JPH04274868A - リフロー半田付け方法及び装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、リフロー半田付け方法
及び装置に係り、特に窒素ガス等の不活性ガスを用いる
熱風循環方式のリフロー半田付けにおいて、電子部品が
搭載されて搬送される基板の予備加熱を一旦本来の予備
加熱温度以上に加熱した後、該基板の温度を本来の予備
加熱温度にまで低下させてから半田付けすることにより
基板及び該基板に搭載されている電子部品の温度が均一
かつ理想的な状態で半田付けを行うことができるように
したリフロー半田付け方法及び装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来の窒素ガス等の不活性ガスを用いる
熱風循環方式のリフロー半田付け装置は、ポリマ基板等
の基板に電子部品を搭載した要半田付け箇所にペースト
状のクリーム半田を塗り、該基板を不活性ガスを充満さ
せた不活性ガス室内のコンベアにより搬送しながら予備
加熱して徐々に温度を上げ、最終段階で短時間に半田付
け温度（約２３０°以上）まで加熱してクリーム半田を
溶融させて電子部品を基板上の導電回路に半田付けする
装置である。

【０００３】しかし、従来のリフロー半田付け装置にお
いては、複数の予備加熱室を基板の搬送に従って徐々に
温度を上げるように設定していたので、熱容量の異なる
電子部品の温度は一定になり難く、即ち熱容量の大きな
大型の電子部品の温度は低く半田付け性能が十分でなく
、また熱容量の小さな小型の電子部品の温度は高くなり
過ぎて該電子部品の電気的特性を劣化させるなどの現象
が生じ、すべての電子部品を良好な状態で半田付けする
ことが困難であるという欠点があった。

【０００４】また上記した欠点をなくし、すべての電子
部品を均一の温度に加熱するためには時間をかけてゆっ
くりと加熱しなければならず、コンベアが長くなりリフ
ロー半田付け装置が大型となってしまうという欠点が生
ずる。またリフロー半田付け装置は不活性ガスを封入す
るために密閉構造となっているので、半田付け時に蒸発
したフラックス等が該半田付け装置内に付着しやすく、
定期的な掃除が必要となるばかりでなく、該掃除にはリ
フロー半田付け装置を分解する等の工数を要し、作業性
が悪いという欠点があった。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】本発明は，上記した従
来技術の欠点を除くためになされたものであって、その
目的とするところは、基板を予備加熱室において一旦本
来の予備加熱温度以上に加熱した後、基板の温度を本来
の予備加熱温度にまで低下させることにより、基板及び
該基板に搭載されている各種の電子部品の温度を均一な
予備加熱温度に加熱することができるようにすることで
ある。また他の目的は、該均一な予備加熱温度に加熱さ
れた基板をリフロー加熱室において半田付け温度にまで
急速に加熱して、半田付けすることにより、電子部品の
熱容量の差異にかかわらず理想的な状態で半田付けでき
るようにすることである。

【０００６】更に他の目的は、一旦本来の予備加熱温度
以上に加熱された基板の温度を本来の予備加熱温度にま
で低下させるために、高温の不活性ガスが充満する予備
加熱室内に、例えば送風機駆動用のモータを冷却するた
めに用いられる冷却された不活性ガスを、通気口から予
備加熱室に流入させることにより、予備加熱室内の不活
性ガスを冷却して本来の予備加熱温度にまで低下させる
ことができるようにすることであり、またこれによって
特別な装置を設けることなく安価に複数種類の温度の不
活性ガスが得られるようにすることである。

