JP2771668B2 - 光起電力装置の製造方法 - Google Patents
光起電力装置の製造方法Info
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- JP2771668B2 JP2771668B2 JP2067529A JP6752990A JP2771668B2 JP 2771668 B2 JP2771668 B2 JP 2771668B2 JP 2067529 A JP2067529 A JP 2067529A JP 6752990 A JP6752990 A JP 6752990A JP 2771668 B2 JP2771668 B2 JP 2771668B2
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- film
- electrode
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
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- Photovoltaic Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （イ）産業上の利用分野 本発明は、複数の光起電力素子を電気的に直列接続し
た形態の集積型の光起電力装置の製造方法に関する。
た形態の集積型の光起電力装置の製造方法に関する。
（ロ）従来の技術 集積型の光起電力装置は、所定の光起電力を得るべ
く、複数の光起電力素子を電気的に直列接続している。
このような光起電力装置においては、各光起電力素子の
電気的接続部である隣接間隔部が発電無効領域となるた
め、できるだけこの領域の面積を小さくすることが望ま
しい。更に、各光起電力素子の分割及び電気的接続の工
程を容易に行い得ることが好適である。こうした点に鑑
み、レーザビームを用いて光起電力素子の分割及び接続
を行う方法が、特開昭62−33477号公報により提案され
ている。
く、複数の光起電力素子を電気的に直列接続している。
このような光起電力装置においては、各光起電力素子の
電気的接続部である隣接間隔部が発電無効領域となるた
め、できるだけこの領域の面積を小さくすることが望ま
しい。更に、各光起電力素子の分割及び電気的接続の工
程を容易に行い得ることが好適である。こうした点に鑑
み、レーザビームを用いて光起電力素子の分割及び接続
を行う方法が、特開昭62−33477号公報により提案され
ている。
第５図は斯る公報に開示された方法により製造される
光起電力装置を示す断面図である。
光起電力装置を示す断面図である。
この装置の製造方法は、まず、ガラス等の透明基板21
上に複数の透明な第１電極膜22a、22bを所定の隣接間隔
部を隔てて分割配置する。そして、第１電極膜22a、22b
の側縁近傍に沿って隣接間隔部と平行に、隣接間隔部に
近い側から帯状の導電ペースト23及び絶縁ペースト24
が、スクリーン印刷により並んで形成される。
上に複数の透明な第１電極膜22a、22bを所定の隣接間隔
部を隔てて分割配置する。そして、第１電極膜22a、22b
の側縁近傍に沿って隣接間隔部と平行に、隣接間隔部に
近い側から帯状の導電ペースト23及び絶縁ペースト24
が、スクリーン印刷により並んで形成される。
次に、第１電極膜22a、22b、導電ペースト23及び絶縁
ペースト24の表面を含んで基板の略全面に、非晶質シリ
コン等の非晶質半導体からなる半導体光活性層25a、25b
及び金属からなる第２電極膜26a、26bが、分割されるこ
となく、この順に積層形成される。その後、導電ペース
ト23及び絶縁ペースト24と対向する各位置で、第２電極
膜26a、26b上から導電ペースト23及び絶縁ペースト24に
達するようにレーザビーム、電子ビーム等のエネルギー
ビームが照射され、接続部27及び分離溝28が形成され
る。
ペースト24の表面を含んで基板の略全面に、非晶質シリ
コン等の非晶質半導体からなる半導体光活性層25a、25b
及び金属からなる第２電極膜26a、26bが、分割されるこ
となく、この順に積層形成される。その後、導電ペース
ト23及び絶縁ペースト24と対向する各位置で、第２電極
膜26a、26b上から導電ペースト23及び絶縁ペースト24に
達するようにレーザビーム、電子ビーム等のエネルギー
ビームが照射され、接続部27及び分離溝28が形成され
