JP2784360B2 - インダクタンス素子 - Google Patents
インダクタンス素子Info
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体集積回路を構成
するのに適用し得るインダクタンス素子に関する。
するのに適用し得るインダクタンス素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、図１１及び図１２を伴って次に述
べるインダクタンス素子が提案されている。すなわち、
例えば半導体集積回路装置構成用の半絶縁性半導体基板
でなる絶縁性基板１の主面１ａ上にスパイラルに形成さ
れ且つインダクタンスを呈する線状導電性層２と、絶縁
性基板１の主面１ａ上に線状導電性層２のスパイラルの
内側端及び外側端からそれらと一体にスパイラルの外側
にそれぞれ延長して形成されている引出し用導電性層３
及び４とを有する。
べるインダクタンス素子が提案されている。すなわち、
例えば半導体集積回路装置構成用の半絶縁性半導体基板
でなる絶縁性基板１の主面１ａ上にスパイラルに形成さ
れ且つインダクタンスを呈する線状導電性層２と、絶縁
性基板１の主面１ａ上に線状導電性層２のスパイラルの
内側端及び外側端からそれらと一体にスパイラルの外側
にそれぞれ延長して形成されている引出し用導電性層３
及び４とを有する。
【０００３】この場合、線状導電性層２のスパイラルの
内側端からスパイラルの外側に延長している引出し用導
電性層３は、それが空隙５を介して線状導電性層２によ
って橋架されている態様で、線状導電性層２と立体交叉
している。
内側端からスパイラルの外側に延長している引出し用導
電性層３は、それが空隙５を介して線状導電性層２によ
って橋架されている態様で、線状導電性層２と立体交叉
している。
【０００４】以上が、従来提案されているインダクタン
ス素子の構成である。
ス素子の構成である。
【０００５】また、従来、図１３及び図１４を伴って次
に述べるインダクタンス素子も提案されている。
に述べるインダクタンス素子も提案されている。
【０００６】すなわち、図１１及び図１２で上述したと
同様の構成を有するインダクタンス素子において、線状
導電性層２及び引出し用導電性層３及び４が、蒸着法、
スパッタリング法などで形成されている絶縁性基板１側
の導電性層部Ａと、その導電性層部Ａ上に鍍金法によっ
て形成されている導電性層部Ｂとでなる。ただし、線状
導電性層２のスパイラルの内側端からスパイラルの外側
に延長している引出し用導電性層３については、空隙５
を介して橋架されている領域において、導電性層部Ｂ
が、それを導電性層部Ａ上に鍍金法によって形成するこ
とが困難であることから、欠除されている。
同様の構成を有するインダクタンス素子において、線状
導電性層２及び引出し用導電性層３及び４が、蒸着法、
スパッタリング法などで形成されている絶縁性基板１側
の導電性層部Ａと、その導電性層部Ａ上に鍍金法によっ
て形成されている導電性層部Ｂとでなる。ただし、線状
導電性層２のスパイラルの内側端からスパイラルの外側
に延長している引出し用導電性層３については、空隙５
を介して橋架されている領域において、導電性層部Ｂ
が、それを導電性層部Ａ上に鍍金法によって形成するこ
とが困難であることから、欠除されている。
【０００７】以上が、従来提案されている他のインダク
タンス素子の構成である。
タンス素子の構成である。
【０００８】図１１及び図１２に示す従来のインダクタ
ンス素子、及び図１３及び図１４に示す従来のインダク
タンス素子は、引出し用導電性層３及び４間の遊端間で
インダクタンスを呈し、よって、半導体集積回路を構成
し得るインダクタンス素子として機能する。
ンス素子、及び図１３及び図１４に示す従来のインダク
タンス素子は、引出し用導電性層３及び４間の遊端間で
インダクタンスを呈し、よって、半導体集積回路を構成
し得るインダクタンス素子として機能する。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】図１１及び図１２に示
す従来のインダクタンス素子の場合、線状導電性層２
が、引出し用導電性層３を橋架している領域を除いた全
域において、絶縁性基板１の主面１ａと接して形成さ
れ、また、引出し用導電性層３及び４が、それらの全域
において、絶縁性基板１の主面１ａと接して形成されて
いる。
す従来のインダクタンス素子の場合、線状導電性層２
が、引出し用導電性層３を橋架している領域を除いた全
域において、絶縁性基板１の主面１ａと接して形成さ
れ、また、引出し用導電性層３及び４が、それらの全域
において、絶縁性基板１の主面１ａと接して形成されて
いる。
【００１０】このため、図１１及び図１２に示す従来の
インダクタンス素子の場合、比較的大きな寄生容量を有
する、という欠点を有していた。
インダクタンス素子の場合、比較的大きな寄生容量を有
する、という欠点を有していた。
【００１１】また、図１３及び図１４に示す従来のイン
ダクタンス素子の場合、引出し用導電性層３が、線状導
電性層２によって橋架されている領域において、導電性
層部Ｂを有さず導電性層部Ａのみであるので、薄い厚さ
を有している。
ダクタンス素子の場合、引出し用導電性層３が、線状導
電性層２によって橋架されている領域において、導電性
層部Ｂを有さず導電性層部Ａのみであるので、薄い厚さ
を有している。
【００１２】このため、図１３及び図１４に示す従来の
インダクタンス素子の場合、引出し用導電性層３及び４
の延長端間で比較的大きな抵抗を有する、という欠点を
有していた。
インダクタンス素子の場合、引出し用導電性層３及び４
の延長端間で比較的大きな抵抗を有する、という欠点を
有していた。
【００１３】よって、本発明は、上述した欠点のない、
新規なインダクタンス素子を提案せんとするものであ
る。
新規なインダクタンス素子を提案せんとするものであ
る。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本願第１番目の発明によ
るインダクタンス素子は、図１１及び図１２で前述した
従来のインダクタンス素子の場合と同様の絶縁性基板上
に形成され且つインダクタンスを呈する線状導電性層を
有するインダクタンス素子において、上記線状導電性層
が、その延長途上の複数の位置において上記絶縁性基板
と局部的に接していることを除いて、上記絶縁性基板か
ら離間している。
るインダクタンス素子は、図１１及び図１２で前述した
従来のインダクタンス素子の場合と同様の絶縁性基板上
に形成され且つインダクタンスを呈する線状導電性層を
有するインダクタンス素子において、上記線状導電性層
が、その延長途上の複数の位置において上記絶縁性基板
と局部的に接していることを除いて、上記絶縁性基板か
ら離間している。
【００１５】本願第２番目の発明によるインダクタンス
素子は、図１３及び図１４で前述した従来のインダクタ
ンス素子の場合と同様の、絶縁性基板上にスパイラルに
形成され且つインダクタンスを呈する線状導電性層と、
上記絶縁性基板上に上記線状導電性層の上記スパイラル
の内側端からそれと一体に上記スパイラルの外側に上記
線状導電性層とそれによって橋架される態様で立体交叉
して延長して形成されている引出し用導電性層とを有す
るインダクタンス素子において、上記引出し用導電性層
が、上記線状導電性層のスパイラルの内側端からスパイ
ラルの外側の位置まで、外側に到るに従い幅広である領
域を有する。
素子は、図１３及び図１４で前述した従来のインダクタ
ンス素子の場合と同様の、絶縁性基板上にスパイラルに
形成され且つインダクタンスを呈する線状導電性層と、
上記絶縁性基板上に上記線状導電性層の上記スパイラル
の内側端からそれと一体に上記スパイラルの外側に上記
線状導電性層とそれによって橋架される態様で立体交叉
して延長して形成されている引出し用導電性層とを有す
るインダクタンス素子において、上記引出し用導電性層
が、上記線状導電性層のスパイラルの内側端からスパイ
ラルの外側の位置まで、外側に到るに従い幅広である領
域を有する。
【００１６】本願第３番目の発明によるインダクタンス
素子は、本願第２番目の発明によるインダクタンス素子
において、上記線状導電性層が、その延長途上の複数の
位置において上記絶縁性基板と局部的に接していること
を除いて、上記絶縁性基板から離間し、また、上記引出
し用導電性層が、上記線状導電性層の上記スパイラルの
内側端側の位置またはその位置を含めた延長途上の複数
の位置において上記絶縁性基板と局部的に接しているこ
とを除いて、上記絶縁性基板から離間している。
素子は、本願第２番目の発明によるインダクタンス素子
において、上記線状導電性層が、その延長途上の複数の
