JP2769406B2 - 半導体基板の洗浄方法 - Google Patents
半導体基板の洗浄方法Info
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- JP2769406B2 JP2769406B2 JP4191542A JP19154292A JP2769406B2 JP 2769406 B2 JP2769406 B2 JP 2769406B2 JP 4191542 A JP4191542 A JP 4191542A JP 19154292 A JP19154292 A JP 19154292A JP 2769406 B2 JP2769406 B2 JP 2769406B2
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- Japan
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- cleaning
- semiconductor substrate
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- cyclic
- methylpolysiloxanes
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、人体、環境に対する安
全性が高く、かつ洗浄効果に優れた半導体基板の洗浄方
法に関する。
全性が高く、かつ洗浄効果に優れた半導体基板の洗浄方
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体基板の脱脂洗浄を行うに
は、１，１，１−トリクロロエタン又はトリクロルエチ
レンによる洗浄→メタノール又はエタノールによる置換
→水洗→エッチング→水洗→乾燥という工程をとるのが
一般的である。
は、１，１，１−トリクロロエタン又はトリクロルエチ
レンによる洗浄→メタノール又はエタノールによる置換
→水洗→エッチング→水洗→乾燥という工程をとるのが
一般的である。
【０００３】このような洗浄工程において、１，１，１
−トリクロロエタン又はトリクロルエチレンという毒性
が高く発がん性も疑われるような洗浄剤を用いること
は、人体、環境に対する安全性を損なうことが明らかと
なり、全廃する必要に迫られている。しかし、１，１，
１−トリクロロエタン又はトリクロルエチレンと同等の
洗浄能力を有しかつ毒性のない洗浄剤はなかなか見出す
ことができないのが現状である。
−トリクロロエタン又はトリクロルエチレンという毒性
が高く発がん性も疑われるような洗浄剤を用いること
は、人体、環境に対する安全性を損なうことが明らかと
なり、全廃する必要に迫られている。しかし、１，１，
１−トリクロロエタン又はトリクロルエチレンと同等の
洗浄能力を有しかつ毒性のない洗浄剤はなかなか見出す
ことができないのが現状である。
【０００４】一方、揮発性メチルポリシロキサンは一般
的にはシリコーンオイルとして知られ、種々の用途に用
いられている。この揮発性メチルポリシロキサンを洗浄
剤として使用する方法については、例えば、繊維製品、
化粧落とし或いは金属やガラス面、塗装面、家具等の油
汚れ、グリース汚れに対して環状メチルポリシロキサン
が有効なことが知られている（Kenneth A. Kasprzak, S
OAP/COSMETICS/CHEMICAL SPECIALTIES for DECEMBER,19
86）。
的にはシリコーンオイルとして知られ、種々の用途に用
いられている。この揮発性メチルポリシロキサンを洗浄
剤として使用する方法については、例えば、繊維製品、
化粧落とし或いは金属やガラス面、塗装面、家具等の油
汚れ、グリース汚れに対して環状メチルポリシロキサン
が有効なことが知られている（Kenneth A. Kasprzak, S
OAP/COSMETICS/CHEMICAL SPECIALTIES for DECEMBER,19
86）。
【０００５】また、絆創膏などの粘着剤の除去に揮発性
メチルポリシロキサンが有効とされている（米国特許明
細書第４，３２４，５９５号）。編織物の汚れ成分の除
去に環状シロキサンを含有する洗浄剤が提案されており
（特公昭６３−５０４６３号公報）、エアゾール型水性
クリーニング組成物として揮発性の鎖状ジメチルポリシ