る。
以上の方法により、半導体光活性層25a、25b及び第２
電極膜26a、26bの分割が行われると共に、第２電極膜26
aと第１電極膜22bとが電気的に接続され、従って、隣り
合う光起電力素子が電気的に接続される。
電極膜26a、26bの分割が行われると共に、第２電極膜26
aと第１電極膜22bとが電気的に接続され、従って、隣り
合う光起電力素子が電気的に接続される。
（ハ）発明が解決しようとする課題 ところで、上述の技術においては、各光起電力素子の
分割のみならず、各光起電力素子の電気的な直列接続、
即ち第１電極膜と第２電極膜の電気的接続をも、レーザ
ビームの照射により行っているが、現在のところ、上述
のように精密にレーザビームを照射するためのレーザ装
置は高価である。更に、２回のレーザビームの照射に伴
うレーザ装置の消費エネルギーも増大し、従って、光起
電力装置の製造コストが高くなる。
分割のみならず、各光起電力素子の電気的な直列接続、
即ち第１電極膜と第２電極膜の電気的接続をも、レーザ
ビームの照射により行っているが、現在のところ、上述
のように精密にレーザビームを照射するためのレーザ装
置は高価である。更に、２回のレーザビームの照射に伴
うレーザ装置の消費エネルギーも増大し、従って、光起
電力装置の製造コストが高くなる。
そこで、本発明はレーザビームの使用をできるだけ少
なくして、光起電力素子の分割及び電気的な接続を行う
ことにより、光起電力装置の製造コストの低減を図るこ
とにある。
なくして、光起電力素子の分割及び電気的な接続を行う
ことにより、光起電力装置の製造コストの低減を図るこ
とにある。
（ニ）課題を解決するための手段 本発明の光起電力装置の製造方法は、 基板の絶縁表面の複数の光電変換領域毎に、第１電極
膜を分割配置する工程と、 これら第１電極膜の隣接間隔部に沿って、各第１電極
膜の一端と電気的に結合された導電部材を形成する工程
と、 上記第１電極膜が配置された上記基板の絶縁表面の略
全面に、半導体膜及び第２電極膜をこの順に積層形成す
る工程と、 上記第２電極膜上からエネルギービームを照射して、
光電変換領域毎に上記第２電極膜を分割する工程と、 分割された上記第２電極膜上に、絶縁フィルムを圧着
させることによって上記第２電極膜上の上記導電部材と
対向する部分に圧力を加え、上記導電部材を介して隣り
合う第１電極膜と第２電極膜とを電気的に接続する工程
と、 を備えたことを特徴とする。
膜を分割配置する工程と、 これら第１電極膜の隣接間隔部に沿って、各第１電極
膜の一端と電気的に結合された導電部材を形成する工程
と、 上記第１電極膜が配置された上記基板の絶縁表面の略
全面に、半導体膜及び第２電極膜をこの順に積層形成す
る工程と、 上記第２電極膜上からエネルギービームを照射して、
光電変換領域毎に上記第２電極膜を分割する工程と、 分割された上記第２電極膜上に、絶縁フィルムを圧着
させることによって上記第２電極膜上の上記導電部材と
対向する部分に圧力を加え、上記導電部材を介して隣り
合う第１電極膜と第２電極膜とを電気的に接続する工程
と、 を備えたことを特徴とする。
（ホ）作用 本発明によれば、第１電極膜及び第２電極膜は、第２
電極膜上に絶縁フィルムが圧着される時に第２電極膜に
圧力が印加され、これらの電極膜の間に配された導電部
材を介して電気的に接続される。
電極膜上に絶縁フィルムが圧着される時に第２電極膜に
圧力が印加され、これらの電極膜の間に配された導電部
材を介して電気的に接続される。
（ヘ）実施例 第１図乃至第４図は本発明の製造方法を工程順に示す
断面図である。
断面図である。
第１図に示す工程において、ガラス、耐熱性プラスチ
ック等の透光性材料またはステンレス等の表面に絶縁処
理が施された可撓性材料等からなる基板１の表面に、複
数の第１電極膜2a、2bが分割配置される。これら第１電
極膜2a、2bは、基板１が透光性材料からなる場合、酸化
錫（SnO2）、酸化インジウム錫（ITO）等の透光性導電
酸化物（TCO）から形成され、基板１が可撓性材料から
なる場合、アルミニウム（Al）、銀（Ag）等の低抵抗金
属からなる。
ック等の透光性材料またはステンレス等の表面に絶縁処
理が施された可撓性材料等からなる基板１の表面に、複
数の第１電極膜2a、2bが分割配置される。これら第１電
極膜2a、2bは、基板１が透光性材料からなる場合、酸化
錫（SnO2）、酸化インジウム錫（ITO）等の透光性導電
酸化物（TCO）から形成され、基板１が可撓性材料から
なる場合、アルミニウム（Al）、銀（Ag）等の低抵抗金
属からなる。
続いて、これら第１電極膜2a、2bの隣接間隔部に沿う
一端上に、隣接間隔部側から順に、帯状の導電部材３及
び絶縁部材４が平行に形成される。導電部材３として
は、粒径0.5〜１μｍの球状または１μｍのフレーク状
のAg粉末を主成分として含む粘度200,000cpsのAgペース
ト等からなる金属ペーストが使用され、これをスクリー
ン印刷手法により高さ約10μｍでパターニングした後、
所定の温度で焼成することにより形成される。また、絶
縁部材４としては、SiO2ペーストやその他の無機系のペ
ーストからなり、導電部材３より低い高さでパターニン
グ形成される。
一端上に、隣接間隔部側から順に、帯状の導電部材３及
び絶縁部材４が平行に形成される。導電部材３として
は、粒径0.5〜１μｍの球状または１μｍのフレーク状
のAg粉末を主成分として含む粘度200,000cpsのAgペース
ト等からなる金属ペーストが使用され、これをスクリー
ン印刷手法により高さ約10μｍでパターニングした後、
所定の温度で焼成することにより形成される。また、絶
縁部材４としては、SiO2ペーストやその他の無機系のペ
ーストからなり、導電部材３より低い高さでパターニン
グ形成される。
第２図に示す工程において、第１電極膜2a、2bが配置
された基板１の絶縁表面の略全面に、膜厚4000〜7000Å
程度の半導体膜５が形成される。この半導体膜５は、膜
面に平行なpn、pin等の半導体接合を有する非晶質シリ
コン（ａ−Si）、非晶質シリコンカーバイド（ａ−si
c）等から形成される。
された基板１の絶縁表面の略全面に、膜厚4000〜7000Å
程度の半導体膜５が形成される。この半導体膜５は、膜
面に平行なpn、pin等の半導体接合を有する非晶質シリ
コン（ａ−Si）、非晶質シリコンカーバイド（ａ−si
c）等から形成される。
更に、半導体膜５上に、膜厚4000Å〜２μｍ程度の第
２電極膜６が形成される。第２電極膜６は、基板１が透
光性材料からなる場合、真空蒸着やスパッタ等により形
成されたアルミニウム（Al）、銀（Ag）等の低抵抗金
属、または印刷及び焼成のより形成された導電ペースト
からなり、基板１が可撓性材料からなる場合、酸化錫
（SnO2）、酸化インジウム錫（ITO）等の透光性導電酸
化物（TCO）から形成される。
２電極膜６が形成される。第２電極膜６は、基板１が透
光性材料からなる場合、真空蒸着やスパッタ等により形
成されたアルミニウム（Al）、銀（Ag）等の低抵抗金
属、または印刷及び焼成のより形成された導電ペースト
からなり、基板１が可撓性材料からなる場合、酸化錫
（SnO2）、酸化インジウム錫（ITO）等の透光性導電酸
化物（TCO）から形成される。
第３図に示す工程において、絶縁部材４が位置すると
ころの第２電極膜６上から、レーザビーム、電子ビーム
等のエネルギビームが照射されて分離溝７が形成され、
第１電極膜2a、2b毎に分割された第２電極膜6a、6b及び
半導体光活性層5a、5bが形成される。
ころの第２電極膜６上から、レーザビーム、電子ビーム
等のエネルギビームが照射されて分離溝７が形成され、
第１電極膜2a、2b毎に分割された第２電極膜6a、6b及び
半導体光活性層5a、5bが形成される。
最後に、第４図において、第２電極膜6a、6b上に有機
系絶縁フィルム８が載置される。そして、この絶縁フィ
ルム８上から、図示しないローラによって120〜150℃の
温度下で６〜10kgf/cm2の圧力を印加することにより、
絶縁フィルム８は加熱圧着される。斯る加熱圧着によ
り、半導体膜５において、導電部材３と対向することに
よりその他の部分から突出している部分が破壊され、第
２電極膜6aと第１電極膜2bとが、導電部材３を介して電
気的に接続される。
系絶縁フィルム８が載置される。そして、この絶縁フィ
ルム８上から、図示しないローラによって120〜150℃の
温度下で６〜10kgf/cm2の圧力を印加することにより、
絶縁フィルム８は加熱圧着される。斯る加熱圧着によ
り、半導体膜５において、導電部材３と対向することに
よりその他の部分から突出している部分が破壊され、第
２電極膜6aと第１電極膜2bとが、導電部材３を介して電
気的に接続される。
ここで、導電部材３がない場合、共に薄膜状である第
１電極膜2bと第２電極膜5aとの接続は、不十分となる
が、上述のように、導電部材３が存在することにより、
十分に低抵抗な状態の電気的接触が得られることとな
る。
１電極膜2bと第２電極膜5aとの接続は、不十分となる
が、上述のように、導電部材３が存在することにより、
十分に低抵抗な状態の電気的接触が得られることとな
る。
尚、導電部材３は第１電極膜2a、2b上に限らず、基板
１と導電部３との間に形成しても良い。また、半導体光
活性層５は必ずしも分離する必要はなく、従って、絶縁
部材４を半導体光活性層５上に形成してもよい。
１と導電部３との間に形成しても良い。また、半導体光
活性層５は必ずしも分離する必要はなく、従って、絶縁
部材４を半導体光活性層５上に形成してもよい。
（ト）発明の効果 本発明によれば、第１電極膜及び第２電極膜の電気的
接続を、第２電極膜上から圧力を印加することにより、
これら電極膜の間に配された導電部材を介して行うよう
にしたので、従来のように、多くレーザビームを使用す
る必要がなく、また、斯る加圧工程は、従来絶縁フィル
ムの被着のための工程が兼用され、特別な作業工程を増
やすこともないので、簡単かつ安価に素子の分離及び電
気的接続を行うことができ、光起電力装置の製造コスト
の低減を図ることができる。
接続を、第２電極膜上から圧力を印加することにより、
これら電極膜の間に配された導電部材を介して行うよう
にしたので、従来のように、多くレーザビームを使用す
る必要がなく、また、斯る加圧工程は、従来絶縁フィル
ムの被着のための工程が兼用され、特別な作業工程を増
やすこともないので、簡単かつ安価に素子の分離及び電
気的接続を行うことができ、光起電力装置の製造コスト
の低減を図ることができる。
第１図乃至第４図は本発明の製造方法を工程順に示す断
面図、第５図は従来例を示す断面図である。
面図、第５図は従来例を示す断面図である。
Claims (1)
- 【請求項１】基板の絶縁表面の複数の光電変換領域毎
に、第１電極膜を分割配置する工程と、 これら第１電極膜の隣接間隔部に沿って、各第１電極膜
の一端と電気的に結合された導電部材を形成する工程
と、 上記第１電極膜が配置された上記基板の絶縁表面の略全
面に、半導体膜及び第２電極膜をこの順に積層形成する
工程と、 上記第２電極膜上からエネルギービームを照射して、光
電変換領域毎に上記第２電極膜を分割する工程と、 分割された上記第２電極膜上に、絶縁フィルムを圧着さ
せることによって上記第２電極膜上の上記導電部材と対
向する部分に圧力を加え、上記導電部材を介して隣り合
う第１電極膜と第２電極膜とを電気的に接続する工程
と、 を備えたことを特徴とする光起電力装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2067529A JP2771668B2 (ja) | 1990-03-16 | 1990-03-16 | 光起電力装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2067529A JP2771668B2 (ja) | 1990-03-16 | 1990-03-16 | 光起電力装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03268368A JPH03268368A (ja) | 1991-11-29 |
| JP2771668B2 true JP2771668B2 (ja) | 1998-07-02 |
Family
ID=13347599
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2067529A Expired - Fee Related JP2771668B2 (ja) | 1990-03-16 | 1990-03-16 | 光起電力装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2771668B2 (ja) |
-
1990
- 1990-03-16 JP JP2067529A patent/JP2771668B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03268368A (ja) | 1991-11-29 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |