JP2773185B2 - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
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- JP2773185B2 JP2773185B2 JP1034032A JP3403289A JP2773185B2 JP 2773185 B2 JP2773185 B2 JP 2773185B2 JP 1034032 A JP1034032 A JP 1034032A JP 3403289 A JP3403289 A JP 3403289A JP 2773185 B2 JP2773185 B2 JP 2773185B2
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Links
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims description 36
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 10
- 230000005679 Peltier effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 19
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 19
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 6
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 229910002665 PbTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910008310 Si—Ge Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- DMFGNRRURHSENX-UHFFFAOYSA-N beryllium copper Chemical compound [Be].[Cu] DMFGNRRURHSENX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- OCGWQDWYSQAFTO-UHFFFAOYSA-N tellanylidenelead Chemical compound [Pb]=[Te] OCGWQDWYSQAFTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は固体撮像装置に関し、特に長時間使用におい
ても画質劣化のない固体撮像装置の改良に関する。
ても画質劣化のない固体撮像装置の改良に関する。
〔従来の技術〕 従来の固体撮像装置を用いたビデオ機器、たとえば一
体型ホームビデオ用カメラや業務用ビデオカメラでは固
体撮像装置の実装スペースも限られているため、基板に
直接半田付けをしていた。このような固体撮像装置を長
時間使用していると駆動回路の発熱により固体撮像素子
の暗電流が周辺温度とともに増加する。この結果固体撮
像素子に暗電流のムラがあった場合、画面においてその
ムラが見え、画質を損ねていた。暗電流は一般に温度が
８℃上昇すると元の値の２倍になることが知られてお
り、温度上昇による固体撮像素子の暗電流増加は問題と
なっていた。
体型ホームビデオ用カメラや業務用ビデオカメラでは固
体撮像装置の実装スペースも限られているため、基板に
直接半田付けをしていた。このような固体撮像装置を長
時間使用していると駆動回路の発熱により固体撮像素子
の暗電流が周辺温度とともに増加する。この結果固体撮
像素子に暗電流のムラがあった場合、画面においてその
ムラが見え、画質を損ねていた。暗電流は一般に温度が
８℃上昇すると元の値の２倍になることが知られてお
り、温度上昇による固体撮像素子の暗電流増加は問題と
なっていた。
上述したように従来の固体撮像装置は、長時間使用す
ると駆動回路の発熱により、固体撮像素子の暗電流が周
辺温度とともに増加し、画質を損ねるという欠点があっ
た。
ると駆動回路の発熱により、固体撮像素子の暗電流が周
辺温度とともに増加し、画質を損ねるという欠点があっ
た。
本発明によれば、入射光に応じた電荷を発生して蓄積
する感光手段と前記感光手段からその内部に蓄積された
前記電荷に応じた信号電流を読み出すための信号読み出
し手段とを有する感光セルが半導体基板の主表面に形成
された固体撮像素子がプリント基板に実装された固体撮
像装置において、前記固体撮像素子は、ペルチェ効果に
より前記固体撮像素子を冷却する手段を備えたICソケッ
トを介して前記プリント基板に実装された固体撮像装置
を得る。
する感光手段と前記感光手段からその内部に蓄積された
前記電荷に応じた信号電流を読み出すための信号読み出
し手段とを有する感光セルが半導体基板の主表面に形成
された固体撮像素子がプリント基板に実装された固体撮
像装置において、前記固体撮像素子は、ペルチェ効果に
より前記固体撮像素子を冷却する手段を備えたICソケッ
トを介して前記プリント基板に実装された固体撮像装置
を得る。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図（ａ）および（ｂ）は本発明の一実施例の平面
図および縦断図面である。ICソケット１は電気伝導度の
高い半導体、たとえば、Bi2Te3−Sb3Te3系化合物、PbTe
系化合物、Si−Ge合金などを用い、これらをＰ型半導体
５とｎ型半導体６に分け、その一端を金属４で接合し、
他端（下側）を分枝端にして金属7,金属８を接合するこ
とにより構成されている。固体撮像装置の端子ピンと接
続するコンタクト２は金属４、Ｐ型およびｎ型半導体5,
6、金属および7,8と絶縁体３により分離されている。ま
たこのコンタクト２はプリント基板10に接続されてお
り、固体撮像素子の駆動回路に配線されている。金属４
の下側にある絶縁体３′はなくてもよく、また金属４上
面のコンタクト２の部分および金属7,8の下面を除く部
分を全部覆ってもよい。従って絶縁体３と３′は接続し
てもよい。この絶縁体3,3′はたとえばPPS樹脂やガラス
繊維強化ポリエチレンテレフタレート樹脂などを用い、
コンタクト２にはベリリウム銅，ニッケル下地金めっき
を用いる。
図および縦断図面である。ICソケット１は電気伝導度の
高い半導体、たとえば、Bi2Te3−Sb3Te3系化合物、PbTe
系化合物、Si−Ge合金などを用い、これらをＰ型半導体
５とｎ型半導体６に分け、その一端を金属４で接合し、
他端（下側）を分枝端にして金属7,金属８を接合するこ
とにより構成されている。固体撮像装置の端子ピンと接
続するコンタクト２は金属４、Ｐ型およびｎ型半導体5,
6、金属および7,8と絶縁体３により分離されている。ま
たこのコンタクト２はプリント基板10に接続されてお
り、固体撮像素子の駆動回路に配線されている。金属４
の下側にある絶縁体３′はなくてもよく、また金属４上
面のコンタクト２の部分および金属7,8の下面を除く部
分を全部覆ってもよい。従って絶縁体３と３′は接続し
てもよい。この絶縁体3,3′はたとえばPPS樹脂やガラス
繊維強化ポリエチレンテレフタレート樹脂などを用い、
コンタクト２にはベリリウム銅，ニッケル下地金めっき
を用いる。
電源11により金属７にマイナス、金属８にプラスの直
流電圧を加え、Ｐ型半導体５、ｎ型半導体６の両分枝端
に電流を流すと接合部の金属４がペルチェ効果により吸
熱し冷却される。これによりICソケット１に固体撮像素
子を実装した場合、温度上昇によって増加する固体撮像
装置の暗電流は、低減され、画質劣化を防止する。この
電源11の投入は固体撮像装置の電源投入と連動であるば
かりでなく、また単独でスイッチを設けてもよい。
流電圧を加え、Ｐ型半導体５、ｎ型半導体６の両分枝端
に電流を流すと接合部の金属４がペルチェ効果により吸
熱し冷却される。これによりICソケット１に固体撮像素
子を実装した場合、温度上昇によって増加する固体撮像
装置の暗電流は、低減され、画質劣化を防止する。この
電源11の投入は固体撮像装置の電源投入と連動であるば
かりでなく、また単独でスイッチを設けてもよい。
このように金属４が冷却されているのに対し、金属7,
8では発熱するため、これらの下側に放熱板９を設け
る。この放熱板９の形状は、図示したように平面である
必要はなく、自由であり、固体撮像素子のシールドケー
スやプリント基板、カメラの外側の筐体等へ接続し、放
熱すればよい。
8では発熱するため、これらの下側に放熱板９を設け
る。この放熱板９の形状は、図示したように平面である
必要はなく、自由であり、固体撮像素子のシールドケー
スやプリント基板、カメラの外側の筐体等へ接続し、放
熱すればよい。
また、ICソケットを使用していることから、固体撮像
素子の保守，メンテナンスにより基板から固体撮像素子
を外す必要がある場合、その作業が容易となる。
素子の保守，メンテナンスにより基板から固体撮像素子
を外す必要がある場合、その作業が容易となる。
第２図は本発明の他の実施例の縦断面図である。第１
図の一実施例と異なる点は、ICソケットを使用せず、固
体撮像素子22を金属24を介してプリント基板30に直接実
装している。この金属24は固体撮像素子22をレンズ系に
固定する治具として使用してもよい。また絶縁体は特に
必要とせず第１図の一実施例よりも構造が簡単である。
図の一実施例と異なる点は、ICソケットを使用せず、固
体撮像素子22を金属24を介してプリント基板30に直接実
装している。この金属24は固体撮像素子22をレンズ系に
固定する治具として使用してもよい。また絶縁体は特に
必要とせず第１図の一実施例よりも構造が簡単である。
以上説明したように、本発明は固体撮像装置の長時間
使用に際し、冷却機能を備えたことにより、温度上昇に
よって増加する固体撮像素子の暗電流を低減させ画質劣
化を防止できる効果がある。
使用に際し、冷却機能を備えたことにより、温度上昇に
よって増加する固体撮像素子の暗電流を低減させ画質劣
化を防止できる効果がある。
第１図（ａ）および（ｂ）は本発明の一実施例である固
体撮像装置の平面図および縦断面図、第２図は本発明の
他の実施例である固体撮像装置の縦断面図である。 １……ICソケット、２……コンタクト、3,3′……絶縁
体、4,24……金属、5,25……Ｐ型半導体、6,26……ｎ型
半導体、7,27……金属、8,28……金属、9,29……放熱
板、11,21……電源、22……固体撮像素子。
体撮像装置の平面図および縦断面図、第２図は本発明の
他の実施例である固体撮像装置の縦断面図である。 １……ICソケット、２……コンタクト、3,3′……絶縁
体、4,24……金属、5,25……Ｐ型半導体、6,26……ｎ型
半導体、7,27……金属、8,28……金属、9,29……放熱
板、11,21……電源、22……固体撮像素子。
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 21/339 H01L 27/14 - 27/148 H01L 29/762 - 29/768 H04N 5/335
Claims (1)
- 【請求項１】入射光に応じた電荷を発生して蓄積する感
光手段と前記感光手段からその内部に蓄積された前記電
荷に応じた信号電流を読み出すための信号読み出し手段
とを有する感光セルが半導体基板の主表面に形成された
固体撮像素子がプリント基板に実装された固体撮像装置
において、前記固体撮像素子は、ペルチェ効果により前
記固体撮像素子を冷却する手段を備えたICソケットを介
して前記プリント基板に実装されたことを特徴とする固
体撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1034032A JP2773185B2 (ja) | 1989-02-13 | 1989-02-13 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1034032A JP2773185B2 (ja) | 1989-02-13 | 1989-02-13 | 固体撮像装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02213165A JPH02213165A (ja) | 1990-08-24 |
| JP2773185B2 true JP2773185B2 (ja) | 1998-07-09 |
Family
ID=12403005
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1034032A Expired - Lifetime JP2773185B2 (ja) | 1989-02-13 | 1989-02-13 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2773185B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5818052A (en) * | 1996-04-18 | 1998-10-06 | Loral Fairchild Corp. | Low light level solid state image sensor |
| JP2005316036A (ja) * | 2004-04-28 | 2005-11-10 | Olympus Corp | 撮像装置、照明光制御方法および照明光制御プログラム |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57188372A (en) * | 1981-01-30 | 1982-11-19 | Exxon Research Engineering Co | Ink jet device |
| JPS60220965A (ja) * | 1984-04-17 | 1985-11-05 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | 固体撮像装置 |
| JPS6319978A (ja) * | 1986-07-11 | 1988-01-27 | Leo Giken:Kk | 固体イメ−ジセンサの暗電流低減装置 |
| JPS63126504A (ja) * | 1986-11-17 | 1988-05-30 | Agency Of Ind Science & Technol | スルホン化多糖架橋複合膜 |
-
1989
- 1989-02-13 JP JP1034032A patent/JP2773185B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02213165A (ja) | 1990-08-24 |
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