JP2778571B2 - 光ディスク原盤の露光装置 - Google Patents

光ディスク原盤の露光装置

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JP2778571B2
JP2778571B2 JP8015136A JP1513696A JP2778571B2 JP 2778571 B2 JP2778571 B2 JP 2778571B2 JP 8015136 A JP8015136 A JP 8015136A JP 1513696 A JP1513696 A JP 1513696A JP 2778571 B2 JP2778571 B2 JP 2778571B2
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勇自 茶木
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Nippon Electric Co Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、光ディスク原盤の
露光装置に関する。
【0002】
【従来の技術】図4に従来例を示す。この図4に示す光
ディスク原盤の露光システムは、レーザ光を照射する発
光部60と、発光されたレーザ光を変調し所定の露光パ
ワーPに設定する光変調装置50と、変調されたレーザ
光に基づいて光ディスク原盤を露光する露光部70と、
この露光部70が有する光ヘッドのディスク原盤上の半
径方向位置(露光位置)rを検出する位置検出部80と
を備えている。
【0003】このうち、光変調装置50は、位置検出部
80により検出された半径方向位置rに基づいてレーザ
光に設定すべき露光パワーを算出する制御部53と、こ
の制御部53による露光パワーの算出結果に基づく所定
の駆動電圧VC を出力する駆動部52と、この駆動部5
2により印加された駆動電圧VC に応じてレーザ光の露
光パワーPを変調する音響光学素子等を有する変調部5
1とを備えている。
【0004】そして、位置検出部80により露光位置r
が逐次検出されると、制御部53は、図5(a)に示す
ように、当該露光位置rの変化に対し駆動部52から変
調部51に印加される駆動電圧VC が線形的に変化する
ように制御する。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来例にあっては、変調部51に装備された音響光学素子
等の結晶の特性により、その透過率が特に有効電圧の高
い領域又は低い領域において線形でないため、図
(b)に示すように、光ヘッドの露光位置rに対し実際
の露光パワーPが一部線形に変化せず、これがため、露
光された原盤のパターンが均一性にならないという不都
合があった。
【0006】
【発明の目的】そこで、本発明は、上記従来例の有する
不都合を改善し、特に、露光位置によらず、原盤パター
ンを均一化することのできる光ディスク原盤の露光装置
を提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項1記載の発明では、レーザ光を照射する発光
部と、音響光学素子等の光変調素子を備え発光部から照
射されたレーザ光を駆動電圧に応じて変調し所定の露光
パワーに設定する変調部と、この変調部を通過したレー
ザ光を分光採取するビームサンプラと、このビームサン
プラを通過したレーザ光を取り込んで光ディスク原盤の
露光を行う露光部と、光ディスク原盤上での露光位置を
検出する露光位置検出部と、ビームサンプラより分光さ
れた光を受光し当該受光量に応じたモニタ電圧を出力す
る受光部と、変調部に駆動電圧を印加する駆動部と、露
光位置の変化に対し露光パワーが線形変化するような露
光位置ごとの駆動電圧を記憶したメモリと、このメモリ
を参照し露光位置検出部から出力される露光位置に対応
した駆動電圧が駆動部から出力されるように該駆動部
制御する制御部とを備えている。そして、制御部は、初
期動作として、駆動電圧を変化させ該駆動電圧とモニタ
電圧との対応関係をメモリに格納した後、該モニタ電圧
を露光位置に置換し、これにより得た露光位置と駆動電
圧との対応関係をメモリに格納する、という構成を採っ
ている。
【0008】(削除)
【0009】請求項2記載の発明では、請求項1記載の
