JP2794352B2 - リフロー半田付け装置 - Google Patents
リフロー半田付け装置Info
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- JP2794352B2 JP2794352B2 JP3237371A JP23737191A JP2794352B2 JP 2794352 B2 JP2794352 B2 JP 2794352B2 JP 3237371 A JP3237371 A JP 3237371A JP 23737191 A JP23737191 A JP 23737191A JP 2794352 B2 JP2794352 B2 JP 2794352B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、リフロー半田付け装置
に係り、特に基板を加熱することによりクリーム半田等
から発生して不活性ガス中に含まれるフラックスガスを
冷却することによって液化して分離させて回収すると共
に、リフロー半田付け装置の内部へのフラックスの付着
を防止して残留フラックスによる基板の汚染をほとんど
なくし、またリフロー半田付け装置内部の清掃を容易化
し、その頻度を極めて低くすることができるリフロー半
田付け装置に関する。
に係り、特に基板を加熱することによりクリーム半田等
から発生して不活性ガス中に含まれるフラックスガスを
冷却することによって液化して分離させて回収すると共
に、リフロー半田付け装置の内部へのフラックスの付着
を防止して残留フラックスによる基板の汚染をほとんど
なくし、またリフロー半田付け装置内部の清掃を容易化
し、その頻度を極めて低くすることができるリフロー半
田付け装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】リフロー半田付け装置は、ポリマ基板等
の基板に電子部品を搭載して要半田付け箇所にペースト
状のクリーム半田を塗り、該基板を搬送装置により搬送
してプレヒータにより予備加熱して徐々に温度を上げ、
最終段階で半田付けヒータにより短時間で半田付け温度
（約２５０℃以上）まで加熱してクリーム半田を溶解さ
せて電子部品を基板上の導電回路に半田付けする装置で
ある。従来のリフロー半田付け装置は、予備加熱室及び
半田付け室など複数の部屋に分離した各室内の空気を加
熱装置で加熱し、該加熱空気を介して基板を半田付け温
度まで加熱して半田付けするものであったが、空気がク
リーム半田、電子部品及び基板に接触するため、半田付
け部が酸化して十分な性能が得られないという欠点があ
った。
の基板に電子部品を搭載して要半田付け箇所にペースト
状のクリーム半田を塗り、該基板を搬送装置により搬送
してプレヒータにより予備加熱して徐々に温度を上げ、
最終段階で半田付けヒータにより短時間で半田付け温度
（約２５０℃以上）まで加熱してクリーム半田を溶解さ
せて電子部品を基板上の導電回路に半田付けする装置で
ある。従来のリフロー半田付け装置は、予備加熱室及び
半田付け室など複数の部屋に分離した各室内の空気を加
熱装置で加熱し、該加熱空気を介して基板を半田付け温
度まで加熱して半田付けするものであったが、空気がク
リーム半田、電子部品及び基板に接触するため、半田付
け部が酸化して十分な性能が得られないという欠点があ
った。
【０００３】そこでこの欠点を解消するためにリフロー
半田付け装置内に窒素ガス等の不活性ガスを充満させて
酸化剤である酸素を除去し、該不活性ガスを介して基板
を加熱しクリーム半田、電子部品及び基板の要半田付け
箇所の酸化を防止するようにした装置が提案され、実用
化されている。
半田付け装置内に窒素ガス等の不活性ガスを充満させて
酸化剤である酸素を除去し、該不活性ガスを介して基板
を加熱しクリーム半田、電子部品及び基板の要半田付け
箇所の酸化を防止するようにした装置が提案され、実用
化されている。
【０００４】しかしながらこの不活性ガスを使用するリ
フロー半田付け装置は、窒素ガス等の不活性ガスが高価
であるので、不活性ガスの消費を少なくするためにリフ
ロー半田付け装置の密閉度を上げて不活性ガスの漏れを
最小としている。一方、基板に塗布されたペースト状の
クリーム半田からは、加熱されるとフラックスがガスと
なって蒸発し、繰り返し使用される不活性ガス中に次第
に蓄積されて行く。
フロー半田付け装置は、窒素ガス等の不活性ガスが高価
であるので、不活性ガスの消費を少なくするためにリフ
ロー半田付け装置の密閉度を上げて不活性ガスの漏れを
最小としている。一方、基板に塗布されたペースト状の
クリーム半田からは、加熱されるとフラックスがガスと
なって蒸発し、繰り返し使用される不活性ガス中に次第
に蓄積されて行く。
【０００５】そして従来のこの種のリフロー半田付け装
置においては、予備加熱室及び半田付け室は１５０℃度
以上の温度となっているので、不活性ガス中に含まれる
フラックスガスが液化することはないが、徐冷室の温度
は約７０℃とされているので、不活性ガス中に含まれる
フラックスガスが液化して分離し、徐冷室の壁面、搬送
される基板等に付着し、またリフロー半田付け装置の低
温部に接触すると液化して該部位を汚染するという欠点
があった。
置においては、予備加熱室及び半田付け室は１５０℃度
以上の温度となっているので、不活性ガス中に含まれる
フラックスガスが液化することはないが、徐冷室の温度
は約７０℃とされているので、不活性ガス中に含まれる
フラックスガスが液化して分離し、徐冷室の壁面、搬送
される基板等に付着し、またリフロー半田付け装置の低
温部に接触すると液化して該部位を汚染するという欠点
があった。
【０００６】残留フラックスで汚染された基板は、半田
付け完了後洗浄して該フラックスを除去しなければなら
ず、またリフロー半田付け装置も一定期間ごとに清掃す
る必要があるが、粘度が高く除去することが難しいフラ
ックスが清掃困難なリフロー半田付け装置、特に徐冷室
の細部にまで浸透して付着するので、清掃が大変である
ばかりでなく、清掃頻度が高くなるのが不可避であり、
該清掃に多くの工数を要し、生産効率の低下は避けられ
なかった。
付け完了後洗浄して該フラックスを除去しなければなら
ず、またリフロー半田付け装置も一定期間ごとに清掃す
る必要があるが、粘度が高く除去することが難しいフラ
ックスが清掃困難なリフロー半田付け装置、特に徐冷室
の細部にまで浸透して付着するので、清掃が大変である
ばかりでなく、清掃頻度が高くなるのが不可避であり、
該清掃に多くの工数を要し、生産効率の低下は避けられ
なかった。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明は，上記した従
来技術の欠点を除くためになされたものであって、その
目的とするところは、送風機から送出される不活性ガス
の高圧部に冷却装置を配設することにより不活性ガス中
に含まれるフラックスガスを冷却して液化し、不活性ガ
スから分離させることであり、またこれによって常に不
活性ガスをフラックスガスを含まない清浄な状態で使用
できるようにすると共に、リフロー半田付け装置のフラ
ックスによる汚染を防止して基板の洗浄を容易化し、ま
たリフロー半田付け装置の清掃頻度を極めて少なくし、
生産効率を向上させることである。
来技術の欠点を除くためになされたものであって、その
目的とするところは、送風機から送出される不活性ガス
の高圧部に冷却装置を配設することにより不活性ガス中
に含まれるフラックスガスを冷却して液化し、不活性ガ
スから分離させることであり、またこれによって常に不
活性ガスをフラックスガスを含まない清浄な状態で使用
できるようにすると共に、リフロー半田付け装置のフラ
ックスによる汚染を防止して基板の洗浄を容易化し、ま
たリフロー半田付け装置の清掃頻度を極めて少なくし、
生産効率を向上させることである。
【０００８】また他の目的は、フラックスが回収された
不活性ガスを冷却される以前の温度にまで再び加熱する
加熱装置を設けて、フラックスが除去された不活性ガス
を冷却される以前の温度にまで再び加熱して循環させる
ことにより、不活性ガス中からフラックスガスを除去し
ながら、しかも不活性ガスの温度の低下を防止し、常に
一定の理想的な半田付け温度で電子部品を基板に半田付
けできるようにすることであり、またこれによって、均
一な半田付けを行えるようにして半田付け性能を向上さ
せると共に基板の信頼性を高めることである。
不活性ガスを冷却される以前の温度にまで再び加熱する
加熱装置を設けて、フラックスが除去された不活性ガス
を冷却される以前の温度にまで再び加熱して循環させる
ことにより、不活性ガス中からフラックスガスを除去し
ながら、しかも不活性ガスの温度の低下を防止し、常に
一定の理想的な半田付け温度で電子部品を基板に半田付
けできるようにすることであり、またこれによって、均
一な半田付けを行えるようにして半田付け性能を向上さ
せると共に基板の信頼性を高めることである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明（請求項１）は、
電子部品を搭載した基板を搬送装置により搬送しながら
不活性ガスを充満させたガス室内で加熱して半田付けす
るリフロー半田付け装置において、前記ガス室内の前記
不活性ガスを循環させる送風機と、該送風機から送出さ
れる前記不活性ガスの高圧部に配設され該高温の不活性
ガスを冷却して該不活性ガス中に含まれるフラックスガ
スを液化して回収するフラックス回収装置とを備えたこ
とを特徴とするものである。また、本発明（請求項２）
は、電子部品を搭載した基板を搬送装置により搬送しな
がら不活性ガスを充満させたガス室内で加熱して半田付
けするリフロー半田付け装置において、前記ガス室内の
前記不活性ガスを循環させる送風機と、該送風機から送
出される前記不活性ガスの高圧部に配設され該高温の不
活性ガスを冷却して該不活性ガス中に含まれるフラック
スガスを液化する冷却装置と該冷却されたフラックスが
回収された不活性ガスを冷却される以前の温度にまで再
び加熱する加熱装置とからなるフラックス回収装置とを
備えたことを特徴とするものである。
電子部品を搭載した基板を搬送装置により搬送しながら
不活性ガスを充満させたガス室内で加熱して半田付けす
るリフロー半田付け装置において、前記ガス室内の前記
不活性ガスを循環させる送風機と、該送風機から送出さ
れる前記不活性ガスの高圧部に配設され該高温の不活性
ガスを冷却して該不活性ガス中に含まれるフラックスガ
スを液化して回収するフラックス回収装置とを備えたこ
