JP2803353B2 - 半導体結晶成長方法 - Google Patents

半導体結晶成長方法

Info

Publication number
JP2803353B2
JP2803353B2 JP25441190A JP25441190A JP2803353B2 JP 2803353 B2 JP2803353 B2 JP 2803353B2 JP 25441190 A JP25441190 A JP 25441190A JP 25441190 A JP25441190 A JP 25441190A JP 2803353 B2 JP2803353 B2 JP 2803353B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
nitrogen
crystal growth
crystal
semiconductor
semiconductor crystal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP25441190A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH04132699A (ja
Inventor
普 岩田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP25441190A priority Critical patent/JP2803353B2/ja
Publication of JPH04132699A publication Critical patent/JPH04132699A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2803353B2 publication Critical patent/JP2803353B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、II−VI族の結晶成長方法において半導体層
への不純物添加技術に関する。
（従来の技術） 従来行なわれたいた、II−VI族化合物半導体のＰ形結
晶成長法として、アンモニアを原材料として窒素を添加
するMBE法が用いられていた。アプライド・フィジック
ス・レターズ［Applied Physics Letters］第56巻1989
ページ［1990年］に記載されている。
この方法により、これまで作製する事が不可能であっ
たＰ形のII−VI族化合物半導体が得られるようになっ
た。
（発明が解決しようとする課題） しかし、半導体層中に取り込まれた窒素原子のうち１
％程度しか活性化されず、再現性も良くないという欠点
がある。
（課題を解決するための手段） 前述の問題点を解決するために本発明が提供する半導
体の結晶成長方法はMBE法によるII−VI族化合物半導体
の結晶成長において、前記II−VI族化合物半導体の成長
中に窒素プラズマを照射し、窒素原子を添加する事を特
徴とする。
（作用） 窒素化合物は一般に安定であり、半導体層成長中に窒
素分子を照射しても結晶中に取り込まれない。アンモニ
アを用いた場合、アンモニアが分解するためにエネルギ
ーが必要であり、基板温度の狭い領域のみで結晶中への
添加が可能となる。しかし、格子位置に規則正しく入る
ものは添加量の１％程度でしかない。
窒素プラズマ中には多量の原子状態の窒素が存在す
る。半導体基板の表面に到達した、窒素原子は化学的な
解離の必要なく、結晶中に取り込まれる。このため、結
晶中への添加が容易となり、なおかつ、格子位置に入る
割合も高くなる。格子位置に入った窒素はＰ形不純物と
なる。
（実施例） 第１図は本発明を実施するために用いたMBE装置の概
略図である。成長室に電子サイクロトロン共鳴型の窒素
プラズマ源１を付加した構造である。
II−VI族としてZnSeを例にとって本発明を説明する。
GaAsからなる基板２を350℃に加熱し、ガス状のジメ
チルジンク３、セレン化水素４を基板２に照射した。Zn
Se層５の成長速度は１μm/hとした。ZnSe層５の結晶成
長時に窒素プラズマ源１より窒素プラズマ（圧力１×10
-8Torr）を照射した。
これによって得られた窒素ドープZnSe層５はＰ形の導
電性を示し、正孔濃度は５×1017cm-3と良好であった。
これは、プラズマにより作られた窒素原子がスムーズに
ZnSe層５に取り込まれ、格子位置におさまるためであ
る。このＰ形ZnSe層を用いて従来困難であったpn接合の
形成ができ青色の発光ダイオードを得る事ができた。
前述の実施例ではZn,Seを半導体材料として用いたが
これに限らず、Te,Sなどを原料とした他のII−VI族化合
物半導体を材料としてもよい。
上述の実施例ではガス状の材料を用いたMBE成長を行
なったがこれに限らず金属材料を用いたMBE成長を行な
ってもよい。
（発明の効果） 以上説明したように、本発明によれば、II−VI族化合
物半導体の成長において窒素をII−VI半導体層中の格子
位置に十分添加できるのでＰ形電導特性が容易に得られ
pn接合を形成することができ、青色の発光ダイオードが
得られる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例に用いたMBE装置の概略図で
ある。 図において、１……窒素プラズマ源、２……基板、３…
…ジメチルジンク、４……セレン化水素、５……ZnSe
層。
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) C30B 1/00 - 35/00 H01L 21/203 H01L 33/00 H01S 3/18

