JP2806237B2 - チップインダクタの製造法 - Google Patents
チップインダクタの製造法Info
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- JP2806237B2 JP2806237B2 JP5330367A JP33036793A JP2806237B2 JP 2806237 B2 JP2806237 B2 JP 2806237B2 JP 5330367 A JP5330367 A JP 5330367A JP 33036793 A JP33036793 A JP 33036793A JP 2806237 B2 JP2806237 B2 JP 2806237B2
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- Japan
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- solder
- soldering
- terminal
- chip inductor
- bobbin
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- Manufacturing Cores, Coils, And Magnets (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は例えば電子機器・通信機
器等に使用されるチップインダクタの製造法に関するも
のである。
器等に使用されるチップインダクタの製造法に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】以下に従来のチップインダクタのレーザ
によるはんだ付けの製造法について説明する。
によるはんだ付けの製造法について説明する。
【０００３】図５は従来のチップインダクタのはんだ付
け工程の一例を示す斜視図である。図５において内部接
合端子２１を有するはんだめっきされたリン青銅や鉄等
からなる外部端子２２がインサート成形されているポリ
フェニレンサルファイトや液晶ポリマー等の耐熱性の高
い樹脂よりなるボビン２３に巻線２４を連続的に施した
ものの内部接合端子２１上にはんだ２５を供給する。そ
の後この内部接合端子２１にレーザ光２６を一点にのみ
照射し、はんだ２５を溶融させ内部接合端子２１と巻線
２４の端部を接合していた。
け工程の一例を示す斜視図である。図５において内部接
合端子２１を有するはんだめっきされたリン青銅や鉄等
からなる外部端子２２がインサート成形されているポリ
フェニレンサルファイトや液晶ポリマー等の耐熱性の高
い樹脂よりなるボビン２３に巻線２４を連続的に施した
ものの内部接合端子２１上にはんだ２５を供給する。そ
の後この内部接合端子２１にレーザ光２６を一点にのみ
照射し、はんだ２５を溶融させ内部接合端子２１と巻線
２４の端部を接合していた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記方法によるはんだ
付けにおいては、内部接合端子２１にレーザ光２６を一
点にのみ照射し、供給されたはんだ２５全体を溶融させ
ているため一点に集中する熱量が非常に高く、これによ
る内部接合端子２１上あるいは周辺への熱的ストレスが
大きくボビン２３にクラックを与えたり、ときには供給
されたはんだ２５が溶融したと同時にボビン２３へ溶融
はんだが飛散しボビン２３の燃焼を引き起こし、量産安
定性及び信頼性に課題があった。
付けにおいては、内部接合端子２１にレーザ光２６を一
点にのみ照射し、供給されたはんだ２５全体を溶融させ
ているため一点に集中する熱量が非常に高く、これによ
る内部接合端子２１上あるいは周辺への熱的ストレスが
大きくボビン２３にクラックを与えたり、ときには供給
されたはんだ２５が溶融したと同時にボビン２３へ溶融
はんだが飛散しボビン２３の燃焼を引き起こし、量産安
定性及び信頼性に課題があった。
【０００５】本発明は以上のような従来の欠点を除去す
るものであり、量産安定性、信頼性に富んだチップイン
ダクタの製造法を提供することを目的とする。
るものであり、量産安定性、信頼性に富んだチップイン
ダクタの製造法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明は、端子を有したボビンに、巻線を施し、前記
端子と前記巻線とをはんだ付けするとともに、前記はん
だ付けはレーザ光を前記はんだの周辺部まで走査させな
がら照射して行う製造方法であり、一点当たりに係る熱
量を抑えるものである。
に本発明は、端子を有したボビンに、巻線を施し、前記
端子と前記巻線とをはんだ付けするとともに、前記はん
