JP2760932B2 - 単結晶引上げ用Ｓｉ融液の酸素濃度制御方法 - Google Patents
単結晶引上げ用Ｓｉ融液の酸素濃度制御方法Info
- Publication number
- JP2760932B2 JP2760932B2 JP5069924A JP6992493A JP2760932B2 JP 2760932 B2 JP2760932 B2 JP 2760932B2 JP 5069924 A JP5069924 A JP 5069924A JP 6992493 A JP6992493 A JP 6992493A JP 2760932 B2 JP2760932 B2 JP 2760932B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- melt
- concentration
- single crystal
- oxygen concentration
- oxygen
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、Ｓｉ融液の酸素濃度を
適正値に維持し、酸素の偏析係数が少ない単結晶を得る
酸素濃度制御方法に関する。
適正値に維持し、酸素の偏析係数が少ない単結晶を得る
酸素濃度制御方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】融液から単結晶を育成する代表的な方法
として、チョクラルスキー法がある。チョクラルスキー
方法では、図１に示すように密閉容器１の内部に配置し
たルツボ２を、回転及び昇降可能にサポート３で支持す
る。ルツボ２の外周には、ヒータ４及び保温材５が同心
円状に設けられ、ルツボ２に収容した原料をヒータ４で
集中的に加熱し、融液６を調製する。融液６は、単結晶
成長に好適な温度に維持される。融液６に種結晶７を接
触させ、種結晶７の結晶方位を倣った単結晶８を成長さ
せる。種結晶７は、ワイヤ９を介して回転巻取り機構１
０から吊り下げられ、単結晶８の成長に応じて回転しな
がら引上げられる。また、ルツボ２も、サポート３を介
して適宜回転しながら下降する。サポート３の降下速
度，回転速度及び種結晶７の回転速度，上昇速度等は、
融液６から引上げられる単結晶８の成長速度に応じて制
御される。
として、チョクラルスキー法がある。チョクラルスキー
方法では、図１に示すように密閉容器１の内部に配置し
たルツボ２を、回転及び昇降可能にサポート３で支持す
る。ルツボ２の外周には、ヒータ４及び保温材５が同心
円状に設けられ、ルツボ２に収容した原料をヒータ４で
集中的に加熱し、融液６を調製する。融液６は、単結晶
成長に好適な温度に維持される。融液６に種結晶７を接
触させ、種結晶７の結晶方位を倣った単結晶８を成長さ
せる。種結晶７は、ワイヤ９を介して回転巻取り機構１
０から吊り下げられ、単結晶８の成長に応じて回転しな
がら引上げられる。また、ルツボ２も、サポート３を介
して適宜回転しながら下降する。サポート３の降下速
度，回転速度及び種結晶７の回転速度，上昇速度等は、
融液６から引上げられる単結晶８の成長速度に応じて制
御される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】Ｓｂをｎ型不純物とし
て添加した融液６を使用して引き上げを行うと、得られ
た単結晶８にＳｂが導入され、高伝導度の半導体材料が
得られる。また、融液６にルツボ２から溶出したＳｉＯ
2 に起因する酸素が導入されており、その酸素も単結晶
８に取り込まれる。単結晶８に含まれる酸素は、単結晶
８が熱処理されるときバルク中に析出し、析出欠陥とな
る。この析出欠陥は、電子デバイスを構成する半導体単
結晶基板の表面に残存する重金属不純物を捕捉して無害
化するゲッタリング中心として利用される。また、固溶
している酸素は、半導体単結晶基板の強度を向上させる
作用も呈する。このようなことから、融液の酸素濃度を
高くすると、単結晶中に取り込まれる酸素濃度を増大さ
せる上で、融液の酸素濃度を高く維持することが望まれ
る。しかし、従来の方法においては、Ｓｉ融液の酸素濃
度を高レベルに安定維持することは困難であった。本発
明は、このような問題を解消すべく案出されたものであ
り、多量のＳｂの添加によってＳｉ融液の酸素濃度が高
くなる現象を活用し、酸素濃度をＳｂ含有量で制御し、
酸素濃度が高レベルに調整されたＳｉ単結晶を得ること
を目的とする。
て添加した融液６を使用して引き上げを行うと、得られ
た単結晶８にＳｂが導入され、高伝導度の半導体材料が
得られる。また、融液６にルツボ２から溶出したＳｉＯ
2 に起因する酸素が導入されており、その酸素も単結晶
８に取り込まれる。単結晶８に含まれる酸素は、単結晶
８が熱処理されるときバルク中に析出し、析出欠陥とな
る。この析出欠陥は、電子デバイスを構成する半導体単
結晶基板の表面に残存する重金属不純物を捕捉して無害
化するゲッタリング中心として利用される。また、固溶
している酸素は、半導体単結晶基板の強度を向上させる
作用も呈する。このようなことから、融液の酸素濃度を
高くすると、単結晶中に取り込まれる酸素濃度を増大さ
せる上で、融液の酸素濃度を高く維持することが望まれ
る。しかし、従来の方法においては、Ｓｉ融液の酸素濃
度を高レベルに安定維持することは困難であった。本発
明は、このような問題を解消すべく案出されたものであ
り、多量のＳｂの添加によってＳｉ融液の酸素濃度が高
くなる現象を活用し、酸素濃度をＳｂ含有量で制御し、
酸素濃度が高レベルに調整されたＳｉ単結晶を得ること
を目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明の酸素濃度制御方
法は、その目的を達成するため、Ｓｉ融液中のＳｂ濃度
を重量センサーによって測定し、測定されたＳｂ濃度を
目標酸素濃度に対応した設定Ｓｂ濃度と比較し、その差
に応じてＳｂの添加又は蒸発によって前記Ｓｉ融液中の
Ｓｂ濃度を調整することを特徴とする。Ｓｉ融液中のＳ
ｂ濃度は、たとえば重量センサーによる測定で算出され
る。ルツボを保持する台を差動トランス型等の重量セン
サーに直結し、ルツボに収容されている融液の重量をリ
アルタイムで測定する。他方、Ｓｉ融液に添加されるＳ
ｂの添加量及びＳｉ融液から蒸発するＳｂの量が適宜の
手段によって測定され、これら測定値の差に基づいてＳ
ｉ融液に含まれているＳｂの量、ひいてはＳｂ濃度が算
出される。得られたＳｂ濃度は、目標酸素濃度に対応し
た設定Ｓｂ濃度と比較され、その差に応じてＳｂの添加
又は蒸発によりＳｉ融液中のＳｂ濃度を調整する。その
結果、実際のＳｂ濃度が設定Ｓｂ濃度に近付き、融液の
酸素濃度が調整される。
法は、その目的を達成するため、Ｓｉ融液中のＳｂ濃度
を重量センサーによって測定し、測定されたＳｂ濃度を
目標酸素濃度に対応した設定Ｓｂ濃度と比較し、その差
に応じてＳｂの添加又は蒸発によって前記Ｓｉ融液中の
Ｓｂ濃度を調整することを特徴とする。Ｓｉ融液中のＳ
ｂ濃度は、たとえば重量センサーによる測定で算出され
る。ルツボを保持する台を差動トランス型等の重量セン
サーに直結し、ルツボに収容されている融液の重量をリ
アルタイムで測定する。他方、Ｓｉ融液に添加されるＳ
ｂの添加量及びＳｉ融液から蒸発するＳｂの量が適宜の
手段によって測定され、これら測定値の差に基づいてＳ
ｉ融液に含まれているＳｂの量、ひいてはＳｂ濃度が算
出される。得られたＳｂ濃度は、目標酸素濃度に対応し
た設定Ｓｂ濃度と比較され、その差に応じてＳｂの添加
又は蒸発によりＳｉ融液中のＳｂ濃度を調整する。その
結果、実際のＳｂ濃度が設定Ｓｂ濃度に近付き、融液の
酸素濃度が調整される。
【０００５】
【作用】Ｓｂを添加したＳｉ融液から引き上げられた単
結晶は、Ｓｂドープによって高伝導度を呈する。従来で
は、得られる単結晶の伝導度の向上を狙って最大でも
０．５原子％程度までの含有量としている。本発明者等
は、Ｓｉ融液に添加されるＳｂの影響を調査・研究する
過程で、１．３原子％以上の多量のＳｂを添加すると
き、Ｓｂ含有量の上昇に伴ってＳｉ融液の酸素濃度が一
義的に上昇することを見い出した。酸素濃度は、図２に
示すように、１原子％程度までのＳｂ含有量では実質的
な変動はなく、おおよそ２×１０18ｃｍ-3程度に維持さ
れている。しかし、Ｓｂ含有量が１．３原子％以上にな
ると、Ｓｂ含有量に応じ酸素濃度が上昇している。酸素
濃度の上昇傾向は、融液から引き上げられる単結晶にも
もち込まれ、１０19個／ｃｍ3 程度まで酸素濃度が上昇
したＳｉ単結晶が得られる。Ｓｂ濃度に応じた酸素濃度
の上昇は、Ｓｂを添加することによってＳｉ融液の酸素
溶解度が上昇することに起因する。
結晶は、Ｓｂドープによって高伝導度を呈する。従来で
は、得られる単結晶の伝導度の向上を狙って最大でも
０．５原子％程度までの含有量としている。本発明者等
は、Ｓｉ融液に添加されるＳｂの影響を調査・研究する
過程で、１．３原子％以上の多量のＳｂを添加すると
き、Ｓｂ含有量の上昇に伴ってＳｉ融液の酸素濃度が一
