ、真空槽20内の圧力が２×10-3Torrにな
るようにする。次にカソード28bに500Vの負電圧を印加
し、ガラス基板10をカソード28b下を移動させることで
ガラス基板10の表面にTiNX膜12を第１層として形成す
る。
そしてカソード28bのパワーをきり、バリアブルバル
ブ22を開き、再び５×10-6Torr以下まで減圧した後、ガ
ス供給管34からアルゴンガスを導入し、バリアブルバル
ブ22を閉じ、真空層20内の圧力が２×10-3Torrになるよ
うにする。次にカソード28aに600Vの負電圧を印加し、
ガラス基板10をカソード28a下を移動させることでTiNX
膜12の上に第２層としてSiC膜14を形成する。
ブ22を開き、再び５×10-6Torr以下まで減圧した後、ガ
ス供給管34からアルゴンガスを導入し、バリアブルバル
ブ22を閉じ、真空層20内の圧力が２×10-3Torrになるよ
うにする。次にカソード28aに600Vの負電圧を印加し、
ガラス基板10をカソード28a下を移動させることでTiNX
膜12の上に第２層としてSiC膜14を形成する。
カソード28aのパワーをきり、再び５×10-6Torr以下
まで減圧した後、ガス供給管34から窒素ガスを内圧２×
10-3Torrになるまで導入する。次にカソード28bに500V
の負電圧を印加し、ガラス基板10をカソード28b下を移
動させることでSiC膜14の上に第３層としてTiO2膜16を
形成する。
まで減圧した後、ガス供給管34から窒素ガスを内圧２×
10-3Torrになるまで導入する。次にカソード28bに500V
の負電圧を印加し、ガラス基板10をカソード28b下を移
動させることでSiC膜14の上に第３層としてTiO2膜16を
形成する。
得られた透明体の並列抵抗値は1000Ω／□であった。
また可視光透過率は45％、で、非膜面反射は２゜視野Ｃ
光（JIS Z8729）でＬ＊＝62.6,a＊＝−3.4,b＊＝−9.3
でありブルー反射色であった。
また可視光透過率は45％、で、非膜面反射は２゜視野Ｃ
光（JIS Z8729）でＬ＊＝62.6,a＊＝−3.4,b＊＝−9.3
でありブルー反射色であった。
［実施例２］ 第２図は本発明に係る透明熱線反射ガラスの他の実施
例を示す断面図である。ガラス基板40の表面に、幾何学
的厚さ（物理的厚さ）ｄが30nmのSiC膜42と、10nmのCrN
X膜44と、光学的厚さndが13nmのTiO2膜46を直流スパッ
タリング法により形成した例である。
例を示す断面図である。ガラス基板40の表面に、幾何学
的厚さ（物理的厚さ）ｄが30nmのSiC膜42と、10nmのCrN
X膜44と、光学的厚さndが13nmのTiO2膜46を直流スパッ
タリング法により形成した例である。
ここで用いたスパッタリング装置も前記第３図に示し
たものである。まずカソード28aの下面にSiCをターゲッ
ト38aとして、カソード28bの下面にTiをターゲット38b
として、カソード28cの下面にCrをターゲットとして取
り付ける。そして実施例１と同様の方法で真空槽20内を
５×10-6Torr以下まで減圧する。次いでガス供給管34か
らアルゴンガスを導入し、バリアブルバルブ22を閉じ、
真空槽20内の圧力が２×10-3Torrになるようにする。次
にカソード28bに600Vの負電圧を印加し、ガラス基板を
カソード28a下を移動させることでSiC膜上に第１層とし
て形成する。
たものである。まずカソード28aの下面にSiCをターゲッ
ト38aとして、カソード28bの下面にTiをターゲット38b
として、カソード28cの下面にCrをターゲットとして取
り付ける。そして実施例１と同様の方法で真空槽20内を
５×10-6Torr以下まで減圧する。次いでガス供給管34か
らアルゴンガスを導入し、バリアブルバルブ22を閉じ、
真空槽20内の圧力が２×10-3Torrになるようにする。次
にカソード28bに600Vの負電圧を印加し、ガラス基板を
カソード28a下を移動させることでSiC膜上に第１層とし
て形成する。
そしてカソード28aのパワーをきり、バリアブルバル
ブ22を開き、再び５×106Torr以下まで減圧した後、ガ
ス供給管34から窒素ガスを導入し、バリアブルバルブ22
を閉じ、真空槽20内の圧力が２×10-3Torrになるように
する。次にカソード28cに500Vの負電圧を印加し、ガラ
ス基板をカソード28c下を移動させることでSiC膜上に第
２層としてCrNX膜を形成する。
ブ22を開き、再び５×106Torr以下まで減圧した後、ガ
ス供給管34から窒素ガスを導入し、バリアブルバルブ22
を閉じ、真空槽20内の圧力が２×10-3Torrになるように
する。次にカソード28cに500Vの負電圧を印加し、ガラ
ス基板をカソード28c下を移動させることでSiC膜上に第
２層としてCrNX膜を形成する。
そしてカソード28cのパワーをきり、バリアブルバル
ブ22を開き、再び５×10-6Torr以下まで減圧した後、ガ
ス供給管34から酸素ガスを内圧２×10-3Torrになるまで
導入する。次にカソード28bに500Vの負電圧を印加し、
ガラス基板をカソード28b下を移動させることでCrNX膜
の上に第３層としてTiO2膜を形成する。
ブ22を開き、再び５×10-6Torr以下まで減圧した後、ガ
ス供給管34から酸素ガスを内圧２×10-3Torrになるまで
導入する。次にカソード28bに500Vの負電圧を印加し、
ガラス基板をカソード28b下を移動させることでCrNX膜
の上に第３層としてTiO2膜を形成する。
