JP2803353B2 - 半導体結晶成長方法 - Google Patents
半導体結晶成長方法Info
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Description
への不純物添加技術に関する。
晶成長法として、アンモニアを原材料として窒素を添加
するMBE法が用いられていた。アプライド・フィジック
ス・レターズ[Applied Physics Letters]第56巻1989
ページ[1990年]に記載されている。
たP形のII−VI族化合物半導体が得られるようになっ
た。
%程度しか活性化されず、再現性も良くないという欠点
がある。
体の結晶成長方法はMBE法によるII−VI族化合物半導体
の結晶成長において、前記II−VI族化合物半導体の成長
中に窒素プラズマを照射し、窒素原子を添加する事を特
徴とする。
素分子を照射しても結晶中に取り込まれない。アンモニ
アを用いた場合、アンモニアが分解するためにエネルギ
ーが必要であり、基板温度の狭い領域のみで結晶中への
添加が可能となる。しかし、格子位置に規則正しく入る
ものは添加量の1%程度でしかない。
る。半導体基板の表面に到達した、窒素原子は化学的な
解離の必要なく、結晶中に取り込まれる。このため、結
晶中への添加が容易となり、なおかつ、格子位置に入る
割合も高くなる。格子位置に入った窒素はP形不純物と
なる。
略図である。成長室に電子サイクロトロン共鳴型の窒素
プラズマ源1を付加した構造である。
チルジンク3、セレン化水素4を基板2に照射した。Zn
Se層5の成長速度は1μm/hとした。ZnSe層5の結晶成
長時に窒素プラズマ源1より窒素プラズマ(圧力1×10
-8Torr)を照射した。
電性を示し、正孔濃度は5×1017cm-3と良好であった。
これは、プラズマにより作られた窒素原子がスムーズに
ZnSe層5に取り込まれ、格子位置におさまるためであ
る。このP形ZnSe層を用いて従来困難であったpn接合の
形成ができ青色の発光ダイオードを得る事ができた。
これに限らず、Te,Sなどを原料とした他のII−VI族化合
物半導体を材料としてもよい。
なったがこれに限らず金属材料を用いたMBE成長を行な
ってもよい。
物半導体の成長において窒素をII−VI半導体層中の格子
位置に十分添加できるのでP形電導特性が容易に得られ
pn接合を形成することができ、青色の発光ダイオードが
得られる。
ある。 図において、1……窒素プラズマ源、2……基板、3…
…ジメチルジンク、4……セレン化水素、5……ZnSe
層。
Claims (1)
- 【請求項1】分子線エピタキシー(MBE)法によるII−V
I族化合物半導体の結晶成長において、II−VI族化合物
半導体の成長中に窒素プラズマを照射し、窒素原子を添
加する事を特徴とする半導体結晶成長方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25441190A JP2803353B2 (ja) | 1990-09-25 | 1990-09-25 | 半導体結晶成長方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25441190A JP2803353B2 (ja) | 1990-09-25 | 1990-09-25 | 半導体結晶成長方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04132699A JPH04132699A (ja) | 1992-05-06 |
JP2803353B2 true JP2803353B2 (ja) | 1998-09-24 |
Family
ID=17264604
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP25441190A Expired - Lifetime JP2803353B2 (ja) | 1990-09-25 | 1990-09-25 | 半導体結晶成長方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2803353B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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US5772759A (en) * | 1992-09-28 | 1998-06-30 | Aixtron Gmbh | Process for producing p-type doped layers, in particular, in II-VI semiconductors |
Family Cites Families (7)
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JPS61117199A (ja) * | 1984-11-08 | 1986-06-04 | Nec Corp | 結晶成長法 |
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JPS6270290A (ja) * | 1985-09-19 | 1987-03-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体の製造方法 |
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JPH06104600B2 (ja) * | 1987-05-30 | 1994-12-21 | 松下電器産業株式会社 | 半導体の製造方法 |
-
1990
- 1990-09-25 JP JP25441190A patent/JP2803353B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH04132699A (ja) | 1992-05-06 |
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