義的に上昇することを見い出した。酸素濃度は、図２に
示すように、１原子％程度までのＳｂ含有量では実質的
な変動はなく、おおよそ２×１０18ｃｍ-3程度に維持さ
れている。しかし、Ｓｂ含有量が１．３原子％以上にな
ると、Ｓｂ含有量に応じ酸素濃度が上昇している。酸素
濃度の上昇傾向は、融液から引き上げられる単結晶にも
もち込まれ、１０19個／ｃｍ3 程度まで酸素濃度が上昇
したＳｉ単結晶が得られる。Ｓｂ濃度に応じた酸素濃度
の上昇は、Ｓｂを添加することによってＳｉ融液の酸素
溶解度が上昇することに起因する。
【０００６】このＳｉ単結晶から作製された半導体材料
は、酸素を３×１０18〜１×１０19個／ｃｍ3 の割合で
含むため、熱処理後にバルク内に発生する微小析出欠陥
が均一に分布すると共に、ｎ型で高伝導率等の特性を示
す。そのため、パワートランジスタ，バイポーラトラン
ジスタ等の半導体デバイス用基板として使用される。Ｓ
ｂ濃度に基づいて融液の酸素濃度を制御するシステム
は、たとえば図３に示すように、ルツボ２とサポート３
との間に重量センサー１１を配置する。重量センサー１
１で測定した融液６の重量を演算制御系１２に出力す
る。演算制御系１２では、融液６の重量からＳｂ濃度を
算出し、設定Ｓｂ濃度と比較する。
は、酸素を３×１０18〜１×１０19個／ｃｍ3 の割合で
含むため、熱処理後にバルク内に発生する微小析出欠陥
が均一に分布すると共に、ｎ型で高伝導率等の特性を示
す。そのため、パワートランジスタ，バイポーラトラン
ジスタ等の半導体デバイス用基板として使用される。Ｓ
ｂ濃度に基づいて融液の酸素濃度を制御するシステム
は、たとえば図３に示すように、ルツボ２とサポート３
との間に重量センサー１１を配置する。重量センサー１
１で測定した融液６の重量を演算制御系１２に出力す
る。演算制御系１２では、融液６の重量からＳｂ濃度を
算出し、設定Ｓｂ濃度と比較する。
【０００７】算出Ｓｂ濃度が設定Ｓｂ濃度より小さい場
合、演算制御系１２からＳｂフィーダ１３に制御信号を
出力し、設定Ｓｂ濃度に近付けるように所定量のＳｂを
融液６に投入する。算出Ｓｂ濃度が設定Ｓｂ濃度より大
きい場合、演算制御系１２からＳｉフィーダ１４に制御
信号を出力し、設定Ｓｂ濃度に近付けるように所定量の
Ｓｉを融液６に投入する。また、Ｓｂが蒸発性元素であ
ることを利用し、融液６を高温状態で所定時間保持する
ことによって、設定Ｓｂ濃度まで低下させることも可能
である。このようにして、融液６を設定Ｓｂ濃度にする
とき、図２に示した関係から設定Ｓｂ濃度に対応した酸
素濃度の融液６が調製される。この融液６を使用して単
結晶引上げを行うことにより、得られた単結晶８は、酸
素濃度が高いＳｂドープＳｉ単結晶となり、リーク電流
が少なく、重金属類を効率よくゲッタリングできる等の
特性をもった半導体材料として使用される。
合、演算制御系１２からＳｂフィーダ１３に制御信号を
出力し、設定Ｓｂ濃度に近付けるように所定量のＳｂを
融液６に投入する。算出Ｓｂ濃度が設定Ｓｂ濃度より大
きい場合、演算制御系１２からＳｉフィーダ１４に制御
信号を出力し、設定Ｓｂ濃度に近付けるように所定量の
Ｓｉを融液６に投入する。また、Ｓｂが蒸発性元素であ
ることを利用し、融液６を高温状態で所定時間保持する
ことによって、設定Ｓｂ濃度まで低下させることも可能
である。このようにして、融液６を設定Ｓｂ濃度にする
とき、図２に示した関係から設定Ｓｂ濃度に対応した酸
素濃度の融液６が調製される。この融液６を使用して単
結晶引上げを行うことにより、得られた単結晶８は、酸
素濃度が高いＳｂドープＳｉ単結晶となり、リーク電流
が少なく、重金属類を効率よくゲッタリングできる等の
特性をもった半導体材料として使用される。
【０００８】
【実施例】純Ｓｉ２００ｇを直径５０ｍｍ及び高さ６０
ｍｍのルツボに入れ、垂直方向の温度差５０℃をつけて
表面温度１４５０℃に加熱した。この状態で３０分間保
持した後、所定量の純ＳｂをＳｉ融液に添加した。更に
同じ温度条件下で３０分間保持し、冷却速度２００℃／
時で１３５０℃まで冷却し、冷却速度５０℃／時で室温
まで冷却した。このようにして、目標Ｓｂ濃度が１，
２，３及び５原子％のＳｂドープＳｉを用意した。純Ｓ
ｉ及びＳｂドープＳｉそれぞれをアルゴン雰囲気中で１
４２６〜１５４２℃に加熱し、９０分間保持した後、単
結晶引上げを開始した。得られた単結晶から厚さ２ｍｍ
の試験片を切り出し、ＳＩＭＳ法で酸素濃度を測定し
た。また、各試験片の酸素濃度とＳｂ濃度との関係を表
