JP2788717B2 - 磁気光学記憶素子 - Google Patents
磁気光学記憶素子Info
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- JP2788717B2 JP2788717B2 JP7063942A JP6394295A JP2788717B2 JP 2788717 B2 JP2788717 B2 JP 2788717B2 JP 7063942 A JP7063942 A JP 7063942A JP 6394295 A JP6394295 A JP 6394295A JP 2788717 B2 JP2788717 B2 JP 2788717B2
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、レーザ光等の熱エネル
ギーで情報を記録あるいは消去し光と磁気の相互作用を
利用して情報を再生する磁気光学記憶素子に関する。 【０００２】 【従来の技術】近年、高密度，大容量，高速アクセスを
狙いとした光メモリ装置の研究開発が精力的に行われて
いる。中でも、情報の消去が可能な光磁気メモリ装置は
文字・画像等のファイルメモリや書き換え可能なビデオ
ディスク等の応用が考えられ光メモリ装置の中でもとり
わけ有望視されているものである。 【０００３】光磁気メモリ用材料としては１９６０年代
から１９７０年代にかけＭｎＢｉを中心とする多結晶性
薄膜が検討されたが材料の作成が困難な事、記録エネル
ギーが多くいる事、結晶粒界によるノイズが無視できな
い事等により、現在はＧｄＴｂＦｅ，ＴｂＤｙＦｅ，Ｇ
ｄＣｏ等、希土類と遷移金属の合金薄膜が材料検討の中
心となっている。これらの材料はアモルファスであるた
め、記録に利用するレーザパワーに応じた記録スレッシ
ョルドを有する膜を作ることが可能であること、粒界ノ
イズがないため再生信号の品質が良いこと等の利点があ
る。 【０００４】 【発明が解決しょうとする課題】しかし、この種の希土
類と遷移金属の合金薄膜は希土類が酸化しやすく最初所
定の組成比を有する膜を作っても時間と伴に希土類の酸
化が進み遷移金属リッチの組成に移り、極端な場合は高
密度メモリに必要な垂直異方性がなくなり、又そうでな
い場合でも保磁力の変化により記録特性が変化する等酸
化の点で問題がある。 【０００５】また、カー回転角が小さく、信号の再生が
困難であるという問題がある。 【０００６】さらに、希土類と遷移金属の合金薄膜間で
原子等の移動が起こると磁気特性が変化するという問題
がある。 【０００７】そこで、本発明は上述の問題点に鑑みてな
されたものであって、希土類と遷移金属の合金薄膜で構
成される磁性体膜の酸化を防止、並びに磁気特性の変化
を抑制することができると共に、カー回転角を増大する
ことのできる構成を備えた磁気光学記憶素子を提供する
ことを目的とする。 【０００８】 【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
め、本発明は、基板と、カー回転角を増大するために設
けられた第１の誘電体膜と、希土類と遷移金属の合金か
らなる第１の磁性体膜と、第１の誘電体膜と同材質の第
２誘電体膜と、希土類と遷移金属の合金からなる第２の
磁性体膜とをこの順で形成したことを特徴とする磁気光
学記憶素子である。 【０００９】 【作用】カー回転角を増大し、かつ、このカー回転角を
増大するために設けた第１の誘電体膜と、第１、第２磁
性体薄膜の間に設ける第２の誘電体は同材質の誘電体膜
からなり、構成も極めて簡単である。 【００１０】 【実施例】以下、本発明の具体的な実施例を図面を参照