とを特徴とするものである。また、本発明（請求項２）
は、電子部品を搭載した基板を搬送装置により搬送しな
がら不活性ガスを充満させたガス室内で加熱して半田付
けするリフロー半田付け装置において、前記ガス室内の
前記不活性ガスを循環させる送風機と、該送風機から送
出される前記不活性ガスの高圧部に配設され該高温の不
活性ガスを冷却して該不活性ガス中に含まれるフラック
スガスを液化する冷却装置と該冷却されたフラックスが
回収された不活性ガスを冷却される以前の温度にまで再
び加熱する加熱装置とからなるフラックス回収装置とを
備えたことを特徴とするものである。
【００１０】
【実施例】以下本発明を図面に示す実施例に基いて説明
する。図１から図６において、本発明の第１実施例に係
るリフロー自動半田付け装置１は、送風機２と、フラッ
クス回収装置３とを備えている。
する。図１から図６において、本発明の第１実施例に係
るリフロー自動半田付け装置１は、送風機２と、フラッ
クス回収装置３とを備えている。
【００１１】まず図１及び図２を参照して、リフロー自
動半田付け装置１の基本構成について説明する。リフロ
ー自動半田付け装置１の框体４は、隔壁５によって予備
加熱室ＰＨ1 、ＰＨ2 、リフロー半田付け室ＲＦ及び徐
冷室ＣＬに分割された加熱室６が形成されており、各室
の構造は、後に詳述する図２に示す如く構成され、内部
の温度が異なるだけで略同様の構造となっている。
動半田付け装置１の基本構成について説明する。リフロ
ー自動半田付け装置１の框体４は、隔壁５によって予備
加熱室ＰＨ1 、ＰＨ2 、リフロー半田付け室ＲＦ及び徐
冷室ＣＬに分割された加熱室６が形成されており、各室
の構造は、後に詳述する図２に示す如く構成され、内部
の温度が異なるだけで略同様の構造となっている。
【００１２】予備加熱室ＰＨ1 、ＰＨ2 、リフロー半田
付け室ＲＦ及び徐冷室ＣＬには、これを貫通する如く搬
送装置の一例たる公知の無端のチェーンコンベア８が配
設されており、搬入ステーション９において搬入された
基板１０を矢印Ａ方向に搬送して予備加熱室ＰＨ1 、Ｐ
Ｈ2、リフロー半田付け室ＲＦ、徐冷室ＣＬへと順次搬
送して搬出ステーション１１に搬出するように構成され
ている。
付け室ＲＦ及び徐冷室ＣＬには、これを貫通する如く搬
送装置の一例たる公知の無端のチェーンコンベア８が配
設されており、搬入ステーション９において搬入された
基板１０を矢印Ａ方向に搬送して予備加熱室ＰＨ1 、Ｐ
Ｈ2、リフロー半田付け室ＲＦ、徐冷室ＣＬへと順次搬
送して搬出ステーション１１に搬出するように構成され
ている。
【００１３】図２において、窒素ガス等の不活性ガスが
充満する互いに独立して構成された予備加熱室ＰＨ1 、
ＰＨ2 、リフロー半田付け室ＲＦ及び徐冷室ＣＬ内に
は、ケーシング１２が配設されており、加熱室６の外壁
との間に上昇循環通路６Ｕが、またケーシング１２内に
下降循環通路６Ｄが形成されている。
充満する互いに独立して構成された予備加熱室ＰＨ1 、
ＰＨ2 、リフロー半田付け室ＲＦ及び徐冷室ＣＬ内に
は、ケーシング１２が配設されており、加熱室６の外壁
との間に上昇循環通路６Ｕが、またケーシング１２内に
下降循環通路６Ｄが形成されている。
【００１４】ケーシング１２内のチェーンコンベア８の
上方には、電熱器１３が多数の穴１４ａがあけられた金
属板１４で挟持され、サンドイッチ構造とされた加熱装
置１５が配設されており、予備加熱室ＰＨ1 内を約１８
０℃に、予備加熱室ＰＨ2 内を約１５０℃に、リフロー
半田付け室ＲＦ内を約２５０℃に、また徐冷室ＣＬ内を
約１５０℃となるように加熱制御するようになってお
り、チェーンコンベア８に積載された基板１０を矢印Ａ
方向に搬送しながら予備加熱室ＰＨ1 、ＰＨ2 で予備加
熱した後、リフロー半田付け室ＲＦで急速に半田付け温
度にまで加熱して半田付けし、徐冷室ＣＬで徐々に冷却
して搬出ステーション１１から搬出するようになってい
る。
上方には、電熱器１３が多数の穴１４ａがあけられた金
属板１４で挟持され、サンドイッチ構造とされた加熱装
置１５が配設されており、予備加熱室ＰＨ1 内を約１８
０℃に、予備加熱室ＰＨ2 内を約１５０℃に、リフロー
半田付け室ＲＦ内を約２５０℃に、また徐冷室ＣＬ内を
約１５０℃となるように加熱制御するようになってお
り、チェーンコンベア８に積載された基板１０を矢印Ａ
方向に搬送しながら予備加熱室ＰＨ1 、ＰＨ2 で予備加
熱した後、リフロー半田付け室ＲＦで急速に半田付け温
度にまで加熱して半田付けし、徐冷室ＣＬで徐々に冷却
して搬出ステーション１１から搬出するようになってい
る。
【００１５】送風機２は、加熱室６内に充満する加熱さ
れた窒素ガス等の不活性ガスを強制循環させるためのも
のであって、予備加熱室ＰＨ1 、ＰＨ2 、リフロー半田
付け室ＲＦ及び徐冷室ＣＬの下部に夫々配設された例え
ばシロッコファン等の遠心送風機でボールベアリング等
の軸受１６によって支持された軸１８に固定されたプー
リ１９とモータ２０のプーリ２１との間にベルト２２が
巻き掛けられており、該モータ２０によって駆動される
ようになっている。
れた窒素ガス等の不活性ガスを強制循環させるためのも
のであって、予備加熱室ＰＨ1 、ＰＨ2 、リフロー半田
付け室ＲＦ及び徐冷室ＣＬの下部に夫々配設された例え
ばシロッコファン等の遠心送風機でボールベアリング等
