JP2764154B2 - ベーク装置 - Google Patents

ベーク装置

Info

Publication number
JP2764154B2
JP2764154B2 JP4148067A JP14806792A JP2764154B2 JP 2764154 B2 JP2764154 B2 JP 2764154B2 JP 4148067 A JP4148067 A JP 4148067A JP 14806792 A JP14806792 A JP 14806792A JP 2764154 B2 JP2764154 B2 JP 2764154B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
plate
hot plate
workpiece
baking
baking apparatus
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP4148067A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH05326532A (ja
Inventor
勝彦 工藤
博嗣 熊澤
重美 藤山
宏仁 佐合
和志 川上
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TOKYO OKA KOGYO KK
Tatsumo KK
Original Assignee
TOKYO OKA KOGYO KK
Tatsumo KK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by TOKYO OKA KOGYO KK, Tatsumo KK filed Critical TOKYO OKA KOGYO KK
Priority to JP4148067A priority Critical patent/JP2764154B2/ja
Publication of JPH05326532A publication Critical patent/JPH05326532A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2764154B2 publication Critical patent/JP2764154B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はガラス基板や半導体ウェ
ハ等の板状被処理物をホットプレートを用いて加熱する
ベーク装置に関する。
【0002】
【従来の技術】ガラス基板や半導体ウェハ等の板状被処
理物の表面に塗布したレジスト液をベークして被膜を形
成する装置として従来からベーク装置が用いられてい
る。このベーク装置は一般にホットプレートが用いら
れ、板状被処理物表面に塗布したレジスト液を半乾燥せ
しめた後、搬送装置によって板状被処理物をホットプレ
ート上に移載し、ホットプレートの熱により板状被処理
物表面に塗布されたレジスト液をベークして被膜を形成
するようにしたものである。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来のベーク
装置にあっては、ホットプレート上方をパージ室とし、
このパージ室に窒素ガス等のガスを導入してベーク処理
を行なうようにしているが、熱が逃げやすく、またホッ
トプレート自体も平面的に全て等しく発熱するわけでは
なく、温度にムラがあるので、板状被処理物を均一に加
熱することが困難である。
【0004】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決すべく本
願の第1発明は、ベーク装置のホットプレート上方にパ
ージ室を形成する蓋体の裏面に、閉じた状態でホットプ
レートと対向する反射板を取り付けた。
【0005】また本願の第2発明は、ベーク装置のホッ
トプレートを上面を開放したボックス部内に水平に取り
付け、また前記ホットプレート及びボックス部には上下
方向の貫通孔を形成し、これら貫通孔にベーク時に板状
被処理物をホットプレートから持ち上げるエジェクタピ
ンを昇降自在に挿通した。
【0006】
【作用】蓋体が閉じられた状態のベーク装置のパージ室
に搬送装置によって板状被処理物が搬入され、この板状
被処理物はホットプレートから若干浮いた状態でベーク
処理され、次工程へ搬出される。
【0007】
【実施例】以下に本発明の実施例を添付図面に基づいて
説明する。ここで、図1は本発明に係るベーク装置を組
み込んだ被膜形成装置の平面図、図2は同ベーク装置の
正面図、図3は図2のA−A方向矢示図、図4は図3の
B−B方向矢示図である。
【0008】被膜形成装置は図1の左側を上流部とし、
この上流部にガラス基板等の板状被処理物Wの投入部1
を設け、この投入部1の下流側に塗布装置2を配置し、
この塗布装置2の下流側に順次、減圧乾燥装置3、被処
理物Wの裏面洗浄装置4、本発明のベーク装置5及び取
り出し部6を配置し、投入部1からベーク装置5に至る
までは搬送装置7にて板状被処理物Wを移動させ、また
塗布装置2の前面側には交換可能な塗布液供給装置8を
配置し、この塗布液供給装置8から供給される塗布液を
移動可能なノズル9を用いて板状被処理物W表面に滴下
するようにしている。
【0009】ベーク装置5は上流部に板状被処理物Wの
受け渡し部10を、下流部に板状被処理物Wの温度を所
定温度まで下げるクーリングプレート11を配置し、こ
れら受け渡し部10とクーリングプレート11との間に
板状被処理物Wの搬送方向に沿って3個のホットプレー
ト12…を配置している。
【0010】ホットプレート12は図4に示すようにベ
ーク装置5の機枠13の底部から立設した支柱14に上