しながら詳説する。 【００１１】図１は本発明の磁気光学記憶素子の一実施
例の一部側面断面図である。 【００１２】図中１はソーダライム石英等のガラス板で
あり、該ガラス板１には巾０．５〜１．５μｍ，ピッチ
１．０〜３．０μｍ，深さ４０〜９０ｎｍの案内溝が形
成されている。この案内溝は記録・消去時に光ビームを
所定位置に案内する為に必要なものである。 【００１３】２はＴｉＯ2 の誘電体膜である。該誘電体
膜２は屈折率が２．４で上記ガラス板１の屈折率より大
きい。該誘電体膜２はカー回転角を増大する為に設けら
れるものである。 【００１４】３はＧｄＴｂＦｅ磁性体膜であり希土類と
遷移金属の合金からなる膜面に垂直な方向に磁気異方性
を有する磁性体膜である。 【００１５】４はＴｉＯ2 の誘電体膜である。該誘電体
膜４はカー回転角を増大するため、及び上記磁性体膜３
と後述する反射膜５の間の断熱、及び上記磁性体膜３と
後述する反射膜５の間の原子，電子の移動を防ぐ為等に
設けられるものである。 【００１６】５はＧｄＴｂＦｅ磁性体膜であり希土類と
遷移金属の合金からなる磁性体（即ち上記磁性体膜３と
同一材質）から構成される反射膜である。この反射膜５
はカー回転角を増大させる作用（例えば特願昭５５−８
５６９５を参照）と上記磁性体膜３の酸化を防ぐ作用と
を合わせ持つ。即ちこの反射膜５の成分であるＧｄ，Ｔ
ｂの希土類金属は極めて酸化されやすいので外部から侵
入した酸素が上記磁性体膜３に達する前に反射膜５が先
に酸化され、よって磁性体膜３に達する酸素の量を極力
減少せしめるものである。 【００１７】６は上記反射膜５の保護のためのＴｉＯ2
の誘電体膜である。 【００１８】次に上述した磁気光学記憶素子の一実施例
の製法について説明する。上記ガラス板１は円板形状で
厚さは０．５〜２ｍｍ程度であり、このガラス板１にレ
ジスト膜を塗布し、該塗布状態にてガラス板１を回転さ
せながらＡｒレーザ，ＨｅＣｄレーザ等のレーザを用い
てレジスト膜に所定の巾の案内溝を潜像として記録レジ
スト膜を現像後ＣＣｌ4，ＣＦ4＋Ｈ2 等のガスによりド
ライエッチングする事により上記所定形状の案内溝をガ
ラス板１に形成する。 【００１９】以上の案内溝形成方法によれば案内溝形成
後に基板を構成するものはガラス板のみであるので湿気
等に対して強い。以上の案内溝形成方法以外に基板の材
質をＰＭＭＡやポリカーボネート等の樹脂材料とし射出
成形や圧縮成形によって案内溝を形成する方法、あるい
はガラスやＰＭＭＡ樹脂の基板上に紫外線硬化樹脂を用
いて案内溝を形成する方法（２Ｐ法）があるがこれらの
形成方法はいずれも樹脂材料を仲立ちとしている為、そ
の樹脂材料の透湿性あるいは吸湿性あるいは酸素透過性
により樹脂材料を通じて酸素が侵入し記録媒体である希
土類・遷移金属合金薄膜が酸化されることによって特性
劣化する現象があった。 【００２０】次に上記案内溝を形成したガラス板１上に
上述したＴｉＯ2２，ＧｄＴｂＦｅ３，ＦｉＯ2４，Ｇｄ
ＴｂＦ５，ＴｉＯ2６を順に被覆する。これらの各膜の
被覆形成は蒸着，スパッタリング，イオンプレーティン
グ等の手段によって行い得るが、ＧｄＴｂＦｅ３は膜面
に垂直な方向に磁気異方性を有することが必要であり、
このＧｄＴｂＦｅ希土類・遷移金属合金膜に垂直磁気異
方性を持たせる容易さ、及び膜形成の再現象性、均一性
の得やすさから高周波スパッタリングにて上記各膜の形
成を行なうのが良い。 【００２１】この際上記多層膜構造の場合、ＴｉＯ
2２，ＧｄＴｂＦｅ３，ＴｉＯ2４，ＧｄＴｂＦｅ５，Ｔ
ｉＯ2６の各膜を形成するものであるからスパッタリン
グターゲットとしてＴｉＯ2，ＧｄＴｂＦｅの２種類だ
けでよいのでスパッタリング装置の小型簡略化を図る事