の軸受１６によって支持された軸１８に固定されたプー
リ１９とモータ２０のプーリ２１との間にベルト２２が
巻き掛けられており、該モータ２０によって駆動される
ようになっている。
【００１６】そして加熱室６内に充満する窒素ガスを吸
引して加熱装置１５で加熱した後、下降循環通路６Ｄ中
を矢印Ｂ方向に降下させ、チェーンコンベア８により矢
印Ａ方向に搬送される基板１０を加熱した後、送風機２
で矢印Ｃ方向に圧送し、上昇循環通路６Ｕを通して再び
矢印Ｄ方向に上昇させ、循環させるように構成されてい
る。
引して加熱装置１５で加熱した後、下降循環通路６Ｄ中
を矢印Ｂ方向に降下させ、チェーンコンベア８により矢
印Ａ方向に搬送される基板１０を加熱した後、送風機２
で矢印Ｃ方向に圧送し、上昇循環通路６Ｕを通して再び
矢印Ｄ方向に上昇させ、循環させるように構成されてい
る。
【００１７】フラックス回収装置３は、図３から図６も
参照して、フラックスガスを含む窒素ガスを冷却してフ
ラックスガスを液化して分離させるためのものであっ
て、予備加熱室ＰＨ2 及び徐冷室ＣＬの下方に送風機２
と対向して配設されている。またフラックス回収装置３
は、金属板により製作され、内部が空洞に形成された略
箱状に形成され、送風機２によって圧送される窒素ガス
が高圧となる送風機２と対向する面には、ガス流入口３
ａが大きく開口し、両側面３ｂにはガス流入口３ａの開
口面積と比較してかなり小さな面積を持つガス流出口３
ｃが開口している。
参照して、フラックスガスを含む窒素ガスを冷却してフ
ラックスガスを液化して分離させるためのものであっ
て、予備加熱室ＰＨ2 及び徐冷室ＣＬの下方に送風機２
と対向して配設されている。またフラックス回収装置３
は、金属板により製作され、内部が空洞に形成された略
箱状に形成され、送風機２によって圧送される窒素ガス
が高圧となる送風機２と対向する面には、ガス流入口３
ａが大きく開口し、両側面３ｂにはガス流入口３ａの開
口面積と比較してかなり小さな面積を持つガス流出口３
ｃが開口している。
【００１８】箱状とされたフラックス回収装置３の内部
には水等の冷却液を供給及び回収する冷却パイプ２３が
配管され、該冷却パイプ２３には多数のフィン２４が固
定されている。冷却パイプ２３中に冷却液を矢印Ｅ方向
に流入させ、矢印Ｆ方向に回収してフィン２４を冷却す
るようになっている。そして送風機２によって圧送され
るガス状のフラックスを含む高温の窒素ガスをガス流入
口３ａから矢印Ｃ方向に取り入れ、多数のフィン２４に
接触させることにより約７０℃以下に冷却し、フラック
スガスを液化して窒素ガスから分離させるように構成さ
れている。
には水等の冷却液を供給及び回収する冷却パイプ２３が
配管され、該冷却パイプ２３には多数のフィン２４が固
定されている。冷却パイプ２３中に冷却液を矢印Ｅ方向
に流入させ、矢印Ｆ方向に回収してフィン２４を冷却す
るようになっている。そして送風機２によって圧送され
るガス状のフラックスを含む高温の窒素ガスをガス流入
口３ａから矢印Ｃ方向に取り入れ、多数のフィン２４に
接触させることにより約７０℃以下に冷却し、フラック
スガスを液化して窒素ガスから分離させるように構成さ
れている。
【００１９】多数のフィン２４の奥にはくの字形の整流
板２５が配設されており、フィン２４の間を通って圧送
される窒素ガスを左右に分流させてガス流出口３ｃから
矢印Ｇ又はＨ方向に流出させるようになっている。また
フラックス回収装置３の底部３ｄにはコック２６が装着
されたフラックス回収パイプ２８が配管されている。
板２５が配設されており、フィン２４の間を通って圧送
される窒素ガスを左右に分流させてガス流出口３ｃから
矢印Ｇ又はＨ方向に流出させるようになっている。また
フラックス回収装置３の底部３ｄにはコック２６が装着
されたフラックス回収パイプ２８が配管されている。
【００２０】次に、図７から図９を参照して、本発明の
第２実施例について説明する。この実施例では、フィン
２４と整流板２５との間に多数の穴２９ａがあけられた
加熱板２９が装着された加熱装置３０が配設されてお
り、フィン２４によって冷却されフラックスガスが液化
して分離した窒素ガスを再び加熱してフラックス回収装
置３に流入する以前とほぼ同じ温度にまで昇温させた
後、整流板２５で左右に分流させてガス流出口３ｃから
矢印Ｇ又はＨ方向に流出させるようになっている。そし
て冷却パイプ２３及びフィン２４の方向が異なる以外は
第１実施例と全く同じ構成となっているので、同一部分
には図面に同一の符号を付して説明を省略する。
第２実施例について説明する。この実施例では、フィン
２４と整流板２５との間に多数の穴２９ａがあけられた
加熱板２９が装着された加熱装置３０が配設されてお
り、フィン２４によって冷却されフラックスガスが液化
して分離した窒素ガスを再び加熱してフラックス回収装
置３に流入する以前とほぼ同じ温度にまで昇温させた
後、整流板２５で左右に分流させてガス流出口３ｃから
矢印Ｇ又はＨ方向に流出させるようになっている。そし
て冷却パイプ２３及びフィン２４の方向が異なる以外は
第１実施例と全く同じ構成となっているので、同一部分
には図面に同一の符号を付して説明を省略する。
【００２１】本発明は、上記のように構成されており、
以下その作用について説明する。図１から図６に示す第
１実施例においては、まず搬入ステーション９におい
て、基板１０をチェーンコンベア８に積載すると、基板
１０は、矢印Ａ方向に搬送され、窒素ガスが約１８０℃
に加熱されている予備加熱室ＰＨ1 において急速に加熱
され、比較的小型の熱容量の小さい電子部品３１は、す
ぐに窒素ガスの温度と同じ約１８０℃まで加熱される
が、比較的大型の熱容量も大きい電子部品３１は、表面
部は約１８０℃まで加熱されるが、内部は十分加熱され
ずにこれより低い温度となつている。
以下その作用について説明する。図１から図６に示す第
１実施例においては、まず搬入ステーション９におい
て、基板１０をチェーンコンベア８に積載すると、基板
１０は、矢印Ａ方向に搬送され、窒素ガスが約１８０℃
に加熱されている予備加熱室ＰＨ1 において急速に加熱
され、比較的小型の熱容量の小さい電子部品３１は、す
ぐに窒素ガスの温度と同じ約１８０℃まで加熱される
が、比較的大型の熱容量も大きい電子部品３１は、表面
部は約１８０℃まで加熱されるが、内部は十分加熱され
ずにこれより低い温度となつている。
【００２２】次いで約１５０℃に加熱されている予備加
熱室ＰＨ2 に搬送され、熱容量の小さい電子部品３１は
温度が下げられ、また熱容量の大きい電子部品３１は更
に徐々に加熱されて全体の温度が調整されて基板１０及
び電子部品３１の全部品が約１５０℃の均一な温度にな
って予備加熱が終了する。
熱室ＰＨ2 に搬送され、熱容量の小さい電子部品３１は
温度が下げられ、また熱容量の大きい電子部品３１は更
に徐々に加熱されて全体の温度が調整されて基板１０及
び電子部品３１の全部品が約１５０℃の均一な温度にな
って予備加熱が終了する。
【００２３】ここで、予備加熱室ＰＨ1 、ＰＨ2 におけ
る基板１０の加熱の状態について詳細に説明すると、図
２も参照して、該予備加熱室ＰＨ1 、ＰＨ2 内におい
て、送風機２が矢印Ｊ方向に回転すると、下降循環通路
６Ｄは負圧となるため、加熱室６上方の窒素ガスは、矢
印Ｂ方向に金属板１４の穴１４ａに流入し、電熱器１３
により加熱された金属板１４と熱交換して加熱された
後、更に下降してチェーンコンベア８によって搬送され
る基板１０に接触して該基板１０及び電子部品３１を加
熱する。そして窒素ガスは、送風機２に吸引され、左右
に流れて上昇循環通路６Ｕ内を矢印Ｄの如く上昇して加
熱装置１５の上方に戻る。
る基板１０の加熱の状態について詳細に説明すると、図
２も参照して、該予備加熱室ＰＨ1 、ＰＨ2 内におい
て、送風機２が矢印Ｊ方向に回転すると、下降循環通路
６Ｄは負圧となるため、加熱室６上方の窒素ガスは、矢
印Ｂ方向に金属板１４の穴１４ａに流入し、電熱器１３
により加熱された金属板１４と熱交換して加熱された
後、更に下降してチェーンコンベア８によって搬送され
る基板１０に接触して該基板１０及び電子部品３１を加
熱する。そして窒素ガスは、送風機２に吸引され、左右
に流れて上昇循環通路６Ｕ内を矢印Ｄの如く上昇して加
熱装置１５の上方に戻る。
【００２４】このとき、窒素ガスの温度は図示しない温
度センサにより検出されて制御装置（図示せず）に伝達
され、該制御装置の指令によって電熱器１３に供給する
電力の調節が行われ、加熱室６内の窒素ガスが所定の温
度となるように制御される。
度センサにより検出されて制御装置（図示せず）に伝達
され、該制御装置の指令によって電熱器１３に供給する
電力の調節が行われ、加熱室６内の窒素ガスが所定の温
度となるように制御される。
【００２５】次いで基板１０は、リフロー半田付け室Ｒ
Ｆに搬送され、ここで予備加熱室ＰＨ1 、ＰＨ2 と同様
にして約２５０℃に加熱された窒素ガスと接触して加熱
されるので、クリーム半田が溶融して電子部品３１が基
板１０の所定の箇所に半田付けされる。予備加熱室ＰＨ
1 、ＰＨ2 及びリフロー半田付け室ＲＦには、不活性の
窒素ガスが充満しており、加熱室６内の酸素濃度は非常
に低く保たれ、１００乃至１０００ｐｐｍ程度となって
いるので、溶融した半田及び電子部品３１のリード線等
が酸化することはなく、理想的な半田付けが行われる。
Ｆに搬送され、ここで予備加熱室ＰＨ1 、ＰＨ2 と同様
にして約２５０℃に加熱された窒素ガスと接触して加熱
されるので、クリーム半田が溶融して電子部品３１が基
板１０の所定の箇所に半田付けされる。予備加熱室ＰＨ
1 、ＰＨ2 及びリフロー半田付け室ＲＦには、不活性の
窒素ガスが充満しており、加熱室６内の酸素濃度は非常
に低く保たれ、１００乃至１０００ｐｐｍ程度となって
いるので、溶融した半田及び電子部品３１のリード線等
が酸化することはなく、理想的な半田付けが行われる。
【００２６】リフロー半田付け室ＲＦにおいて半田付け
され、まだ高温状態にある基板１０は、更に約１５０℃
になっている徐冷室ＣＬに搬送されてゆっくりと冷却さ
れた後、搬出ステーション１１に搬出されて矢印Ａ方向
に搬出される。
され、まだ高温状態にある基板１０は、更に約１５０℃
になっている徐冷室ＣＬに搬送されてゆっくりと冷却さ
れた後、搬出ステーション１１に搬出されて矢印Ａ方向
に搬出される。
【００２７】予備加熱室ＰＨ1 、ＰＨ1 及びリフロー半
田付け室ＲＦで基板１０が加熱される際、クリーム半田
からはフラックスがガス状になって蒸発し、窒素ガスと
混合される。該窒素ガスは密閉度の高いリフロー自動半
田付け装置１内で繰り返し使用されるので、窒素ガスに
含まれるフラックスガスは次第に蓄積されて濃度が高く
なるが、予備加熱室ＰＨ1 及びＰＨ2 、リフロー半田付
け室ＲＦ、徐冷室ＣＬはいずれも１５０℃以上の温度に
保たれているので、フラックスガスが液化することはな
く、窒素ガスに含まれた状態となっている。
田付け室ＲＦで基板１０が加熱される際、クリーム半田
からはフラックスがガス状になって蒸発し、窒素ガスと
混合される。該窒素ガスは密閉度の高いリフロー自動半
田付け装置１内で繰り返し使用されるので、窒素ガスに
含まれるフラックスガスは次第に蓄積されて濃度が高く
なるが、予備加熱室ＰＨ1 及びＰＨ2 、リフロー半田付
け室ＲＦ、徐冷室ＣＬはいずれも１５０℃以上の温度に
保たれているので、フラックスガスが液化することはな
く、窒素ガスに含まれた状態となっている。
【００２８】次に、本発明の主要部であるフラックス回
収装置３によるフラックス回収の状態を図３から図６も
参照して説明する。窒素ガスが１５０℃に加熱されてい
る予備加熱室ＰＨ2 及び徐冷室ＣＬに配設されているフ
ラックス回収装置３のガス流入口３ａからフラックスガ
スを含む窒素ガスが送風機２によって圧送され、矢印Ｃ
方向に流入する。
収装置３によるフラックス回収の状態を図３から図６も
参照して説明する。窒素ガスが１５０℃に加熱されてい
る予備加熱室ＰＨ2 及び徐冷室ＣＬに配設されているフ
ラックス回収装置３のガス流入口３ａからフラックスガ
スを含む窒素ガスが送風機２によって圧送され、矢印Ｃ
方向に流入する。
【００２９】そして冷却液が矢印Ｅ方向に流入すること
により、冷却された冷却パイプ２３及び該冷却パイプ２
３に固定され冷却されている多数のフィン２４に接触す
ることによって１５０℃のフラックスガスを含む窒素ガ
スは、約７０℃にまで冷却される。
により、冷却された冷却パイプ２３及び該冷却パイプ２
３に固定され冷却されている多数のフィン２４に接触す
ることによって１５０℃のフラックスガスを含む窒素ガ
スは、約７０℃にまで冷却される。
【００３０】これによって、窒素ガス中にガスとして含
まれていたフラックスは、液化して窒素ガスから分離
し、滴下してフラックス回収装置３の底部３ｄに貯溜さ
れる。ここでフラックス回収装置３内の窒素ガスの流速
は、ガス流出口３ｃの面積が小さく絞られているので、
ゆっくりと流れ、１５０℃の窒素ガスを十分約７０℃に
まで冷却することができる。またフラックス回収装置３
を予備加熱室ＰＨ2 及び徐冷室ＣＬに配設したのは、リ
フロー半田付け室ＲＦ等に比して温度が低く窒素ガスを
容易に７０℃にまで冷却することができるからである。
まれていたフラックスは、液化して窒素ガスから分離
し、滴下してフラックス回収装置３の底部３ｄに貯溜さ
れる。ここでフラックス回収装置３内の窒素ガスの流速
は、ガス流出口３ｃの面積が小さく絞られているので、
ゆっくりと流れ、１５０℃の窒素ガスを十分約７０℃に
まで冷却することができる。またフラックス回収装置３
を予備加熱室ＰＨ2 及び徐冷室ＣＬに配設したのは、リ
フロー半田付け室ＲＦ等に比して温度が低く窒素ガスを
容易に７０℃にまで冷却することができるからである。
【００３１】フラックスが分離してきれいになった窒素
ガスは、整流板２５によって左右に分流され、ガス流出
口３ｃから矢印Ｇ又はＨ方向に流出して、再び上昇循環
通路６Ｕ内を矢印Ｄの如く上昇して加熱装置１５の上方
に戻され、加熱装置１５によって１５０℃まで加熱さ
れ、再び半田付けに使用される。そしてフラックス回収
装置３の底部３ｄに溜まった液状のフラックス３２はコ
ック２６を開放して矢印Ｉ方向にフラックス回収パイプ
２８を通して回収する。
ガスは、整流板２５によって左右に分流され、ガス流出
口３ｃから矢印Ｇ又はＨ方向に流出して、再び上昇循環
通路６Ｕ内を矢印Ｄの如く上昇して加熱装置１５の上方
に戻され、加熱装置１５によって１５０℃まで加熱さ
れ、再び半田付けに使用される。そしてフラックス回収
装置３の底部３ｄに溜まった液状のフラックス３２はコ
ック２６を開放して矢印Ｉ方向にフラックス回収パイプ
２８を通して回収する。
【００３２】次に、本発明の第２実施例の作用を図７か
ら図９を参照して説明すると、フラックスガスを含む窒
素ガスは、第１実施例と同様に送風機２によって矢印Ｃ
方向に圧送され、フラックス回収装置３のガス流入口３
ａから流入する。そして冷却されている多数のフィン２
４に接触して冷却され、窒素ガス中にガスとして含まれ
ているフラックスを液化して窒素ガスから分離させる。
ら図９を参照して説明すると、フラックスガスを含む窒
素ガスは、第１実施例と同様に送風機２によって矢印Ｃ
方向に圧送され、フラックス回収装置３のガス流入口３
ａから流入する。そして冷却されている多数のフィン２
４に接触して冷却され、窒素ガス中にガスとして含まれ
ているフラックスを液化して窒素ガスから分離させる。
【００３３】フラックスが除去された窒素ガスは、加熱
装置３０により加熱された加熱板２９の多数の穴２９ａ
中を通過する際にフラックス回収装置３に流入する以前
と略同じ温度（１５０℃）にまで加熱された後、整流板
２５で左右に分流し、ガス流出口３ｃから矢印Ｇ又はＨ
方向に流出する。
装置３０により加熱された加熱板２９の多数の穴２９ａ