【０００７】また他の目的は、半田付けを行った後の気
体状フラックスを含有する高温の不活性ガスを送風機で
吸入して冷却することにより、該不活性ガス中に含有す
る気体状フラックスを液化して１箇所に回収できるよう
にすることであり、またこれによってリフロー半田付け
装置の掃除を容易化すると共に、該掃除の回数を少なく
してリフロー半田付け装置の稼働率を向上させることで
ある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】要するに本発明方法（請
求項１）は、不活性ガスをヒータにより加熱して不活性
ガス室内において循環させて基板を加熱するリフロー半
田付け方法において、予備加熱室において一旦本来の予
備加熱温度以上に加熱された前記不活性ガスにより前記
基板を加熱した後、次の予備加熱室において本来の予備
加熱温度の前記不活性ガスにより前記基板を加熱して該
基板の温度を本来の予備加熱温度にまで低下させ、前記
基板及び該基板に搭載されている電子部品の温度を均一
な予備加熱温度とし、更にリフロー加熱室において半田
付け温度にまで前記基板を急速に加熱して半田付けする
ことを特徴とするものである。また本発明装置（請求項
２）は、不活性ガスを加熱するヒータと、該ヒータによ
り加熱された前記不活性ガスを循環させて電子部品が搭
載されて搬送される基板を該不活性ガスにより加熱する
不活性ガス室と、該不活性ガス室内で該不活性ガスを循
環させるための送風機と、該送風機を駆動するためのモ
ータとを備えたリフロー半田付け装置において、前記不
活性ガスを循環させる送風機を駆動するモータを囲繞し
て外気から遮断するシールドケースと、該シールドケー
ス内の前記不活性ガスを循環させる送風機と、該シール
ドケース内の前記不活性ガスを冷却する冷却機と、前記
不活性ガス室を隔壁により複数の予備加熱室とリフロー
加熱室とに区切ると共に一方の前記予備加熱室に冷却さ
れた前記シールドケース内の前記不活性ガスを流入させ
て該予備加熱室内の前記不活姓ガスの温度を低下させて
本来の予備加熱温度とするために前記不活性ガス室と前
記シールドケースの間の隔壁に形成された通気口とを備
えたことを特徴とするものである。また本発明装置（請
求項３）は、不活性ガスを加熱するヒータと、該ヒータ
により加熱された前記不活性ガスを循環させて電子部品
が搭載されて搬送される基板を該不活性ガスにより加熱
する不活性ガス室と、該不活性ガス室内で該不活性ガス
を循環させるための送風機と、該送風機を駆動するため
のモータとを備えたリフロー半田付け装置において、搬
入される低温の前記基板を予備加熱温度にまで加熱する
予備加熱室及び半田付け温度にまで前記基板を加熱する
リフロー加熱室において前記搬送される基板の下方に近
赤外線を放射する近赤外線ヒータを備え、前記基板を近
赤外線の輻射熱及び高温の不活性ガスの相互作用により
加熱するように構成したことを特徴とするものである。 また本発明装置（請求項４）は、不活性ガスを加熱する
ヒータと、該ヒータにより加熱された前記不活性ガスを
循環させて電子部品が搭載されて搬送される基板を該不
活性ガスにより加熱する不活性ガス室と、該不活性ガス
室内で該不活性ガスを循環させるための送風機と、該送
風機を駆動するためのモータとを備えたリフロー半田付
け装置において、半田付けを行った後の気体状フラック
スを含有する高温の前記不活性ガスを吸入して一方向に
排出する送風機と、該高温の不活性ガスを冷却して該不
活性ガス中に含有する気体状フラックスを液化して回収
する冷却装置とを備えたことを特徴とするものである。

【０００９】

【実該例】以下本発明を図面に示す実施例に基いて説明
する。本発明に係るリフロー半田付け装置１は、図１及
び図２において、ヒータ２と、不活性ガス室３と、送風
機４と、モータ５とを備えたリフロー半田付け装置にお
いて、シールドケース６と、送風機８と，冷却機９と、
通気口１０と、近赤外線ヒータ１１と、送風機１２と、
冷却装置１３とを備えている。

【００１０】ヒータ２は、不活性ガスを加熱するための
ものであって、電子部品１４が搭載された基板１５を搬
送するコンベア１６の上方に該コンベアから適宜離れた
位置に配設されており、予備加熱室ＰＨ１、ＰＨ２、Ｐ
Ｈ３及びリフロー加熱室ＳＨに夫々配設され、該ヒータ
は不活性ガスがその中を上方から下方に通過しながら加
熱されるように中空に又は多数の穴が形成されたもので
ある。

【００１１】不活性ガス室３は、ヒータ２により加熱さ
れた不活性ガスを循環させて電子部品１４が搭載されて
搬送される基板１５を該不活性ガスにより加熱するため
のものであり、送風機４によって下カに吸引された不活
性ガスがヒータ２を通過して加熱されて基板１５を加熱
しなから下降する中央部の下方循環通路１８Ｄと、送風
機４により該送風機の外周に飛ばされた不活性ガスが増
圧されて上昇するように図１における紙面直角方向両側
（図２においては左右両側）に設けられた上方循環通路
１８Ｕとからなり、断熱材を含み外気から遮断するため
のケース１９により囲繞されてなるものである。なお、
不活性ガスとしては、窒素ガス、アルゴンガス、炭酸ガ
スなど、各種のものが考えられるが、比較的安価でボン
ベ等により市販されている窒素ガスが主として用いられ
る。

【００１２】送風機４は、不活性ガス室３内で該不活性
ガスを循環させるためのものであって、ケース１９の下
方に配設され、図示の実施例では予備加熱室ＰＨ１に１
台、予備加熱室ＰＨ２、ＰＨ３に１台、リフロー加熱室
ＳＨに１台、即ち合計３台配設されており、いわゆるシ
ロッコファン４ａが駆動軸２０に固定され、該駆動軸は
夫々基台２１に固定された軸受２２に回動自在に支承さ
れ、該駆動軸の一端にはプーリ２３が夫々固定されてい
る。

【００１３】モータ５は、３台の送風機４を夫々駆動す
るためのものであって、基台２１に固定され、その回転
軸５ａにはプーリ２４が固定され、プーリ２４とプーリ
２３とにベルト２５か巻き掛けられ、モータ５により駆
動軸２０が回転して送風機４が駆動されるようになって
いる。

【００１４】シールドケース６は、不活性ガスを循環さ
せる送風機４を駆動するモータ５及び該モータの回転軸
５ａから不活性ガス室３に至るまでのすべての部分を囲
繞して外気から遮断するようにしたものであって、例え
ば放熱性のよい鉄板等の材料により図示のように四角形
状に形成され、３台のモータ５及び夫々の軸受２２、駆
動軸２０等をすっぽり囲繞して空洞に形成され、図１中
右端には不活性ガスの導入口６ａが、左端には吐出口６
ｂが夫々形成され、導入口６ａには不活性ガス導入パイ
プ２６が、吐出口６ｂには不活性ガス回収パイプ２８が
夫々連通接続されている。そして、該シールドケース６
内には外気が全く侵入しないように構成され、送風機４
の駆動軸２０と軸受２２との隙間等から酸素を多量に含
んだ半田付けに有害な空気が予備加熱室ＰＨ１、ＰＨ２
、ＰＨ３及びリフロー加熱室ＳＨに侵入しないようにな
っている。

【００１５】送風機８は、シールドケース６内の不活性
ガスを循環させると共に、半田付け終了後の基板１５を
冷却するための冷却風を送るためのものであり、遠心送
風機が採用されている。

【００１６】冷却機９は、シールドケース６内の不活性
ガスを冷却するためのものであり、冷却用のコンプレッ
サ（図示せず）と、該冷却用コンプレッサから冷却用の
媒体を供給されるラジエータ２９とからなり、該ラジエ
ータは送風機８の吸入口に連通接続されており、不活性
ガスを冷却して３台のモータ５が加熱しないように十分
に冷却するようになっている。

【００１７】通気口１０は、図３をも参照して、予備加
熱室ＰＨ２、ＰＨ３内の不活性ガスの温度を低下させる
ために冷却機９で冷却されて送風機８により送風される
低温の不活性ガスを予備加熱室ＰＨ２、ＰＨ３内に導入
するためのものであって、駆動軸２０が貫通する不活性
ガス室３の隔壁に駆動軸２０よりも大きな穴として形成
されている。予備加熱室ＰＨ１及びリフロー加熱室ＳＨ
に貫通する駆動軸２０の周囲にも隙間が形成されている
が、該隙間は通気口１０よりもはるかに小さく、シール
ドケース６内の不活性ガスをわずかに洩らす程度のもの
である。

【００１８】近赤外線ヒータ１１は、基板１５を輻射熱
により下方から急速に加熱するためのものであって、予
備加熱室ＰＨ１及びリフロー加熱室ＳＨのコンベア１６
の下方に配設された例えばニクロム線又はタングステン
線を石英管中に封入した発熱体であり、約０．７５μｍ
から２０μｍ程度の波長の近赤外線を上方に向けて放射
して、不活性ガスを加熱することなく基板１５の下面１
５ｂのみを輻射熱により急速に加熱するようになってい
る。

【００１９】送風機１２は、リフロー加熱室ＳＨから流
出する気体状フラックスを含有する高温の不活性ガスを
吸入して送風するためのものであって、半田付けが終了
してリフロー加熱室ＳＨから出てくる基板１５の上方に
配設された公知の遠心送風機である。

【００２０】冷却装置１３は、送風機１２により圧送さ
れる高温の不活性ガスを冷却するためのものであって、
送風機１２に隣接して配設され、該送風機１２により圧
送されるリフロー加熱室ＳＨから流出する気体状フラッ
クスを含有する不活性ガスを冷却して該不活性ガス中に
含有されている気体状フラックスを液化するようになっ
ている。そして、液化して滴下するフラックスを、フラ
ックス受け３０で受けて回収するようになっており、該
フラックス受けは、装置の外部から着脱自在に構成され
ている。

【００２１】基板１５を搬送するコンベア１６は、例え
ばネットチェーンで構成され、駆動スプロケット３１に
巻き掛けられると共に、アイドルスプロケット３２、３
３、３４、３５に巻き掛けられ、その上側が矢印Ａ方向
に図１中右方に走行し、基板１５を同方向に搬送するよ
うに構成されている。また、リフロー半田付け装置１の
全体を覆うカバー３６の上部には、２箇所に排気ダクト
３８が設けられ、不要なガスを外部に排出できるように
なっている。基板１５の搬入部及び搬出部には夫々シャ
ッタ３９が配設されていて、基板１５が搬入又は搬出さ
れるときにだけ該シャッタを開放して基板１５の通過を
許容し、不活性ガス室３から不活性ガスが流出するのを
防止するようになっている。

【００２２】そして本発明方法は、不活性ガスをヒータ
２により加熱して不活性ガス室３内において循環させて
基板１５を加熱するリフロー半田付け方法において、予
備加熱室ＰＨ１において一旦本来の予備加熱温度以上に
加熱された不活性ガスにより基板１５を加熱した後、次
の予備加熱室ＰＨ２，ＰＨ３において本来の予備加熱温
度の不活性ガスにより基板１５を加熱して該基板の温度
を本来の予備加熱温度にまで低下させ、基板１５及び該
基板に搭載されている電子部品１４の温度を均一な予備
加熱温度とし、更にリフロー加熱室ＳＨにおいて半田付
け温度にまで基板１５を急速に加熱して半田付けする方
法である。

【００２３】木発明は、上記のように構成されており、
以下その作用について説明する。まず本発明に係るリフ
ロー半田付け装置１を使用するに当っては、不活性ガス
として、例えば窒素ガスを用いるが、該窒素ガスは市販
のボンベ（図示せず）を用い、これを適宜な減圧バルブ
等（図示せず）を用いて減圧して各予備加熱室ＰＨ１、
ＰＨ２、ＰＨ３及びリフロー加熱室ＳＨに供給すると共
に、冷却機９にも供給しておく。これによって不活性ガ
ス室３内は不活性ガスで満たされ、酸素を多く含んだ空
気はほとんど存在しなくなる。

【００２４】また冷却機９においては、送風機８が始動
すると、ラジェータ２９から不活性ガスが矢印Ｂ方向に
吸引されて冷却され、十分低温となった不活性ガスが矢
印Ｃ方向に不活性ガス導入パイプ２６内に送られ、シー
ルドケース６内に入り、各モータ５を冷却する。これに
よって、シールドケース６により外気から完全に遮断さ
れて密閉された環境に置かれて所定の動力を発生しても
適度に熱を不活性ガスに奪われるため、モータ５が加熱
することはなく、長時間にわたって使用することができ
る。また、シールドケース６内は、完全に不活性ガスの
みで満たされているので、駆動軸２０と軸受２２との隙
間から不活性ガス室３内に外気が侵入することは皆無と
なり、不活性ガスの損失や半田付け不良を防止すること
ができる。

【００２５】各モータ５を冷却した不活性ガスは、ある
程度の温度上昇をした状態で矢印Ｄ方向に不活性ガス回
収パイプ２８に入って該パイプ内を流れ、半田付けが終
了してリフロー加熱室ＳＨから出てくる基板１５の上方
から矢印Ｅ方向に吹き付けられ、まだ高温の該基板を冷
却した後再び冷却機９に戻される。

【００２６】このような準備が整ったら、駆動スプロケ
ット３１が回転することによりコンベア１６が駆動され
、その上側は矢印Ａ方向に走行する。そこで電子部品１
４が搭載された基板１５を該コンベアの上に置く（矢印
Ｆ方向）と、基板１５は図１中左方から右方に搬送され
る。そして、不活性ガス室３内では、図２に示すように
、矢印Ｋ方向に不活性ガスが下方循環通路１８Ｄを下降
する途中でヒータ２により加熱され、所定の温度に到達
する。

【００２７】図４から図６も参照して、予備加熱室ＰＨ
１内の不活性ガスの温度は、本来の予備加熱温度よりも
高温の約１９０°Ｃに設定されており、また予備加熱室
ＰＨ２、ＰＨ３内の不活性ガスの温度は、通気口１０か
ら冷却機９で冷却された低温の不活性ガスを予備加熱室
ＰＨ２、ＰＨ３内に導入する（矢印Ｇ方向）ことにより
低下させているので、本来の予備加熱温度である約１５
０゜Ｃに設定されている。そして、リフロー加熱室ＳＨ
内の不活性ガスの温度は、クリーム半田を溶融するため
に約２６０°Ｃに設定されている。

【００２８】図５及び図６において、基板１５は、まず
予備加熱室ＰＨ１において本来の予備加熱温度よりも高
温の約１９０°Ｃの不活性ガス及び該予備加熱室ＰＨ１
のコンベア１６の下方に配設された近赤外線ヒータ１１
により加熱されるが、基板１５の表面１５ａは不活性ガ
スにより、また基板１５の裏面１５ｂは不活性ガスと近
赤外線ヒータ１１により加熱されるので、最も速く加熱
され、次いで熱容量の小さな電子部品１４のリード線１
４ｂが加熱される。そして、熱容量の大きな電子部品１
４の素子部１４ａは最も遅れて加熱される。基板１５は
、該加熱状態で本来の予備加熱温度である約１５０゜Ｃ
に設定されている予備加熱室ＰＨ２、ＰＨ３に搬送され
るので、基板１５と電子部品１４のリード線１４ｂは、
両者とも約１５０゜Ｃの理想的な予備加熱温度となり，
予備加熱が完了する。

【００２９】そしてリフロー加熱室ＳＨにおいて、約２
６０°Ｃの不活性ガス及びコンベア１６の下方に配設さ
れた近赤外線ヒータ１１の相互作用により基板１５を急
速に半田付け温度にまで加熱してクリーム半田を溶融し
て半田付けを行う。上記した如く電子部品１４の素子部
１４ａの温度は上昇させず、基板１５と電子部品１４の
リード線１４ｂを同じ温度にした状態で半田付けするの
で電子部品１４の電気的特性を劣化させることなく理想
的な半田付けを行うことができる。基板１５を加熱した
後の不活性ガスは、送風機４により吸引されて増圧され
、矢印Ｌ方向に上昇循環通路１８Ｕを上昇して再びヒー
タ２を通過して加熱され、下降しながら基板１５を繰り
返し加熱する。