ができる。尚、ＧｄＴｂＦｅ３の層は記録媒体であるの
でこの膜は膜面に垂直な方向に磁化容易軸を持たねばな
らないが一方ＧｄＴｂＦｅ５の層は反射膜であるので記
録ビットの安定性から垂直磁化膜でない方が良い。この
ＧｄＴｂＦｅ３とＧｄＴｂＦｅ５の膜の違いを持たせる
為に次の方法を採る。図２はターゲットを一定の組成の
ＧｄＴｂＦｅとしスパッタリング時のＡｒ圧力を変化さ
せた時の形成膜の保磁力の変化を示している。同図に示
される様にターゲットが一定の組成のＧｄＴｂＦｅであ
ってもＡｒ圧力を変化させるだけで保磁力が変化（即ち
膜の組成が変化）するものである。実際にはＡｒ圧の低
い時にはＦｅリッチ（Ａ部分）に、Ａｒ圧の高い時には
希土類（Ｇｄ，Ｔｂ）リッチ（Ｂ部分）になっている。
更に図示していないがＡｒ圧のかなり低い所では垂直磁
気異方性の無いＦｅリッチの組成膜が出来、Ａｒ圧のか
なり高い所では垂直磁気異方性の無い希土類（Ｇｄ，Ｔ
ｂ）リッチの組成膜が出来る。反射膜５としては希土類
リッチの方が酸化防止の点から好ましい。 【００２２】こうして上記ＴｉＯ2２，ＧｄＴｂＦｅ
３，ＴｉＯ2４，ＧｄＴｂＦｅ５，ＴｉＯ2６ の多層膜
の形成時にはスパッタリングターゲットとしてＴｉ
Ｏ2，ＧｄＴｂＦｅの２種類のみを用いＡｒ圧を適宜調
整して膜面に垂直な方向に磁化容易軸を持つＧｄＴｂＦ
ｅ３，及び膜面に平行な方向に磁化容易軸を持つＧｄＴ
ｂＦｅ５を作成する。尚ＴｉＯ2２ の膜厚は５０〜１０
０ｎｍ，ＧｄＴｂＦｅ３の膜厚は１０〜３０ｎｍ、Ｔｉ
Ｏ2４ の膜厚は３０〜１００ｎｍ、ＧｄＴｂＦｅ５の膜
厚は１００ｎｍ以上、ＴｉＯ2６ の膜厚は５０ｎｍ以上
であれば適切な素子構造を得る。 【００２３】以上の実施形態以外に次の実施形態が可能
である。即ち上記誘電体膜２の材質としてＳｉ3Ｎ4，Ｓ
ｉＯ，ＺｎＳ，ＣｅＯ2，ＺｒＯ2，Ｓｂ2Ｏ3，Ｎｄ
2Ｏ3，ＣｅＦ3 の何れかを用いる。これらは屈折率が
１．７〜２．５とＴｉＯ2（屈折率２．４）と同程度の
ため膜厚は上記の値と同等である。又上記磁性体膜３及
び反射膜５の材質としてＧｄＴｂＤｙＦｅ，ＴｂＤｙＦ
ｅ，ＧｄＣｏ等他の希土類−遷移金属合金あるいはこれ
らの希土類−遷移金属合金に不純物元素が加わったもの
を用いてもよい。 【００２４】又図３に示すように案内溝を形成したガラ
ス板１の上面にＰＭＭＡの樹脂基板７を貼り合わせても
よい。これによりガラス板１の割れ等が防止できるので
素子の取り扱いが容易になる。上記樹脂基板７はフォト
ポリマー法によって形成してもよい。この場合同図に示
す如く裏面にも上記樹脂基板７と同様の製法にて樹脂基
板８を形成すればより効果的である。又本発明の要旨は
透明基板と、希土類と遷移金属の合金からなる膜面に垂
直な方向に磁気異方性を有する磁性体膜と、該磁性体膜
と同一材質からなる反射膜とがこの順に積層されて構成
される磁気光学記憶素子にあり、この構成によって裏面
よりの酸素及び水分の透過を防止する事を可能としたも
のである。 【００２５】従ってこの要旨を逸脱する事なく様々な構
成をとる事ができる。例えば図１、図３に示される誘電
体膜２が無い構造の磁気光学記憶素子の構成であっても
よいのである。 【００２６】 【発明の効果】以上のように、本発明によれば、希土類
と遷移金属の合金で構成される第１の磁性体薄膜の酸化
を防止し、第１の誘電体膜によりカー回転角を増大し、
また、第１、第２の誘電体膜は同材質からなり構成を簡
単にできる。
ギーで情報を記録あるいは消去し光と磁気の相互作用を
利用して情報を再生する磁気光学記憶素子に関する。 【０００２】 【従来の技術】近年、高密度，大容量，高速アクセスを
狙いとした光メモリ装置の研究開発が精力的に行われて
いる。中でも、情報の消去が可能な光磁気メモリ装置は
文字・画像等のファイルメモリや書き換え可能なビデオ
ディスク等の応用が考えられ光メモリ装置の中でもとり
わけ有望視されているものである。 【０００３】光磁気メモリ用材料としては１９６０年代
から１９７０年代にかけＭｎＢｉを中心とする多結晶性
薄膜が検討されたが材料の作成が困難な事、記録エネル
ギーが多くいる事、結晶粒界によるノイズが無視できな
い事等により、現在はＧｄＴｂＦｅ，ＴｂＤｙＦｅ，Ｇ
ｄＣｏ等、希土類と遷移金属の合金薄膜が材料検討の中
心となっている。これらの材料はアモルファスであるた
め、記録に利用するレーザパワーに応じた記録スレッシ
ョルドを有する膜を作ることが可能であること、粒界ノ
イズがないため再生信号の品質が良いこと等の利点があ
る。 【０００４】 【発明が解決しょうとする課題】しかし、この種の希土
類と遷移金属の合金薄膜は希土類が酸化しやすく最初所
定の組成比を有する膜を作っても時間と伴に希土類の酸
化が進み遷移金属リッチの組成に移り、極端な場合は高
密度メモリに必要な垂直異方性がなくなり、又そうでな
い場合でも保磁力の変化により記録特性が変化する等酸
化の点で問題がある。 【０００５】また、カー回転角が小さく、信号の再生が
困難であるという問題がある。 【０００６】さらに、希土類と遷移金属の合金薄膜間で
原子等の移動が起こると磁気特性が変化するという問題
がある。 【０００７】そこで、本発明は上述の問題点に鑑みてな
されたものであって、希土類と遷移金属の合金薄膜で構
成される磁性体膜の酸化を防止、並びに磁気特性の変化
を抑制することができると共に、カー回転角を増大する
ことのできる構成を備えた磁気光学記憶素子を提供する
ことを目的とする。 【０００８】 【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
め、本発明は、基板と、カー回転角を増大するために設
けられた第１の誘電体膜と、希土類と遷移金属の合金か
らなる第１の磁性体膜と、第１の誘電体膜と同材質の第
２誘電体膜と、希土類と遷移金属の合金からなる第２の
磁性体膜とをこの順で形成したことを特徴とする磁気光
学記憶素子である。 【０００９】 【作用】カー回転角を増大し、かつ、このカー回転角を
増大するために設けた第１の誘電体膜と、第１、第２磁
性体薄膜の間に設ける第２の誘電体は同材質の誘電体膜
からなり、構成も極めて簡単である。 【００１０】 【実施例】以下、本発明の具体的な実施例を図面を参照
しながら詳説する。 【００１１】図１は本発明の磁気光学記憶素子の一実施
例の一部側面断面図である。 【００１２】図中１はソーダライム石英等のガラス板で
あり、該ガラス板１には巾０．５〜１．５μｍ，ピッチ
１．０〜３．０μｍ，深さ４０〜９０ｎｍの案内溝が形
成されている。この案内溝は記録・消去時に光ビームを
所定位置に案内する為に必要なものである。 【００１３】２はＴｉＯ2 の誘電体膜である。該誘電体
膜２は屈折率が２．４で上記ガラス板１の屈折率より大
きい。該誘電体膜２はカー回転角を増大する為に設けら
れるものである。 【００１４】３はＧｄＴｂＦｅ磁性体膜であり希土類と
遷移金属の合金からなる膜面に垂直な方向に磁気異方性
を有する磁性体膜である。 【００１５】４はＴｉＯ2 の誘電体膜である。該誘電体
膜４はカー回転角を増大するため、及び上記磁性体膜３
と後述する反射膜５の間の断熱、及び上記磁性体膜３と
後述する反射膜５の間の原子，電子の移動を防ぐ為等に
設けられるものである。 【００１６】５はＧｄＴｂＦｅ磁性体膜であり希土類と
遷移金属の合金からなる磁性体（即ち上記磁性体膜３と
同一材質）から構成される反射膜である。この反射膜５
