JP2765083B2 - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
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- JP2765083B2 JP2765083B2 JP20592889A JP20592889A JP2765083B2 JP 2765083 B2 JP2765083 B2 JP 2765083B2 JP 20592889 A JP20592889 A JP 20592889A JP 20592889 A JP20592889 A JP 20592889A JP 2765083 B2 JP2765083 B2 JP 2765083B2
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- resin
- semiconductor device
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- external
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16245—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は樹脂封止型半導体装置に関し、特にリード構
造に関する。
造に関する。
従来、この種の樹脂封止型半導体装置は、集積回路が
形成された半導体チップの入出力端子である電極パッド
に金のはんだバンプを形成し、このはんだバンプに薄い
金属板で形成されたリードフレームのリードを接続し、
このリードフレームに接続された半導体チップを樹脂封
止して、その外郭体を形成していた。
形成された半導体チップの入出力端子である電極パッド
に金のはんだバンプを形成し、このはんだバンプに薄い
金属板で形成されたリードフレームのリードを接続し、
このリードフレームに接続された半導体チップを樹脂封
止して、その外郭体を形成していた。
また、この樹脂封止型半導体装置に使用されるリード
フレームは、薄い金属板、例えば、0.007mmの銅板から
製作されていた。さらに、樹脂外郭体より突出するリー
ドフレームのリードを外力より保護するために、この外
郭体の内部周囲にキャリアリングと称する樹脂枠が設け
られていた。
フレームは、薄い金属板、例えば、0.007mmの銅板から
製作されていた。さらに、樹脂外郭体より突出するリー
ドフレームのリードを外力より保護するために、この外
郭体の内部周囲にキャリアリングと称する樹脂枠が設け
られていた。
しかしながら、上述した従来の樹脂封止型半導体装置
では、リードフレームの板厚が薄いので、例えば、プリ
ント回路基板に実装するときにリードが曲るという欠点
がある。また、実装後にも、機械的外力により、リード
が折れたり、樹脂外郭体より脱落したりするという欠点
もある。さらに、キャリアリングのような樹脂枠を必要
とし、このため、樹脂封止金型の構造が複雑になるばか
りか、このためにコストが上昇するといった欠点もあ
る。このうえ、半導体チップの電極パッドに形成される
バンプの材質が金であるという非常に高価の金属を使用
している欠点もある。
では、リードフレームの板厚が薄いので、例えば、プリ
ント回路基板に実装するときにリードが曲るという欠点
がある。また、実装後にも、機械的外力により、リード
が折れたり、樹脂外郭体より脱落したりするという欠点
もある。さらに、キャリアリングのような樹脂枠を必要
とし、このため、樹脂封止金型の構造が複雑になるばか
りか、このためにコストが上昇するといった欠点もあ
る。このうえ、半導体チップの電極パッドに形成される
バンプの材質が金であるという非常に高価の金属を使用
している欠点もある。
本発明の目的は、かかる欠点を解決した樹脂封止型半
導体装置を提供することである。
導体装置を提供することである。
本発明の樹脂封止型半導体装置は、入出力端子である
電極パッド上に形成されたはんだバンプを有する半導体
チップと、このはんだバンプに接続される薄い板厚の内
部リードとこの内部リードの板厚より厚い板厚であると
ともに前記はんだバンプより低い融点のはんだで被覆さ
れた外部リードとをもち、かつ、前記内部リードと前記
外部リードとの間に突起あるいは穴を有するリードフレ
ームを備え構成される。
電極パッド上に形成されたはんだバンプを有する半導体
チップと、このはんだバンプに接続される薄い板厚の内
部リードとこの内部リードの板厚より厚い板厚であると
ともに前記はんだバンプより低い融点のはんだで被覆さ
れた外部リードとをもち、かつ、前記内部リードと前記
外部リードとの間に突起あるいは穴を有するリードフレ
ームを備え構成される。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図及び第２図は本発明の一実施例を示す樹脂封止
型半導体装置の縦断面図及び横断面図である。本発明の
樹脂封止型半導体装置においては、同図に示すように、
そのリードフレーム３の外部リード3aの厚さを内部リー
ド3bより厚さより厚くし、この外部リード3aと内部リー
ド3bの境目に幅を拡げるように突起６と穴５を設けたこ
とである。
型半導体装置の縦断面図及び横断面図である。本発明の
樹脂封止型半導体装置においては、同図に示すように、
そのリードフレーム３の外部リード3aの厚さを内部リー
ド3bより厚さより厚くし、この外部リード3aと内部リー
ド3bの境目に幅を拡げるように突起６と穴５を設けたこ
とである。
このリードフレーム３の外部リードの板厚をより厚く
することによって、外部リード3aの剛性を高くし、ま
た、突起６及び穴６を設けることによって樹脂封止後に
外部リードが脱落しないようにしたことである。
することによって、外部リード3aの剛性を高くし、ま
た、突起６及び穴６を設けることによって樹脂封止後に
外部リードが脱落しないようにしたことである。
また、はんだバンプにおいては、安価で、接続の信頼
性が高い90％Sn−10％Pbの材料で製作したことである。
さらに、リードフレーム３の60％Sn−40％Pbのはんだで
被覆されている。ここで、前述のリードフレーム３の外
部リード3aの厚さを、例えば、0.15mmとし、内部リード
3bの厚さを、例えば、0.035mmとしたことである。
性が高い90％Sn−10％Pbの材料で製作したことである。
さらに、リードフレーム３の60％Sn−40％Pbのはんだで
被覆されている。ここで、前述のリードフレーム３の外
部リード3aの厚さを、例えば、0.15mmとし、内部リード
3bの厚さを、例えば、0.035mmとしたことである。
このリードフレームの製作に関しては、例えば、0.15
mm板厚の銅箔をプレス型により打抜くと同時に内部リー
ドの部分を圧延する。次に、薄く圧延された内部リード
部をエッチング加工法で成形し、所要の内部リードの形
状を得る。このようにして得られたリードフレームに電
解めっき法により60％Sn−40％Pbのはんだを被覆する。
mm板厚の銅箔をプレス型により打抜くと同時に内部リー
ドの部分を圧延する。次に、薄く圧延された内部リード
部をエッチング加工法で成形し、所要の内部リードの形
状を得る。このようにして得られたリードフレームに電
解めっき法により60％Sn−40％Pbのはんだを被覆する。
このようにして得られたリードフレームを使用して組
立られた半導体装置をプリント回路基板に実装するとき
は、半導体装置をプリント回路基板に搭載し、190℃程
度に低温で加熱し、はんだをリフローして接続できるの
で、はんだバンプは再溶解することなく、安定した接続
を維持する。
立られた半導体装置をプリント回路基板に実装するとき
は、半導体装置をプリント回路基板に搭載し、190℃程
度に低温で加熱し、はんだをリフローして接続できるの
で、はんだバンプは再溶解することなく、安定した接続
を維持する。
第３図及び第４図は本発明の他の実施例を示す樹脂封
止型半導体装置の縦断面図及び横断面図である。本発明
の他の実施例での樹脂封止型半導体装置においては、同
図に示すように、リードフレームを厚さの異なる二枚の
金属板より、内部リード3dと外部リード3cとを製作した
ことである。また、外部リード3cの一端は折り曲げら
れ、脱落防止機構を具備している。ここで、外部リード
3cは、板厚が0.15mmで、その表面を60％Sn−40％Pbのは
んだで被覆する。また、内部リード3dは、板厚は、0.03
5mmで、その表面は90％Sn−10％Pbのはんだで被覆され
ている。その他は、前述の実施例と同じである。
止型半導体装置の縦断面図及び横断面図である。本発明
の他の実施例での樹脂封止型半導体装置においては、同
図に示すように、リードフレームを厚さの異なる二枚の
金属板より、内部リード3dと外部リード3cとを製作した
ことである。また、外部リード3cの一端は折り曲げら
れ、脱落防止機構を具備している。ここで、外部リード
3cは、板厚が0.15mmで、その表面を60％Sn−40％Pbのは
んだで被覆する。また、内部リード3dは、板厚は、0.03
5mmで、その表面は90％Sn−10％Pbのはんだで被覆され
ている。その他は、前述の実施例と同じである。
この実施例では、内部リードと外部リードとをそれぞ
れ板厚の異なる銅箔をプレス加工して製作出来るので、
前述の実施例のように銅箔の一部を均一の板厚に圧延す
る工程が不要になり、この実施例は、前述の実施例より
製造上有利である。
れ板厚の異なる銅箔をプレス加工して製作出来るので、
前述の実施例のように銅箔の一部を均一の板厚に圧延す
る工程が不要になり、この実施例は、前述の実施例より
製造上有利である。
以上説明したように本発明は、はんだバンプを成形す
るはんだとプリント回路基板に実装する外部リードのは
んだとを融点の異なるはんだを用い、外部リードの板厚
を内部リードの板厚より厚くし、外部リードと内部リー
ドとの境目に突起あるいは穴を設けることによって、外
部リードが曲がったり、脱落したりすることがない安価
な樹脂封止型半導体装置が得られるという効果がある。
るはんだとプリント回路基板に実装する外部リードのは
んだとを融点の異なるはんだを用い、外部リードの板厚
を内部リードの板厚より厚くし、外部リードと内部リー
ドとの境目に突起あるいは穴を設けることによって、外
部リードが曲がったり、脱落したりすることがない安価
な樹脂封止型半導体装置が得られるという効果がある。
第１図及び第２図は本発明の一実施例を示す樹脂封止型
半導体装置の縦断面図及び横断面図、第３図及び第４図
は本発明の他の実施例を示す樹脂封止型半導体装置の縦
断面図及び横断面図である。 １……半導体チップ、２……はんだバンプ、３……リー
ドフレーム、3a、3c……外部リード、3b、3c……内部リ
ード、４……樹脂外郭体、５……穴、６……突起。
半導体装置の縦断面図及び横断面図、第３図及び第４図
は本発明の他の実施例を示す樹脂封止型半導体装置の縦
断面図及び横断面図である。 １……半導体チップ、２……はんだバンプ、３……リー
ドフレーム、3a、3c……外部リード、3b、3c……内部リ
ード、４……樹脂外郭体、５……穴、６……突起。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 21/60 311
Claims (1)
- 【請求項１】入出力端子である電極パッド上に形成され
たはんだバンプを有する半導体チップと、このはんだバ
ンプに接続される薄い板厚の内部リードとこの内部リー
ドの板厚より厚い板厚であるとともに前記はんだバンプ
より低い融点のはんだで被覆された外部リードとをも
ち、かつ、前記内部リードと前記外部リードとの間に突
起あるいは穴を有するリードフレームを備えることを特
徴とする樹脂封止型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20592889A JP2765083B2 (ja) | 1989-08-08 | 1989-08-08 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20592889A JP2765083B2 (ja) | 1989-08-08 | 1989-08-08 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0369130A JPH0369130A (ja) | 1991-03-25 |
| JP2765083B2 true JP2765083B2 (ja) | 1998-06-11 |
Family
ID=16515061
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20592889A Expired - Lifetime JP2765083B2 (ja) | 1989-08-08 | 1989-08-08 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2765083B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2555522Y2 (ja) * | 1991-10-15 | 1997-11-26 | 新電元工業株式会社 | 樹脂封止型半導体装置 |
| KR100214480B1 (ko) * | 1996-05-17 | 1999-08-02 | 구본준 | 반도체 패키지용 리드 프레임 |
-
1989
- 1989-08-08 JP JP20592889A patent/JP2765083B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0369130A (ja) | 1991-03-25 |
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