面を開放したボックス部15を設け、このボックス部1
5内に水平に取り付けられている。
【0011】また、板状被処理物Wは搬送装置16によ
って各ホットプレート12上を順次移し換えられる。こ
の搬送装置16は、機枠13の底部に板状被処理物Wの
搬送方向と平行にレール17,17を敷設し、このレー
ル17に支持プレート18を走行可能に係合し、この支
持プレート18上に支柱19を立設し、この支柱19上
端からホットプレート12上面に沿って支持ロッド20
を水平に延出し、この支持ロッド20にて板状被処理物
W下面を支持するようにしている。尚、支持ロッド20
とホットプレート12との間隔はできるだけ小さくす
る。
【0012】一方、機枠13内にはモータ21を固設
し、このモータ21の回転を機枠13の底部に板状被処
理物Wの搬送方向と直交する方向に配置された軸22に
伝え、この軸22の回転をピニオン23を介して前記支
持プレート18に取り付けたラック24に伝達し、レー
ル17に沿って支持プレート18、つまり支持ロッド2
0が往復動するようにしている。
【0013】また、前記ボックス部15の下方には図3
に示すようにH字状の昇降プレート25を配置し、上流
側の昇降プレート25は上下方向のシリンダユニット2
6にて昇降動せしめられ、下流側の2個の昇降プレート
25,25についてはシリンダユニット27にて回転せ
しめられる軸28にリンク29を取り付け、このリンク
29の回動をアーム30を介して昇降プレート25に伝
達するようにしている。
【0014】昇降プレート25にはエジェクタピン31
が合計8本植設されている。これらエジェクタピン31
はホットプレート12に形成した上下方向の貫通孔32
に下方から挿通され、その先端はホットプレート12上
面より上方に出ている。
【0015】一方、機枠13には軸33を介して蓋体3
4が開閉自在に支持されている。この蓋体34は一端
(図4において右端)に把持部35を設け、また機枠1
3との間にエアクッション36を架設して蓋体34を閉
じる時に勢いよく蓋体34が落ちないようにするととも
に蓋体34を小さな力で持ち上げることができるように
している。ここで、蓋体34を着脱自在にしておけば、
板状被処理物W表面の被膜から生じる昇華物を容易に取
り除くことができる。
【0016】そして、蓋体34の裏面には蓋体34を閉
じた状態でホットプレート12に対向する反射板37を
取り付け、この反射板37を貫通して反射板37とホッ
トプレート12との間に形成されるパージ室38に窒素
ガス等を導入するノズル39を設けている。
【0017】以上において、ガラス基板等の板状被処理
物W表面に被膜を形成するには、投入部1から板状被処
理物Wを塗布装置2に送って板状被処理物W表面に塗布
液を均一に拡散せしめ、次いで板状被処理物Wを減圧乾
燥装置3、裏面洗浄装置4を経た後、蓋体34を閉じた
状態のままのベーク装置5に側方から搬送装置7によっ
て搬入する。
【0018】ベーク装置5内においては、搬送装置16
により板状被処理物Wを各ホットプレート12上を順次
移し換え、最終的にクーリングプレート11で温度を調
整しつつ板状被処理物Wを取り出し部6まで搬送する。
【0019】尚、ベーク処理を行なう場合には、昇降プ
レート25を上昇させ、搬送装置16の支持ロッド20
からエジェクタピン31で板状被処理物Wを受け取り、
エジェクタピン31で板状被処理物Wの下面を支え、ホ
ットプレート12との間に所定の隙間を形成した状態で
行なう。そして、1つのホットプレート12におけるベ
ーク処理が終了したら、昇降プレート25を下げ、再び
板状被処理物Wを搬送装置16の支持ロッド20上に載
置し、この状態で搬送装置により隣のホットプレート1
2上に板状被処理物Wを移し、同様にしてベーク処理を
行なう。
【0020】
【発明の効果】以上に説明したように本発明によれば、
ベーク装置のホットプレート上方にパージ室を形成する
蓋体の裏面に、閉じた状態でホットプレートと対向する
反射板を取り付けたので、ホットプレートからの副射熱
を利用して被処理物表面を加熱することができ、効率よ
くベーク処理を行なえる。また、本発明によれば、上面
を開放したボックス部内にホットプレートを水平に取り
付けるようにしたので、下方への熱の離散を防止するこ
とができ、特に前記反射板と組合せれば、ボックス部と
上方の反射板とでホットプレートから発生する熱を有効
に利用でき、均一な加熱を行うことが可能となる。
【0021】また本願によれば、エジェクタピンによっ
て板状被処理物をのホットプレートから若干浮せた状態
でベーク処理を行なうようにしたので、温度ムラのない
均一処理が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係るベーク装置を組み込んだ被膜形成
装置の平面図
【図2】同ベーク装置の正面図
【図3】図2のA−A方向矢示図
【図4】図3のB−B方向矢示図
【符号の説明】
5…ベーク装置、12…ホットプレート、13…機枠、
16…搬送装置、17レール、20…支持ロッド、25
…昇降プレート、31…エジェクタピン、32…貫通
孔、34蓋体、37…反射板、W…板状被処理物。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 藤山 重美 神奈川県川崎市中原区中丸子150番地 東京応化工業株式会社内 (72)発明者 佐合 宏仁 神奈川県川崎市中原区中丸子150番地 東京応化工業株式会社内 (72)発明者 川上 和志 岡山県井原市木之子町6186番地 タツモ 株式会社内 審査官 河本 充雄 (56)参考文献 特開 平4−142027(JP,A) 特開 平3−270012(JP,A) 特開 平2−3909(JP,A) 特開 昭62−62522(JP,A) 実開 平4−59131(JP,U)