ロキサンを水溶性洗浄組成物に配合したものがガラスや
時期表面の洗浄性に優れる旨の提案もなされている（特
開昭５３−５６２０３号公報）。
メチルポリシロキサンが有効とされている（米国特許明
細書第４，３２４，５９５号）。編織物の汚れ成分の除
去に環状シロキサンを含有する洗浄剤が提案されており
（特公昭６３−５０４６３号公報）、エアゾール型水性
クリーニング組成物として揮発性の鎖状ジメチルポリシ
ロキサンを水溶性洗浄組成物に配合したものがガラスや
時期表面の洗浄性に優れる旨の提案もなされている（特
開昭５３−５６２０３号公報）。
【０００６】上記した各文献には、いずれも半導体基板
の洗浄に関する記載は存在しない。半導体基板の洗浄へ
のポリシロキサンの適用については国際公開特許公報Ｗ
Ｏ９１／０６６２１に記載されている。この公報では、
揮発性ポリシロキサンがポリオキシエチレン基含有ポリ
シロキサン、界面活性剤及び水と配合された水系洗浄剤
或いは揮発性ポリシロキサンが親水性溶剤及び／又は界
面活性剤と配合された水切り洗浄剤として提案されてお
り、半導体基板の洗浄法としては設備の改善が必要であ
った。
の洗浄に関する記載は存在しない。半導体基板の洗浄へ
のポリシロキサンの適用については国際公開特許公報Ｗ
Ｏ９１／０６６２１に記載されている。この公報では、
揮発性ポリシロキサンがポリオキシエチレン基含有ポリ
シロキサン、界面活性剤及び水と配合された水系洗浄剤
或いは揮発性ポリシロキサンが親水性溶剤及び／又は界
面活性剤と配合された水切り洗浄剤として提案されてお
り、半導体基板の洗浄法としては設備の改善が必要であ
った。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明者は、１，１，
１−トリクロロエタン又はトリクロルエチレンと同等の
洗浄能力を有しかつ毒性のない洗浄剤として揮発性メチ
ルポリシロキサンに着目し鋭意研究を重ねた結果、従来
の上記洗浄剤の代替品として揮発性メチルポリシロキサ
ンが安全性が高く好適であり、しかも洗浄工程が簡便で
あることを見出し本発明を完成したものである。本発明
は、人体、環境に対する安全性が高く、かつ洗浄効果に
優れ、しかも洗浄工程も簡便化された半導体基板の洗浄
方法を提供することを目的とする。
１−トリクロロエタン又はトリクロルエチレンと同等の
洗浄能力を有しかつ毒性のない洗浄剤として揮発性メチ
ルポリシロキサンに着目し鋭意研究を重ねた結果、従来
の上記洗浄剤の代替品として揮発性メチルポリシロキサ
ンが安全性が高く好適であり、しかも洗浄工程が簡便で
あることを見出し本発明を完成したものである。本発明
は、人体、環境に対する安全性が高く、かつ洗浄効果に
優れ、しかも洗浄工程も簡便化された半導体基板の洗浄
方法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の半導体基板の洗浄方法の第一の態様は、下
記式（ＩＩ）によって表される環状メチルポリシロキサ
ン類であって、ｎ＝３，４，５，６のうちｎの異なる複
数の環状メチルポリシロキサン類を含む混合物によって
半導体基板を洗浄後、アルコール置換処理し、水洗する
ことを特徴とする。式（ＩＩ）
に、本発明の半導体基板の洗浄方法の第一の態様は、下
記式（ＩＩ）によって表される環状メチルポリシロキサ
ン類であって、ｎ＝３，４，５，６のうちｎの異なる複
数の環状メチルポリシロキサン類を含む混合物によって
半導体基板を洗浄後、アルコール置換処理し、水洗する
ことを特徴とする。式（ＩＩ）
【０００９】
【化４】
【００１０】〔式（ＩＩ）において、ｎ＝３〜６〕
【００１１】ｎが２以下のものは工業的に得られない
し、ｎが６を越えると揮発性が低く使用に適しない。後
記する実施例ではｎ＝３，４，５，６のものをそれぞれ
Ｄ3 ，Ｄ4 ，Ｄ5 ，Ｄ6 と略称する。
し、ｎが６を越えると揮発性が低く使用に適しない。後
記する実施例ではｎ＝３，４，５，６のものをそれぞれ
Ｄ3 ，Ｄ4 ，Ｄ5 ，Ｄ6 と略称する。
【００１２】本発明の半導体基板の洗浄方法の第二の態
様は、上記式（ＩＩ）によって表される環状メチルポリ
シロキサン類であって、ｎ＝３、ｎ＝４、ｎ＝５及びｎ
＝６の環状メチルポリシロキサン類を含む混合物によっ
て半導体基板を洗浄後、アルコール置換処理し、水洗す
ることを特徴とする。
様は、上記式（ＩＩ）によって表される環状メチルポリ
シロキサン類であって、ｎ＝３、ｎ＝４、ｎ＝５及びｎ
＝６の環状メチルポリシロキサン類を含む混合物によっ
て半導体基板を洗浄後、アルコール置換処理し、水洗す
ることを特徴とする。
【００１３】上記した環状メチルポリシロキサン類を含
む混合物が、下記式（Ｉ）によって表される線状メチル
ポリシロキサン類を含む構成とすると、さらに洗浄効果
が優れるものである。式（Ｉ）
む混合物が、下記式（Ｉ）によって表される線状メチル
ポリシロキサン類を含む構成とすると、さらに洗浄効果
が優れるものである。式（Ｉ）
【００１４】
【化５】
【００１５】〔式（Ｉ）において、ｍ＝０〜４〕
【００１６】ｍが４を越えると揮発性が低く使用に適し
ない。上記線状メチルポリシロキサン類としては、式
（Ｉ）のｍ＝１の線状メチルポリシロキサンを用いるの
が最も好ましい。後記する実施例ではｍ＝１のものをＭ
2 Ｄと略称する。
ない。上記線状メチルポリシロキサン類としては、式
（Ｉ）のｍ＝１の線状メチルポリシロキサンを用いるの
が最も好ましい。後記する実施例ではｍ＝１のものをＭ
2 Ｄと略称する。
【００１７】上記した揮発性メチルポリシロキサンは、
いずれも従来用いられていた半導体基板用の洗浄剤と比
較して洗浄力は変わらず、人体、環境への安全性ははる
かにたかく、洗浄の対象となる基材が限定されないとい
う利点がある。上記揮発性メチルポリシロキサンのう
ち、式（ＩＩ）のｎ＝４又は５が特に好適である。
いずれも従来用いられていた半導体基板用の洗浄剤と比
較して洗浄力は変わらず、人体、環境への安全性ははる
かにたかく、洗浄の対象となる基材が限定されないとい
う利点がある。上記揮発性メチルポリシロキサンのう
ち、式（ＩＩ）のｎ＝４又は５が特に好適である。
【００１８】上記ポリシロキサン類は揮発性であること
が必要である。非揮発性のポリシロキサン類を用いる
と、次工程であるアルコール置換工程にポリシロキサン
類が蓄積してしまい。十分な置換処理が行えなく不利が
ある。上記した水洗の後、さらにアルコール蒸気乾燥を
行うことにより好適に脱水乾燥を行うことができる。こ
こで用いられるアルコールとしてはイソプロピルアルコ
ールが好ましい。
が必要である。非揮発性のポリシロキサン類を用いる
と、次工程であるアルコール置換工程にポリシロキサン
類が蓄積してしまい。十分な置換処理が行えなく不利が
ある。上記した水洗の後、さらにアルコール蒸気乾燥を
行うことにより好適に脱水乾燥を行うことができる。こ
こで用いられるアルコールとしてはイソプロピルアルコ
ールが好ましい。
【００１９】
【実施例】以下に本発明の実施例を挙げて本発明をさら
に説明する。 比較例１〜３及び実施例１〜２ ＧａＰ（１００）ポリッシュドウェーハをネオバックＭ
Ｒ−２００〔松村石油研究所（株）製、真空ポンプ用オ
イルの商品名〕に浸して汚したものを環状メチルポリシ
ロキサン（Ｄ4 ）（比較例２）、線状メチルポリシロキ
サン（Ｍ2 Ｄ）（比較例３）、環状メチルポリシロキサ
ン混合物（Ｄ3 ：Ｄ4 ：Ｄ5 ：Ｄ6 ＝４：６４：２７：
５）（実施例１）、環状・線状メチルポリシロキサン混
合物（Ｍ2 Ｄ：Ｄ3 ：Ｄ4 ：Ｄ5 ：Ｄ6 ＝５０：２：３
２：１３．５：２．５）（実施例２）、１，１，１−ト
リクロロエタン（比較例１）の各洗浄液で超音波洗浄を
４０分、次いでエタノールで超音波洗浄を１０分、さら
に水で超音波洗浄を１０分行い、最後にＩＰＡベーパ乾
燥（イソプロピルアルコールを１２０℃〜１５０℃程度
に加熱した状態で脱水乾燥する方法）を３分行った。上
記超音波洗浄に用いた超音波洗浄装置は、東京超音波機
器（株）製のものを用い、発振周波数：２５KHz ±５０
０Hz、出力：３００Ｗの条件で使用した。
に説明する。 比較例１〜３及び実施例１〜２ ＧａＰ（１００）ポリッシュドウェーハをネオバックＭ
Ｒ−２００〔松村石油研究所（株）製、真空ポンプ用オ
イルの商品名〕に浸して汚したものを環状メチルポリシ
ロキサン（Ｄ4 ）（比較例２）、線状メチルポリシロキ
サン（Ｍ2 Ｄ）（比較例３）、環状メチルポリシロキサ
ン混合物（Ｄ3 ：Ｄ4 ：Ｄ5 ：Ｄ6 ＝４：６４：２７：
５）（実施例１）、環状・線状メチルポリシロキサン混
合物（Ｍ2 Ｄ：Ｄ3 ：Ｄ4 ：Ｄ5 ：Ｄ6 ＝５０：２：３
２：１３．５：２．５）（実施例２）、１，１，１−ト
リクロロエタン（比較例１）の各洗浄液で超音波洗浄を
４０分、次いでエタノールで超音波洗浄を１０分、さら
に水で超音波洗浄を１０分行い、最後にＩＰＡベーパ乾
燥（イソプロピルアルコールを１２０℃〜１５０℃程度
に加熱した状態で脱水乾燥する方法）を３分行った。上
記超音波洗浄に用いた超音波洗浄装置は、東京超音波機
器（株）製のものを用い、発振周波数：２５KHz ±５０
０Hz、出力：３００Ｗの条件で使用した。
【００２０】得られた洗浄済ウェーハについて水接触角
を測定して表１に示し、その清浄度を評価した。水接触
角θの測定は、ウェーハ面上の液滴の高さｈと液滴の直
径２ｒとを測微計で測定し、次に示す式（ＩＩＩ）によ
り求めた。
を測定して表１に示し、その清浄度を評価した。水接触
角θの測定は、ウェーハ面上の液滴の高さｈと液滴の直
径２ｒとを測微計で測定し、次に示す式（ＩＩＩ）によ
り求めた。
【００２１】
【数１】 水接触角θ＝２tan -1（ｈ／ｒ）・・・・・・・・（ＩＩＩ）
【００２２】本発明に係る洗浄液はいずれも従来の１，
１，１−トリクロロエタンと遜色無い洗浄能力を有して
いることを確認した。
１，１−トリクロロエタンと遜色無い洗浄能力を有して
いることを確認した。
【００２３】従って、本発明の洗浄剤は１，１，１−ト
リクロロエタンと同等の洗浄能力を有しかつ毒性を有し
ていないから、１，１，１−トリクロロエタンの代替品
として極めて好適なものである。
リクロロエタンと同等の洗浄能力を有しかつ毒性を有し
ていないから、１，１，１−トリクロロエタンの代替品
として極めて好適なものである。
【００２４】
【表１】 ┌────┬───────────────┬──────┐ │ │ 洗浄液 │水接触角 │ ├────┼───────────────┼──────┤ │実施例１│Ｄ3 ＋Ｄ4 ＋Ｄ5 ＋Ｄ6 │１４．５° │ ├────┼───────────────┼──────┤ │実施例２│Ｍ2 Ｄ＋Ｄ3 ＋Ｄ4 ＋Ｄ5 ＋Ｄ6 │２０．０° │ ├────┼───────────────┼──────┤ │比較例１│１，１，１−トリクロロエタン │１５．３° │ ├────┼───────────────┼──────┤ │比較例２│ Ｄ4 │１２．３° │ ├────┼───────────────┼──────┤ │比較例３│Ｍ2 Ｄ │１３．０° │ └────┴───────────────┴──────┘
【００２５】
【発明の効果】以上のべたごとく、本発明の半導体基板
の洗浄方法は、人体、環境に対する安全性が高く、かつ
洗浄効果に優れ、しかも洗浄工程が簡便化されるもので
ある。
の洗浄方法は、人体、環境に対する安全性が高く、かつ
洗浄効果に優れ、しかも洗浄工程が簡便化されるもので
ある。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 田村 雄輝 群馬県安中市磯部２丁目13番１号 信越 半導体株式会社 磯部工場内 (72)発明者 大滝 紀夫 群馬県安中市磯部２丁目13番１号 信越 半導体株式会社 磯部工場内 (72)発明者 桑田 敏 群馬県碓氷郡松井田町人見１−10 信越 化学工業株式会社 シリコーン電子材料 技術研究所内 (56)参考文献 特開 平４−124289（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−331493（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−275812（ＪＰ，Ａ) 欧州特許出願公開473795（ＥＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 21/304 341
Claims (5)
- 【請求項１】 下記式（ＩＩ）によって表される環状メ
チルポリシロキサン類であって、ｎ＝３，４，５，６の
うちｎの異なる複数の環状メチルポリシロキサン類を含
む混合物によって半導体基板を洗浄後、アルコール置換
処理し、水洗することを特徴とする半導体基板の洗浄方
法。式（ＩＩ） 【化１】 〔式（ＩＩ）において、ｎ＝３〜６〕 - 【請求項２】 下記式（ＩＩ）によって表される環状メ
チルポリシロキサン類であって、ｎ＝３、ｎ＝４、ｎ＝
５及びｎ＝６の環状メチルポリシロキサン類を含む混合
物によって半導体基板を洗浄後、アルコール置換処理
し、水洗することを特徴とする半導体基板の洗浄方法。
式（ＩＩ） 【化２】 〔式（ＩＩ）において、ｎ＝３〜６〕 - 【請求項３】 前記混合物が、下記式（Ｉ）によって表
される線状メチルポリシロキサン類を含むことを特徴と
する請求項１または２記載の半導体基板の洗浄方法。 式
（Ｉ） 【化３】 〔式（Ｉ）において、ｍ＝０〜４〕 - 【請求項４】 前記線状メチルポリシロキサン類として
ｍ＝１の線状メチルポリシロキサンを用いることを特徴
とする請求項３記載の半導体基板の洗浄方法。 - 【請求項５】 上記した水洗いの後、さらにアルコール
蒸気乾燥を行うことを特徴とする請求項１ないし４のい
ずれか１項に記載の半導体基板の洗浄方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4191542A JP2769406B2 (ja) | 1992-06-25 | 1992-06-25 | 半導体基板の洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4191542A JP2769406B2 (ja) | 1992-06-25 | 1992-06-25 | 半導体基板の洗浄方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0613363A JPH0613363A (ja) | 1994-01-21 |
| JP2769406B2 true JP2769406B2 (ja) | 1998-06-25 |
Family
ID=16276410
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4191542A Expired - Lifetime JP2769406B2 (ja) | 1992-06-25 | 1992-06-25 | 半導体基板の洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2769406B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5795217A (en) * | 1995-11-22 | 1998-08-18 | International Business Machines Corporation | Stressed burnisher |
| US5643818A (en) * | 1996-05-02 | 1997-07-01 | International Business Machines Corporation | Removal of residues from metallic insert used in manufacture of multi-layer ceramic substrate with cavity for microelectronic chip |
| US6287477B1 (en) * | 1999-10-18 | 2001-09-11 | Honeywell International Inc. | Solvents for processing silsesquioxane and siloxane resins |
| JP2007063348A (ja) * | 2005-08-30 | 2007-03-15 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 高揮発性ポリエーテル変性シリコーンからなる界面活性剤 |
| KR101294761B1 (ko) * | 2012-03-28 | 2013-08-08 | 송우창 | 볶음 쌀국수 소스 및 이의 제조방법 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2901090B2 (ja) * | 1990-09-12 | 1999-06-02 | 東芝シリコーン株式会社 | 洗浄方法および洗浄装置 |
-
1992
- 1992-06-25 JP JP4191542A patent/JP2769406B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0613363A (ja) | 1994-01-21 |
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