光ディスク原盤の露光装置において、制御部に、光ディ
スク原盤上の希望露光範囲及び当該希望露光範囲の内外
周における希望露光パワーをそれぞれ入力する露光条件
設定部を併設し、メモリには 、露光パワーとモニタ電圧
との対応関係を予め格納しておき、制御部は、初期動作
として、メモリを参照し露光条件設定部から入力された
希望露光パワーを対応するモニタ電圧V b1 ,V b2 に変換
すると共に露光範囲の内周位置,外周位置に対応づけて
メモリに格納し、メモリを参照し一定区間のモニタ電圧
b1 〜V b2 に対応する区間の全ての駆動電圧V CA 〜V CB
を特定し、モニタ電圧V b1 〜V b2 を全て露光位置に置換
し、これにより得た露光位置と駆動電圧との対応関係を
メモリに格納する、という構成を採っている。
【0010】(削除)
【0011】これらにより前述した目的を達成しようと
するものである。
【0012】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態を図1
乃至図2に基づいて説明する。
【0013】図1において、発光部60と露光部70と
を結ぶ光路上には、当該発光部60から照射されたレー
ザ光を変調する変調部51と、変調後のレーザ光を分光
採取するためのビームサンプラ4とがそれぞれ配設され
ている。ビームサンプラ4において分光されるレーザ光
の光路上には、受光部5が配置されている。変調部51
には、当該変調部51に駆動電圧VC を印加する駆動部
52が併設されている。また、この駆動部52には、駆
動電圧VC を制御する制御部1が併設されている。更
に、この制御部1には、メモリ3と露光条件設定部2及
び露光位置検出部80が併設されている。
【0014】これを更に詳述すると、本実施形態におい
て、変調部51は、例えば音響光学素子等を備えるもの
であって、外部より入力される駆動電圧VC の大きさに
応じてレーザ光を変調し所定の露光パワーPに設定す
る。
【0015】露光部70は、光ディスク原盤上を半径方
向に走査する露光用ヘッドを備えており、ビームサンプ
ラ4を通過したレーザ光を取り込んで光ディスク原盤の
露光を行う。
【0016】露光位置検出部80は、露光用ヘッドの光
ディスク原盤上での位置(露光位置)を当該光ディスク
原盤の中心位置からの距離として検出し、露光位置rを
表示した信号を出力する。
【0017】受光部5は、ホトダイオード等の光センサ
を備え、ビームサンプラ4により採取された光の受光量
に応じたモニタ電圧Vを出力する。
【0018】露光条件設定部2は、数値入力キーやパラ
メータ指定キー等を備え、光ディスク原盤上における露
光範囲Rと当該露光範囲Rの内外周における希望露光パ
ワーP1 ,P2 を入力するためのものである。
【0019】メモリ3は、ランダムアクセスメモリ(R
AM)とリードオンリメモリ(ROM)の双方を備えて
いる。
【0020】制御部1は、マイクロコンピュータを備
え、マイクロプログラムの実行により各種の制御を実現
する。特に、露光位置検出部80において検出された露
光位置rに基づき当該露光位置rに対応する露光パワー
Pを得られるような制御信号を駆動部52に入力する。
ここで、制御部1の処理の詳細については後述する。
【0021】駆動部52は、制御部1より入力された制
御信号に応じて所定の駆動電圧VCを変調部51に印加
する。
【0022】次に、本実施形態の全体動作を図2に基づ
いて説明する。
【0023】〔初期動作〕
【0024】まず、装置を稼働状態に設定し、発光部6
0からレーザ光を照射させる。制御部1は、駆動部52
に制御信号を出力し、変調部51に光変調素子の最小有
効電圧VC0を印加する。これにより、変調部51を通過
するレーザ光は変調され所定の露光パワーに設定され
る。この際、制御部1は、露光パワーに対応した大きさ
で受光部5から出力されるモニタ電圧V0 を受信し、駆
動電圧VC0とモニタ電圧V0 との関係を対応づけて各値
をメモリ3に格納する。次に、駆動電圧VC を先のVC0
よりも一定量増加させたVC1に設定し、これにより生じ
た露光パワーに対応し出力されたモニタ電圧V1 の値を
上述と同様にVC1と対応づけてメモリ3に格納する。以
下、駆動電圧VC が光変調素子の最大有効電圧Vm に達
するまで上記動作が繰り返し実行され、メモリ3には図
2(a)に示す駆動電圧VC とモニタ電圧Vとの関係が
