JP2809147B2 - 圧電トランス駆動回路 - Google Patents

圧電トランス駆動回路

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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は圧電トランス駆動回
路に関し、特に蛍光管やネオン管を駆動する圧電トラン
ス駆動回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】圧電トランスを用いたインバータの代表
的用途としては冷陰極管を点灯させることがあげられ
る。この時、冷陰極管の点灯輝度を変化させるためには
管に流れる電流を制御する必要がある。
【０００３】管電流を制御する一般的な方法としては冷
陰極管に供給する電圧を制御する方法がある。冷陰極管
に供給する電圧を減少させると、それに伴い管電流も減
少するため管の輝度を変化させることができる。
【０００４】しかし、図７に示されているように冷陰極
管に浮遊容量Ｃが多く存在する場合には、冷陰極管中を
流れる管電流Ｉが低圧側ほど減少してしまう。この浮遊
容量Ｃの影響は管電流が減少するほど相対的に増加す
る。このため管電流Ｉを減少させ輝度を低下させると管
の低圧側が高圧側に比べて暗くなってしまうという問題
が発生する。
【０００５】そこで電圧を制御する方式の問題点を回避
し冷陰極管の輝度を変化させる方法としてバースト制御
を行う方法がある。これは、人目には見えない程充分短
い周期で一時的に冷陰極管の駆動を止めることで等価的
に管電流を制限し輝度が低下したように見せる方法であ
る。つまり、冷陰極管の駆動を止めている時間を変化さ
せることで輝度を変化させるのである。この方式では冷
陰極管が点灯している間は十分に大きな管電流を流すた
め、冷陰極管の浮遊容量に流れる電流の影響を受けにく
く冷陰極管の低圧側が暗くなるという問題が発生しな
い。
【０００６】そこで従来技術による圧電トランスインバ
ータ（圧電トランス駆動回路）においてバースト制御を
行う圧電トランス駆動回路には図８に示されているよう
な回路がある。この回路は、電源９に接続されたインダ
クタ１及び２と、インダクタ１及び２の他端とグランド
の間に接続されたスイッチングトランジスタ３及び４
と、インダクタ１及びスイッチングトランジスタ３の接
続点とインダクタ２及びスイッチングトランジスタ４の
接続点との間に一次側が接続された圧電トランス７と、
スイッチングトランジスタ３及び４のゲートに入力され
交互にオン／オフする２つの信号ＧＡ及びＧＢ１４並び
に制御入力を持つ２相信号発生回路６と、２相信号発生
回路６の制御入力に接続された可変のデューティ比を持
つパルス出力Ｂを持つバースト信号発生回路５とから構
成されている。尚、トランス７の二次側には負荷８が接
続されている。
【０００７】ここで、２相信号発生回路６は圧電トラン
スの共振点付近の周波数を発生し、圧電トランス７が負
荷に対して一定の電圧又は電流を供給するよう制御する
回路である。
【０００８】この図８の回路はスイッチングトランジス
タ３及び４を交互にオン／オフ動作させ、電源電圧の約
３倍の振幅を持つ交番する２つの半波正弦波ＯＡ及びＯ
Ｂを発生させ圧電トランス７を駆動する回路である。圧
電トランス７に交互に駆動電圧を供給することで、正負
の振幅をもつ正弦波により駆動するのと等価の動作を得
ることができる。よって、本インバータは正負の２つの
電源を必要としない。また、半波の正弦波は比較的簡単
な回路構成で得ることができるため、簡単な構成でイン
バータが実現できるという特徴がある。
【０００９】この回路の動作波形が図９に示されてい
る。図において、点灯時間の間はバースト信号ＢはＬｏ
ｗレベルである。時刻ｔ２の時、ゲート信号ＧＡがＨｉ
レベルになりスイッチングトランジスタ３がオンすると
インダクタ１には電流が流れエネルギが蓄積される。時
刻ｔ３の時、今度はゲート信号ＧＡがＬｏｗレベル、ゲ
ート信号ＧＢがＨｉレベルになりスイッチングトランジ
スタ３はオフし、その時点でインダクタ１に蓄積されて
いたエネルギがインダクタ１と圧電トランス７の入力容
量との共振により定まる振幅を持つ半波正弦波ＯＡとし
てスイッチングトランジスタ３のドレインに発生する。
この時、スイッチングトランジスタ４はオンし、インダ
クタ２には電流が流れる。時刻ｔ４では、今度はスイッ
チングトランジスタ４がオフし、インダクタ２に蓄積さ
れていたエネルギがインダクタ２と圧電トランス７の入
力容量との共振により、半波正弦波ＯＢとしてスイッチ
ングトランジスタ４のドレインに発生する。時刻ｔ２で
半波正弦波ＯＡが０，時刻ｔ３で半波正弦波ＯＢが０，
すなわち０電圧スイッチングになるようにインダクタン
ス１，２及び圧電トランス７の入力容量の値を設定する
ことにより、圧電トランス７の一次側から見た駆動波形
を正弦波と等価にすることができる。
【００１０】時刻ｔ１の時、バースト信号ＢがＨｉレベ
ルになると２相信号発生回路６はスイッチングトランジ
スタ３及び４のゲート信号ＧＡ及びＧＢを同時にＬｏｗ
レベルにし回路の動作を一時的に停止させる。冷陰極管
の点灯輝度の変更は点灯時間と消灯時間との比を変化さ
せることで行う。これはバースト信号Ｂのデューティ比
を変化させることで実現できる。
【００１１】この回路ではバースト信号Ｂがどのタイミ
ングでＨｉレベルになってもインダクタ１又は２のどち
らかに必ず電流が流れているのでその時点でインダクタ
１又は２に蓄積されていたエネルギが高圧のサージ電圧
ＶS となって半波正弦波ＯＡ又はＯＢに現れる。このた
めスイッチングトランジスタ３及び４にはこのサージ電
圧ＶS に耐えうる高耐圧ＶT のものを使用する必要があ
った。
【００１２】また、スイッチングトランジスタに耐圧の
低いものを使用するためにはサージの発生を抑える必要
がある。このための代表的な方法としてツェナーダイオ
ードを用いた特開昭５９−７４７２８号公報に開示され
ているものがある。この方法は図１０に示されているよ
うに、スイッチングトランジスタ２１のコレクタ−エミ
ッタ間に並列に逆回復時間が３μｓｅｃ以下のツェナー
ダイオード２２を接続する構成である。こうすること
で、トランジスタのターンオン損失を抑えつつサージ電
圧をツェナー電圧で制限することができる。この方法を
上記の図８の回路に適用した場合の動作波形は図１１の
ようになる。この図にはバースト信号ＢがＨｉレベルに
なるタイミングの近辺の波形が示されている。
【００１３】図に示されているように、時刻ｔ１におい
てバースト信号ＢがＬｏｗレベルからＨｉレベルになっ
てもツェナー電圧Ｖｚでサージ電圧を抑止することがで
きるのである。尚、図中のＶは電源電圧である。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】上述した図８の従来の
圧電トランス駆動回路ではバースト制御で調光を行う場
合、図９に示されているように制御信号Ｂが入力される
と２相信号発生回路６が２つのスイッチングトランジス
タ３及び４を同時にオフしてしまう。その時点でインダ
クタ１又は２に蓄積されていたエネルギが高電圧のサー
ジ電圧ＶS となってスイッチングトランジスタ３及び４
のドレインに供給される。このためスイッチングトラン
ジスタ３及び４にはこのサージ電圧に耐えうる高耐圧の
ものを使用する必要があった。しかし、耐圧の高いトラ
ンジスタほどオン抵抗が大きく素子自体も大型化、高価
格化するため回路損失の増加や回路の大型化及び高価格
化等を招くという欠点があった。
【００１５】また、図１０に示されているように、スイ
ッチングトランジスタに並列にツェナーダイオードを接
続すれば、サージ電圧を制限することができるが、図８
に示されているような共振型の駆動回路に使用するには
不都合が生じる。一般に、ツェナーダイオードの接合容
量は数十〜数百ｐＦあり、同図の回路の場合ではツェナ
ーダイオードの接合容量が圧電トランス７の入力容量と
並列に接続されることになるのでインダクタ１又は２と
圧電トランス７の入力容量との共振条件を大きく狂わせ
てしまう。同図の圧電トランス駆動回路にこの方法を用
いた場合、スイッチングトランジスタ３及び４にそれぞ
れツェナーダイオードを並列接続する必要があるが、そ
れぞれの接合容量にばらつきがあると半波正弦波ＯＡと
ＯＢとの波形がそろわず、理想的な正弦波で圧電トラン
ス７を駆動できなくなり、インバータの効率が低下して
しまうという欠点があった。
【００１６】本発明は上述した従来技術の欠点を解決す
るためになされたものであり、その目的は耐圧の低いト
ランジスタを用いて構成することのできる圧電トランス
駆動回路を提供することである。
【００１７】
【課題を解決するための手段】本発明による圧電トラン
ス駆動回路は、二次側に負荷が接続された圧電トランス
と、外部制御電圧に応じて交互にオンオフ動作し前記圧
電トランスの一次側を駆動する第１及び第２のスイッチ
ングトランジスタと、これらトランジスタに対応して設
けられ対応トランジスタに電源を供給する第１及び第２
のインダクタとを含む圧電トランス駆動回路であって、
前記圧電トランスの一次側電極の間に直列に接続された
第１及び第２のコンデンサと、前記第１のコンデンサと
前記第２のコンデンサとの接続点に接続され前記第１及
び第２のスイッチングトランジスタのオンオフ動作の終
了時に前記第１及び第２のコンデンサを接地電位にする
第３のスイッチングトランジスタとを含むことを特徴と
する。
【００１８】本発明による他の圧電トランス駆動回路
は、二次側に負荷が接続された圧電トランスと、制御端
子に制御電圧が与えられることによって交互にオンオフ
動作し前記圧電トランスの一次側を駆動する第１及び第
２のスイッチングトランジスタと、これらトランジスタ
に対応して設けられ対応トランジスタに電源を供給する
第１及び第２のインダクタとを含む圧電トランス駆動回
路であって、前記第１及び第２のスイッチングトランジ
スタの制御端子に接続されこれらスイッチングトランジ
スタのオンオフ動作終了時に前記制御端子への制御電圧
を徐々に減衰せしめる減衰回路を含むことを特徴とす
る。
【００１９】
【発明の実施の形態】本発明の作用は以下の通りであ
る。
【００２０】外部制御電圧に応じて第１及び第２のスイ
ッチングトランジスタを交互にオンオフ動作させ、圧電
トランスの一次側を駆動する。圧電トランスの二次側に
は負荷を接続する。これらトランジスタに対応して第１
及び第２のインダクタを設け、対応するトランジスタに
電源を供給する。第１及び第２のインダクタに電極の一
方が夫々接続された第１及び第２のコンデンサを設け、
これらコンデンサの電極の他方をトランジスタのオンオ
フ動作終了時に接地電圧にする。これらコンデンサの代
わりに、第１及び第２のスイッチングトランジスタのオ
ンオフ動作終了時に外部制御電圧を徐々に減衰せしめる
減衰回路を設けても良い。
【００２１】次に、本発明の実施例について図面を参照
して説明する。
【００２２】図１は本発明による圧電トランス駆動回路
の第１の実施例の構成を示す回路図であり、図８と同等
部分は同一符号により示されている。図において、本発
明の第１の実施例による圧電トランス駆動回路は、電源
９に接続されたインダクタ１と、インダクタ１の他端と
グランドとの間に接続されたスイッチングトランジスタ
３と、電源９に接続されたインダクタ２と、インダクタ
２の他端とグランドとの間に接続されたスイッチングト
ランジスタ４と、インダクタ１及びスイッチングトラン
ジスタ３の接続点とインダクタ２及びスイッチングトラ
ンジスタ４の接続点との間に直列に接続されたコンデン
サ１０及びコンデンサ１１と、コンデンサ１０とコンデ
ンサ１１との接続点とグランドとの間に接続されたスイ
ッチングトランジスタ１２とを含んで構成されている。
【００２３】また、本実施例による圧電トランス駆動回
路は、インダクタ１及びスイッチングトランジスタ３の
接続点とインダクタ２及びスイッチングトランジスタ４
の接続点との間に接続された圧電トランス７と、交互に
オン／オフする２つのゲート信号ＧＡ及びＧＢ並びに制
御入力を持ち、２つの信号ＧＡ及びＧＢがそれぞれスイ
ッチングトランジスタ３及び４のゲートに入力され、か
つその制御入力により２つの信号ＧＡ及びＧＢがオン／
オフ制御される２相信号発生回路６と、可変のデューテ
ィ比を持つパルス出力であるバースト信号Ｂを出力し、
この信号Ｂが２相信号発生回路６の制御入力及びスイッ
チングトランジスタ１２のゲートに入力されたバースト
信号発生回路５とを含んで構成されている。
【００２４】ここで、図２（ａ）に２相信号発生回路６
の一例の構成が示されている。図において、２相信号発
生回路６は、交番する２つの出力を持つ発振回路２１の
出力信号ＱＡ及びＱＢを抵抗２６及び２７を介してそれ
ぞれトランジスタ２４及び２５のコレクタに接続し、そ
の接続点の電圧を２相信号出力回路６の出力であるゲー
ト信号ＧＡ及びＧＢとする。トランジスタ２４及び２５
の両ベースを互いに接続し、この接続点に制御入力を印
加する。この制御入力には図１のバースト信号発生回路
５の出力すなわちバースト信号Ｂが印加される。抵抗２
６及び２７はバースト信号Ｂが入力されトランジスタ２
４及び２５がオンしたときに発振回路２１内部の出力回
路とトランジスタ２４又は２５が電流を引込みあって信
号ＧＡ又はＧＢが中間電位になってしまうのを防ぐため
に挿入されている。
【００２５】かかる構成において発振回路２１からは、
図２（ｂ）に示されているように交互にＨｉレベルにな
る発振信号ＱＡ及びＱＢが送出される。そして、制御入
力がＬｏｗレベルのときには、発振信号ＱＡに応じてゲ
ート信号ＧＡが送出され、発振信号ＱＢに応じてゲート
信号ＧＢが送出される。制御入力がＨｉレベルのときに
は、トランジスタ２４及び２５がオンになり、ゲート信
号ＧＡ及びＧＢは送出されない。
【００２６】次に図３を用いて図１の回路の動作を説明
する。図において、バースト信号発生回路５のパルス出
力がＨｉレベルになると、図２に示されているトランジ
スタ２４及び２５が両方ともオンするため２相信号発生
回路６の出力であるゲート信号ＧＡ及びＧＢは両方とも
グランド電位（接地電位）に落ちる。これによりスイッ
チングトランジスタ３及び４がオフする。それと同時
に、エネルギ放出用のトランジスタ１２がバースト信号
発生回路５の出力であるバースト信号Ｂによってオンさ
れる。このとき、インダクタ１又は２に蓄積されていた
エネルギは、インダクタ１とコンデンサ１０又はインダ
クタ２とコンデンサ１１との共振によって決まる半波正
弦波ＯＡ及びＯＢとして圧電トランス７に供給される。
この共振による出力電圧が十分小さくなるようにコンデ
ンサ１０及びコンデンサ１１の値を決定することによっ
て、発生するサージ電圧を抑え、スイッチングトランジ
スタ３及び４に要求される耐圧を下げることができる。
【００２７】図８に示されている従来の回路においてイ
ンダクタ１及びインダクタ２の値が１８０μＨ、圧電ト
ランス７の入力容量が約２６００ｐＦである場合、発生
するサージ電圧の値は約９０Ｖであった。よって、スイ
ッチングトランジスタ３及び４には、２倍のマージンを
見る場合約１８０Ｖの耐圧を持つものを用いる必要があ
った。これが図３中のＶT である。
【００２８】これに対し図１に示されている本実施例の
インバータでは、上記の従来の回路と同様の条件とし、
かつ、コンデンサ１０及びコンデンサ１１の容量を１０
０ｐＦとするとサージ電圧は約６０Ｖに減少した。よっ
て同様に２倍のマージンを見込んだとしても、スイッチ
ングトランジスタ３及び４に要求される耐圧は１２０Ｖ
で良い。これが図３中のＶT2である。更に、コンデンサ
５及び６の容量を３００ｐＦとすれば発生するサージ電
圧は約２５Ｖに減少した。
【００２９】以上のようにコンデンサ１０及びコンデン
サ１１の容量を、サージ電圧が十分に小さくなるように
設定することでスイッチングトランジスタ３及び４には
より耐圧の低いものを用いることができる。耐圧の低い
スイッチングトランジスタは耐圧の高いものに比較して
オン抵抗が小さく、かつ小型低価格であるため、本駆動
回路の高効率化，小型化，低価格化に大きな効果があ
る。
【００３０】また、サージ電圧制限のために例えば図１
０に示されている特開昭５９−７４７２８号公報の構成
のようにツェナーダイオードを用いると、ツェナーダイ
オードの接合容量のばらつきによって駆動回路の共振条
件のばらつきが問題になる。これに対し、本実施例では
コンデンサを用いるので精度良く容量値を選定できるた
め、共振条件のばらつきを小さくできる。
【００３１】更にまた、ツェナーダイオードを用いた場
合、駆動回路が動作状態のときには、ツェナーダイオー
ドの接合容量を通して電流が流れるため回路の損失が増
大する。これに対し、本実施例では、コンデンサに等価
直列抵抗の小さいものを選ぶことにより回路の損失を最
小にとどめることができる。
【００３２】図４は本発明による圧電トランス駆動回路
の第２の実施例の構成を示す回路図であり、図１及び図
８と同等部分は同一符号により示されている。図におい
て、本発明の第２の実施例による圧電トランス駆動回路
は、電源９に接続されたインダクタ１と、インダクタ１
の他端とグランドとの間に接続されたスイッチングトラ
ンジスタ３と、電源９に接続されたインダクタ２とイン
ダクタ２の他端とグランド間に接続されたスイッチング
トランジスタ４と、交互にオン／オフする２つの発振信
号ＱＡ及びＱＢを出力し、これら２つの出力がそれぞれ
信号減衰回路２０の入力に接続された発振回路２１と、
可変のデューティ比を持つバースト信号Ｂを持ち、この
信号Ｂが信号減衰回路２０の制御入力に接続されたバー
スト信号発生回路５と、２つの入力及び２つの出力ＧＣ
及びＧＤ並びに１つの制御入力を持ち、２つの出力ＧＣ
及びＧＤがそれぞれスイッチングトランジスタ３及び４
のゲートに接続された信号減衰回路２０とを含んで構成
されている。
【００３３】図５に信号減衰回路２０の一例が示されて
いる。この回路は、バースト信号ＢがＬｏｗレベルの間
は、発振信号ＱＡ及びＱＢに従って出力信号ＧＣ及びＧ
Ｄをオン／オフ制御する構成である。ＧＣ１８，ＧＤ１
９の振幅は、バッファ２３を介して与えられるコンデン
サ３４の両端の電圧によって決まる。バースト信号Ｂが
Ｈｉレベルになるとトランジスタ３５がオンし、コンデ
ンサ３４の両端の電圧は抵抗３３とコンデンサ３４とに
よって定まる時定数によって減衰し、それに伴い出力信
号ＧＣ及びＧＤも同様の時定数を持って減衰する。
【００３４】次に図６を用いて図４の回路の動作を説明
する。図において、時刻ｔ１において信号減衰回路２０
の制御入力である信号ＢがＨｉレベルになると信号減衰
回路２０は図５中の抵抗３３及びコンデンサ３４で決ま
る時定数に従って信号ＧＣ及びＧＤ１９を減衰させスイ
ッチングトランジスタ３及び４のゲートに伝える。ゲー
ト信号が減少するためスイッチングトランジスタ３及び
４のドレイン電流が減少し、インダクタ１及びインダク
タ２に蓄積されるエネルギが徐々に減少する。よって半
波正弦波ＯＡ及びＯＢも徐々に減少していく。時刻ｔ１
経過後も半波正弦波ＯＡ及びＯＢがトランス７に印加さ
れることになるが、わずかに輝度が変化する程度であ
り、問題はない。
【００３５】本実施例ではスイッチングトランジスタ３
及び４が同時に瞬断することが原理的にないためサージ
電圧が発生しない。このためスイッチングトランジスタ
３及び４は点灯動作時の半波正弦波ＯＡ及びＯＢの電圧
のみを考慮して耐圧を決めれば良いため、より耐圧の低
いものを用いることができる。耐圧の低いスイッチング
トランジスタは耐圧の高いものに比較してオン抵抗が小
さく、かつ小型低価格であるため、本駆動回路の高効率
化，小形化，低価格化に大きな効果がある。
【００３６】尚、以上は負荷が冷陰極管の場合について
説明したが、それ以外の負荷の場合についても本発明が
適用できることが明らかである。
【００３７】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、圧電トラ
ンスを駆動するための駆動回路において、エネルギ放出
用のコンデンサを設けることにより、２つのスイッチン
グトランジスタが同時にオフしたときのサージ電圧を抑
えるので耐圧の低いスイッチングトランジスタを使用す
ることができるという効果がある。また、本発明によれ
ば、２つのスイッチングトランジスタのゲート電圧を徐
々に下げる回路を設けることにより、インダクタに蓄積
されるエネルギを減少させていき２つのスイッチングト
ランジスタが同時に瞬断することを防ぎ、サージ電圧の
発生を抑えるので耐圧の低いスイッチングトランジスタ
を使用することができるという効果がある。そして、耐
圧の低いスイッチングトランジスタは同じ電流容量であ
ってもオン抵抗が小さく小型，低価格であることから、
損失を低減でき、かつ圧電トランス駆動回路を小型，低
価格にできるという効果がある。更に、接合容量が大き
くしかもそのばらつきが大きいツェナーダイオードを用
いる必要がないため、駆動回路の共振条件のばらつきを
小さくでき圧電トランス駆動回路の損失を小さくできる
という効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施例による圧電トランス駆動
回路の構成を示す回路図である。
【図２】（ａ）は図１中の２相信号発生回路の構成例を
示す回路図、（ｂ）は（ａ）の各部の動作を示す波形図
である。
【図３】図１の各部の動作を示す波形図である。
【図４】本発明の第２の実施例による圧電トランス駆動
回路の構成例を示す回路図である。
【図５】図４中の信号減衰回路の構成例を示す回路図で
ある。
【図６】図４の各部の動作を示す波形図である。
【図７】冷陰極管の動作状態を示す図である。
【図８】従来の圧電トランス駆動回路の構成を示す回路
図である。
【図９】図８の各部の動作を示す波形図である。
【図１０】特開昭５９―７４７２８号公報におけるサー
ジ抑制回路の構成を示す回路図である。
【図１１】図１０の回路を図８の回路に適用した場合の
動作を示す波形図である。
【符号の説明】
１、２ インダクタ ３、４、１２ スイッチングトランジスタ ５ バースト信号発生回路 ６ ２相信号発生回路 ７ 圧電トランス ８ 負荷 ９ 電源 １０、１１ コンデンサ ２０ 信号減衰回路 ２１ 発振回路

Claims (3)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 二次側に負荷が接続された圧電トランス
    と、外部制御電圧に応じて交互にオンオフ動作し前記圧
    電トランスの一次側を駆動する第１及び第２のスイッチ
    ングトランジスタと、これらトランジスタに対応して設
    けられ対応トランジスタに電源を供給する第１及び第２
    のインダクタとを含む圧電トランス駆動回路であって、
    前記圧電トランスの一次側電極の間に直列に接続された
    第１及び第２のコンデンサと、前記第１のコンデンサと
    前記第２のコンデンサとの接続点に接続され前記第１及
    び第２のスイッチングトランジスタのオンオフ動作の終
    了時に前記第１及び第２のコンデンサを接地電位にする
    第３のスイッチングトランジスタとを含むことを特徴と
    する圧電トランス駆動回路。
  2. 【請求項２】 二次側に負荷が接続された圧電トランス
    と、制御端子に制御電圧が与えられることによって交互
    にオンオフ動作し前記圧電トランスの一次側を駆動する
    第１及び第２のスイッチングトランジスタと、これらト
    ランジスタに対応して設けられ対応トランジスタに電源
    を供給する第１及び第２のインダクタとを含む圧電トラ
    ンス駆動回路であって、前記第１及び第２のスイッチン
    グトランジスタの制御端子に接続されこれらスイッチン
    グトランジスタのオンオフ動作終了時に前記制御端子へ
    の制御電圧を徐々に減衰せしめる減衰回路を含むことを
    特徴とする圧電トランス駆動回路。
  3. 【請求項３】 前記減衰回路は、前記第１及び第２のス
    イッチングトランジスタのオンオフ動作終了に応答して
    前記制御電圧を徐々に接地電圧に近付ける時定数回路を
    含むことを特徴とする請求項２記載の圧電トランス駆動
    回路。
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