はカー回転角を増大させる作用（例えば特願昭５５−８
５６９５を参照）と上記磁性体膜３の酸化を防ぐ作用と
を合わせ持つ。即ちこの反射膜５の成分であるＧｄ，Ｔ
ｂの希土類金属は極めて酸化されやすいので外部から侵
入した酸素が上記磁性体膜３に達する前に反射膜５が先
に酸化され、よって磁性体膜３に達する酸素の量を極力
減少せしめるものである。 【００１７】６は上記反射膜５の保護のためのＴｉＯ2
の誘電体膜である。 【００１８】次に上述した磁気光学記憶素子の一実施例
の製法について説明する。上記ガラス板１は円板形状で
厚さは０．５〜２ｍｍ程度であり、このガラス板１にレ
ジスト膜を塗布し、該塗布状態にてガラス板１を回転さ
せながらＡｒレーザ，ＨｅＣｄレーザ等のレーザを用い
てレジスト膜に所定の巾の案内溝を潜像として記録レジ
スト膜を現像後ＣＣｌ4，ＣＦ4＋Ｈ2 等のガスによりド
ライエッチングする事により上記所定形状の案内溝をガ
ラス板１に形成する。 【００１９】以上の案内溝形成方法によれば案内溝形成
後に基板を構成するものはガラス板のみであるので湿気
等に対して強い。以上の案内溝形成方法以外に基板の材
質をＰＭＭＡやポリカーボネート等の樹脂材料とし射出
成形や圧縮成形によって案内溝を形成する方法、あるい
はガラスやＰＭＭＡ樹脂の基板上に紫外線硬化樹脂を用
いて案内溝を形成する方法（２Ｐ法）があるがこれらの
形成方法はいずれも樹脂材料を仲立ちとしている為、そ
の樹脂材料の透湿性あるいは吸湿性あるいは酸素透過性
により樹脂材料を通じて酸素が侵入し記録媒体である希
土類・遷移金属合金薄膜が酸化されることによって特性
劣化する現象があった。 【００２０】次に上記案内溝を形成したガラス板１上に
上述したＴｉＯ2２，ＧｄＴｂＦｅ３，ＦｉＯ2４，Ｇｄ
ＴｂＦ５，ＴｉＯ2６を順に被覆する。これらの各膜の
被覆形成は蒸着，スパッタリング，イオンプレーティン
グ等の手段によって行い得るが、ＧｄＴｂＦｅ３は膜面
に垂直な方向に磁気異方性を有することが必要であり、
このＧｄＴｂＦｅ希土類・遷移金属合金膜に垂直磁気異
方性を持たせる容易さ、及び膜形成の再現象性、均一性
の得やすさから高周波スパッタリングにて上記各膜の形
成を行なうのが良い。 【００２１】この際上記多層膜構造の場合、ＴｉＯ
2２，ＧｄＴｂＦｅ３，ＴｉＯ2４，ＧｄＴｂＦｅ５，Ｔ
ｉＯ2６の各膜を形成するものであるからスパッタリン
グターゲットとしてＴｉＯ2，ＧｄＴｂＦｅの２種類だ
けでよいのでスパッタリング装置の小型簡略化を図る事
ができる。尚、ＧｄＴｂＦｅ３の層は記録媒体であるの
でこの膜は膜面に垂直な方向に磁化容易軸を持たねばな
らないが一方ＧｄＴｂＦｅ５の層は反射膜であるので記
録ビットの安定性から垂直磁化膜でない方が良い。この
ＧｄＴｂＦｅ３とＧｄＴｂＦｅ５の膜の違いを持たせる
為に次の方法を採る。図２はターゲットを一定の組成の
ＧｄＴｂＦｅとしスパッタリング時のＡｒ圧力を変化さ
せた時の形成膜の保磁力の変化を示している。同図に示
される様にターゲットが一定の組成のＧｄＴｂＦｅであ
ってもＡｒ圧力を変化させるだけで保磁力が変化（即ち
膜の組成が変化）するものである。実際にはＡｒ圧の低
い時にはＦｅリッチ（Ａ部分）に、Ａｒ圧の高い時には
希土類（Ｇｄ，Ｔｂ）リッチ（Ｂ部分）になっている。
更に図示していないがＡｒ圧のかなり低い所では垂直磁
気異方性の無いＦｅリッチの組成膜が出来、Ａｒ圧のか
なり高い所では垂直磁気異方性の無い希土類（Ｇｄ，Ｔ
ｂ）リッチの組成膜が出来る。反射膜５としては希土類
リッチの方が酸化防止の点から好ましい。 【００２２】こうして上記ＴｉＯ2２，ＧｄＴｂＦｅ
３，ＴｉＯ2４，ＧｄＴｂＦｅ５，ＴｉＯ2６ の多層膜
の形成時にはスパッタリングターゲットとしてＴｉ
Ｏ2，ＧｄＴｂＦｅの２種類のみを用いＡｒ圧を適宜調
整して膜面に垂直な方向に磁化容易軸を持つＧｄＴｂＦ
ｅ３，及び膜面に平行な方向に磁化容易軸を持つＧｄＴ
ｂＦｅ５を作成する。尚ＴｉＯ2２ の膜厚は５０〜１０
０ｎｍ，ＧｄＴｂＦｅ３の膜厚は１０〜３０ｎｍ、Ｔｉ
Ｏ2４ の膜厚は３０〜１００ｎｍ、ＧｄＴｂＦｅ５の膜
厚は１００ｎｍ以上、ＴｉＯ2６ の膜厚は５０ｎｍ以上
であれば適切な素子構造を得る。 【００２３】以上の実施形態以外に次の実施形態が可能
である。即ち上記誘電体膜２の材質としてＳｉ3Ｎ4，Ｓ
ｉＯ，ＺｎＳ，ＣｅＯ2，ＺｒＯ2，Ｓｂ2Ｏ3，Ｎｄ
2Ｏ3，ＣｅＦ3 の何れかを用いる。これらは屈折率が
１．７〜２．５とＴｉＯ2（屈折率２．４）と同程度の
ため膜厚は上記の値と同等である。又上記磁性体膜３及
び反射膜５の材質としてＧｄＴｂＤｙＦｅ，ＴｂＤｙＦ
ｅ，ＧｄＣｏ等他の希土類−遷移金属合金あるいはこれ
らの希土類−遷移金属合金に不純物元素が加わったもの
を用いてもよい。 【００２４】又図３に示すように案内溝を形成したガラ
ス板１の上面にＰＭＭＡの樹脂基板７を貼り合わせても
よい。これによりガラス板１の割れ等が防止できるので
素子の取り扱いが容易になる。上記樹脂基板７はフォト
ポリマー法によって形成してもよい。この場合同図に示
す如く裏面にも上記樹脂基板７と同様の製法にて樹脂基
板８を形成すればより効果的である。又本発明の要旨は
透明基板と、希土類と遷移金属の合金からなる膜面に垂
直な方向に磁気異方性を有する磁性体膜と、該磁性体膜
と同一材質からなる反射膜とがこの順に積層されて構成
される磁気光学記憶素子にあり、この構成によって裏面
よりの酸素及び水分の透過を防止する事を可能としたも
のである。 【００２５】従ってこの要旨を逸脱する事なく様々な構
成をとる事ができる。例えば図１、図３に示される誘電
体膜２が無い構造の磁気光学記憶素子の構成であっても
よいのである。 【００２６】 【発明の効果】以上のように、本発明によれば、希土類
と遷移金属の合金で構成される第１の磁性体薄膜の酸化
を防止し、第１の誘電体膜によりカー回転角を増大し、
また、第１、第２の誘電体膜は同材質からなり構成を簡
単にできる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の磁気光学記憶素子の一実施例の一部側
面断面図である。 【図２】製膜時のアルゴン圧と磁性体膜の保磁力との関
係を示す図である。 【図３】本発明の磁気光学記憶素子の他の実施例の一部
側面断面図である。 【符号の説明】 １ ガラス板 ２、４、６ 誘電体膜 ３ 磁性体膜 ５ 反射膜 ７、８ 樹脂基板
面断面図である。 【図２】製膜時のアルゴン圧と磁性体膜の保磁力との関
係を示す図である。 【図３】本発明の磁気光学記憶素子の他の実施例の一部
側面断面図である。 【符号の説明】 １ ガラス板 ２、４、６ 誘電体膜 ３ 磁性体膜 ５ 反射膜 ７、８ 樹脂基板
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フロントページの続き
(72)発明者 高橋 明
大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号
シャープ株式会社内
(72)発明者 山岡 秀嘉
大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号
シャープ株式会社内
(56)参考文献 特開 昭58−153244（ＪＰ，Ａ)
電子通信学会技術研究報告 ＶＯＬ.
81 ＮＯ．246（1982）（ＭＲ81−34)
Ｐ．９−14