格納される。ここで、駆動電圧を増加させてゆく際の
「一定量」は、なるべく少量に設定され、モニタ電圧V
のサンプル数を多く得ることが、後の制御における精度
向上のためには望ましい。また、メモリ3には、露光パ
ワーPとモニタ電圧Vとの対応関係も予め記憶されてい
る。
【0025】次に、制御部1は、露光条件設定部2から
光ディスク原盤表面の露光範囲R及び当該露光範囲Rの
内外周における希望露光パワーP1 ,P2 の入力を受け
付ける。ここで、露光範囲Rの入力は、図3に示すよう
に、光ディスク原盤の中心からの距離を用い露光範囲R
の内周の半径r1 と外周の半径r2 とを入力することに
より行われる。また、希望露光パワーは、露光範囲Rの
内周位置(半径r1 )における希望露光パワーP1 と外
周位置(半径r2 )における希望露光パワーP2とを入力
することにより行われる。
【0026】続いて、制御部1は、メモリ3に予め記憶
された露光パワーPとモニタ電圧Vとの対応関係を参照
し、露光条件設定部2から入力された希望露光パワーP
1 ,P2 をこれに対応するモニタ電圧Vb1,Vb2に変換
し、図2(b)に示すように、内周位置r1 ,外周位置
2 と対応づけてメモリ3に格納する。
【0027】次に、制御部1は、図2(c)に示すよう
に、先にメモリ3に記憶させた駆動電圧VC とモニタ電
圧Vとの対応関係(図2(a))を参照し、一定区間の
モニタ電圧Vb1〜Vb2に対応する区間の全ての駆動電圧
CA〜VCBを特定する。そして、制御部1は、図2
(d)に示すように、図2(c)におけるモニタ電圧V
b1〜Vb2を全て露光位置r1〜r2に置換し、これによ
り得た露光位置rと駆動電圧VC との対応関係をメモリ
3に格納する。
【0028】〔露光中の動作〕
【0029】露光動作が開始されると、露光部70では
露光用ヘッドが光ディスク原盤の中心から半径r1 の位
置に位置決めされ、当該露光位置r1 が露光位置検出部
80により検出される。制御部1は、メモリ3に格納さ
れた露光位置rと駆動電圧VC との対応関係(図2
(d))を参照し、露光位置検出部80より入力された
露光位置r1に対応する駆動電圧(VCA)を特定する。
そして、制御部1は、駆動部52に所定の制御信号を送
り変調部51に駆動電圧VCAを印加する。
【0030】そして、発光部60から露光用のレーザ光
が照射されると、変調部51を通過し露光部70に入力
されるレーザ光の露光パワーは、図2(e)に示すよう
に、希望露光パワーに等しいP1 に設定される。露光動
作が進行し露光位置がr1 からr2 に徐々に変化してゆ
くと、制御部1は、位置検出部80により検出される露
光位置rの変化に応じメモリ3に格納された露光位置r
と駆動電圧VC との対応関係(図2(d))を参照しつ
つ駆動電圧VC を逐次変更してゆく。そして、露光位置
がr2 に到達した時点で露光動作は終了する。
【0031】これによると、露光位置rに対する露光パ
ワーPの変化は、図2(e)に示すように線形の特性を
示し、露光により得られる原盤パターンの均一性を向上
することができる。また、発光部60の劣化により元々
のレーザ光の照射量が減少してしまった場合でも、初期
動作において線形の露光パワー変化が得られるような駆
動電圧が自動的に設定されるので、高価なイオンガスレ
ーザ素子の交換時期を遅らせることができ、経済的であ
る。
【0032】一方、予め設定された基準電圧と変調後の
レーザ光から得られるモニタ電圧とが一致するようにフ
ィードバック制御を行い所望の露光パワーを得る方式も
考えられる。しかし、この方式では露光パワーを追従さ
せるまでに多少なりとも時間を要するため高速性の追求
に一定の限界が伴うという不都合がある。これに対し、
本実施形態における光変調装置では、駆動電圧の印加に
より一義的に所望の露光パワーが設定されフィードバッ
ク制御が不要である点で露光動作の高速性向上にも好適
であるといえる。
【0033】ここで、駆動電圧と露光パワー(モニタ電
圧)との対応関係が予めメモリ3に記憶されていれば、
ビームサンプラ4,受光部5は構成に含まれていなくと
も良い。
【0034】
【発明の効果】本発明は、以上のように構成され機能す
るので、これによると、制御部が、メモリに記憶された
駆動電圧と露光パワーとの対応関係に基づき光ディスク
原盤上の露光位置の変化に対し露光パワーが線形に変化
