JP2798124B2 - 光導波路デバイス及びその製造方法 - Google Patents
光導波路デバイス及びその製造方法Info
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- JP2798124B2 JP2798124B2 JP7732596A JP7732596A JP2798124B2 JP 2798124 B2 JP2798124 B2 JP 2798124B2 JP 7732596 A JP7732596 A JP 7732596A JP 7732596 A JP7732596 A JP 7732596A JP 2798124 B2 JP2798124 B2 JP 2798124B2
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，波長多重光通信方
式などに有用な，アレイ導波路格子を有する光導波路デ
バイスに関する。
式などに有用な，アレイ導波路格子を有する光導波路デ
バイスに関する。
【０００２】
【従来の技術】波長多重光通信方式においては，波長多
重された複数の信号光を，分波する，あるいは複数の信
号光を１本の導波路に合波する機能のデバイスが不可欠
である。そのような機能を有する光デバイスとして，ア
レイ導波路格子を用いた素子（以下，ＡＷＧと呼ぶ）が
有力視されている。その一例として，高橋らによって，
１９９２年発行の電子情報通信学会春季大会予稿第４分
冊の第２７２頁に，開示されたＡＷＧの平面構造図を図
５に示す。この例においてはＳｉ基板からなる導波路基
板５１上に石英系の光導波路を形成しており，１１本の
入力光導波路５２，凹面構造のスラブ導波路からなる入
力側スターカップラ５３，アレイ導波路格子５４，出力
側スターカップラ５５，出力導波路５６からなる。１１
本の入力導波路５２の内の１本の導波路から入力され
た，波長の異なる複数の信号光は，アレイ導波路格子部
５４で波長によって決定される位相シフトを受け，異な
る出力ポートに出力される。すなわち，波長多重された
信号光を分波することができる。高橋らは，４１本のア
レイ導波路格子を用い，１．５μｍ波長帯において，周
波数間隔１０Ｇｈｚ，チャンネル数１１の合分波器を製
作し，クロストーク−１４ｄＢ，挿入損失８ｄＢ，３ｄ
Ｂ透過帯域幅６．５Ｇｈｚの特性を得た。比屈折率差は
０．７５％，基板サイズは４ｃｍ×６ｃｍである。同様
のＡＷＧ素子は，特公平７−１１７６１２号公報にも開
示されている。
重された複数の信号光を，分波する，あるいは複数の信
号光を１本の導波路に合波する機能のデバイスが不可欠
である。そのような機能を有する光デバイスとして，ア
レイ導波路格子を用いた素子（以下，ＡＷＧと呼ぶ）が
有力視されている。その一例として，高橋らによって，
１９９２年発行の電子情報通信学会春季大会予稿第４分
冊の第２７２頁に，開示されたＡＷＧの平面構造図を図
５に示す。この例においてはＳｉ基板からなる導波路基
板５１上に石英系の光導波路を形成しており，１１本の
入力光導波路５２，凹面構造のスラブ導波路からなる入
力側スターカップラ５３，アレイ導波路格子５４，出力
側スターカップラ５５，出力導波路５６からなる。１１
本の入力導波路５２の内の１本の導波路から入力され
た，波長の異なる複数の信号光は，アレイ導波路格子部
５４で波長によって決定される位相シフトを受け，異な
る出力ポートに出力される。すなわち，波長多重された
信号光を分波することができる。高橋らは，４１本のア
レイ導波路格子を用い，１．５μｍ波長帯において，周
波数間隔１０Ｇｈｚ，チャンネル数１１の合分波器を製
作し，クロストーク−１４ｄＢ，挿入損失８ｄＢ，３ｄ
Ｂ透過帯域幅６．５Ｇｈｚの特性を得た。比屈折率差は
０．７５％，基板サイズは４ｃｍ×６ｃｍである。同様
のＡＷＧ素子は，特公平７−１１７６１２号公報にも開
示されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら，以上の
ようなＡＷＧ素子では，現状デバイスの波長精度と，温
度特性が大きな問題となっている。すなわち特定のチャ
ンネルの出力波長を，例えば，１５５２．０ｎｍ，波長
間隔を０．５ｎｍと設定したいという場合に，設計通り
の出力光波長を実現することが困難であり，隣り合う波
長と干渉してしまう場合があることから，現状では素子
を製作したあとで，選別を行うことになる。