位置において上記絶縁性基板と局部的に接していること
を除いて、上記絶縁性基板から離間し、また、上記引出
し用導電性層が、上記線状導電性層の上記スパイラルの
内側端側の位置またはその位置を含めた延長途上の複数
の位置において上記絶縁性基板と局部的に接しているこ
とを除いて、上記絶縁性基板から離間している。
【００１７】
【作用・効果】本願第１番目の発明によるインダクタン
ス素子によれば、インダクタンスを呈する線状導電性層
が、その延長途上の複数の位置において絶縁性基板と局
部的に接していることを除いて、絶縁性基板から離間し
ているので、図１１及び図１２で前述した従来のインダ
クタンス素子の場合に比し小さな寄生容量しか有しな
い。
ス素子によれば、インダクタンスを呈する線状導電性層
が、その延長途上の複数の位置において絶縁性基板と局
部的に接していることを除いて、絶縁性基板から離間し
ているので、図１１及び図１２で前述した従来のインダ
クタンス素子の場合に比し小さな寄生容量しか有しな
い。
【００１８】本願第２番目の発明によるインダクタンス
素子によれば、引出し用導電性層が、線状導電性層のス
パイラルの内側端から外方に到るに従い幅広であるた
め、線状導電性層によって橋架されている領域が他の領
域に比し薄い厚さを有していても、同じ引出し用導電性
層の線状導電性層の内側端側の幅で、図１３及び図１４
で前述した従来のインダクタンス素子の場合に比し小さ
な抵抗しか有しない。
素子によれば、引出し用導電性層が、線状導電性層のス
パイラルの内側端から外方に到るに従い幅広であるた
め、線状導電性層によって橋架されている領域が他の領
域に比し薄い厚さを有していても、同じ引出し用導電性
層の線状導電性層の内側端側の幅で、図１３及び図１４
で前述した従来のインダクタンス素子の場合に比し小さ
な抵抗しか有しない。
【００１９】本願第３番目の発明によるインダクタンス
素子によれば、本願第１番目の発明によるインダクタン
ス素子の場合と同様の作用効果と、本願第２番目の発明
によるインダクタンス素子の場合と同様の作用効果とを
併せ有し、小さな寄生容量と小さな抵抗としか有しな
い。
素子によれば、本願第１番目の発明によるインダクタン
ス素子の場合と同様の作用効果と、本願第２番目の発明
によるインダクタンス素子の場合と同様の作用効果とを
併せ有し、小さな寄生容量と小さな抵抗としか有しな
い。
【００２０】
【実施例１】次に、図１及び図２を伴って、本発明によ
るインダクタンス素子の第１の実施例を述べよう。図１
及び図２において、図１１及び図１２との対応部分には
同一符号を付し、詳細説明を省略する。
るインダクタンス素子の第１の実施例を述べよう。図１
及び図２において、図１１及び図１２との対応部分には
同一符号を付し、詳細説明を省略する。
【００２１】図１及び図２に示す本発明によるインダク
タンス素子は、線状導電性層２が、その延長途上の複数
の位置Ｐにおいて絶縁性基板１の主面１ａと局部的に接
していることを除いて、絶縁性基板１の主面１ａから離
間し、また、引出し用導電性層３及び４が、線状導電性
層２のスパイラルの内側端側及び外側端側の位置Ｑまた
はその位置Ｑを含めた延長線上の複数の位置Ｑ（図示さ
れていない）において絶縁性基板１の主面１ａと局部的
に接していることを除いて、絶縁性基板１の主面１ａか
ら離間していることを除いて、図１１及び図１２で前述
した従来のインダクタンス素子の場合と同様の構成を有
する。
タンス素子は、線状導電性層２が、その延長途上の複数
の位置Ｐにおいて絶縁性基板１の主面１ａと局部的に接
していることを除いて、絶縁性基板１の主面１ａから離
間し、また、引出し用導電性層３及び４が、線状導電性
層２のスパイラルの内側端側及び外側端側の位置Ｑまた
はその位置Ｑを含めた延長線上の複数の位置Ｑ（図示さ
れていない）において絶縁性基板１の主面１ａと局部的
に接していることを除いて、絶縁性基板１の主面１ａか
ら離間していることを除いて、図１１及び図１２で前述
した従来のインダクタンス素子の場合と同様の構成を有
する。
【００２２】図１及び図２に示す本発明によるインダク
タンス素子によれば、インダクタンスを呈する線状導電
性層２が、その延長途上の複数の位置Ｐにおいて絶縁性
基板１と局部的に接していることを除いて、絶縁性基板
１から離間し、また、引出し用導電性層３及び４が、線
状導電性層２のスパイラルの内側端側及び外側端側の位
置Ｑにおいて絶縁性基板１と局部的に接していることを
除いて、絶縁性基板１から離間しているので、図１１及
び図１２で前述した従来のインダクタンス素子の場合に
比し小さな寄生容量しか有しないことは明らかである。
タンス素子によれば、インダクタンスを呈する線状導電
性層２が、その延長途上の複数の位置Ｐにおいて絶縁性
基板１と局部的に接していることを除いて、絶縁性基板
１から離間し、また、引出し用導電性層３及び４が、線
状導電性層２のスパイラルの内側端側及び外側端側の位
置Ｑにおいて絶縁性基板１と局部的に接していることを
除いて、絶縁性基板１から離間しているので、図１１及
び図１２で前述した従来のインダクタンス素子の場合に
比し小さな寄生容量しか有しないことは明らかである。
【００２３】
【実施例２】次に、図３及び図４を伴って、本発明によ
るインダクタンス素子の第２の実施例を述べよう。図３
及び図４において、図１３及び図１４との対応部分には
同一符号を付し、詳細説明を省略する。
るインダクタンス素子の第２の実施例を述べよう。図３
及び図４において、図１３及び図１４との対応部分には
同一符号を付し、詳細説明を省略する。
【００２４】図３及び図４に示す本発明によるインダク
タンス素子は、線状導電性層２のスパイラルの内側端か
らスパイラルの外側に線状導電性層２と立体交叉してい
る引出し用導電性層３が、線状導電性層２のスパイラル
の内側端からスパイラルの外側の位置まで外側に到るに
従い幅広である領域Ｍを有することを除いて、図１３及
び図１４で前述した従来のインダクタンス素子の場合と
同様の構成を有する。
タンス素子は、線状導電性層２のスパイラルの内側端か
らスパイラルの外側に線状導電性層２と立体交叉してい
る引出し用導電性層３が、線状導電性層２のスパイラル
の内側端からスパイラルの外側の位置まで外側に到るに
従い幅広である領域Ｍを有することを除いて、図１３及
び図１４で前述した従来のインダクタンス素子の場合と
同様の構成を有する。
【００２５】なお、この場合、引出し用導電性層３の幅
広である領域Ｍが、その延長方向の両側に、線状導電性
層２のスパイラルの外側に到るに従い広がっている。
広である領域Ｍが、その延長方向の両側に、線状導電性
層２のスパイラルの外側に到るに従い広がっている。
【００２６】図３及び図４に示す本発明によるインダク
タンス素子によれば、引出し用導電性層３が、線状導電
性層２のスパイラルの内側端からスパイラルの外側の位
置まで外側に到るに従い幅広である領域Ｍを有するた
め、線状導電性層２によって橋架されている領域が、導
電性層部Ｂが欠除されていることによって、他の領域に
比し薄い厚さを有していても、同じ引出し用導電性層の
線状導電性層２の内側端側の幅で、図１３及び図１４で
前述した従来のインダクタンス素子の場合に比し小さな
抵抗しか有しない。
タンス素子によれば、引出し用導電性層３が、線状導電
性層２のスパイラルの内側端からスパイラルの外側の位
置まで外側に到るに従い幅広である領域Ｍを有するた
め、線状導電性層２によって橋架されている領域が、導
電性層部Ｂが欠除されていることによって、他の領域に
比し薄い厚さを有していても、同じ引出し用導電性層の
線状導電性層２の内側端側の幅で、図１３及び図１４で
前述した従来のインダクタンス素子の場合に比し小さな
抵抗しか有しない。
【００２７】
【実施例３】次に、図５及び図６を伴って、本発明によ
るインダクタンス素子の第３の実施例を述べよう。図５
及び図６において、図３及び図４との対応部分には同一
符号を付し、詳細説明を省略する。
るインダクタンス素子の第３の実施例を述べよう。図５
及び図６において、図３及び図４との対応部分には同一
符号を付し、詳細説明を省略する。
【００２８】図５及び図６に示す本発明によるインダク
タンス素子は、引出し用導電性層３の幅広である領域Ｍ
が、その延長方向の、領域Ｍから外側に延長している領
域Ｋ側の一方側にのみ、線状導電性層２のスパイラルの
外側に到るに従い広がっていることを除いて、図３及び
図４で上述した本発明によるインダクタンス素子の場合
と同様の構成を有する。
タンス素子は、引出し用導電性層３の幅広である領域Ｍ
が、その延長方向の、領域Ｍから外側に延長している領
域Ｋ側の一方側にのみ、線状導電性層２のスパイラルの
外側に到るに従い広がっていることを除いて、図３及び