【００３０】予備加熱室ＰＨ１、ＰＨ２、ＰＨ３及びリ
フロー加熱室ＳＨにおいては、基板１５が加熱されるの
で、該基板に塗布されていたフラックスは蒸発して気体
状フラックスとなって不活性ガス中に混入するが、該気
体状フラックスを含有する不活性ガスは、リフロー加熱
室ＳＨから矢印Ｈ方向に流出して送風機１２により吸引
されて上昇する間に冷却装置１３で冷却されるので、不
活性ガス中に含有される気体状フラックスは液化し、矢
印１方向に滴下してフラックス受け３０で受けられて回
収される。このフラックス受け３０は、装置の外部から
着脱自在であるから、これを外部に取り出して掃除する
ことにより、簡単に液化したフラックスを除去すること
ができる。そしてリフロー半田付け装置１の内部がフラ
ックスで汚されることが防止され、該リフロー半田付け
装置の掃除が容易となる。

【００３１】以上のようにして、基板１５の予備加熱及
びリフロー半田付けが行われるが、本発明においては、
送風機４の駆動部から不活性ガス室３内には全く外気が
侵入しないので、該不活性ガス室内は高純度の不活性ガ
スが常に満たされ、クリーム半田が酸化されることなく
、非常に良好なリフロー半田付けを行うことができる。 また、冷却機９により十分に冷却された不活性ガスでモ
ータ５を冷却するので、該モータが損傷するおそれは全
くなく、故障の心配もない。また、モータ５や駆動軸２
０等の駆動部がシールドケース６により完全にシールド
されているので、モータの騒音が外部に出ず、熱風循環
式リフロー半田付け装置で問題になりがちな騒音を非常
に小さくすることができ、低騒音のリフロー半田付け装
置を提供することができる。また本発明では、基板の加
熱用に遠赤外線ではなく、近赤外線を放射する近赤外線
ヒータ１１を併用しており、この近赤外線ヒータ１１は
、エネルギとしての光を発するので、この光を電圧調整
により調節することにより容易に温度管理を行うことが
できる点で非常に有利である。

【００３２】

【発明の効果】本発明は、上記のように基板を予備加熱
室において一旦本来の予備加熱温度以上に加熱した後、
基板の温度を本来の予備加熱温度にまで低下させるよう
にしたので、基板及び該基板に搭載されている各種の電
子部品の温度を均一な予備加熱温度に加熱することがで
きるという効果がある。

【００３３】また該均一な予備加熱温度に加熱された基
板をリフロー加熱室において半田付け温度にまで急速に
加熱して、半田付けするようにしたので、電子部品の熱
容量の差異にかかわらず理想的な状態で半田付けできる
という効果がある。更には一旦本来の予備加熱温度以上
に加熱された基板の温度を本来の予備加熱温度にまで低
下させるために、高温の不活性ガスが充満する予備加熱
室内に、例えば送風機駆動用のモータを冷却するために
用いられる冷却された不活性ガスを、通気口から予備加
熱室に流入させるようにしたので、予備加熱室内の不活
性ガスを冷却して本来の予備加熱温度にまで低下させる
ことができることとなり、この結果特別な装置を設ける
ことなく安価に複数種類の温度の不活性ガスが得られる
という効果がある。

【００３４】また半田付けを行った後の気体状フラック
スを含有する高温の不活性ガスを送風機で吸入して冷却
するようにしたので、該不活性ガス中に含有する気体状
フラックスを液化して１箇所に回収でき、またこの結果
リフロー半田付け装置の掃除を容易化することができる
と共に、該掃除の回数を少なくしてリフロー半田付け装
置の稼働率を向上させることができる効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】リフロー半田付け装置の全体を示す縦断面図で
ある。

【図２】リフロー半田付け装置の不活性ガス室の構造を
示す縦断面図である。

【図３】不活性ガス室に形成された通気口を示す横断面
図である。

【図４】予備加熱室及びリフロー加熱室内の温度変化の
状態を示す線図である。

【図５】基板及び電子部品の温度測定点を示す正面図で
ある。

【図６】図５に示す基板及び電子部品の温度測定点にお
ける温度の変化の状態を示す線図である。

【符号の説明】

１　　　　リフロー半田付け装置 ２　　　　ヒータ ３　　　　不活性ガス室 ４　　　　送風機 ５　　　　モータ ６　　　　シールドケース ８　　　　送風機 ９　　　　冷却機 １０　　　　通気口 １１　　　　近赤外線ヒータ １２　　　　送風機 １３　　　　冷却装置 １４　　　　電子部品 １５　　　　基板 ＰＨ１　　予備加熱室 ＰＨ２　　予備加熱室 ＰＨ３　　予備加熱室 ＳＨ　　　　リフロー加熱室

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】　　不活性ガスをヒータにより加熱して不
   活性ガス室内において循環させて基板を加熱するリフロ
   ー半田付け方法において、予備加熱室において一旦本来
   の予備加熱温度以上に加熱された前記不活性ガスにより
   前記基板を加熱した後、次の予備加熱室において本来の
   予備加熱温度の前記不活性ガスにより前記基板を加熱し
   て該基板の温度を本来の予備加熱温度にまで低下させ、
   前記基板及び該基板に搭載されている電子部品の温度を
   均一な予備加熱温度とし、更にリフロー加熱室において
   半田付け温度にまで前記基板を急速に加熱して半田付け
   することを特徴とするリフロー半田付け方法。
2. 【請求項２】　　不活性ガスを加熱するヒータと、該ヒ
   ータにより加熱された前記不活性ガスを循環させて電子
   部品が搭載されて搬送される基板を該不活性ガスにより
   加熱する不活性ガス室と、該不活性ガス室内で該不活性
   ガスを循環させるための送風機と、該送風機を駆動する
   ためのモータとを備えたリフロー半田付け装置において
   、前記不活性ガスを循環させる送風機を駆動するモータ
   を囲繞して外気から遮断するシールドケースと、該シー
   ルドケース内の前記不活性ガスを循環させる送風機と、
   該シールドケース内の前記不活性ガスを冷却する冷却機
   と、前記不活性ガス室を隔壁により複数の予備加熱室と
   リフロー加熱室とに区切ると共に一方の前記予備加熱室
   に冷却された前記シールドケース内の前記不活性ガスを
   流入させて該予備加熱室内の前記不活性ガスの温度を低
   下させて本来の予備加熱温度とするために前記不活性ガ
   ス室と前記シールドケースの間の隔壁に形成された通気
   口とを備えたことを特徴とするリフロー半田付け装置。
3. 【請求項３】　　不活性ガスを加熱するヒータと、該ヒ
   ータにより加熱された前記不活性ガスを循環させて電子
   部品が搭載されて搬送される基板を該不活性ガスにより
   加熱する不活性ガス室と、該不活性ガス室内で該不活性
   ガスを循環させるための送風機と、該送風機を駆動する
   ためのモータとを備えたリフロー半田付け装置において
   、搬入される低温の前記基板を予備加熱温度にまで加熱
   する予備加熱室及び半田付け温度にまで前記基板を加熱
   するリフロー加熱室において前記搬送される基板の下方
   に近赤外線を放射する近赤外線ヒータを備え、前記基板
   を近赤外線の輻射熱及び高温の不活性ガスの相互作用に
   より加熱するように構成したことを特徴とするリフロー
   半田付け装置。
4. 【請求項４】　　不活性ガスを加熱するヒータと、該ヒ
   ータにより加熱された前記不活性ガスを循環させて電子
   部品が搭載されて搬送される基板を該不活性ガスにより
   加熱する不活性ガス室と、該不活性ガス室内で該不活性
   ガスを循環させるための送風機と、該送風機を駆動する
   ためのモータとを備えたリフロー半田付け装置において
   、半田付けを行った後の気体状フラックスを含有する高
   温の前記不活性ガスを吸入して一方向に排出する送風機
   と、該高温の不活性ガスを冷却して該不活性ガス中に含
   有する気体状フラックスを液化して回収する冷却装置と
   を備えたことを特徴とするリフロー半田付け装置。