１に示す。表１から、Ｓｂ濃度に応じて酸素濃度が上昇
していることが判る。このようにして種々の実験データ
から、温度１４２０℃のＳｉ融液についてＳｂ濃度と酸
素濃度との間に図２に示す関係が求められた。
ｍｍのルツボに入れ、垂直方向の温度差５０℃をつけて
表面温度１４５０℃に加熱した。この状態で３０分間保
持した後、所定量の純ＳｂをＳｉ融液に添加した。更に
同じ温度条件下で３０分間保持し、冷却速度２００℃／
時で１３５０℃まで冷却し、冷却速度５０℃／時で室温
まで冷却した。このようにして、目標Ｓｂ濃度が１，
２，３及び５原子％のＳｂドープＳｉを用意した。純Ｓ
ｉ及びＳｂドープＳｉそれぞれをアルゴン雰囲気中で１
４２６〜１５４２℃に加熱し、９０分間保持した後、単
結晶引上げを開始した。得られた単結晶から厚さ２ｍｍ
の試験片を切り出し、ＳＩＭＳ法で酸素濃度を測定し
た。また、各試験片の酸素濃度とＳｂ濃度との関係を表
１に示す。表１から、Ｓｂ濃度に応じて酸素濃度が上昇
していることが判る。このようにして種々の実験データ
から、温度１４２０℃のＳｉ融液についてＳｂ濃度と酸
素濃度との間に図２に示す関係が求められた。
【表１】
【０００９】同様にＳｂを添加した融液を種々の温度に
保持し、酸素濃度の温度依存性を調査した。調査結果を
示す図４から明らかなように、Ｓｂ濃度が１原子％未満
の融液では、１４２６〜１５４２℃の温度範囲において
Ｓｂ濃度及び融液温度に応じて酸素濃度が変動する傾向
は見られなかった。これに対し、Ｓｂ濃度が１．３原子
％以上の融液では、融液温度に応じた酸素濃度の上昇が
窺われる。特に、１．９〜２．０原子％と多量のＳｂを
含む融液では、融液温度が酸素濃度に大きな影響を与え
ている。単結晶が引き上げられるＳｉ融液が高酸素濃度
であるので、融液からの酸化物蒸発を抑制し、液面を安
定させるため、炉内の雰囲気圧を高める。たとえば、通
常の引上げ雰囲気が０．０４気圧であるのに対し、本実
施例では０．８気圧のアルゴン雰囲気を採用した。引き
上げられた単結晶から製造した半導体基板は、重金属不
純物の無害化効果が著しい。そのため、この基板上にデ
バイスを形成すると、従来の低酸素濃度基板を使用した
デバイスにはみられない低接合リーク電流，高キャリア
ライフタイム等の良好な電気的特性が得られた。
保持し、酸素濃度の温度依存性を調査した。調査結果を
示す図４から明らかなように、Ｓｂ濃度が１原子％未満
の融液では、１４２６〜１５４２℃の温度範囲において
Ｓｂ濃度及び融液温度に応じて酸素濃度が変動する傾向
は見られなかった。これに対し、Ｓｂ濃度が１．３原子
％以上の融液では、融液温度に応じた酸素濃度の上昇が
窺われる。特に、１．９〜２．０原子％と多量のＳｂを
含む融液では、融液温度が酸素濃度に大きな影響を与え
ている。単結晶が引き上げられるＳｉ融液が高酸素濃度
であるので、融液からの酸化物蒸発を抑制し、液面を安
定させるため、炉内の雰囲気圧を高める。たとえば、通
常の引上げ雰囲気が０．０４気圧であるのに対し、本実
施例では０．８気圧のアルゴン雰囲気を採用した。引き
上げられた単結晶から製造した半導体基板は、重金属不
純物の無害化効果が著しい。そのため、この基板上にデ
バイスを形成すると、従来の低酸素濃度基板を使用した
デバイスにはみられない低接合リーク電流，高キャリア
ライフタイム等の良好な電気的特性が得られた。
【００１０】
【発明の効果】以上に説明したように、本発明において
は、多量のＳｂを含有するＳｉ融液の酸素濃度がＳｂ濃
度に応じて変わることを利用し、従来にない高酸素濃度
の単結晶を引き上げることを可能にする。得られた単結
晶は、半導体デバイスの動作中にリークした電子のトラ
ップや重金属類のゲッタリング等に有効な酸素を多量に
含んでいることから、リーク電流に対して敏感なパワー
用デバイスや基板内のチャンネルを利用したバイポーラ
デバイス等に適した半導体材料として使用される。
は、多量のＳｂを含有するＳｉ融液の酸素濃度がＳｂ濃
度に応じて変わることを利用し、従来にない高酸素濃度
の単結晶を引き上げることを可能にする。得られた単結
晶は、半導体デバイスの動作中にリークした電子のトラ
ップや重金属類のゲッタリング等に有効な酸素を多量に
含んでいることから、リーク電流に対して敏感なパワー
用デバイスや基板内のチャンネルを利用したバイポーラ
デバイス等に適した半導体材料として使用される。
【図１】 融液から単結晶を引き上げるチョクラルスキ
ー法
ー法
【図２】 Ｓｉ融液の酸素濃度にＳｂ含有量が与える影
響
響
【図３】 本発明に従った融液の酸素濃度制御システム
【図４】 Ｓｂ濃度及び融液温度が酸素濃度に与える影
響
響
１：密閉容器 ２：ルツボ ３：サポート ４：
ヒータ ５：保温材 ６：融液 ７：種結晶 ８：単結晶 ９：ワイヤ
１０：回転巻取り機構 １１：重量センサー
１２：演算制御系 １３：Ｓｂフィーダ １４：Ｓｉフィーダ
ヒータ ５：保温材 ６：融液 ７：種結晶 ８：単結晶 ９：ワイヤ
１０：回転巻取り機構 １１：重量センサー
１２：演算制御系 １３：Ｓｂフィーダ １４：Ｓｉフィーダ
フロントページの続き (72)発明者 佐々木 斉 茨城県つくば市春日２丁目42−２パーク サイド河村Ａ−101 (72)発明者 寺嶋 一高 神奈川県海老名市中野206−３ (72)発明者 木村 茂行 茨城県つくば市竹園３−712 (56)参考文献 特開 平３−164495（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) C30B 1/00 - 35/00 H01L 21/208
Claims (1)
- 【請求項１】 Ｓｉ融液中のＳｂ濃度を重量センサーに
よって測定し、測定されたＳｂ濃度を目標酸素濃度に対
応した設定Ｓｂ濃度と比較し、その差に応じてＳｂの添
加又は蒸発によって前記Ｓｉ融液中のＳｂ濃度を調整す
ることを特徴とするＳｉ融液の酸素濃度制御方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5069924A JP2760932B2 (ja) | 1993-03-29 | 1993-03-29 | 単結晶引上げ用Ｓｉ融液の酸素濃度制御方法 |
| EP94104297A EP0625595B1 (en) | 1993-03-29 | 1994-03-18 | Control of oxygen concentration in single crystal pulled up from melt containing group-V element |
| DE69428302T DE69428302T2 (de) | 1993-03-29 | 1994-03-18 | Regulierung der Sauerstoffkonzentration in einem Einkristall, der aus einer ein Gruppe V Element enthaltenden Schmelze gezogenen wird. |
| US08/291,833 US5524574A (en) | 1993-03-29 | 1994-08-17 | Control of oxygen concentration in single crystal pulled up from melt containing Group-V element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5069924A JP2760932B2 (ja) | 1993-03-29 | 1993-03-29 | 単結晶引上げ用Ｓｉ融液の酸素濃度制御方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06279165A JPH06279165A (ja) | 1994-10-04 |
| JP2760932B2 true JP2760932B2 (ja) | 1998-06-04 |
Family
ID=13416728
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5069924A Expired - Lifetime JP2760932B2 (ja) | 1993-03-29 | 1993-03-29 | 単結晶引上げ用Ｓｉ融液の酸素濃度制御方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2760932B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5172202B2 (ja) * | 2007-05-10 | 2013-03-27 | Ｓｕｍｃｏ Ｔｅｃｈｘｉｖ株式会社 | 単結晶の製造方法 |
| JP2009292669A (ja) * | 2008-06-03 | 2009-12-17 | Sumco Corp | シリコンウェーハ |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0777999B2 (ja) * | 1989-11-24 | 1995-08-23 | 信越半導体株式会社 | アンチモンドープ単結晶シリコンの育成方法 |
-
1993
- 1993-03-29 JP JP5069924A patent/JP2760932B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06279165A (ja) | 1994-10-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Kloc et al. | Preparation and properties of FeSi, α-FeSi2 and β-FeSi2 single crystals | |
| US4417943A (en) | Method for controlling the oxygen level of silicon rods pulled according to the Czochralski technique | |
| EP0874069A1 (en) | Detecting method of impurity concentration in a crystal, method and apparatus for pulling up a single-crystal | |
| JP4567262B2 (ja) | エピタキシャルウエハ基板用に強化されたｎ型シリコン材料及びその製造方法 | |
| EP0625595B1 (en) | Control of oxygen concentration in single crystal pulled up from melt containing group-V element | |
| JP2760932B2 (ja) | 単結晶引上げ用Ｓｉ融液の酸素濃度制御方法 | |
| JPH03164495A (ja) | アンチモンドープ単結晶シリコンの育成方法 | |
| Allred et al. | The preparation and properties of aluminum antimonide | |
| GB2120954A (en) | Reducing impurity levels in pulled single crystals | |
| JPH0246560B2 (ja) | ||
| US6004393A (en) | Detecting method of impurity concentration in crystal, method for producing single crystal and apparatus for the pull-up of a single crystal | |
| JPH0557240B2 (ja) | ||
| JP2720303B2 (ja) | 単結晶引上げ用Ｓｉ融液の酸素濃度制御方法 | |
| JP2691393B2 (ja) | 単結晶引上げ用Ｓｉ融液の調整方法 | |
| JP2720282B2 (ja) | 酸素濃度を制御したＳｉ単結晶の引上げ方法 | |
| EP0669413A1 (en) | Preparation of silicon melt for use in pull method of manufacturing single crystal | |
| JP2720283B2 (ja) | 酸素濃度を制御したＳｉ単結晶の引上げ方法 | |
| JP2760940B2 (ja) | 雰囲気制御により酸素濃度を調整するＳｉ単結晶の引上げ装置 | |
| JP2572291B2 (ja) | 半絶縁性ＩｎＰ単結晶基板の製造方法 | |
| JP2000313699A (ja) | 半絶縁性ＩｎＰ単結晶の製造方法 | |
| JP2804455B2 (ja) | 温度変動を制御したＳｉ単結晶の育成方法 | |
| JP2760948B2 (ja) | 対流制御機能を持つルツボを使用する単結晶育成方法 | |
| JPS6230700A (ja) | 化合物半導体単結晶およびその製造方法 | |
| JPH06125148A (ja) | 低抵抗半導体結晶基板及びその製造方法 | |
| JP2516641B2 (ja) | 無機化合物単結晶基板のアニ―ル方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19980310 |