図４で上述した本発明によるインダクタンス素子の場合
と同様の構成を有する。
【００２９】図５及び図６に示す本発明によるインダク
タンス素子によれば、上述した事項を除いて、図３及び
図４で上述した本発明によるインダクタンス素子の場合
と同様の構成を有するので、図３及び図４で上述した本
発明によるインダクタンス素子の場合と同様の作用効果
が得られる外、幅広の領域Ｍが、引出し用導電性層３の
幅広である領域Ｍから外側に延長している領域Ｋ側に広
がっているので、図３及び図４の場合に比し狭い領域Ｍ
の面積で効果的に電流を流すことができる。
タンス素子によれば、上述した事項を除いて、図３及び
図４で上述した本発明によるインダクタンス素子の場合
と同様の構成を有するので、図３及び図４で上述した本
発明によるインダクタンス素子の場合と同様の作用効果
が得られる外、幅広の領域Ｍが、引出し用導電性層３の
幅広である領域Ｍから外側に延長している領域Ｋ側に広
がっているので、図３及び図４の場合に比し狭い領域Ｍ
の面積で効果的に電流を流すことができる。
【００３０】
【実施例４】次に、図７及び図８を伴って、本発明によ
るインダクタンス素子の第４の実施例を述べよう。図７
及び図８において、図３及び図４との対応部分には同一
符号を付し、詳細説明を省略する。
るインダクタンス素子の第４の実施例を述べよう。図７
及び図８において、図３及び図４との対応部分には同一
符号を付し、詳細説明を省略する。
【００３１】図７及び図８に示す本発明によるインダク
タンス素子は、線状導電性層２が、図１及び図２で上述
した本発明によるインダクタンス素子の場合と同様に、
その延長途上の複数の位置Ｐにおいて絶縁性基板１と局
部的に接していることを除いて、絶縁性基板１から離間
し、また、引出し用導電性層３及び４が、線状導電性層
２のスパイラルの内側端側及び外側端側の位置Ｑまたは
その位置を含めた延長線上の複数の位置Ｑにおいて絶縁
性基板１と局部的に接していることを除いて、絶縁性基
板１から離間していることを除いて、図３及び図４で上
述した本発明によるインダクタンス素子の場合と同様の
構成を有する。
タンス素子は、線状導電性層２が、図１及び図２で上述
した本発明によるインダクタンス素子の場合と同様に、
その延長途上の複数の位置Ｐにおいて絶縁性基板１と局
部的に接していることを除いて、絶縁性基板１から離間
し、また、引出し用導電性層３及び４が、線状導電性層
２のスパイラルの内側端側及び外側端側の位置Ｑまたは
その位置を含めた延長線上の複数の位置Ｑにおいて絶縁
性基板１と局部的に接していることを除いて、絶縁性基
板１から離間していることを除いて、図３及び図４で上
述した本発明によるインダクタンス素子の場合と同様の
構成を有する。
【００３２】図７及び図８に示す本発明によるインダク
タンス素子によれば、上述した事項を除いて、図３及び
図４で上述した本発明によるインダクタンス素子と同様
の構成を有するので、詳細説明は省略するが、図３及び
図４で上述した本発明による作用効果と、図１及び図２
で上述した本発明による作用効果とを併せ有することは
明らかである。
タンス素子によれば、上述した事項を除いて、図３及び
図４で上述した本発明によるインダクタンス素子と同様
の構成を有するので、詳細説明は省略するが、図３及び
図４で上述した本発明による作用効果と、図１及び図２
で上述した本発明による作用効果とを併せ有することは
明らかである。
【００３３】
【実施例５】次に、図９及び図１０を伴って、本発明に
よるインダクタンス素子の第５の実施例を述べよう。図
９及び図１０において、図５及び図６との対応部分には
同一符号を付し、詳細説明を省略する。
よるインダクタンス素子の第５の実施例を述べよう。図
９及び図１０において、図５及び図６との対応部分には
同一符号を付し、詳細説明を省略する。
【００３４】図９及び図１０に示す本発明によるインダ
クタンス素子は、線状導電性層２が、図１及び図２で上
述した本発明によるインダクタンス素子、及び図７及び
図８で上述した本発明によるインダクタンス素子の場合
と同様に、その延長途上の複数の位置Ｐにおいて絶縁性
基板１と局部的に接していることを除いて、絶縁性基板
１から離間し、また、引出し用導電性層３及び４が、線
状導電性層２のスパイラルの内側端側及び外側端側の位
置Ｑまたはその位置を含めた延長線上の複数の位置Ｑに
おいて絶縁性基板１と局部的に接していることを除い
て、絶縁性基板１から離間していることを除いて、図５
及び図６で上述した本発明によるインダクタンス素子の
場合と同様の構成を有する。
クタンス素子は、線状導電性層２が、図１及び図２で上
述した本発明によるインダクタンス素子、及び図７及び
図８で上述した本発明によるインダクタンス素子の場合
と同様に、その延長途上の複数の位置Ｐにおいて絶縁性
基板１と局部的に接していることを除いて、絶縁性基板
１から離間し、また、引出し用導電性層３及び４が、線
状導電性層２のスパイラルの内側端側及び外側端側の位
置Ｑまたはその位置を含めた延長線上の複数の位置Ｑに
おいて絶縁性基板１と局部的に接していることを除い
て、絶縁性基板１から離間していることを除いて、図５
及び図６で上述した本発明によるインダクタンス素子の
場合と同様の構成を有する。
【００３５】図９及び図１０に示す本発明によるインダ
クタンス素子によれば、上述した事項を除いて、図５及
び図６で上述した本発明によるインダクタンス素子と同
様の構成を有するので、詳細説明は省略するが、図５及
び図６で上述した本発明による作用効果と、図１及び図
２で上述した本発明による作用効果とを併せ有すること
は明らかである。
クタンス素子によれば、上述した事項を除いて、図５及
び図６で上述した本発明によるインダクタンス素子と同
様の構成を有するので、詳細説明は省略するが、図５及
び図６で上述した本発明による作用効果と、図１及び図
２で上述した本発明による作用効果とを併せ有すること
は明らかである。
【図１】本発明によるインダクタンス素子の第１の実施
例を示す略線的平面図である。
例を示す略線的平面図である。
【図２】本発明によるインダクタンス素子の第１の実施
例を示す、図１の２−２線上の断面図である。
例を示す、図１の２−２線上の断面図である。
【図３】本発明によるインダクタンス素子の第２の実施
例を示す略線的平面図である。
例を示す略線的平面図である。
【図４】本発明によるインダクタンス素子の第２の実施
例を示す、図３の４−４線上の断面図である。
例を示す、図３の４−４線上の断面図である。
【図５】本発明によるインダクタンス素子の第３の実施
例を示す略線的平面図である。
例を示す略線的平面図である。
【図６】本発明によるインダクタンス素子の第３の実施
例を示す、図５の６−６線上の断面図である。
例を示す、図５の６−６線上の断面図である。
【図７】本発明によるインダクタンス素子の第４の実施
例を示す略線的平面図である。
例を示す略線的平面図である。
【図８】本発明によるインダクタンス素子の第４の実施
例を示す、図７の８−８線上の断面図である。
例を示す、図７の８−８線上の断面図である。
【図９】本発明によるインダクタンス素子の第５の実施
例を示す略線的平面図である。
例を示す略線的平面図である。
【図１０】本発明によるインダクタンス素子の第５の実
施例を示す、図９の１０−１０線上の断面図である。
施例を示す、図９の１０−１０線上の断面図である。
【図１１】従来のインダクタンス素子を示す略線的平面
図である。
図である。
【図１２】従来のインダクタンス素子を示す、図１１の
１２−１２線上の断面図である。
１２−１２線上の断面図である。
【図１３】従来の他のインダクタンス素子を示す略線的
平面図である。
平面図である。
【図１４】従来のインダクタンス素子を示す、図１３の
１４−１４線上の断面図である。
１４−１４線上の断面図である。
１ 絶縁性基板 １ａ 絶縁性基板１の主面 ２ 線状導電性層 ３、４ 引出し用導電性層 ５ 空隙 Ａ、Ｂ 導電性層部 Ｍ、Ｋ 領域 Ｐ、Ｑ 位置
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平４−290212（ＪＰ，Ａ) 特開 昭51−30319（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−177406（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−163913（ＪＰ，Ａ)
Claims (3)
- 【請求項１】 絶縁性基板上に形成され且つインダクタ
ンスを呈する線状導電性層を有するインダクタンス素子
において、 上記線状導電性層が、その延長途上の複数の位置におい
て上記絶縁性基板と局部的に接していることを除いて、