だ付けはレーザ光を前記はんだの周辺部まで走査させな
がら照射して行う製造方法であり、一点当たりに係る熱
量を抑えるものである。
【０００７】また、より局部的に短時間ではんだ溶融に
必要な熱量を与え、安定量産域の拡大が図れる手段とし
て、レーザの照射モードにＱスイッチモードを使用する
ものである。
必要な熱量を与え、安定量産域の拡大が図れる手段とし
て、レーザの照射モードにＱスイッチモードを使用する
ものである。
【０００８】
【作用】上記方法によると、一点当たりにかかる熱量を
抑えることが可能であるので、熱量による内部接合端子
上あるいは周辺への熱的ストレスが小さく、ボビンにク
ラックを与えたり、溶融はんだの飛散によるボビンの燃
焼を引き起こすことなく内部接合端子と巻線端部の接合
が行え、製造上の安定化を図り信頼性の向上を可能とす
る。
抑えることが可能であるので、熱量による内部接合端子
上あるいは周辺への熱的ストレスが小さく、ボビンにク
ラックを与えたり、溶融はんだの飛散によるボビンの燃
焼を引き起こすことなく内部接合端子と巻線端部の接合
が行え、製造上の安定化を図り信頼性の向上を可能とす
る。
【０００９】
（実施例１）以下に本発明の第１の実施例を図面を参照
して説明する。図１は本発明に係わるチップインダクタ
の巻線後にはんだ付けを行おうとする一実施例を表す斜
視図であり、図２は本発明に係わるレーザ照射の走査パ
ターンの一実施例を表す斜視図であり、図３は本発明に
係わるはんだ付けの製造法を取り入れ構成したチップイ
ンダクタの一実施例を表す透過斜視図である。
して説明する。図１は本発明に係わるチップインダクタ
の巻線後にはんだ付けを行おうとする一実施例を表す斜
視図であり、図２は本発明に係わるレーザ照射の走査パ
ターンの一実施例を表す斜視図であり、図３は本発明に
係わるはんだ付けの製造法を取り入れ構成したチップイ
ンダクタの一実施例を表す透過斜視図である。
【００１０】図１に示すように内部接合端子１を有する
はんだめっきされたリン青銅や鉄等からなる外部端子２
がインサート成形されているポリフェニレンサルファイ
トや液晶ポリマー等の耐熱性の高い樹脂よりなるボビン
３に巻線４を連続的に施し、内部接合端子１上にはんだ
５を供給する。この状態において、ＹＡＧレーザ等のレ
ーザ光６をガルバノ機構７を持つミラー８を用いて内部
接合端子１上の任意の位置に照射できるように配置す
る。一例として、図２に示す走査パターンのＡのポイン
トになるようにレーザ光６の照射位置をミラー８にてセ
ットし、その後レーザ光６を照射すると同時にＢポイン
トまで連続的に照射位置を走査するようにミラー８を稼
働させ、レーザ光６による熱量にてはんだ５を溶融し内
部接合端子１と巻線４の端部を接合する。
はんだめっきされたリン青銅や鉄等からなる外部端子２
がインサート成形されているポリフェニレンサルファイ
トや液晶ポリマー等の耐熱性の高い樹脂よりなるボビン
３に巻線４を連続的に施し、内部接合端子１上にはんだ
５を供給する。この状態において、ＹＡＧレーザ等のレ
ーザ光６をガルバノ機構７を持つミラー８を用いて内部
接合端子１上の任意の位置に照射できるように配置す
る。一例として、図２に示す走査パターンのＡのポイン
トになるようにレーザ光６の照射位置をミラー８にてセ
ットし、その後レーザ光６を照射すると同時にＢポイン
トまで連続的に照射位置を走査するようにミラー８を稼
働させ、レーザ光６による熱量にてはんだ５を溶融し内
部接合端子１と巻線４の端部を接合する。
【００１１】このとき、その走査スピードは線材・はん
だ・端子の種類や固定治具の構造およびレーザのパワー
により異なるがおおむね数mm／ｓ〜１００mm／ｓであ
り、その走査くり返し回数を任意に設定したり、往復走
査を行ったり走査スピードを走査ごとに変更したりする
ことで最適な接合条件を見出すことができる。
だ・端子の種類や固定治具の構造およびレーザのパワー
により異なるがおおむね数mm／ｓ〜１００mm／ｓであ
り、その走査くり返し回数を任意に設定したり、往復走
査を行ったり走査スピードを走査ごとに変更したりする
ことで最適な接合条件を見出すことができる。
【００１２】また本発明のはんだ付けと同等の方法で接
合後の余線９を切断することもできるため、接合工程と
余線切断工程を同時にすることも可能である。
合後の余線９を切断することもできるため、接合工程と
余線切断工程を同時にすることも可能である。
【００１３】以上のように、はんだ５による内部接合端
子１と巻線４の端部の接合を行ったのち、外装樹脂１０
で成形封止し外部端子２のフォーミングを行うことで図
３に示すチップインダクタを構成する。
子１と巻線４の端部の接合を行ったのち、外装樹脂１０
で成形封止し外部端子２のフォーミングを行うことで図
３に示すチップインダクタを構成する。
【００１４】このはんだ付け法により一点当たりにかか
る熱量を抑えられ、熱量による内部接合端子１上あるい
は周辺への熱的ストレスが小さくなり、ボビン３にクラ
ックを与えたり、溶融はんだの飛散によるボビン３の燃
焼を引き起こすことなく内部接合端子１と巻線４端部の
接合が行えた。
る熱量を抑えられ、熱量による内部接合端子１上あるい
は周辺への熱的ストレスが小さくなり、ボビン３にクラ
ックを与えたり、溶融はんだの飛散によるボビン３の燃
焼を引き起こすことなく内部接合端子１と巻線４端部の
接合が行えた。
【００１５】（実施例２）以下に本発明の第２の実施例
を図面を参照して説明する。図４は本発明に係わるチッ
プインダクタのはんだ付けを行う際のレーザ照射モード
の違いによるピークパワー波形を表したものである。
を図面を参照して説明する。図４は本発明に係わるチッ
プインダクタのはんだ付けを行う際のレーザ照射モード
の違いによるピークパワー波形を表したものである。
【００１６】実施例１で説明したように外部端子２がイ
ンサート成形されたボビン３に巻線４を施し、内部接合
端子１上ではんだ５が供給されている状態にて、レーザ
光６をガルバノ機構７を持つミラー８を用いて連続照射
しはんだ５を溶融させはんだ接合を行うが、レーザの発
振モードを連続発振にて行うと図４に示すＡの波形とな
り、たとえば線径φ０．０３mmのウレタン被膜銅線１１
をはんだ付けする際、はんだ５の供給量のバラツキによ
り確実にはんだ付けできないことがあった。
ンサート成形されたボビン３に巻線４を施し、内部接合
端子１上ではんだ５が供給されている状態にて、レーザ
光６をガルバノ機構７を持つミラー８を用いて連続照射
しはんだ５を溶融させはんだ接合を行うが、レーザの発
振モードを連続発振にて行うと図４に示すＡの波形とな
り、たとえば線径φ０．０３mmのウレタン被膜銅線１１
をはんだ付けする際、はんだ５の供給量のバラツキによ
り確実にはんだ付けできないことがあった。
【００１７】そこでレーザの照射モードをＱスイッチモ
ードとすると図４のＢのような波形が得られ、短時間に
連続発振モードにて一点当たりのはんだ５を溶融するの
に必要な熱量と同等の熱量が得られるため、若干オーバ
ー気味の熱量を一点当たりに与えてはんだ５の供給量の
バラツキを吸収し確実にはんだ付けができる条件であっ
てもボビン３にクラックを与えたり、燃焼させることが
なくなった。
ードとすると図４のＢのような波形が得られ、短時間に
連続発振モードにて一点当たりのはんだ５を溶融するの
に必要な熱量と同等の熱量が得られるため、若干オーバ
ー気味の熱量を一点当たりに与えてはんだ５の供給量の
バラツキを吸収し確実にはんだ付けができる条件であっ
てもボビン３にクラックを与えたり、燃焼させることが
なくなった。
【００１８】この方法により、広い安定量産域を確保し
たはんだ付けが行えより製造上の安定化が図れ信頼性の
向上を可能とした。
たはんだ付けが行えより製造上の安定化が図れ信頼性の
向上を可能とした。
【００１９】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明によるチッ
プインダクタの製造法は、内部接合端子と巻線端部の接
合時にレーザ光を走査させながら照射するので、一点当
たりにかかる熱量を抑えられ、熱量による内部接合端子
上あるいは周辺への熱的ストレスが小さくなり、ボビン
にクラックを与えたり、溶融はんだの飛散によるボビン
の燃焼を引き起こすことなく内部接合端子と巻線端部の
接合が行える。
プインダクタの製造法は、内部接合端子と巻線端部の接
合時にレーザ光を走査させながら照射するので、一点当
たりにかかる熱量を抑えられ、熱量による内部接合端子
上あるいは周辺への熱的ストレスが小さくなり、ボビン
にクラックを与えたり、溶融はんだの飛散によるボビン
の燃焼を引き起こすことなく内部接合端子と巻線端部の
接合が行える。
【００２０】また、はんだの供給量のバラツキにより確
実にはんだ付けできないことが発生しても、短時間では
んだ溶融に必要な熱量を与えるＱスイッチモードにてレ
ーザを照射することで、若干オーバー気味の熱量を一点
当たりに与えてはんだの供給量のバラツキを吸収し確実
にはんだ付けができる条件であってもボビンにクラック
を与えたり、燃焼させることがなく内部接合端子と巻線
端部の接合が行え、安定量産域の拡大が図れるようにな
り、工業上の効果は極めて大となる。
実にはんだ付けできないことが発生しても、短時間では
んだ溶融に必要な熱量を与えるＱスイッチモードにてレ
ーザを照射することで、若干オーバー気味の熱量を一点
当たりに与えてはんだの供給量のバラツキを吸収し確実
にはんだ付けができる条件であってもボビンにクラック