ようなＡＷＧ素子では，現状デバイスの波長精度と，温
度特性が大きな問題となっている。すなわち特定のチャ
ンネルの出力波長を，例えば，１５５２．０ｎｍ，波長
間隔を０．５ｎｍと設定したいという場合に，設計通り
の出力光波長を実現することが困難であり，隣り合う波
長と干渉してしまう場合があることから，現状では素子
を製作したあとで，選別を行うことになる。
【０００４】また，ＡＷＧ素子を複数用いることによっ
て，光信号の足し合わせ，あるいは抜き取りなどのいわ
ゆるＡＤＤ／ＤＲＯＰ／ＭＵＸ（ＡＤＭ）機能を実現す
ることができるが，上述の従来例のように，４ｃｍ×６
ｃｍ程度の大きさとなると，全体に大きなものとなり，
実現可能な機能も制限を受ける。また素子サイズが大き
いと，温度制御を行うためのペルチエ素子の消費電力も
大きくなってしまうことから，できる限り素子サイズを
小さくすることが望まれる。
て，光信号の足し合わせ，あるいは抜き取りなどのいわ
ゆるＡＤＤ／ＤＲＯＰ／ＭＵＸ（ＡＤＭ）機能を実現す
ることができるが，上述の従来例のように，４ｃｍ×６
ｃｍ程度の大きさとなると，全体に大きなものとなり，
実現可能な機能も制限を受ける。また素子サイズが大き
いと，温度制御を行うためのペルチエ素子の消費電力も
大きくなってしまうことから，できる限り素子サイズを
小さくすることが望まれる。
【０００５】そこで，本発明の技術的課題は，波長精度
が十分高いＡＷＧ素子等の光導波路デバイスとその製造
方法とを提供することにある。
が十分高いＡＷＧ素子等の光導波路デバイスとその製造
方法とを提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上述の課題は，波長精度
の向上のために屈折率調整領域の導入したことによって
解決される。
の向上のために屈折率調整領域の導入したことによって
解決される。
【０００７】即ち，本発明の光導波路デバイスは，基板
上に形成された入出力光導波路，入出力光カップラ，及
びアレイ導波路格子を備えた光導波路デバイスにおい
て，少なくとも前記光カップラの一部に，屈折率調整領
域が形成されていることを特徴としている。
上に形成された入出力光導波路，入出力光カップラ，及
びアレイ導波路格子を備えた光導波路デバイスにおい
て，少なくとも前記光カップラの一部に，屈折率調整領
域が形成されていることを特徴としている。
【０００８】また，本発明によれば，前記屈折率調整領
域には金属薄膜からなるヒータ電極が形成されているこ
とを特徴とする。
域には金属薄膜からなるヒータ電極が形成されているこ
とを特徴とする。
【０００９】また，本発明の光導波路デバイスは，基板
上に入出力光導波路，入出力光カップラ，アレイ導波路
格子を形成する光導波路デバイスの製造方法において，
少なくとも前記光カップラの一部に，屈折率調整領域を
形成する工程を含むことを特徴としている。
上に入出力光導波路，入出力光カップラ，アレイ導波路
格子を形成する光導波路デバイスの製造方法において，
少なくとも前記光カップラの一部に，屈折率調整領域を
形成する工程を含むことを特徴としている。
【００１０】さらに，本発明の光導波路デバイスの製造
方法においては，前記屈折率調整領域を，レーザ露光法
によって形成することを特徴としている。
方法においては，前記屈折率調整領域を，レーザ露光法
によって形成することを特徴としている。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下に，本発明の実施の形態を示
す図面等を用いて説明する。
す図面等を用いて説明する。
【００１２】図１は本発明の第１の実施の形態による光
導波路デバイスの構成を示す平面図である。図１を参照
すると，光導波路デバイスは導波路基板１上に形成され
た入力導波路２，出力導波路６，入力側及び出力側の２
つのスターカップラ３，５，及びアレイ導波路格子４か
ら構成されている。入力導波路２の内の１本から，波長
多重された光信号を導入すると，アレイ導波路格子部４
で光路差に応じた位相シフトを受け，出力側のスターカ
ップラ５を介して，出力側の導波路６に波長毎に分離さ
れて出力される。本発明の第１の実施の形態では，波長
精度を向上させるために，入力側のスターカップラ３の
一部に，斜線で示すように，屈折率調整領域１１を形成
した。この屈折率調整領域１１で，他の領域との屈折率
とに差をつけると，入力側スターカップラ３内でプリズ
ム効果による光路の曲がりが生じ，出力導波路側の特定
のチャンネルで出力される光波長が変化することにな
る。このような屈折率調整領域１１はレーザ露光法等の
手法によって，作りつけで形成してもよいし，またヒー
タ電極を形成して，素子を作製したあとで，波長分波特
性に応じて，ヒータに電流を流し，所望の波長に設定し
てもよい。
導波路デバイスの構成を示す平面図である。図１を参照
すると，光導波路デバイスは導波路基板１上に形成され
た入力導波路２，出力導波路６，入力側及び出力側の２
つのスターカップラ３，５，及びアレイ導波路格子４か
ら構成されている。入力導波路２の内の１本から，波長
多重された光信号を導入すると，アレイ導波路格子部４
で光路差に応じた位相シフトを受け，出力側のスターカ
ップラ５を介して，出力側の導波路６に波長毎に分離さ
れて出力される。本発明の第１の実施の形態では，波長
精度を向上させるために，入力側のスターカップラ３の
一部に，斜線で示すように，屈折率調整領域１１を形成
した。この屈折率調整領域１１で，他の領域との屈折率
とに差をつけると，入力側スターカップラ３内でプリズ
ム効果による光路の曲がりが生じ，出力導波路側の特定
のチャンネルで出力される光波長が変化することにな
る。このような屈折率調整領域１１はレーザ露光法等の
手法によって，作りつけで形成してもよいし，またヒー
タ電極を形成して，素子を作製したあとで，波長分波特
性に応じて，ヒータに電流を流し，所望の波長に設定し
てもよい。
【００１３】具体的には，Ｓｉ基板上にＧＰＳＧ（Ｇ
ｅ，Ｐをドープした石英ガラス）膜をクラッド層，及び
コア層とした導波路基板１に，図１に示すような配置
で，入出力導波路２，６入力側及び出力側のスターカッ
プラ３，５，アレイ導波路格子部４を形成する。Ｇｅの
ドーピング量を調整することによって屈折率を調整でき
るが，この例においてはコア層の断面サイズを６μｍ×
６μｍ，コア層とクラッド層の屈折率差は０．６％とし
た。入出力導波路はともに８本，周波数間隔１００ＧＨ
ｚとした。また入力側カップラの一部に，図１に示すよ
うな屈折率調整領域を形成し，そこでは上部クラッド層
の上にＣｒヒータ電極を形成した。そこに電流を流して
加熱することによって，ＴＯ効果による屈折率変化が生
じ，出力ポート側からの波長を微調整することが可能と
なった。この例においては０．６Ｗの電力によって４番
目の出力ポートからの波長を約２ｎｍ微調する事ができ
た。
ｅ，Ｐをドープした石英ガラス）膜をクラッド層，及び
コア層とした導波路基板１に，図１に示すような配置
で，入出力導波路２，６入力側及び出力側のスターカッ
プラ３，５，アレイ導波路格子部４を形成する。Ｇｅの
ドーピング量を調整することによって屈折率を調整でき
るが，この例においてはコア層の断面サイズを６μｍ×
６μｍ，コア層とクラッド層の屈折率差は０．６％とし
た。入出力導波路はともに８本，周波数間隔１００ＧＨ
ｚとした。また入力側カップラの一部に，図１に示すよ
うな屈折率調整領域を形成し，そこでは上部クラッド層
の上にＣｒヒータ電極を形成した。そこに電流を流して
加熱することによって，ＴＯ効果による屈折率変化が生
じ，出力ポート側からの波長を微調整することが可能と
なった。この例においては０．６Ｗの電力によって４番
目の出力ポートからの波長を約２ｎｍ微調する事ができ
た。
【００１４】次に図２を用いて本発明の第２の実施によ
る光導波路デバイスについて説明する。この実施の形態
においてもＡＷＧの基本構成は第１の実施の形態又は従
来技術と同様であり，入出力光導波路２，６，入力側，
出力側２つのスターカップラ３′，５，アレイ導波路格
子部４からなる。第２の実施の形態での第１の実施の形
態及び従来技術と異なる点は，アレイ導波路格子部４の
一部にコア層の側面部に溝を形成した溝形成領域１２を
有することである。これによってコア層により強く光を
閉じこめ，したがって，アレイ導波路格子部４を小型に
することが可能となる。またこの実施の形態では，受動
光導波路部分での損失を補償するために，ＬＤ光アンプ
アレイ１３をＳｉ基板上に実装している。
る光導波路デバイスについて説明する。この実施の形態
においてもＡＷＧの基本構成は第１の実施の形態又は従
来技術と同様であり，入出力光導波路２，６，入力側，
出力側２つのスターカップラ３′，５，アレイ導波路格
子部４からなる。第２の実施の形態での第１の実施の形
態及び従来技術と異なる点は，アレイ導波路格子部４の
一部にコア層の側面部に溝を形成した溝形成領域１２を
有することである。これによってコア層により強く光を
閉じこめ，したがって，アレイ導波路格子部４を小型に
することが可能となる。またこの実施の形態では，受動
光導波路部分での損失を補償するために，ＬＤ光アンプ
アレイ１３をＳｉ基板上に実装している。
【００１５】実際には，第２の実施に形態においても，
第１の実施の形態と同様の手法で受動光導波路を形成
し，アレイ導波路格子４の曲線部分の一部に，コア層横
の溝を形成した。その部分での断面図を図３に示す。幅
８μｍ，厚さ６μｍのコア層２３の両側に２μｍ離れた
位置に溝２５を形成した。コア層２３の横方向にしみ出
した光を溝２５の壁面によって閉じこめることになり，
アレイ導波路格子の曲線部分で，曲率半径を小さく，し
たがって素子サイズを小さくすることが可能となる。溝
２５の形成によって若干の損失増加を招くが，問題にな
るレベルではない。
第１の実施の形態と同様の手法で受動光導波路を形成
し，アレイ導波路格子４の曲線部分の一部に，コア層横
の溝を形成した。その部分での断面図を図３に示す。幅
８μｍ，厚さ６μｍのコア層２３の両側に２μｍ離れた
位置に溝２５を形成した。コア層２３の横方向にしみ出
した光を溝２５の壁面によって閉じこめることになり，
アレイ導波路格子の曲線部分で，曲率半径を小さく，し
たがって素子サイズを小さくすることが可能となる。溝
２５の形成によって若干の損失増加を招くが，問題にな
るレベルではない。
【００１６】第２の実施の形態では，従来技術と比べ
て，曲線導波路部分の曲率半径を２５％低減することが
できた。また，第２の実施の形態では出力導波路の一部
にＬＤ光アンプアレイ１３を実装し，素子全体として光
の利得を生じさせることをはかった。その横方向の断面
図を図４に示す。入出力側両方にスポットサイズ変換領
域を形成したＬＤアンプアレイの活性層１４と石英導波
路のコア層２３が光学的に良好に結合するように，ＬＤ
アンプアレイ１３の下部に半田バンプ２６を形成した。
実際にはＩｎＰ系の８ｃｈＬＤアンプアレイを用い，光
結合損失片側２ｄＢ，各ｃｈに１００ｍＡの電流を注入
することにより，ＡＷＧモジュール全体として５ｄＢの
利得を有する特性が得られた。この例では曲率半径が小
さくなり，小型化されたアレイ導波路格子部を集中的に
温調する事により，良好に波長の制御を行え，またＡＷ
Ｇ部分としては従来技術に比べて，面積で約３０％小型
化が図られ，したがって１つのパネルに搭載できるモジ
ュール数が増えることから，より高機能な動作を実現で
きる。
て，曲線導波路部分の曲率半径を２５％低減することが
できた。また，第２の実施の形態では出力導波路の一部
にＬＤ光アンプアレイ１３を実装し，素子全体として光
の利得を生じさせることをはかった。その横方向の断面
図を図４に示す。入出力側両方にスポットサイズ変換領
域を形成したＬＤアンプアレイの活性層１４と石英導波
路のコア層２３が光学的に良好に結合するように，ＬＤ
アンプアレイ１３の下部に半田バンプ２６を形成した。
実際にはＩｎＰ系の８ｃｈＬＤアンプアレイを用い，光
結合損失片側２ｄＢ，各ｃｈに１００ｍＡの電流を注入
することにより，ＡＷＧモジュール全体として５ｄＢの
利得を有する特性が得られた。この例では曲率半径が小
さくなり，小型化されたアレイ導波路格子部を集中的に
温調する事により，良好に波長の制御を行え，またＡＷ
Ｇ部分としては従来技術に比べて，面積で約３０％小型
化が図られ，したがって１つのパネルに搭載できるモジ
ュール数が増えることから，より高機能な動作を実現で
きる。
【００１７】
【発明の効果】以上説明したように，本発明によれば，
カップラ部分に屈折率調整領域を導入することによっ
て，素子の波長精度を向上した光導波路デバイスとその
製造方法が得られる。
カップラ部分に屈折率調整領域を導入することによっ
て，素子の波長精度を向上した光導波路デバイスとその
製造方法が得られる。
【図１】本発明の第１の実施の形態による光導波路デバ
イスを示す平面図である。
イスを示す平面図である。
【図２】本発明の第２の実施の形態による光導波路デバ
イスを示す平面図である。
イスを示す平面図である。
【図３】第２の実施の形態においてアレイ導波路格子部
の曲線部分の断面構造図である。
の曲線部分の断面構造図である。
【図４】第２の実施の形態において出力導波路部分の横
方向断面構造図である。
方向断面構造図である。
【図５】従来技術によるＡＷＧ素子の平面図である。
１ 導波路基板 ２ 入力導波路 ３，３′ 入力カップラ ４ アレイ導波路格子 ５ 出力カップラ ６ 出力導波路 １１ 屈折率調整領域 １２ 溝形成領域 １３ ＬＤ光アンプアレイ ２１ Ｓｉ基板 ２２ 下部クラッド層 ２３ コア層 ２４ 上部クラッド層 ２５ 溝 ２６ 半田バンプ
Claims (4)
- 【請求項１】 基板上に形成された入出力光導波路，入
出力光カップラ，及びアレイ導波路格子を備えた光導波
路デバイスにおいて，少なくとも前記光カップラの一部
に，屈折率調整領域が形成されていることを特徴とす
る，光導波路デバイス。 - 【請求項２】 前記屈折率調整領域には金属薄膜からな
るヒータ電極が形成されていることを特徴とする，請求
項１に記載の光導波路デバイス。 - 【請求項３】 基板上に入出力光導波路，入出力光カッ
プラ及びアレイ導波路格子を形成する光導波路デバイス
の製造方法において，少なくとも前記光カップラの一部
に，屈折率調整領域を形成する工程を含むことを特徴と
する光導波路デバイスの製造方法。 - 【請求項４】 前記屈折率調整領域を，レーザ露光法に
よって形成することを特徴とする請求項３に記載の光導
波路デバイスの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7732596A JP2798124B2 (ja) | 1996-03-29 | 1996-03-29 | 光導波路デバイス及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7732596A JP2798124B2 (ja) | 1996-03-29 | 1996-03-29 | 光導波路デバイス及びその製造方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10433598A Division JPH10268149A (ja) | 1998-04-15 | 1998-04-15 | 光導波路デバイス |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09269514A JPH09269514A (ja) | 1997-10-14 |
| JP2798124B2 true JP2798124B2 (ja) | 1998-09-17 |
Family
ID=13630792
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7732596A Expired - Fee Related JP2798124B2 (ja) | 1996-03-29 | 1996-03-29 | 光導波路デバイス及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2798124B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2770307B1 (fr) | 1997-10-27 | 1999-11-26 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif a reseau de phase ou phasar et procede de fabrication de celui-ci |
| GB2366624A (en) * | 2000-09-01 | 2002-03-13 | Kymata Ltd | Optical arrayed waveguide grating |
| KR100386778B1 (ko) * | 2000-12-19 | 2003-06-02 | (주)에스엘테크놀로지 | 전광섬유 간섭계형 파장 합파/분파기 |
-
1996
- 1996-03-29 JP JP7732596A patent/JP2798124B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH09269514A (ja) | 1997-10-14 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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