上記絶縁性基板から離間していることを特徴とするイン
ダクタンス素子。 - 【請求項２】 絶縁性基板上にスパイラルに形成され且
つインダクタンスを呈する線状導電性層と、 上記絶縁性基板上に上記線状導電性層の上記スパイラル
の内側端からそれと一体に上記スパイラルの外側に上記
線状導電性層とそれによって橋架される態様で立体交叉
して延長して形成されている引出し用導電性層とを有す
るインダクタンス素子において、 上記引出し用導電性層が、上記線状導電性層のスパイラ
ルの内側端からスパイラルの外側の位置まで、外側に到
るに従い幅広である領域を有することを特徴とするイン
ダクタンス素子。 - 【請求項３】 請求項２記載のインダクタンス素子にお
いて、 上記線状導電性層が、その延長途上の複数の位置におい
て上記絶縁性基板と局部的に接していることを除いて、
上記絶縁性基板から離間し、 上記引出し用導電性層が、上記線状導電性層の上記スパ
イラルの内側端側の位置またはその位置を含めた延長途
上の複数の位置において上記絶縁性基板と局部的に接し
ていることを除いて、上記絶縁性基板から離間している
ことを有することを特徴とするインダクタンス素子。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6272591A JP2784360B2 (ja) | 1991-03-04 | 1991-03-04 | インダクタンス素子 |
| US07/787,136 US5281769A (en) | 1990-11-05 | 1991-11-04 | Dewall plating technique |
| US08/133,211 US5639686A (en) | 1990-11-05 | 1993-10-07 | Method of fabricating circuit elements on an insulating substrate |
| US08/449,277 US5550068A (en) | 1990-11-05 | 1995-05-24 | Process of fabricating a circuit element for transmitting microwave signals |
| US08/608,520 US5652157A (en) | 1990-11-05 | 1996-02-28 | Forming a gate electrode on a semiconductor substrate by using a T-shaped dummy gate |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6272591A JP2784360B2 (ja) | 1991-03-04 | 1991-03-04 | インダクタンス素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0541322A JPH0541322A (ja) | 1993-02-19 |
| JP2784360B2 true JP2784360B2 (ja) | 1998-08-06 |
Family
ID=13208628
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6272591A Expired - Lifetime JP2784360B2 (ja) | 1990-11-05 | 1991-03-04 | インダクタンス素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2784360B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6248461B2 (ja) * | 2013-08-08 | 2017-12-20 | Tdk株式会社 | 積層型コモンモードフィルタ |
-
1991
- 1991-03-04 JP JP6272591A patent/JP2784360B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0541322A (ja) | 1993-02-19 |
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