シャープ技報 ＮＯ．22 1982 Ｐ.
63−67
シャープ技報 ＮＯ．22 1982 Ｐ.
57−62
(58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名)
G11B 11/10
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 １．基板と、カー回転角を増大するために設けられた第１の誘電体膜
と、 希土類と遷移金属の合金からなる第１の磁性体膜と、第１の誘電体膜と同材質の第２誘電体膜と、 希土類と遷移金属の合金からなる第２の磁性体膜とをこ
の順で形成したことを特徴とする磁気光学記憶素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7063942A JP2788717B2 (ja) | 1995-03-23 | 1995-03-23 | 磁気光学記憶素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7063942A JP2788717B2 (ja) | 1995-03-23 | 1995-03-23 | 磁気光学記憶素子 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4294266A Division JP2609407B2 (ja) | 1992-11-02 | 1992-11-02 | 磁気光学記憶素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07254177A JPH07254177A (ja) | 1995-10-03 |
| JP2788717B2 true JP2788717B2 (ja) | 1998-08-20 |
Family
ID=13243917
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7063942A Expired - Lifetime JP2788717B2 (ja) | 1995-03-23 | 1995-03-23 | 磁気光学記憶素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2788717B2 (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58153244A (ja) * | 1982-03-05 | 1983-09-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光磁気記録媒体 |
| JP2609407B2 (ja) * | 1992-11-02 | 1997-05-14 | シャープ株式会社 | 磁気光学記憶素子 |
-
1995
- 1995-03-23 JP JP7063942A patent/JP2788717B2/ja not_active Expired - Lifetime
Non-Patent Citations (3)
| Title |
|---|
| シャープ技報 ＮＯ．２２ １９８２ Ｐ．５７−６２ |
| シャープ技報 ＮＯ．２２ １９８２ Ｐ．６３−６７ |
| 電子通信学会技術研究報告 ＶＯＬ．８１ ＮＯ．２４６（１９８２）（ＭＲ８１−３４）Ｐ．９−１４ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07254177A (ja) | 1995-10-03 |
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