を与えたり、燃焼させることがなく内部接合端子と巻線
端部の接合が行え、安定量産域の拡大が図れるようにな
り、工業上の効果は極めて大となる。
【図１】本発明に係わるチップインダクタの巻線後には
んだ付けを行おうとする一実施例を表す斜視図
んだ付けを行おうとする一実施例を表す斜視図
【図２】本発明に係わるレーザ照射の走査パターンの一
実施例を表す斜視図
実施例を表す斜視図
【図３】本発明に係わるはんだ付けの製造法を取り入れ
構成したチップインダクタの一実施例を表す透過斜視図
構成したチップインダクタの一実施例を表す透過斜視図
【図４】本発明に係わるチップインダクタのはんだ付け
を行う際のレーザ照射モードの違いによるピークパワー
波形図
を行う際のレーザ照射モードの違いによるピークパワー
波形図
【図５】従来のチップインダクタのはんだ付け工程の一
例を示す斜視図
例を示す斜視図
１ 内部接合端子 ２ 外部端子 ３ ボビン ４ 巻線 ５ はんだ ６ レーザ光 ７ ガルバノ機構 ８ ミラー ９ 余線 １０ 外装樹脂
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 馬川 省吾 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (56)参考文献 特開 平５−82179（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−114207（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01F 41/04,41/10 B23K 26/00
Claims (2)
- 【請求項１】 端子を有したボビンに、巻線を施し、前
記端子と前記巻線とをはんだ付けするとともに、前記は
んだ付けはレーザ光を前記はんだの周辺部まで走査させ
ながら照射して行うチップインダクタの製造方法。 - 【請求項２】 レーザの照射モードにＱスイッチモード
を使用する請求項１記載のチップインダクタの製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5330367A JP2806237B2 (ja) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | チップインダクタの製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5330367A JP2806237B2 (ja) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | チップインダクタの製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07192950A JPH07192950A (ja) | 1995-07-28 |
| JP2806237B2 true JP2806237B2 (ja) | 1998-09-30 |
Family
ID=18231817
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5330367A Expired - Fee Related JP2806237B2 (ja) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | チップインダクタの製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2806237B2 (ja) |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57114207A (en) * | 1981-01-08 | 1982-07-16 | Toshiba Corp | Electromagnetic coil and manufacture thereof |
| JPS63260690A (ja) * | 1987-04-20 | 1988-10-27 | Fuji Electric Co Ltd | レ−ザ−加工装置 |
| JP3100081B2 (ja) * | 1991-09-25 | 2000-10-16 | コーア株式会社 | 電気素子のリ―ド線接続装置 |
-
1993
- 1993-12-27 JP JP5330367A patent/JP2806237B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07192950A (ja) | 1995-07-28 |
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