なおCrNXの成膜において特に窒素100％あるいは窒素
とアルゴンの混合ガスの体積に対してアルゴンを16vol
％以下の割合〔Ar/（N2＋Ar）≦16％〕で含有する混合
ガス中でスパッタリングすると、高い抵抗率をもつCrNX
膜が得られるため有利である。
とアルゴンの混合ガスの体積に対してアルゴンを16vol
％以下の割合〔Ar/（N2＋Ar）≦16％〕で含有する混合
ガス中でスパッタリングすると、高い抵抗率をもつCrNX
膜が得られるため有利である。
得られた透明体の並列抵抗値は4000Ω／□であった。
可視光透過率は25％で、非膜面反射は２゜視野Ｃ光でＬ
＊＝62.7,a＊＝−6.1,b＊＝−3.6であり、グリーン反射
色であった。
可視光透過率は25％で、非膜面反射は２゜視野Ｃ光でＬ
＊＝62.7,a＊＝−6.1,b＊＝−3.6であり、グリーン反射
色であった。
なお上記の実施例では膜形成方法として直流スパッタ
リング法を使用した。この方法は、高周波スパッタリン
グのようなマッチングが不要であり、また成膜速度も大
きくコスト上有利であり好ましい。その他、真空蒸着
法、イオンプレーティング法、アーク蒸着法、CVD法な
どを用いてもよい。また透明誘電体膜としてはSnO2,Al2
O3,ZnO,Bi2O3,ZrO2,Ta2O5,Nb2O5,AlN等もあるが、耐久
性と色調などからTiO2,ZrO2,Ta2O5,Nb2O5が好ましい。
リング法を使用した。この方法は、高周波スパッタリン
グのようなマッチングが不要であり、また成膜速度も大
きくコスト上有利であり好ましい。その他、真空蒸着
法、イオンプレーティング法、アーク蒸着法、CVD法な
どを用いてもよい。また透明誘電体膜としてはSnO2,Al2
O3,ZnO,Bi2O3,ZrO2,Ta2O5,Nb2O5,AlN等もあるが、耐久
性と色調などからTiO2,ZrO2,Ta2O5,Nb2O5が好ましい。
［発明の効果］ 本発明は上記のようにガラス基板に適正な膜圧のSiC
膜と、TiNXまたはCrNX膜を形成する構成だから、表面抵
抗値が1000Ω／□以上になり、入射するテレビ電波に対
して反射減衰量が大きく、ゴースト障害の発生を防止で
きる。またブルーやグリーンなどの反射色をだすことが
でき優れた建築意匠性と熱線反射特性を発現させうる。
膜と、TiNXまたはCrNX膜を形成する構成だから、表面抵
抗値が1000Ω／□以上になり、入射するテレビ電波に対
して反射減衰量が大きく、ゴースト障害の発生を防止で
きる。またブルーやグリーンなどの反射色をだすことが
でき優れた建築意匠性と熱線反射特性を発現させうる。
第１図は本発明に係る透明熱線反射ガラスの一実施例を
示す断面図、第２図は本発明の他の実施例を示す断面図
である。第３図は本発明の実施に好適な直流スパッタリ
ング装置の説明図である。第４図は透明熱線反射ガラス
への電波入射モデル説明図、第５図はその等価回路図で
ある。 10,40……ガラス基板、12……TiNX膜、14,42……SiC
膜、16,46……TiO2膜、44……CrNX膜。
示す断面図、第２図は本発明の他の実施例を示す断面図
である。第３図は本発明の実施に好適な直流スパッタリ
ング装置の説明図である。第４図は透明熱線反射ガラス
への電波入射モデル説明図、第５図はその等価回路図で
ある。 10,40……ガラス基板、12……TiNX膜、14,42……SiC
膜、16,46……TiO2膜、44……CrNX膜。
Claims (3)
- 【請求項１】ガラス基板の表面に、幾何学的厚さｄが10
nm≦ｄ≦100nmのSiC膜と、1nm≦ｄ≦5nmのTiNX膜を形成
した電波反射抑制型の透明熱線反射ガラス。 - 【請求項２】ガラス基板の表面に、幾何学的厚さｄが1n
m≦ｄ≦100nmのSiC膜と、1nm≦ｄ≦40nmのCrNX膜を形成
した電波反射抑制型の透明熱線反射ガラス。 - 【請求項３】請求項１又は２記載の２層膜に、更に光学
的厚さndが2nm≦nd≦400nmの透明誘電体膜を加えて全体
として３〜５層膜とした電波反射抑制型の透明熱線反射
ガラス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15898190A JP2813427B2 (ja) | 1990-06-18 | 1990-06-18 | 電波反射抑制型の透明熱線反射ガラス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15898190A JP2813427B2 (ja) | 1990-06-18 | 1990-06-18 | 電波反射抑制型の透明熱線反射ガラス |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0450145A JPH0450145A (ja) | 1992-02-19 |
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Family Applications (1)
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1990
- 1990-06-18 JP JP15898190A patent/JP2813427B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JPH0450145A (ja) | 1992-02-19 |
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