Claims (3)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 搬送機構によって板状被処理物をホット
    プレート上に載置して加熱するようにしたベーク装置に
    おいて、このベーク装置はホットプレート上方にパージ
    室を形成する蓋体を設け、この蓋体の裏面には閉じた状
    態でホットプレートと対向する反射板を取り付けたこと
    を特徴とするベーク装置。
  2. 【請求項2】 搬送機構によって板状被処理物をホット
    プレート上に載置して加熱するようにしたベーク装置に
    おいて、このベーク装置はホットプレート上方にパージ
    室を形成する蓋体を設け、この蓋体の裏面には閉じた状
    態でホットプレートと対向する反射板を取り付け、また
    前記ホットプレートは上面を開放したボックス部内に水
    平に取り付けられ、また前記ホットプレート及びボック
    ス部には上下方向の貫通孔が形成され、これら貫通孔に
    ベーク時に板状被処理物をホットプレートから持ち上げ
    るエジェクタピンを昇降自在に挿通したことを特徴とす
    るベーク装置。
  3. 【請求項3】 前記ホットプレートは板状被処理物の搬
    送方向に沿って複数個配置されていることを特徴とする
    請求項1または請求項2に記載のベーク装置。
JP4148067A 1992-05-15 1992-05-15 ベーク装置 Expired - Fee Related JP2764154B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4148067A JP2764154B2 (ja) 1992-05-15 1992-05-15 ベーク装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4148067A JP2764154B2 (ja) 1992-05-15 1992-05-15 ベーク装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH05326532A JPH05326532A (ja) 1993-12-10
JP2764154B2 true JP2764154B2 (ja) 1998-06-11

Family

ID=15444469

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP4148067A Expired - Fee Related JP2764154B2 (ja) 1992-05-15 1992-05-15 ベーク装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2764154B2 (ja)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5132856B2 (ja) * 2001-04-24 2013-01-30 東京エレクトロン株式会社 処理装置
CN101061578A (zh) 2004-10-19 2007-10-24 佳能安内华股份有限公司 基板支撑·运送用托盘
JP4657940B2 (ja) * 2006-02-10 2011-03-23 東京エレクトロン株式会社 基板の処理システム
JP2012144353A (ja) * 2011-01-13 2012-08-02 Nippon Electric Glass Co Ltd 基板搬送装置及び基板搬送方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6262522A (ja) * 1985-09-13 1987-03-19 Toshiba Corp 半導体ウエ−ハの加熱方式
JP2662982B2 (ja) * 1988-06-20 1997-10-15 東京エレクトロン株式会社 加熱装置
JPH03270012A (ja) * 1990-03-19 1991-12-02 Fujitsu Ltd 半導体製造装置
JPH0459131U (ja) * 1990-09-25 1992-05-21
JP2619563B2 (ja) * 1990-10-02 1997-06-11 大日本スクリーン製造株式会社 基板熱処理装置

Also Published As

Publication number Publication date
JPH05326532A (ja) 1993-12-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101006800B1 (ko) 기판의 처리막의 표면 거침을 개선하는 방법 및 기판 처리장치
US5430271A (en) Method of heat treating a substrate with standby and treatment time periods
US5445699A (en) Processing apparatus with a gas distributor having back and forth parallel movement relative to a workpiece support surface
TW501164B (en) Heat and cooling treatment apparatus and substrate processing system
KR20090030231A (ko) 상압 건조 장치 및 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
ATE85589T1 (de) Hubtisch und transportverfahren.
JPS63291419A (ja) 加熱処理装置
KR20090110863A (ko) 유리 시트 반도체 코팅을 위한 시스템과 방법
JP3240449B2 (ja) 処理装置
JP2764154B2 (ja) ベーク装置
JP2009081182A (ja) 常圧乾燥装置及び基板処理装置及び基板処理方法
JP2586680Y2 (ja) ホットプレート用リフトピン
JPH03216409A (ja) 連続処理装置
JP3118681B2 (ja) 処理装置及び処理方法
KR20110066864A (ko) 기판처리장치, 기판처리방법 및 이 기판처리방법을 실행시키기 위한 프로그램을 기록한 기록매체
JP2001189368A5 (ja)
JPH11162804A (ja) 熱処理装置及び熱処理方法
JPH11223462A (ja) 乾燥炉
JP4015015B2 (ja) 熱処理装置
JPH0426878Y2 (ja)
JP3266287B2 (ja) 加熱処理装置
JP2002353132A (ja) 基板の塗布装置及び基板の塗布方法
JPH0610679Y2 (ja) 連続インライン式成膜装置
JP2000243719A (ja) ランプアニール方法とその装置
JP2001196302A (ja) 加熱処理方法及び加熱処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 19971209

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090403

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090403

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100403

Year of fee payment: 12

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100403

Year of fee payment: 12

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110403

Year of fee payment: 13

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees