JP2755440B2 - Resin mold type semiconductor device and resin mold device - Google Patents

Resin mold type semiconductor device and resin mold device

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JP2755440B2
JP2755440B2 JP1197398A JP19739889A JP2755440B2 JP 2755440 B2 JP2755440 B2 JP 2755440B2 JP 1197398 A JP1197398 A JP 1197398A JP 19739889 A JP19739889 A JP 19739889A JP 2755440 B2 JP2755440 B2 JP 2755440B2
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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、放熱板を含めて全体を外装樹脂でモールド
したパワートランジスタ等の樹脂封止型半導体装置と、
その製造に用いる樹脂モールド装置に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Industrial Application Field] The present invention relates to a resin-encapsulated semiconductor device such as a power transistor in which the entire body including a heat sink is molded with an exterior resin;
The present invention relates to a resin molding device used for the manufacture.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

従来より、発熱量が大きいパワートランジスタ等の半
導体装置は、その放熱板を裏面に露出させて樹脂モール
ドしていた。けれども、このような半導体装置は、放熱
板を絶縁するためにマイカやシリコンゴムシートを介在
させてシャーシ等に実装する必要があるので、実装作業
が煩雑となり、部品点数も増加するという問題があっ
た。
2. Description of the Related Art Conventionally, a semiconductor device such as a power transistor which generates a large amount of heat has been resin-molded by exposing a heat radiating plate to a back surface. However, such a semiconductor device needs to be mounted on a chassis or the like with mica or a silicon rubber sheet interposed to insulate the heat sink, so that the mounting operation becomes complicated and the number of parts increases. Was.

そこで、第6図や第8図に示すように放熱板を含めて
全体を樹脂モールドした構造の樹脂封止型パワートラン
ジスタが開発された。
Therefore, a resin-sealed power transistor having a structure in which the entire body including the heat sink is resin-molded as shown in FIGS. 6 and 8 has been developed.

この第6図に示す樹脂封止型パワートランジスタは、
リード100を有する放熱板101の上に半導体ペレット102
を半田103でマウントし、半導体ペレット表面のエミッ
タ電極とベース電極を、放熱板のリード両側に配設され
た2本のリード(図には表れていない)にそれぞれ金属
細線104でワイヤボンディングしてから、全体を外装樹
脂105でモールドしたものであり、放熱板101の下側の外
装樹脂の厚みは、放熱性が低下しないように0.3〜1.0mm
程度に設定されている。
The resin-sealed power transistor shown in FIG.
Semiconductor pellets 102 on a heat sink 101 having leads 100
Is mounted with solder 103, and the emitter electrode and the base electrode on the surface of the semiconductor pellet are wire-bonded to two leads (not shown) arranged on both sides of the leads of the heat sink with fine metal wires 104, respectively. Therefore, the whole is molded with the exterior resin 105, and the thickness of the exterior resin on the lower side of the heat sink 101 is 0.3 to 1.0 mm so that heat dissipation is not reduced.
Set to about.

また、第8図に示す樹脂封止型パワートランジスタ
は、放熱板101のリード100と反対側の端部に吊りピン10
6を設けた点を除いて、第6図のパワートランジスタと
同様に構成されたものである。
In addition, a resin-sealed power transistor shown in FIG.
Except for the point 6 provided, it has the same configuration as the power transistor of FIG.

〔発明が解決しようとする課題〕[Problems to be solved by the invention]

しかしながら、第6図の樹脂封止型パワートランジス
タの場合は、樹脂モールド工程において、第7図に示す
ように半導体ペレット102がマウントされた放熱板101を
樹脂モールド装置の上下金型107,108間のキャビティ109
にセットしたとき、放熱板101がリード100のところで片
持ち支持の状態となり、仮想線で示すように放熱板101
が自重で傾斜しやすいため、ゲート110から外装樹脂を
射出してモールドすると、放熱板下側の外装樹脂の厚み
が設定値より薄くなって絶縁耐圧が低下したり、極端な
場合には放熱板101が部分的に露出するという問題があ
った。
However, in the case of the resin-sealed power transistor shown in FIG. 6, in the resin molding step, the radiator plate 101 on which the semiconductor pellet 102 is mounted is mounted on the cavity between the upper and lower molds 107 and 108 of the resin molding apparatus as shown in FIG. 109
When the heat sink 101 is set to the position, the heat sink 101 is in a cantilever support state at the lead 100, and the heat sink 101 is
When the exterior resin is injected from the gate 110 and molded, the thickness of the exterior resin on the lower side of the radiator plate becomes thinner than the set value and the withstand voltage decreases. There was a problem that 101 was partially exposed.

これに対し、第8図の樹脂封止型パワートランジスタ
は、樹脂モールドするとき、第9図に示すようにリード
100の吊りピン106を上下金型107,108の間に挟んで放熱
板101をキャビティ109の底面と平行にセットできるた
め、上記の問題は生じない。けれども、このパワートラ
ンジスタは、金型から取り出した後、外装樹脂105の側
面から突出する吊りピン106の先端を切断する必要があ
り、その切断面が外装樹脂105の側面に露出するため、
実装したときの沿面距離lが短く、絶縁耐圧に劣るとい
う問題があった。
On the other hand, the resin-sealed power transistor shown in FIG.
Since the heat radiating plate 101 can be set in parallel with the bottom surface of the cavity 109 with the 100 suspending pins 106 interposed between the upper and lower molds 107 and 108, the above problem does not occur. However, after removing the power transistor from the mold, it is necessary to cut the tip of the suspending pin 106 projecting from the side surface of the exterior resin 105, and the cut surface is exposed on the side surface of the exterior resin 105.
There is a problem that the creepage distance 1 when mounted is short, and the dielectric strength is inferior.

また、第6図及び第8図の樹脂封止型パワートランジ
スタはいずれも、樹脂モールド時の外装樹脂の流動抵抗
が放熱板101の下側で大きく上側で小さいため、第7図
及び第9図において矢印Aで示すように上側の外装樹脂
が下側へ回りこんで下側の外装樹脂と接合することにな
る。そのように放熱板上側の外装樹脂が放熱板下側へ回
りこむと、下側の空気が閉じ込められて脱気不充分とな
るため、外装樹脂の接合部分にピンホールや気泡が発生
しやすいという問題があった。
6 and 8, since the flow resistance of the exterior resin during resin molding is large below the heat radiating plate 101 and small above the heat sink, both of the resin-sealed power transistors shown in FIGS. As shown by the arrow A, the upper exterior resin turns downward and joins with the lower exterior resin. When the exterior resin on the upper side of the heat sink goes down to the lower side of the heat sink in this way, the lower air is trapped and degassing is insufficient, so pinholes and bubbles are likely to be generated at the joint of the exterior resin. There was a problem.

(課題を解決するための手段) 上記問題を解決するため、本発明の樹脂モールド型半
導体装置は、半導体ペレットマウント面側が径大で非マ
ウント面側が径小のテーパ孔を設けた放熱板を有し外装
樹脂の一部が放熱板の前記非マウント面よりテーパ孔の
中間まで充填され、かつペレットマウント面側の外装樹
脂に保持ピンを抜き取ったあとの残孔が形成され、ペレ
ット非マウント面側の樹脂の厚みを薄く設定して放熱板
の全面を樹脂被覆している。
(Means for Solving the Problems) In order to solve the above problems, the resin-molded semiconductor device of the present invention has a heat sink provided with a tapered hole having a large diameter on the semiconductor pellet mounting surface side and a small diameter on the non-mounting surface side. Then, a part of the exterior resin is filled from the non-mount surface of the heat sink to the middle of the tapered hole, and a residual hole is formed in the exterior resin on the pellet mount surface side after the holding pin is extracted, and the pellet non-mount surface side The thickness of the resin is set to be thin to cover the entire surface of the heat sink.

また本発明による樹脂モールド装置は、上下金型間の
キャビティ内にセットした放熱板のテーパ孔に上方から
圧入され先端がテーパ孔の中間で係止される放熱板保持
ピンが上金型に設けられ、放熱板保持ピンの圧入時に放
熱板を下方から支持する支持ピンが放熱板保持ピンの真
下に位置して下金型に出没自在に設けられていることを
特徴とする。
In the resin molding apparatus according to the present invention, a heat sink holding pin is press-fitted from above into a tapered hole of a heat sink set in a cavity between the upper and lower molds, and a tip of the heat sink is locked in the middle of the tapered hole. A support pin for supporting the radiator plate from below when the radiator plate holding pin is press-fitted is provided immediately below the radiator plate holding pin and is provided in the lower mold so as to be freely retractable.

〔作用〕[Action]

本発明の樹脂封止型半導体装置のように、放熱板にテ
ーパ孔が形成されていると、本発明の樹脂モールド装置
を用いて樹脂モールドする際、放熱板のテーパ孔に上方
から圧入された上金型の放熱板保持ピンによって、放熱
板をキャビティ底面と平行に保持してセットできる。そ
して、上記のように放熱板保持ピンを上方から圧入した
状態でキャビティ内へ外装樹脂を射出すると、放熱板上
側の外装樹脂の流動抵抗が放熱板保持ピンによって増大
し、放熱板下側の外装樹脂の流動抵抗との差が少なくな
るので、上側の外装樹脂が放熱板の下側へ回りこみにく
くなる。上記の放熱板保持ピンは脱型のときには抜き取
られるので、放熱板上側の外装樹脂には放熱板のテーパ
孔に連なる残孔が形成されるが、このような残孔が存在
しても沿面距離を長いため絶縁耐圧の低下を招くことは
ない。
As in the resin-encapsulated semiconductor device of the present invention, when the tapered hole is formed in the heat sink, when resin molding is performed using the resin molding device of the present invention, the tapered hole is pressed into the tapered hole of the heat sink from above. The heat sink can be held and set in parallel with the cavity bottom surface by the heat sink holding pins of the upper mold. When the exterior resin is injected into the cavity with the radiator plate holding pins pressed in from above as described above, the flow resistance of the outer resin on the radiator plate is increased by the radiator plate pins, and the outer package on the lower side of the radiator plate is increased. Since the difference from the flow resistance of the resin is reduced, the upper exterior resin is less likely to flow below the heat sink. Since the above-mentioned radiator plate holding pin is removed when the mold is removed, a residual hole is formed in the exterior resin on the upper side of the radiator plate so as to be continuous with the tapered hole of the radiator plate. , The dielectric breakdown voltage does not decrease.

また、本発明の樹脂モールド装置のように、放熱板を
下方から支持する支持ピンを放熱板保持ピンの真下に位
置させて下金型に出没自在に設けてあると、放熱板をキ
ャビティ底面と平行に支持した状態で放熱板保持ピンを
放熱板のテーパ孔に充分に圧入できるため、外装樹脂の
射出時に支持ピンを没入させて放熱板の支持を解除した
状態でも、放熱板は放熱板保持ピンから脱落することな
くキャビティ底面と平行に保持される。そして、上記の
ように支持ピンを没入させた状態で外装樹脂を射出すれ
ば、放熱板下側の外装樹脂の流動抵抗が増大したり、支
持ピンによる残孔が形成されたりすることもない。
Further, as in the resin molding device of the present invention, if the support pins for supporting the heat sink from below are located right below the heat sink holding pins and are provided so as to be freely retractable in the lower mold, the heat sink can be located at the bottom of the cavity. The heatsink holding pin can be sufficiently pressed into the tapered hole of the heatsink while being supported in parallel, so the heatsink is held even when the support pin is immersed and the heatsink support is released when the exterior resin is injected. It is held parallel to the cavity bottom without falling off the pin. If the exterior resin is injected with the support pins immersed as described above, the flow resistance of the exterior resin below the heat sink is not increased, and no residual holes are formed by the support pins.

〔実施例〕〔Example〕

以下、図面に基づいて本発明の実施例を詳述する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

第1図は本発明の樹脂封止型半導体装置の一実施例を
示す平面図、第2図は第1図のA−B−C−D−E−F
線に沿った拡大断面図であって、パワートランジスタを
例示したものである。
FIG. 1 is a plan view showing one embodiment of a resin-sealed semiconductor device according to the present invention, and FIG. 2 is ABCDEF of FIG.
FIG. 2 is an enlarged cross-sectional view along a line, illustrating a power transistor.

第1図及び第2図において、1は銅等の比較的柔らか
い金属製の放熱板であり、この放熱板1の一端にはリー
ド2が一体に設けられている。そして、この放熱板1の
他端寄りには、止具挿通孔3を形成するための丸孔4
と、樹脂モールドの際に放熱板保持ピンを圧入する上広
がりの二つのテーパ孔5が穿孔されている。
1 and 2, reference numeral 1 denotes a heat radiating plate made of a relatively soft metal such as copper, and a lead 2 is integrally provided at one end of the heat radiating plate 1. A round hole 4 for forming a stopper insertion hole 3 is provided near the other end of the heat sink 1.
And two upwardly expanding tapered holes 5 for press-fitting the heat sink holding pins at the time of resin molding.

この放熱板1の上面(ペレットマウント面)には、パ
ワートランジスタ用の半導体ペレット6が半田7を介し
てマウントされ、該ペレット下面のコレクタ電極と放熱
板1がダイボンディングされている。そして、この半導
体ペレット6の上面に形成されたエミッタ電極及びベー
ス電極と、放熱板1のリード2の両側に配設された2本
のリード8,9とがそれぞれ金属細線10でワイヤーボンデ
ィングされ、全体がエポキシ樹脂等の外装樹脂11でモー
ルドされて樹脂封止型パワートランジスタが構成されて
いる。
A semiconductor pellet 6 for a power transistor is mounted on the upper surface (pellet mount surface) of the heat sink 1 via solder 7, and the collector electrode on the lower surface of the pellet and the heat sink 1 are die-bonded. Then, the emitter electrode and the base electrode formed on the upper surface of the semiconductor pellet 6 and the two leads 8 and 9 provided on both sides of the lead 2 of the heat sink 1 are wire-bonded with the thin metal wires 10, respectively. The whole is molded with an exterior resin 11 such as an epoxy resin to constitute a resin-sealed power transistor.

この外装樹脂11は、半導体ペレット6及び金属細線10
を封止する部分が厚肉化された段付き直方体形状に成形
され、放熱板1下側(ペレット非マウント面側)の外装
樹脂の厚みは、良好な放熱性を発揮できるように0.3〜
1.0mm程度に設定されている。そして、この外装樹脂11
の薄肉下段部には前記の止具挿通孔3が放熱板1の丸孔
4と同心的に形成され、更に、放熱板1のテーパ孔5の
上方には、放熱板保持ピンを抜き取ったあとの残孔12が
形成されている。また、このテーパ孔5の下部には外装
樹脂が入り込んで楔状突起13が形成されている。
The exterior resin 11 is composed of the semiconductor pellet 6 and the fine metal wire 10.
The sealing resin is molded into a stepped rectangular parallelepiped shape with a thicker wall, and the thickness of the exterior resin on the lower side of the heat sink 1 (the side on which the pellet is not mounted) is 0.3 to 0.3 mm so that good heat dissipation can be exhibited.
It is set to about 1.0mm. And this exterior resin 11
The stopper insertion hole 3 is formed concentrically with the round hole 4 of the radiator plate 1 in the thin lower part of the radiator plate. Further, above the taper hole 5 of the radiator plate 1, the radiator plate holding pin is removed. Are formed. In addition, a wedge-shaped projection 13 is formed below the tapered hole 5 by entering an exterior resin.

第3図は本発明の樹脂モールド装置の一実施例を示す
部分断面図で、この樹脂モールド装置は前記構成の樹脂
封止型パワートランジスタの製造に使用するものであ
る。
FIG. 3 is a partial sectional view showing one embodiment of the resin molding apparatus of the present invention. This resin molding apparatus is used for manufacturing a resin-sealed power transistor having the above-described configuration.

即ち、この樹脂モールド装置は、上下の金型14,15の
間に段付き直方体形状のキャビティ16が形成されたもの
で、このキャビティ16には前記のように半導体ペレット
6をマウントした放熱板がセットされ、前記のリード2,
8,9が上下の金型14,15で挟持されるようになっている。
なお、これらのリード2,8,9は、この樹脂モールドの段
階では切断分離されてなく、リードフレームのタイバー
で互いに連結されたままである。
That is, in this resin molding apparatus, a stepped rectangular cavity 16 is formed between upper and lower molds 14 and 15, and a heat sink on which the semiconductor pellet 6 is mounted as described above is formed in the cavity 16. Set the above lead 2,
8 and 9 are sandwiched between upper and lower molds 14 and 15.
The leads 2, 8, and 9 are not cut and separated at the stage of the resin molding, and are still connected to each other by the tie bars of the lead frame.

この上金型14には、前記の止具挿通孔3を成形するた
めの円形ポール17が下向きに突設され、更に、放熱板1
のテーパ孔5に圧入される2本の放熱板保持ピン18(但
し、第3図では1本の放熱板保持ピンのみ表れている)
が該テーパ孔5の真上に位置して出没自在に設けられて
いる。この放熱板保持品18は放熱板1より硬い材質のピ
ンで、その下端部18aがテーパ状に加工されており、こ
のテーパ状下端部18aをテーパ孔5に圧入すると、放熱
板1が仮着状態となり、脱落することなく保持できるよ
うになっている。
The upper die 14 is provided with a circular pole 17 for forming the stopper insertion hole 3 protruding downward.
Two heat sink holding pins 18 press-fitted into the tapered hole 5 (only one heat sink holding pin is shown in FIG. 3).
Is provided right above the tapered hole 5 so as to be freely protruded and retracted. The heat radiating plate holder 18 is a pin made of a material harder than the heat radiating plate 1 and has a lower end portion 18a formed into a tapered shape. When the tapered lower end portion 18a is pressed into the tapered hole 5, the heat radiating plate 1 is temporarily attached. It is in a state and can be held without falling off.

一方、下金型15には、放熱板1を下方から支持する2
本の支持ピン19(但し、第3図では1本の支持ピンのみ
表れている)が放熱板保持ピン18の真下にそれぞれ位置
して出没自在に設けられており、ゲート20から外装樹脂
をキャビティ16内へ射出するときには、該支持ピン19の
平坦な上面がキャビティ16の底面と面一になるように下
降して、放熱板1の支持を解除するようになっている。
On the other hand, the lower mold 15 supports the heat sink 1 from below.
Three support pins 19 (only one support pin is shown in FIG. 3) are provided directly below the heat sink holding pins 18 so as to be freely protruded and retracted. At the time of injection into the cavity 16, the flat upper surface of the support pin 19 is lowered so as to be flush with the bottom surface of the cavity 16, and the support of the heat sink 1 is released.

上記のように構成された樹脂モールド装置によって樹
脂モールドを行う場合は、まず上金型14を上昇させた状
態で、リード2,8,9を下金型15に載置すると共に、半導
体ペレット6がマウントされた放熱板1を下金型15のキ
ャビティに入れて支持ピン19で下方から支持させ、放熱
板1をキャビティ底面と平行に僅かに浮かせた状態でセ
ットする。なお、リード2,8,9は前述のようにタイバー
で連結されてリードフレームに取付いたままである。
When resin molding is performed by the resin molding apparatus configured as described above, first, with the upper mold 14 raised, the leads 2, 8, 9 are placed on the lower mold 15 and the semiconductor pellet 6 Is mounted in the cavity of the lower mold 15 and is supported from below by support pins 19, and the heat sink 1 is set in a state of being slightly floated in parallel with the bottom surface of the cavity. The leads 2, 8, and 9 are connected by the tie bars as described above and are still attached to the lead frame.

次いで、上金型14を下降させ、第3図に示すようにリ
ード2,8,9を上下の金型14,15で挟持固定すると共に、円
形ポール17を放熱板1の丸孔4に挿入する。そして、こ
れと同時に放熱板保持ピン18を下降させ、そのテーパ状
下端部18aを放熱板1のテーパ孔5の途中まで圧入して
から、支持ピン19をその上面がキャビティ底面と面一と
なるように下降させる。このように放熱板1を支持ピン
19で下方から支持して放熱板保持ピン18のテーパ状下端
部18aをテーパ孔5に上方から圧入すると、テーパ状下
端部18aがテーパ孔5に食い込んで仮着状態となるた
め、支持ピン19を下降させて放熱板1の支持を解除して
も、放熱板1はキャビティ16の底面から僅かに浮いた状
態で平行に保持される。
Then, the upper mold 14 is lowered, and the leads 2, 8, 9 are clamped and fixed between the upper and lower molds 14, 15 as shown in FIG. 3, and the circular pole 17 is inserted into the round hole 4 of the heat sink 1. I do. At the same time, the heat radiating plate holding pin 18 is lowered, and the tapered lower end portion 18a is pressed into the tapered hole 5 of the heat radiating plate 1 halfway, and then the support pin 19 is flush with the cavity bottom surface. And lower it. Thus, the heat sink 1 is supported by the support pins.
When the tapered lower end 18a of the radiator plate holding pin 18 is pressed into the tapered hole 5 from above by being supported by the lower portion 19, the tapered lower end 18a bites into the tapered hole 5 to be in a temporarily attached state. Is lowered to release the support of the radiator plate 1, the radiator plate 1 is held parallel to the cavity 16 while slightly floating from the bottom surface of the cavity 16.

上記のようにして放熱板1の保持が完了すると、ゲー
ト20から外装樹脂をキャビティ16内へ射出して全体をモ
ールドする。このように外装樹脂を射出すると、放熱板
保持ピン18があるため放熱板1上側の外装樹脂の流動抵
抗が増大し、放熱板1下側の外装樹脂の流動抵抗との差
が小さくなる。従って、上側の外装樹脂が放熱板1の下
側へ回りこまないので空気の抜けが良くなり、従来のよ
うに外装樹脂の接合部分にピンホールや気泡が発生する
ことはなくなる。また、放熱板1はキャビティ16の底面
と平行に保持されているので、放熱板1の下側の外装樹
脂の厚みが一定となる。
When the holding of the heat radiating plate 1 is completed as described above, the exterior resin is injected into the cavity 16 from the gate 20, and the whole is molded. When the exterior resin is injected in this manner, the flow resistance of the exterior resin on the upper side of the heat sink 1 increases due to the presence of the heat sink holding pins 18, and the difference between the resin and the flow resistance of the exterior resin on the lower side of the heat sink 1 decreases. Therefore, since the upper exterior resin does not go under the heat sink 1, air escape is improved, and pinholes and bubbles are not generated at the joint portion of the exterior resin as in the related art. Further, since the heat sink 1 is held parallel to the bottom surface of the cavity 16, the thickness of the exterior resin on the lower side of the heat sink 1 is constant.

樹脂モールドが終わると、放熱板支持ピン18を上昇さ
せて抜き取ると共に、上金型14を上昇させて下金型15か
ら樹脂封止型パワートランジスタを取り出し、タイバー
を切断してリード2,8,9をリードフレームから分離す
る。
When the resin molding is completed, the heat sink support pins 18 are lifted up and removed, and the upper mold 14 is raised to take out the resin-sealed power transistor from the lower mold 15 and cut the tie bars to lead 2,8, Separate 9 from the lead frame.

このようにして得られた樹脂封止型パワートランジス
タは、前記のように放熱板保持ピン18を抜き取ったあと
の残孔12が形成されているが、この残孔12は外装樹脂11
の上面に開口しているので、シャーシ等に実装したとき
の沿面距離が第8図の従来品よりも遥かに長くなる。従
って、従来品のように絶縁耐圧が低下することはない。
The resin-encapsulated power transistor thus obtained has a residual hole 12 formed after extracting the heatsink holding pin 18 as described above.
8, the creepage distance when mounted on a chassis or the like is much longer than that of the conventional product shown in FIG. Therefore, the dielectric strength does not decrease unlike the conventional product.

また、樹脂モールドの際、放熱板1が放熱板保持ピン
18によってキャビティ16の底面と平行に所定間隔をあけ
て保持されるので、放熱板1の下側の外装樹脂の厚みが
一定している。従って、第6図の従来品のように放熱板
が傾斜し、下側の外装樹脂の厚みが小さくなって絶縁耐
圧が低下したり、放熱板が露出するといった問題も解消
される。
In the case of resin molding, the heat sink 1 is provided with heat sink holding pins.
Since it is held at a predetermined interval in parallel with the bottom surface of the cavity 16 by the cavity 18, the thickness of the exterior resin on the lower side of the heat sink 1 is constant. Therefore, the problem that the heat sink is inclined as in the conventional product of FIG. 6 and the thickness of the lower exterior resin is reduced to lower the withstand voltage and that the heat sink is exposed is also solved.

また、第6図や第8図の従来品では、放熱板下側の外
装樹脂が剥離しやすいという問題もあるが、上記の樹脂
封止型パワートランジスタでは、外装樹脂が放熱板1の
テーパ孔5の下部に入り込んで楔状突起13を形成してい
るので、放熱板1のペレット非マウント面側全面を被覆
した薄い樹脂の中間部が、放熱板1に対して抜け防止さ
れた状態で係止された楔状突起13によって放熱板1に強
固に保持されるため放熱板下側の外装樹脂が剥離するこ
ともなくなる。
Further, in the conventional products shown in FIGS. 6 and 8, there is a problem that the exterior resin on the lower side of the heat sink is easily peeled off. 5, the wedge-shaped protrusion 13 is formed, so that the intermediate portion of the thin resin covering the entire surface of the heat sink 1 on the non-pellet mounting side is locked in a state where the thin resin is prevented from coming off with respect to the heat sink 1. Since the wedge-shaped projections 13 are firmly held on the heat radiating plate 1, the exterior resin on the lower side of the heat radiating plate does not peel off.

したがって、半導体ペレット6から放熱板1に伝達さ
れた熱が効率良くペレット非マウント面側の樹脂に伝達
され、良好な放熱が可能である。
Therefore, the heat transmitted from the semiconductor pellet 6 to the heat sink 1 is efficiently transmitted to the resin on the non-mounting surface side of the pellet, and good heat radiation is possible.

第4図は本発明の樹脂封止型半導体装置の他の実施例
を示す平面図で、放熱板として先端が二股状に形成され
た放熱板1′を用いた樹脂封止型パワートランジスタを
示している。その他の構成は第1図及び第2図の樹脂封
止型パワートランジスタと同様であるので、第4図にお
いて同一部材に同一符号を付し、説明を省略する。
FIG. 4 is a plan view showing another embodiment of the resin-encapsulated semiconductor device of the present invention, and shows a resin-encapsulated power transistor using a heat-dissipating plate 1 'having a forked tip as a heat-dissipating plate. ing. Other configurations are the same as those of the resin-sealed power transistors of FIGS. 1 and 2, and therefore, in FIG. 4, the same members are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted.

第5図(イ)は本発明の樹脂モールド装置の放熱保持
ピンの他の例を示す部分側面図、同図(ロ)は同図
(イ)のG−G線断面図であって、この放熱板保持ピン
18′は、そのテーパ状下端部18a′の周囲に複数(4
つ)の食込み刃18b′を形成したものである。このよう
な食込み刃18b′が形成されていると、テーパ状下端部1
8a′を放熱板1のテーパ孔5に圧入したとき、食込み刃
18b′がテーパ孔5の周囲に食込み、放熱板1をより確
実に保持できる利点がある。
FIG. 5 (a) is a partial side view showing another example of the heat radiation holding pin of the resin molding apparatus of the present invention, and FIG. 5 (b) is a sectional view taken along line GG of FIG. Heat sink plate
18 'are provided around the tapered lower end 18a'.
The cutting edge 18b 'is formed. When such a bite blade 18b 'is formed, the tapered lower end 1
8a 'is pressed into the tapered hole 5 of the heat sink 1,
18b 'penetrates around the tapered hole 5 and has an advantage that the heat sink 1 can be held more reliably.

以上、樹脂封止型パワートランジスタと該パワートラ
ンジスタ用の樹脂モールド装置を例にとって本発明を説
明したが、本発明はこれらの実施例のみに限定されるも
のではなく、例えばテーパ孔5や残孔12の個数を1個又
は3個以上に変更したり、放熱板保持ピン18を上金型に
固定して設けるなど、種々の変更を許容し得るものであ
り、また、パワートランジスタ以外の放熱板を有する各
種半導体装置に適用できるものである。
As described above, the present invention has been described by taking the resin-sealed power transistor and the resin molding device for the power transistor as examples. However, the present invention is not limited to only these examples. Various changes can be tolerated, such as changing the number of 12 to one or three or more, and fixing the heatsink holding pin 18 to the upper mold, and also allows heatsinks other than the power transistor. It can be applied to various semiconductor devices having the following.

〔発明の効果〕〔The invention's effect〕

以上の説明から明らかなように、本発明の樹脂封止型
半導体装置は、樹脂モールドの際に放熱板下側の外装樹
脂にピンホールや気泡が発生せず、その厚みを一定にす
ることができ、しかも放熱板下側の外装樹脂が剥離しに
くく、シャーシ等に実装したとき放熱板のテーパ孔に至
る沿面距離も長いので、絶縁耐圧が大きく放熱性が良好
な信頼性の高い樹脂封止型半導体装置となる。
As is clear from the above description, the resin-encapsulated semiconductor device of the present invention does not generate pinholes or bubbles in the exterior resin on the lower side of the heat sink during resin molding, and can keep the thickness constant. It is hard to peel off the exterior resin on the lower side of the radiator plate, and the creepage distance to the taper hole of the radiator plate when mounted on a chassis etc. is long. Semiconductor device.

また、本発明の樹脂モールド装置は、従来の樹脂モー
ルド装置の上下金型に放熱板保持ピンと支持ピンを設け
るだけでよいから、改良が簡単で大幅なコスト増を招く
ことがなく、しかも従来の樹脂モールド装置と殆ど変わ
らない作業インデックスで樹脂モールドすることがで
き、不良品の発生率も減少するといった効果を奏する。
In addition, the resin molding device of the present invention requires only providing the heat sink holding pins and the support pins on the upper and lower molds of the conventional resin molding device, so that the improvement is simple and does not cause a significant cost increase. Resin molding can be performed with an operation index almost the same as that of the resin molding apparatus, and the effect of reducing the occurrence rate of defective products is exhibited.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

第1図は本発明の樹脂封止型半導体装置の一実施例を示
す平面図、第2図は第1図のA−B−C−D−E−F線
に沿った拡大断面図、第3図は本発明の樹脂モールド装
置の一実施例を示す部分断面図、第4図は本発明の樹脂
封止型半導体装置の他の実施例を示す平面図、第5図
(イ)は本発明の樹脂モールド装置の放熱板保持ピンの
他の例を示す部分側面図、同図(ロ)は同図(イ)のG
−G線断面図である。 第6図は従来の樹脂被覆型半導体装置の断面図、第7
図は同半導体装置の製造に用いる樹脂モールド装置の断
面図、第8図は従来の他の樹脂被覆型半導体装置の断面
図、第9図は同半導体装置の製造に用いる樹脂モールド
装置の断面図である。 1,1′…放熱板、2,8,9…リード、5…テーパ孔、6…半
導体ペレット、10…金属細線、11…外装樹脂、12…残
孔、14…上金型、15…下金型、16…キャビティ、18,1
8′…放熱板保持ピン、19…支持ピン。
FIG. 1 is a plan view showing one embodiment of a resin-sealed semiconductor device of the present invention, FIG. 2 is an enlarged sectional view taken along the line ABCDEF of FIG. 3 is a partial sectional view showing one embodiment of the resin molding apparatus of the present invention, FIG. 4 is a plan view showing another embodiment of the resin-sealed semiconductor device of the present invention, and FIG. Partial side view showing another example of the heat sink holding pin of the resin molding apparatus of the present invention. FIG.
It is a G line sectional view. FIG. 6 is a sectional view of a conventional resin-coated semiconductor device, and FIG.
FIG. 8 is a cross-sectional view of a resin molding device used for manufacturing the semiconductor device, FIG. 8 is a cross-sectional view of another conventional resin-coated semiconductor device, and FIG. 9 is a cross-sectional view of a resin molding device used for manufacturing the semiconductor device. It is. 1, 1 ': heat sink, 2, 8, 9: lead, 5: tapered hole, 6: semiconductor pellet, 10: thin metal wire, 11: exterior resin, 12: residual hole, 14: upper mold, 15: lower Mold, 16… cavity, 18,1
8 ': Heatsink holding pin, 19: Support pin.

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】放熱板上にマウントされた半導体ペレット
とその近傍に配設されたリードがワイヤボンディングさ
れ、外装樹脂にて、放熱板の半導体ペレット非マウント
面側の樹脂厚がマウント面側の樹脂厚に比して十分薄く
設定されて放熱板の全面が被覆された樹脂モールド型半
導体装置において、 上記放熱板に樹脂モールドの際に放熱板保持ピンを上方
から圧入するテーパ孔が形成されており、前記外装樹脂
の一部が放熱板の前記非マウント面よりテーパ孔の中間
まで充填され、かつペレットマウント面側の外装樹脂に
保持ピンを抜き取ったあとの残孔が形成されたことを特
徴とする樹脂モールド型半導体装置。
1. A semiconductor pellet mounted on a heat sink and a lead disposed in the vicinity of the semiconductor pellet are wire-bonded. In a resin-molded semiconductor device which is set sufficiently thinner than the resin thickness and covers the entire surface of a heat sink, a tapered hole for press-fitting a heat sink holding pin from above at the time of resin molding is formed in the heat sink. A part of the exterior resin is filled from the non-mount surface of the heat sink to the middle of the tapered hole, and a residual hole is formed in the exterior resin on the pellet mounting surface side after the holding pin is extracted. Resin-molded semiconductor device.
【請求項2】上下金型間のキャビティ内にセットした放
熱板のテーパ孔に上方から圧入され先端がテーパ孔の中
間で係止される放熱板保持ピンが上金型に設けられ、放
熱板保持ピンの圧入時に放熱板を下方から支持する支持
ピンが放熱板保持ピンの真下に位置して下金型に出没自
在に設けられていることを特徴とする樹脂モールド装
置。
2. A heat sink holding pin, which is press-fitted from above into a tapered hole of a heat sink set in a cavity between upper and lower molds and whose leading end is locked in the middle of the tapered hole, is provided on the upper mold. A resin molding apparatus, wherein a support pin for supporting the heat sink from below when the holding pin is press-fitted is located directly below the heat sink holding pin and is provided so as to be able to protrude and retract from the lower mold.
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