中を通過する際にフラックス回収装置３に流入する以前
と略同じ温度（１５０℃）にまで加熱された後、整流板
２５で左右に分流し、ガス流出口３ｃから矢印Ｇ又はＨ
方向に流出する。
【００３４】この実施例によれば、窒素ガスは、フィン
２４によって冷却された後、加熱装置３０により元の温
度に加熱されてから加熱室６に戻されるので、冷却によ
り加熱室６内の温度が低下することはなく、常に一定の
安定した温度に保持することができる。
２４によって冷却された後、加熱装置３０により元の温
度に加熱されてから加熱室６に戻されるので、冷却によ
り加熱室６内の温度が低下することはなく、常に一定の
安定した温度に保持することができる。
【００３５】
【発明の効果】本発明は、上記のように送風機から送出
される不活性ガスの高圧部に冷却装置を配設したので、
不活性ガス中に含まれるフラックスガスを冷却して液化
し、不活性ガスから分離させることができ、またこの結
果常に不活性ガスをフラックスガスを含まない清浄な状
態で使用できる効果が得られ、またリフロー半田付け装
置のフラックスによる汚染を防止でき、基板の洗浄も容
易となり、またリフロー半田付け装置の清掃が容易とな
るばかりでなく、その頻度を極めて少なくすることがで
きるから、生産効率を向上させることができる効果があ
る。
される不活性ガスの高圧部に冷却装置を配設したので、
不活性ガス中に含まれるフラックスガスを冷却して液化
し、不活性ガスから分離させることができ、またこの結
果常に不活性ガスをフラックスガスを含まない清浄な状
態で使用できる効果が得られ、またリフロー半田付け装
置のフラックスによる汚染を防止でき、基板の洗浄も容
易となり、またリフロー半田付け装置の清掃が容易とな
るばかりでなく、その頻度を極めて少なくすることがで
きるから、生産効率を向上させることができる効果があ
る。
【００３６】またフラックスが回収された不活性ガスを
冷却される以前の温度にまで再び加熱する加熱装置を設
けたので、フラックスが除去された不活性ガスを冷却さ
れる以前の温度にまで再び加熱して循環させることで、
不活性ガス中からフラックスガスを除去しながら、しか
も不活性ガスの温度の低下を防止でき、常に一定の理想
的な半田付け温度で電子部品を基板に半田付けできる効
果があり、またこの結果均一な半田付けを行うことがで
き、半田付け性能を向上させることができると共に基板
の信頼性を高めることができる効果がある。
冷却される以前の温度にまで再び加熱する加熱装置を設
けたので、フラックスが除去された不活性ガスを冷却さ
れる以前の温度にまで再び加熱して循環させることで、
不活性ガス中からフラックスガスを除去しながら、しか
も不活性ガスの温度の低下を防止でき、常に一定の理想
的な半田付け温度で電子部品を基板に半田付けできる効
果があり、またこの結果均一な半田付けを行うことがで
き、半田付け性能を向上させることができると共に基板
の信頼性を高めることができる効果がある。
【図１】図１から図６は本発明の第１実施例に係り、図
１はリフロー半田付け装置の全体を示す縦断面図であ
る。
１はリフロー半田付け装置の全体を示す縦断面図であ
る。
【図２】リフロー自動半田付け装置の加熱室を示す要部
拡大縦断面図である。
拡大縦断面図である。
【図３】フラックス回収装置の内部構造を示す縦断面図
である。
である。
【図４】フラックス回収装置の全体を示す部分破断斜視
図である。
図である。
【図５】フラックスガスを含む窒素ガスの流れる状態を
示す要部横断面図である。
示す要部横断面図である。
【図６】フラックス回収装置の状態を示す要部縦断面図
である。
である。
【図７】図７から図９は本発明の第２実施例に係り、フ
ラックスガスを含む窒素ガスの流れる状態を示す要部横
断面図である。
ラックスガスを含む窒素ガスの流れる状態を示す要部横
断面図である。
【図８】フラックス回収装置の状態を示す要部縦断面図
である。
である。
【図９】フラックス回収装置の内部構造を示す縦断面図
である。
である。
１ リフロー半田付け装置 ２ 送風機 ３ フラックス回収装置 ６ 加熱室 ８ 搬送装置の一例たるチェーンコンベア １０ 基板 ２３ 冷却装置の一例たる冷却パイプ ３０ 加熱装置 ３１ 電子部品
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) B23K 1/008 B23K 31/02 H05K 3/34
Claims (2)
- 【請求項１】 電子部品を搭載した基板を搬送装置によ
り搬送しながら不活性ガスを充満させたガス室内で加熱
して半田付けするリフロー半田付け装置において、前記
ガス室内の前記不活性ガスを循環させる送風機と、該送
風機から送出される前記不活性ガスの高圧部に配設され
該高温の不活性ガスを冷却して該不活性ガス中に含まれ
るフラックスガスを液化して回収するフラックス回収装
置とを備えたことを特徴とするリフロー半田付け装置。 - 【請求項２】 電子部品を搭載した基板を搬送装置によ
り搬送しながら不活性ガスを充満させたガス室内で加熱
して半田付けするリフロー半田付け装置において、前記
ガス室内の前記不活性ガスを循環させる送風機と、該送
風機から送出される前記不活性ガスの高圧部に配設され
該高温の不活性ガスを冷却して該不活性ガス中に含まれ