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】分子線エピタキシー（MBE）法によるII−V
    I族化合物半導体の結晶成長において、II−VI族化合物
    半導体の成長中に窒素プラズマを照射し、窒素原子を添
    加する事を特徴とする半導体結晶成長方法。
JP25441190A 1990-09-25 1990-09-25 半導体結晶成長方法 Expired - Lifetime JP2803353B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP25441190A JP2803353B2 (ja) 1990-09-25 1990-09-25 半導体結晶成長方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP25441190A JP2803353B2 (ja) 1990-09-25 1990-09-25 半導体結晶成長方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH04132699A JPH04132699A (ja) 1992-05-06
JP2803353B2 true JP2803353B2 (ja) 1998-09-24

Family

ID=17264604

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP25441190A Expired - Lifetime JP2803353B2 (ja) 1990-09-25 1990-09-25 半導体結晶成長方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2803353B2 (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5772759A (en) * 1992-09-28 1998-06-30 Aixtron Gmbh Process for producing p-type doped layers, in particular, in II-VI semiconductors
DE4232504B4 (de) * 1992-09-28 2010-01-21 Aixtron Gmbh Verfahren zur Herstellung von p-dotierten Schichten insbesondere in II-VI-Halbleitern

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60170942A (ja) * 1984-02-16 1985-09-04 Sanyo Electric Co Ltd ２−６族化合物半導体の分子線エピタキシヤル成長方法
JPS61117199A (ja) * 1984-11-08 1986-06-04 Nec Corp 結晶成長法
JPS62119193A (ja) * 1985-11-15 1987-05-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体の製造方法
JPS6270290A (ja) * 1985-09-19 1987-03-31 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体の製造方法
JPS6270289A (ja) * 1985-09-19 1987-03-31 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体の製造方法
JPS62207795A (ja) * 1986-03-06 1987-09-12 Nec Corp ３−５化合物半導体の分子線結晶成長方法
JPH06104600B2 (ja) * 1987-05-30 1994-12-21 松下電器産業株式会社 半導体の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JPH04132699A (ja) 1992-05-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US3751310A (en) Germanium doped epitaxial films by the molecular beam method
US7622398B2 (en) Semiconductor device, semiconductor layer and production method thereof
Zavada et al. Hydrogenation of GaN, AlN, and InN
Chiang et al. p‐n junction formation in InSb and InAs1− xSbx by metalorganic chemical vapor deposition
JPH02503495A (ja) シリコンエレクトロルミネセント素子
Tell et al. Motion of p‐n junctions in CuInSe2
JP2905667B2 (ja) Ｉｉ−ｖｉ族化合物半導体薄膜の製造方法およびｉｉ−ｖｉ族化合物半導体装置
Kolodziejski et al. Wide-Bandgap II-VI Heterostructures for Blue/Green Optical Sources: Key Materials Issues
JP2803353B2 (ja) 半導体結晶成長方法
Bedair et al. GaAsP-GaInAsSb superlattices: A new structure for electronic devices
Tsang GaInAsP/InP double heterostructure lasers emitting at 1.5 μm grown by chemical beam epitaxy
JP3410299B2 (ja) 高濃度にドーピングしたＺｎＳｅ結晶の製造方法
Ahrenkiel et al. Transport properties of GaAs 1− x N x thin films grown by metalorganic chemical vapor deposition
JPH0553759B2 (ja)
JPS5997595A (ja) 液相エピタキシヤル成長方法
Smith et al. The growth of CdHgTe on GaAs and fabrication of high‐quality photodiodes
Nuese et al. Vapor-grown In 1− x Ga x P electroluminescent junctions on GaAs
JP2946280B2 (ja) 半導体結晶成長方法
JPS5846617A (ja) 化合物半導体ｐｎ接合の形成方法
US3746943A (en) Semiconductor electronic device
JP3396317B2 (ja) 化合物半導体結晶成長方法及び不純物ドーピング方法
JPS5853827A (ja) 化合物半導体ｐｎ接合の製作法
Suzuki et al. Electrical properties of Zn+-doped (AlGa) As prepared by molecular beam epitaxy and its use in shallow junction solar cells
JPS62271438A (ja) 結晶成長方法
Chowdhury MOCVD growth for UV photodetectors and light emitting diodes

Legal Events

Date Code Title Description
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070717

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080717

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090717

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100717

Year of fee payment: 12

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110717

Year of fee payment: 13

EXPY Cancellation because of completion of term
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110717

Year of fee payment: 13