するように駆動電圧を設定制御するので、光ディスク原
盤上の露光位置に対する露光パワーの変化は、線形の特
性を示し、露光により得られる原盤パターンの均一性を
向上することができる。また、発光部の劣化により元々
のレーザ光の照射量が減少してしまった場合でも、初期
動作において線形の露光パワー変化が得られるような駆
動電圧が自動的に設定されるので、高価なイオンガスレ
ーザ素子の交換時期を遅らせることができ、露光システ
ム全体の経済化にも寄与することができる、という従来
にない優れた光ディスク原盤の露光装置を提供すること
ができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態の構成を示すブロック図で
ある。
【図2】図1に示す実施形態の全体動作を説明するため
の線図であり、図2(a)が駆動電圧とモニタ電圧との
対応関係を示し、図2(b)が露光条件設定部より入力
された希望露光範囲と当該希望露光範囲の内外周におけ
る希望露光パワーとの対応関係を示し、図2(c)が希
望露光パワーに対応する駆動電圧の特定を示し、図2
(d)が露光位置と駆動電圧との対応関係を示し、図2
(e)が露光位置と実際の露光パワーとの関係を示す。
【図3】光ディスク原盤の表面と希望露光範囲との関係
を示す説明図である。
【図4】従来例の構成を示すブロック図である。
【図5】図4に示す従来例の動作及び課題を説明するた
めの線図であり、図5(a)が露光位置と駆動電圧との
関係を示し、図5(b)が露光位置と実際の露光パワー
との関係を示す。
【符号の説明】
1 制御部 2 露光条件設定部 3 メモリ 4 ビームサンプラ 5 受光部 10 変調装置 51 変調部 52 駆動部 60 発光部 70 露光部 80 露光位置検出部 r 露光位置 V モニタ電圧 Vc 駆動電圧

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 レーザ光を照射する発光部と、音響光学
    素子等の光変調素子を備え前記発光部から照射された
    ーザ光を駆動電圧に応じて変調し所定の露光パワーに設
    定する変調部と、この変調部を通過したレーザ光を分光
    採取するビームサンプラと、このビームサンプラを通過
    したレーザ光を取り込んで光ディスク原盤の露光を行う
    露光部と、光ディスク原盤上での露光位置を検出する露
    光位置検出部と、前記ビームサンプラより分光された光
    を受光し当該受光量に応じたモニタ電圧を出力する受光
    部と、前記変調部に駆動電圧を印加する駆動部と、露光
    位置の変化に対し露光パワーが線形変化するような露光
    位置ごとの駆動電圧を記憶したメモリと、このメモリ
    参照し前記露光位置検出部から出力される露光位置に対
    応した駆動電圧が前記駆動部から出力されるように該駆
    動部を制御する制御部とを備え、前記制御部は、 初期動作として、前記駆動電圧を変化させ該駆動電圧と
    モニタ電圧との対応関係をメモリに格納した後、該モニ
    タ電圧を露光位置に置換し、これにより得た露光位置と
    駆動電圧との対応関係をメモリに格納する ことを特徴と
    した光ディスク原盤の露光装置。
  2. 【請求項2】 請求項1記載の光ディスク原盤の露光装
    置において、 前記制御部に、前記光ディスク原盤上の希望露光範囲及
    び当該希望露光範囲の内外周における希望露光パワーを
    それぞれ入力する露光条件設定部を併設し、 前記メモリには、露光パワーとモニタ電圧との対応関係
    を予め格納しておき、前記制御部は、初期動作として、 前記メモリを参照し露光条件設定部から入力された希望
    露光パワーを対応するモニタ電圧V b1 ,V b2 に変換する
    と共に前記露光範囲の内周位置,外周位置に対応づけて
    メモリに格納し、 前記メモリを参照し一定区間のモニタ電圧V b1 〜V b2
    対応する区間の全ての駆動電圧V CA 〜V CB を特定し、 モニタ電圧V b1 〜V b2 を全て露光位置に置換し、 これにより得た露光位置と駆動電圧との対応関係をメモ
    リに格納することを特徴とした光ディスク原盤の露光装
    置。
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