るフラックスガスを液化する冷却装置と該冷却されたフ
ラックスが回収された不活性ガスを冷却される以前の温
度にまで再び加熱する加熱装置とからなるフラックス回
収装置とを備えたことを特徴とするリフロー半田付け装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3237371A JP2794352B2 (ja) | 1991-08-22 | 1991-08-22 | リフロー半田付け装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3237371A JP2794352B2 (ja) | 1991-08-22 | 1991-08-22 | リフロー半田付け装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0550218A JPH0550218A (ja) | 1993-03-02 |
| JP2794352B2 true JP2794352B2 (ja) | 1998-09-03 |
Family
ID=17014396
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3237371A Expired - Fee Related JP2794352B2 (ja) | 1991-08-22 | 1991-08-22 | リフロー半田付け装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2794352B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009099762A (ja) * | 2007-10-17 | 2009-05-07 | Tamura Seisakusho Co Ltd | リフロー装置、フラックス回収装置およびフラックスの回収方法 |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6694637B2 (en) * | 2002-01-18 | 2004-02-24 | Speedline Technologies, Inc. | Flux collection method and system |
| DE102006029593A1 (de) * | 2006-05-29 | 2007-12-13 | Pink Gmbh Vakuumtechnik | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung einer Lotverbindung |
| PL2511036T3 (pl) * | 2009-12-11 | 2019-01-31 | Senju Metal Industry Co., Ltd | Piec rozpływowy |
| JP5565071B2 (ja) * | 2010-04-26 | 2014-08-06 | 千住金属工業株式会社 | リフロー装置 |
| JP5540680B2 (ja) * | 2009-12-11 | 2014-07-02 | 千住金属工業株式会社 | リフロー炉 |
| JP6058523B2 (ja) * | 2013-11-28 | 2017-01-11 | オリジン電気株式会社 | 半田付け方法及び半田付け装置 |
| CN108237296A (zh) * | 2016-12-26 | 2018-07-03 | 上海朗仕电子设备有限公司 | 一种带平板式盘管的回流焊炉冷却模组 |
| CN107838516B (zh) * | 2017-12-29 | 2023-10-03 | 山东才聚电子科技有限公司 | 一种真空焊接炉的焊接机构 |
| CN107855623B (zh) * | 2017-12-29 | 2023-07-18 | 山东才聚电子科技有限公司 | 一种真空焊接炉控制系统及其控制方法 |
| MX2023005365A (es) * | 2020-11-12 | 2023-11-29 | Senju Metal Industry Co | Aparato de soldadura. |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6390361A (ja) * | 1986-10-03 | 1988-04-21 | Hitachi Techno Eng Co Ltd | ベ−パ−リフロ−式はんだ付け装置 |
-
1991
- 1991-08-22 JP JP3237371A patent/JP2794352B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009099762A (ja) * | 2007-10-17 | 2009-05-07 | Tamura Seisakusho Co Ltd | リフロー装置、フラックス回収装置およびフラックスの回収方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0550218A (ja) | 1993-03-02 |
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